Yangjie Technology

Serie de diodos conmutadores de montaje superficial compactos, con conmutación rápida y baja corriente de fuga en múltiples variantes.

Encapsulado:SOD-323/SOD-523/SOT-23; Corriente nominal:100 mA; Tensión inversa:75 V; Tiempo de recuperación inversa:4 ns; Rango de temp. de unión:-55℃~+150℃; Capacidad de unión:1.5 pF

• Electrónica de consumo
• Hogar inteligente
• Comunicaciones
• Control industrial

Diodos de barrera Schottky compactos con baja caída de tensión directa y respuesta rápida.

Caída de tensión directa:0.35 V; Tiempo de recuperación inversa:5 ns; Encapsulado:SOD-323/SOT-23; Corriente nominal:200 mA; Tensión inversa:40 V; Rango de temp. de unión:-55℃~+125℃

• Electrónica de consumo
• Fuente de alimentación
• Comunicaciones
• Hogar inteligente

Serie compacta de diodos Zener estabilizadores para referencia de tensión y protección contra sobretensiones.

Tensión Zener:2.4 V~43 V; Encapsulado:SOT-23/SOD-323; Corriente nominal:200 mA; Rango de temp. de unión:-55℃~+150℃; Capacidad de unión:50 pF

• Electrónica de consumo
• Control industrial
• Comunicaciones
• Fuente de alimentación

Transistores bipolares NPN/PNP de baja potencia para amplificación y conmutación de señales.

Tipo de canal:NPN/PNP; Encapsulado:SOT-23; Corriente nominal:500 mA; Tensión inversa:50 V; Rango de temp. de unión:-55℃~+150℃; Frecuencia de conmutación:200 MHz

• Electrónica de consumo
• Hogar inteligente
• Comunicaciones
• Control industrial

La serie de diodos rectificadores y puentes convierte la corriente alterna en continua, con una gama completa de tensiones inversas y corrientes desde baja a alta tensión y de pequeña a gran corriente. Usada en fuentes de alimentación, control industrial y electrodomésticos, es un componente básico de rectificación.

Tipo diodo/puente rectificador estándar; tensión inversa 50–1200V; corriente directa 1–50A; encapsulado DO-201/TO-220/GBU; temperatura de unión −55℃~150℃; recuperación rectificación estándar.

• Fuente de alimentación
• Control industrial
• Electrodomésticos
• Energía nueva

Serie de diodos de recuperación rápida (FRD) con corto tiempo de recuperación inversa.

Tiempo de recuperación inversa:35 ns; Tensión inversa:600 V; Corriente nominal:3 A; Carga de recuperación inversa:30 nC; Rango de temp. de unión:-55℃~+175℃; Encapsulado:TO-220/TO-252

• Fuente de alimentación conmutada
• Inversor fotovoltaico
• Variador de frecuencia industrial
• Cargador

Serie de diodos de barrera Schottky con baja VF y excelente comportamiento en alta frecuencia.

Caída de tensión directa:0.55 V; Tensión inversa:100 V; Corriente nominal:5 A; Rango de temp. de unión:-55℃~+175℃; Encapsulado:TO-220/TO-252; Capacidad de unión:200 pF

• Fuente de alimentación
• Fotovoltaica
• Electrónica de consumo
• Control industrial

Diodos supresores de tensión transitoria (TVS) para protección contra sobretensiones y transientes.

Tensión de ruptura:12 V~400 V; Tensión de clavado:19 V~650 V; Grado de potencia:400 W/600 W/1500 W; Rango de temp. de unión:-55℃~+150℃; Capacidad de unión:500 pF

• Electrónica automotriz
• Comunicaciones
• Control industrial
• Electrónica de consumo

Diodos de protección contra descargas electrostáticas (ESD) para protección de interfaces y puertos.

Protección ESD:IEC61000-4-2; Capacidad de unión:0.5 pF; Tensión inversa:5 V; Corriente nominal:2 A; Rango de temp. de unión:-55℃~+125℃; Encapsulado:SOD-523/DFN1006

• Electrónica de consumo
• Comunicaciones
• Electrónica automotriz
• Hogar inteligente

Dispositivo de protección contra sobretensiones de tipo tiristor (TSP) para protección contra rayos y transientes.

Tensión de disparo:50 V~300 V; Corriente de sobretensión:100 A~500 A; Tiempo de respuesta:<1 µs; Temp. de funcionamiento:-40℃~+125℃; Material:Si

• Comunicaciones
• Control industrial
• Fuente de alimentación
• Electrónica de consumo

Serie de rectificadores controlados de silicio (SCR), incluyendo SCR unidireccional y TRIAC bidireccional.

Tipo de canal:SCR/TRIAC; Tensión inversa:600 V~1200 V; Corriente nominal:10 A~40 A; Temp. de funcionamiento:-40℃~+125℃; Proceso:Thyristor

• Electrodomésticos
• Control industrial
• Iluminación
• Fuente de alimentación

Serie de dispositivos de protección de grado automotriz, incluyendo TVS y ESD para electrónica de vehículos.

Certificación:AEC-Q101; Tensión de ruptura:12 V~58 V; Tensión de clavado:19 V~94 V; Protección ESD:IEC61000-4-2; Grado de protección:IP67; Temp. de funcionamiento:-40℃~+150℃

• Vehículo de nueva energía
• Electrónica automotriz
• Control electrónico del vehículo
• Sistema de tres eléctricos

El transistor de potencia es un dispositivo bipolar de media y alta potencia para conmutación de potencia, regulación lineal y amplificación de señal. En carcasa de la serie TO, asume con fiabilidad tareas de accionamiento en control industrial, fuentes y electrodomésticos.

Tipo bipolar NPN/PNP; encapsulado TO-126/TO-220/TO-3P; corriente de colector 1–15A; tensión 40–400V; disipación 2–100W; temperatura de unión −55℃~150℃.

• Control industrial
• Fuente de alimentación
• Electrodomésticos
• Electrónica automotriz

El transistor digital de pequeña señal (DTC) integra la resistencia de polarización en el chip, se conecta directo al microcontrolador y elimina resistencias externas para simplificar el diseño. Se usa en conmutación y cambio de nivel, ideal para aplicaciones compactas de consumo, comunicación e industria.

Resistencia integrada pre-polarizada; encapsulado SOT-23/SOT-323; accionamiento conmutación/cambio de nivel; tensión 50V; corriente de colector 100mA; disipación 200mW.

• Electrónica de consumo
• Hogar inteligente
• Control industrial
• Comunicaciones

El diodo estabilizador de potencia es un Zener de alta potencia que aporta tensión de referencia estable a la fuente y clampa la sobretensión en fallos para proteger los circuitos posteriores. Sirve en regulación de fuente, tensión de referencia y protección ante sobretensión en industria y automoción.

Tipo Zener de alta potencia; tensión estabilizada 3.3–100V; encapsulado DO-41/DO-15/TO-220; disipación 1–5W; precisión ±5%; temperatura de unión −55℃~150℃.

• Fuente de alimentación
• Control industrial
• Electrónica automotriz
• Electrodomésticos

Serie de MOSFET de uso general que abarca estructuras de proceso de tipo zanja y super-unión, entre otras.

Tipo de canal:N/P-channel; Tensión nominal:20 V~1000 V; Corriente nominal:0.1 A~100 A; Resistencia en conducción:5 mΩ~100 mΩ; Encapsulado:SOT/TO/PDFN/DFN/TOLL; Proceso:Trench/SJ

• Fuente de alimentación
• Control industrial
• Almacenamiento fotovoltaico
• Electrónica de consumo
• Comunicaciones

Serie de MOSFET de canal N de grado automotriz que cumple las normas de fiabilidad de la electrónica de vehículos.

Certificación:AEC-Q101; Tipo de canal:N-channel; Tensión nominal:40 V~1200 V; Corriente nominal:30 A~300 A; Resistencia en conducción:2 mΩ~20 mΩ; Tensión de bus:800 V; Temp. de funcionamiento:-55℃~+175℃

• Vehículo de nueva energía
• Cargador a bordo (OBC)
• Controlador de motor
• Gestión de batería
• DC-DC

Serie de MOSFET de canal P de grado automotriz, indicados para conmutación de carga y gestión de batería.

Certificación:AEC-Q101; Tipo de canal:P-channel; Tensión nominal:-30 V~-100 V; Corriente nominal:10 A~60 A; Resistencia en conducción:5 mΩ~40 mΩ; Temp. de funcionamiento:-55℃~+175℃

• Vehículo de nueva energía
• Gestión de batería
• Conmutador de carga
• Control electrónico del vehículo

La familia de MOSFET complementario N+P de grado automotriz combina dispositivos de canal N y P en un mismo encapsulado, dedicada a topologías de medio puente como puentes H y accionamientos de motor, cumpliendo la fiabilidad del automóvil. Ofrece conmutación de potencia eficiente y compacta para control de vehículo, motor y gestión de la ruta de potencia.

Tipo MOSFET complementario N+P; certificación AEC-Q101; encapsulado PDFN/TO; resistencia activa desde pocos mΩ; tensión 30–100V; uso puente H/accionamiento de motor/medio puente.

• Vehículo de nueva energía
• Accionamiento de motor
• Puente en H
• Control electrónico del vehículo

Serie de diodos Schottky de carburo de silicio (SiC SBD) de grado automotriz, resistentes a alta temperatura y con baja recuperación inversa.

Certificación:AEC-Q101; Caída de tensión directa:1.2 V~1.7 V; Tensión inversa:650 V~1200 V; Carga de recuperación inversa:15 nC~50 nC; Rango de temp. de unión:-55℃~+175℃; Corriente nominal:10 A~50 A

• Vehículo de nueva energía
• Cargador a bordo (OBC)
• Convertidor DC-DC
• Cargador

Serie de MOSFET de carburo de silicio de grado automotriz, de alta tensión y bajas pérdidas, para tracción principal y OBC.

Certificación:AEC-Q101; Tensión nominal:650 V~1200 V; Resistencia en conducción:8 mΩ~40 mΩ; Tensión de bus:800 V; Frecuencia de conmutación:100 kHz~300 kHz; Rango de temp. de unión:-55℃~+175℃

• Vehículo de nueva energía
• Inversor de tracción principal
• Cargador a bordo (OBC)
• DC-DC de alta tensión

Serie de IGBT discretos de grado automotriz desarrollados sobre plataforma de microtrancha de terminación de campo.

Certificación:AEC-Q101; Tensión nominal:650 V/1200 V; Corriente nominal:25 A~75 A; Caída de saturación:1.5 V~1.9 V; Rango de temp. de unión:-55℃~+175℃; Encapsulado:TO-247-3L/TO-247-4L

• Vehículo de nueva energía
• Calentador PTC automotriz
• Control de motor
• Fuente de alimentación del vehículo
• Sistema de tres eléctricos

Productos de obleas y chips de dispositivos discretos semiconductores, con chips de silicio y carburo de silicio.

Tamaño de oblea:4/5/6/8 in (Si), 6 in (SiC); Material:Si/SiC; Proceso:Trench/SJ/Epi; Sustrato:Cu/ceramic

• Fabricación de dispositivos discretos
• Semiconductores de potencia
• Vehículo de nueva energía
• Almacenamiento fotovoltaico
• Industria

La línea de circuitos integrados (CI) abarca dispositivos de gestión de potencia y control, aportando a los sistemas funciones centrales como conversión, accionamiento y protección. Sirve a consumo, control industrial, automoción y fuentes, y es el paso clave de la empresa de los discretos hacia la integración de sistemas.

Tipo CI de gestión/control de potencia; funciones conversión/accionamiento/protección; proceso CMOS/BCD estándar; encapsulado SOP/QFN/DFN; aplicaciones consumo/industrial/automoción/fuentes.

• Electrónica de consumo
• Control industrial
• Electrónica automotriz
• Fuente de alimentación

Productos de módulos de potencia que abarcan módulos IGBT y módulos de potencia SiC, en grados industrial y automotriz.

Tensión nominal:650 V~1700 V; Topología:Half-bridge/T-type 3L/Boost; Sustrato:DBC Cu substrate; Encapsulado:Easy/C1/C2/E1/E2/P2/P3; Material:Cu/ceramic; Temp. de funcionamiento:-40℃~+150℃

• Variador de frecuencia industrial
• Accionamiento servo
• Almacenamiento fotovoltaico
• Cargador
• Vehículo de nueva energía

Los dispositivos discretos planos y de presión de alta potencia apuntan a conversión de potencia de media y alta tensión y gran corriente, con estructura de contacto frontal para menor resistencia térmica y mayor fiabilidad. Se usan donde se necesita alta densidad, como variadores, electrónica de potencia y energía nueva.

Estructura plana/de presión; tipo módulo tiristor/diodo; tensión 600–6500V; corriente 100–5000A; refrigeración aire/agua; aplicaciones variador/electrónica de potencia/energía nueva.

• Variador de frecuencia industrial
• Electrónica de potencia
• Energía nueva
• Fuente de alimentación