Yangjie Technology

Серия компактных диодов поверхностного монтажа с быстрым переключением и низким током утечки в нескольких вариантах.

Корпус:SOD-323/SOD-523/SOT-23; Номинальный ток:100 mA; Обратное напряжение:75 V; Время обратного восстановления:4 ns; Диапазон темп. перехода:-55℃~+150℃; Ёмкость перехода:1.5 pF

• Потребительская электроника
• Умный дом
• Связь
• Промышленное управление

Компактные диоды Шоттки с низким прямым падением напряжения и быстрым откликом.

Прямое падение напряжения:0.35 V; Время обратного восстановления:5 ns; Корпус:SOD-323/SOT-23; Номинальный ток:200 mA; Обратное напряжение:40 V; Диапазон темп. перехода:-55℃~+125℃

• Потребительская электроника
• Источник питания
• Связь
• Умный дом

Компактная серия стабилитронов для опорного напряжения и защиты от перенапряжения.

Напряжение стабилизации:2.4 V~43 V; Корпус:SOT-23/SOD-323; Номинальный ток:200 mA; Диапазон темп. перехода:-55℃~+150℃; Ёмкость перехода:50 pF

• Потребительская электроника
• Промышленное управление
• Связь
• Источник питания

Маломощные биполярные транзисторы NPN/PNP для усиления сигнала и коммутации.

Тип канала:NPN/PNP; Корпус:SOT-23; Номинальный ток:500 mA; Обратное напряжение:50 V; Диапазон темп. перехода:-55℃~+150℃; Частота коммутации:200 MHz

• Потребительская электроника
• Умный дом
• Связь
• Промышленное управление

Серия выпрямительных диодов и мостов преобразует переменный ток в постоянный, предлагая полный диапазон обратных напряжений и токов — от низкого к высокому напряжению и от малого к большому току. Широко применяется в блоках питания, промышленном управлении и бытовой технике как базовый выпрямительный элемент.

Тип стандартный выпрямительный диод/мост; обратное напряжение 50–1200V; прямой ток 1–50A; корпус DO-201/TO-220/GBU; температура перехода −55℃~150℃; восстановление стандартное выпрямление.

• Источник питания
• Промышленное управление
• Бытовая техника
• Новая энергетика

Серия диодов с быстрым восстановлением (FRD) с коротким временем обратного восстановления.

Время обратного восстановления:35 ns; Обратное напряжение:600 V; Номинальный ток:3 A; Заряд обратного восстановления:30 nC; Диапазон темп. перехода:-55℃~+175℃; Корпус:TO-220/TO-252

• Импульсный источник питания
• Фотоэлектрический инвертор
• Промышленное преобразование частоты
• Зарядная станция

Серия диодов Шоттки с низким VF и отличными высокочастотными свойствами.

Прямое падение напряжения:0.55 V; Обратное напряжение:100 V; Номинальный ток:5 A; Диапазон темп. перехода:-55℃~+175℃; Корпус:TO-220/TO-252; Ёмкость перехода:200 pF

• Источник питания
• Фотоэлектрика
• Потребительская электроника
• Промышленное управление

Диоды подавления переходных напряжений (TVS) для защиты от всплесков и кратковременных перенапряжений.

Напряжение пробоя:12 V~400 V; Напряжение ограничения:19 V~650 V; Класс мощности:400 W/600 W/1500 W; Диапазон темп. перехода:-55℃~+150℃; Ёмкость перехода:500 pF

• Автомобильная электроника
• Связь
• Промышленное управление
• Потребительская электроника

Диоды защиты от электростатического разряда (ESD) для защиты интерфейсов и портов.

Защита ESD:IEC61000-4-2; Ёмкость перехода:0.5 pF; Обратное напряжение:5 V; Номинальный ток:2 A; Диапазон темп. перехода:-55℃~+125℃; Корпус:SOD-523/DFN1006

• Потребительская электроника
• Связь
• Автомобильная электроника
• Умный дом

Тиристорное устройство защиты от перенапряжений (TSP) для защиты от молний и импульсных всплесков.

Напряжение включения:50 V~300 V; Импульсный ток:100 A~500 A; Время отклика:<1 µs; Рабочая температура:-40℃~+125℃; Материал:Si

• Связь
• Промышленное управление
• Источник питания
• Потребительская электроника

Серия управляемых кремниевых выпрямителей (SCR), включая однонаправленные SCR и двунаправленные TRIAC.

Тип канала:SCR/TRIAC; Обратное напряжение:600 V~1200 V; Номинальный ток:10 A~40 A; Рабочая температура:-40℃~+125℃; Техпроцесс:Thyristor

• Бытовая техника
• Промышленное управление
• Освещение
• Источник питания

Серия защитных устройств автомобильного класса, включая TVS и ESD для автоэлектроники.

Сертификат:AEC-Q101; Напряжение пробоя:12 V~58 V; Напряжение ограничения:19 V~94 V; Защита ESD:IEC61000-4-2; Степень защиты:IP67; Рабочая температура:-40℃~+150℃

• Транспорт новой энергии
• Автомобильная электроника
• Электронное управление автомобилем
• Система «трёх электрических»

Мощный транзистор — это биполярный прибор средней и высокой мощности для силовой коммутации, линейной стабилизации и усиления сигнала. В корпусе серии TO он надёжно выполняет силовые задачи в промышленном управлении, блоках питания и бытовой технике.

Тип биполярный NPN/PNP; корпус TO-126/TO-220/TO-3P; ток коллектора 1–15A; напряжение 40–400V; рассеиваемая мощность 2–100W; температура перехода −55℃~150℃.

• Промышленное управление
• Источник питания
• Бытовая техника
• Автомобильная электроника

Маломощный цифровой транзистор (DTC) встраивает смещающий резистор прямо в кристалл, подключается напрямую к микроконтроллеру и убирает внешние резисторы, упрощая схему. Применяется для коммутации и сдвига уровня в компактных устройствах потребительской электроники, связи и промышленности.

Встроенный резистор с предварительным смещением; корпус SOT-23/SOT-323; управление коммутация/сдвиг уровня; напряжение 50V; ток коллектора 100mA; рассеивание 200mW.

• Потребительская электроника
• Умный дом
• Промышленное управление
• Связь

Мощный стабилитрон — это высокомощный стабилитрон Зенера, дающий источнику стабильное опорное напряжение и ограничивающий перенапряжение при сбоях для защиты последующих цепей. Подходит для стабилизации питания, опорного напряжения и защиты от перенапряжения в промышленности и автоэлектронике.

Тип мощный Зенера; стабилизированное напряжение 3.3–100V; корпус DO-41/DO-15/TO-220; рассеивание 1–5W; точность ±5%; температура перехода −55℃~150℃.

• Источник питания
• Промышленное управление
• Автомобильная электроника
• Бытовая техника

Серия MOSFET общего назначения, охватывающая тренчевые и суперпереходные структуры и другие.

Тип канала:N/P-channel; Номинальное напряжение:20 V~1000 V; Номинальный ток:0.1 A~100 A; Сопротивление включения:5 mΩ~100 mΩ; Корпус:SOT/TO/PDFN/DFN/TOLL; Техпроцесс:Trench/SJ

• Источник питания
• Промышленное управление
• Накопление фотоэлектрической энергии
• Потребительская электроника
• Связь

Серия автомобильных MOSFET с N-каналом, отвечающих стандартам надёжности автоэлектроники.

Сертификат:AEC-Q101; Тип канала:N-channel; Номинальное напряжение:40 V~1200 V; Номинальный ток:30 A~300 A; Сопротивление включения:2 mΩ~20 mΩ; Шинное напряжение:800 V; Рабочая температура:-55℃~+175℃

• Транспорт новой энергии
• Бортовое зарядное устройство (OBC)
• Контроллер двигателя
• Управление батареей
• DC-DC

Серия автомобильных MOSFET с P-каналом для коммутации нагрузки и управления батареей.

Сертификат:AEC-Q101; Тип канала:P-channel; Номинальное напряжение:-30 V~-100 V; Номинальный ток:10 A~60 A; Сопротивление включения:5 mΩ~40 mΩ; Рабочая температура:-55℃~+175℃

• Транспорт новой энергии
• Управление батареей
• Коммутатор нагрузки
• Электронное управление автомобилем

Автомобильное семейство комплементарных MOSFET N+P объединяет приборы с каналами N и P в одном корпусе и предназначено для полумостовых топологий вроде H-моста и драйверов моторов при соблюдении надёжности автоэлектроники. Оно даёт эффективное компактное силовое переключение для управления машины, привода мотора и управления энергопутём.

Тип комплементарный MOSFET N+P; сертификация AEC-Q101; корпус PDFN/TO; сопротивление открытого канала от нескольких мОм; напряжение 30–100V; применение H-мост/драйвер мотора/полумост.

• Транспорт новой энергии
• Привод двигателя
• H-мост
• Электронное управление автомобилем

Серия автомобильных диодов Шоттки на карбиде кремния (SiC SBD) с термостойкостью и низким обратным восстановлением.

Сертификат:AEC-Q101; Прямое падение напряжения:1.2 V~1.7 V; Обратное напряжение:650 V~1200 V; Заряд обратного восстановления:15 nC~50 nC; Диапазон темп. перехода:-55℃~+175℃; Номинальный ток:10 A~50 A

• Транспорт новой энергии
• Бортовое зарядное устройство (OBC)
• Преобразователь DC-DC
• Зарядная станция

Серия автомобильных MOSFET на карбиде кремния с высоким напряжением и низкими потерями для главного привода и OBC.

Сертификат:AEC-Q101; Номинальное напряжение:650 V~1200 V; Сопротивление включения:8 mΩ~40 mΩ; Шинное напряжение:800 V; Частота коммутации:100 kHz~300 kHz; Диапазон темп. перехода:-55℃~+175℃

• Транспорт новой энергии
• Инвертор главного привода
• Бортовое зарядное устройство (OBC)
• Высоковольтный DC-DC

Серия автомобильных дискретных IGBT, разработанных на платформе микротренчевой структуры с полевым стопом.

Сертификат:AEC-Q101; Номинальное напряжение:650 V/1200 V; Номинальный ток:25 A~75 A; Падение насыщения:1.5 V~1.9 V; Диапазон темп. перехода:-55℃~+175℃; Корпус:TO-247-3L/TO-247-4L

• Транспорт новой энергии
• Автомобильный PTC-нагреватель
• Управление двигателем
• Бортовая система питания
• Система «трёх электрических»

Продукция полупроводниковых дискретных приборов (пластины), охватывающая кремниевые и карбид-кремниевые чипы.

Размер пластины:4/5/6/8 in (Si), 6 in (SiC); Материал:Si/SiC; Техпроцесс:Trench/SJ/Epi; Подложка:Cu/ceramic

• Производство дискретных приборов
• Силовые полупроводники
• Транспорт новой энергии
• Накопление фотоэлектрической энергии
• Промышленность

Линейка интегральных схем (ИС) охватывает устройства управления питанием и управления, давая системам ключевые функции — преобразование питания, драйверы и защиту. Она служит потребительской электронике, промышленному управлению, автоэлектронике и блокам питания, став для компании шагом от дискретных приборов к системной интеграции.

Тип ИС управления питанием/управления; функции преобразование питания/драйвер/защита; технология стандартная CMOS/BCD; корпус SOP/QFN/DFN; применение потребительская/промышленная/авто/питание.

• Потребительская электроника
• Промышленное управление
• Автомобильная электроника
• Источник питания

Силовые модули, включая модули IGBT и силовые модули SiC, промышленного и автомобильного классов.

Номинальное напряжение:650 V~1700 V; Топология:Half-bridge/T-type 3L/Boost; Подложка:DBC Cu substrate; Корпус:Easy/C1/C2/E1/E2/P2/P3; Материал:Cu/ceramic; Рабочая температура:-40℃~+150℃

• Промышленное преобразование частоты
• Серво-привод
• Накопление фотоэлектрической энергии
• Зарядная станция
• Транспорт новой энергии

Плоские и прессуемые мощные дискретные приборы рассчитаны на преобразование мощности среднего и высокого напряжения при больших токах, используя плоскоконтактную конструкцию для меньшего теплового сопротивления и высокой надёжности. Широко применяются там, где нужна высокая плотность мощности: промышленные приводы, силовая электроника, новая энергетика.

Конструкция плоская/прессуемая; тип модуль тиристор/диод; напряжение 600–6500V; ток 100–5000A; охлаждение воздушное/водяное; применение промышленный привод/силовая электроника/новая энергетика.

• Промышленное преобразование частоты
• Силовая электроника
• Новая энергетика
• Источник питания