扬杰科技

小型表面贴装开关二极管系列，涵盖开关速度快、漏电流小的多种型号。

封装:SOD-323/SOD-523/SOT-23; 额定电流:100 mA; 反向耐压:75 V; 反向恢复时间:4 ns; 结温范围:-55℃~+150℃; 结电容:1.5 pF

• 消费电子
• 智能家居
• 通信
• 工业控制

小型肖特基势垒二极管，具备低正向压降与快速响应特性。

正向压降:0.35 V; 反向恢复时间:5 ns; 封装:SOD-323/SOT-23; 额定电流:200 mA; 反向耐压:40 V; 结温范围:-55℃~+125℃

• 消费电子
• 电源
• 通信
• 智能家居

小型齐纳稳压二极管系列，用于电压基准与过压保护。

稳压值:2.4 V~43 V; 封装:SOT-23/SOD-323; 额定电流:200 mA; 结温范围:-55℃~+150℃; 结电容:50 pF

• 消费电子
• 工业控制
• 通信
• 电源

小功率NPN/PNP双极型晶体管，用于信号放大与开关。

沟道类型:NPN/PNP; 封装:SOT-23; 额定电流:500 mA; 反向耐压:50 V; 结温范围:-55℃~+150℃; 开关频率:200 MHz

• 消费电子
• 智能家居
• 通信
• 工业控制

整流二极管与整流桥系列用于将交流电转换为直流电，提供从低压到高压、小电流到大电流的完整耐压与电流规格。它广泛应用于电源、工业控制与家电等领域，是电能变换中的基础整流元件。

类型 普通整流二极管/整流桥；反向耐压 50–1200V；正向电流 1–50A；封装 DO-201/TO-220/GBU；工作结温 −55℃~150℃；恢复方式 标准整流。

• 电源
• 工业控制
• 家电
• 新能源

快恢复二极管（FRD）系列，具备短反向恢复时间。

反向恢复时间:35 ns; 反向耐压:600 V; 额定电流:3 A; 反向恢复电荷:30 nC; 结温范围:-55℃~+175℃; 封装:TO-220/TO-252

• 开关电源
• 光伏逆变器
• 工业变频
• 充电桩

肖特基势垒二极管系列，低VF、高频特性优良。

正向压降:0.55 V; 反向耐压:100 V; 额定电流:5 A; 结温范围:-55℃~+175℃; 封装:TO-220/TO-252; 结电容:200 pF

• 电源
• 光伏
• 消费电子
• 工业控制

瞬态电压抑制二极管（TVS），用于浪涌与瞬态过压防护。

击穿电压:12 V~400 V; 钳位电压:19 V~650 V; 功率等级:400 W/600 W/1500 W; 结温范围:-55℃~+150℃; 结电容:500 pF

• 汽车电子
• 通信
• 工业控制
• 消费电子

静电放电（ESD）保护二极管，用于接口与端口防护。

静电防护:IEC61000-4-2; 结电容:0.5 pF; 反向耐压:5 V; 额定电流:2 A; 结温范围:-55℃~+125℃; 封装:SOD-523/DFN1006

• 消费电子
• 通信
• 汽车电子
• 智能家居

晶闸管型浪涌保护器件（TSP），用于防雷击与瞬态浪涌保护。

转折电压:50 V~300 V; 浪涌电流:100 A~500 A; 响应时间:<1 µs; 工作温度:-40℃~+125℃; 材质:Si

• 通信
• 工业控制
• 电源
• 消费电子

可控硅系列产品，包括单向可控硅（SCR）与双向可控硅（TRIAC）。

沟道类型:SCR/TRIAC; 反向耐压:600 V~1200 V; 额定电流:10 A~40 A; 工作温度:-40℃~+125℃; 工艺:Thyristor

• 家电
• 工业控制
• 照明
• 电源

车规级保护器件系列，包括汽车电子用TVS、ESD等。

认证:AEC-Q101; 击穿电压:12 V~58 V; 钳位电压:19 V~94 V; 静电防护:IEC61000-4-2; 防护等级:IP67; 工作温度:-40℃~+150℃

• 新能源汽车
• 汽车电子
• 车载电控
• 三电系统

功率三极管是中大功率双极型晶体管，用于功率开关、线性稳压与信号放大等场景。它提供TO系列封装，可在工业控制、电源与家电中承担可靠的功率驱动任务。

类型 NPN/PNP双极型；封装 TO-126/TO-220/TO-3P；集电极电流 1–15A；耐压 40–400V；功耗 2–100W；工作结温 −55℃~150℃。

• 工业控制
• 电源
• 家电
• 汽车电子

小信号数字三极管（DTC）在芯片内预置偏置电阻，可直接与单片机接口，省去外围电阻从而简化电路设计。它常用于开关控制与电平转换，适合消费电子、通信与工业等紧凑型应用。

内置电阻 偏置预置；封装 SOT-23/SOT-323；驱动 开关/电平转换；耐压 50V；集电极电流 100mA；功耗 200mW。

• 消费电子
• 智能家居
• 工业控制
• 通信

功率稳压管是大功率齐纳稳压二极管，为电源提供稳定的参考电压，并在异常时钳位过压以保护后级电路。它适用于电源稳压、参考电压与过压保护等工业与汽车电子场景。

类型 大功率齐纳；稳压值 3.3–100V；封装 DO-41/DO-15/TO-220；功耗 1–5W；精度 ±5%；工作结温 −55℃~150℃。

• 电源
• 工业控制
• 汽车电子
• 家电

通用MOSFET产品系列，涵盖沟槽型与超结等多种工艺结构。

沟道类型:N/P-channel; 额定电压:20 V~1000 V; 额定电流:0.1 A~100 A; 导通电阻:5 mΩ~100 mΩ; 封装:SOT/TO/PDFN/DFN/TOLL; 工艺:Trench/SJ

• 电源
• 工业控制
• 光伏储能
• 消费电子
• 通信

车规级N沟道MOSFET系列，满足汽车电子可靠性标准。

认证:AEC-Q101; 沟道类型:N-channel; 额定电压:40 V~1200 V; 额定电流:30 A~300 A; 导通电阻:2 mΩ~20 mΩ; 母线电压:800 V; 工作温度:-55℃~+175℃

• 新能源汽车
• 车载充电机OBC
• 电机控制器
• 电池管理
• DCDC

车规级P沟道MOSFET系列，适用于负载开关与电池管理。

认证:AEC-Q101; 沟道类型:P-channel; 额定电压:-30 V~-100 V; 额定电流:10 A~60 A; 导通电阻:5 mΩ~40 mΩ; 工作温度:-55℃~+175℃

• 新能源汽车
• 电池管理
• 负载开关
• 车载电控

车规级N+P互补MOSFET系列将N沟道与P沟道器件组合封装，专用于H桥与电机驱动等半桥拓扑，满足汽车电子可靠性要求。它可在车载电控、电机控制与电源路径管理中提供高效、紧凑的功率开关方案。

类型 N+P互补MOSFET；认证 AEC-Q101；封装 PDFN/TO；导通电阻 低至数mΩ；电压 30–100V；用于 H桥/电机驱动/半桥电路。

• 新能源汽车
• 电机驱动
• H桥电路
• 车载电控

车规级碳化硅肖特基二极管（SiC SBD）系列，耐高温、低反向恢复。

认证:AEC-Q101; 正向压降:1.2 V~1.7 V; 反向耐压:650 V~1200 V; 反向恢复电荷:15 nC~50 nC; 结温范围:-55℃~+175℃; 额定电流:10 A~50 A

• 新能源汽车
• 车载充电机OBC
• DCDC转换器
• 充电桩

车规级碳化硅MOSFET系列，高压低损耗，用于主驱与OBC。

认证:AEC-Q101; 额定电压:650 V~1200 V; 导通电阻:8 mΩ~40 mΩ; 母线电压:800 V; 开关频率:100 kHz~300 kHz; 结温范围:-55℃~+175℃

• 新能源汽车
• 主驱逆变器
• 车载充电机OBC
• 高压DC-DC

车规级IGBT单管系列，基于微沟槽场终止工艺平台开发。

认证:AEC-Q101; 额定电压:650 V/1200 V; 额定电流:25 A~75 A; 饱和压降:1.5 V~1.9 V; 结温范围:-55℃~+175℃; 封装:TO-247-3L/TO-247-4L

• 新能源汽车
• 车载PTC加热器
• 电机控制
• 车载电源
• 三电系统

半导体分立器件芯片（晶圆）产品，覆盖硅基与碳化硅多种芯片。

晶圆尺寸:4/5/6/8 in (Si), 6 in (SiC); 材质:Si/SiC; 工艺:Trench/SJ/Epi; 基板:Cu/ceramic

• 分立器件制造
• 功率半导体
• 新能源汽车
• 光伏储能
• 工业

集成电路（IC）产品线覆盖功率管理与控制类器件，为系统提供电源转换、驱动与保护等核心功能。它服务于消费电子、工业控制、汽车电子与电源等应用，是公司从分立器件向系统集成延伸的关键布局。

类型 功率管理/控制类IC；功能 电源转换/驱动/保护；工艺 标准CMOS/BCD；封装 SOP/QFN/DFN；应用 消费电子/工业/汽车电子/电源。

• 消费电子
• 工业控制
• 汽车电子
• 电源

功率模块产品，涵盖IGBT模块与SiC功率模块，含工业级与车规级。

额定电压:650 V~1700 V; 拓扑:Half-bridge/T-type 3L/Boost; 基板:DBC Cu substrate; 封装:Easy/C1/C2/E1/E2/P2/P3; 材质:Cu/ceramic; 工作温度:-40℃~+150℃

• 工业变频
• 伺服驱动
• 光伏储能
• 充电桩
• 新能源汽车

平板式与压接式大功率分立器件面向中高压、大电流功率变换场景，采用面接触结构以获得更低的接触热阻与更高的可靠性。它广泛用于工业变频、电力电子与新能源等需要高功率密度的场合。

结构 平板/压接式；类型 晶闸管/二极管模块；电压 600–6500V；电流 100–5000A；冷却 风冷/水冷；应用 工业变频/电力电子/新能源。

• 工业变频
• 电力电子
• 新能源
• 电源