Yangjie Technology

Gamme de diodes de commutation à montage en surface compactes, à commutation rapide et faute de courant réduite sur plusieurs variantes.

Boîtier:SOD-323/SOD-523/SOT-23; Courant nominal:100 mA; Tension inverse:75 V; Temps de recouvrement inverse:4 ns; Plage de temp. de jonction:-55℃~+150℃; Capacité de jonction:1.5 pF

• Électronique grand public
• Maison intelligente
• Télécommunications
• Contrôle industriel

Diodes à barrière Schottky compactes à faible chute de tension directe et réponse rapide.

Chute de tension directe:0.35 V; Temps de recouvrement inverse:5 ns; Boîtier:SOD-323/SOT-23; Courant nominal:200 mA; Tension inverse:40 V; Plage de temp. de jonction:-55℃~+125℃

• Électronique grand public
• Alimentation électrique
• Télécommunications
• Maison intelligente

Gamme compacte de diodes Zener stabilisatrices pour référence de tension et protection contre les surtensions.

Tension Zener:2.4 V~43 V; Boîtier:SOT-23/SOD-323; Courant nominal:200 mA; Plage de temp. de jonction:-55℃~+150℃; Capacité de jonction:50 pF

• Électronique grand public
• Contrôle industriel
• Télécommunications
• Alimentation électrique

Transistors bipolaires NPN/PNP de faible puissance pour l'amplification et la commutation de signal.

Type de canal:NPN/PNP; Boîtier:SOT-23; Courant nominal:500 mA; Tension inverse:50 V; Plage de temp. de jonction:-55℃~+150℃; Fréquence de commutation:200 MHz

• Électronique grand public
• Maison intelligente
• Télécommunications
• Contrôle industriel

La série de diodes et ponts redresseurs convertit le courant alternatif en courant continu, offrant une gamme complète de tensions inverses et de courants du bas au haut voltage et du petit au grand courant. Très utilisée dans les alimentations, la régulation industrielle et l'électroménager, c'est un composant de redressement fondamental.

Type diode/pont redresseur standard; tension inverse 50–1200V; courant direct 1–50A; boîtier DO-201/TO-220/GBU; température de jonction −55℃~150℃; récupération redressement standard.

• Alimentation électrique
• Contrôle industriel
• Électroménager
• Nouvelle énergie

Gamme de diodes à recouvrement rapide (FRD) à temps de recouvrement inverse court.

Temps de recouvrement inverse:35 ns; Tension inverse:600 V; Courant nominal:3 A; Charge de recouvrement inverse:30 nC; Plage de temp. de jonction:-55℃~+175℃; Boîtier:TO-220/TO-252

• Alimentation à découpage
• Onduleur photovoltaïque
• Variation de fréquence industrielle
• Borne de recharge

Gamme de diodes à barrière Schottky à faible VF et excellentes performances haute fréquence.

Chute de tension directe:0.55 V; Tension inverse:100 V; Courant nominal:5 A; Plage de temp. de jonction:-55℃~+175℃; Boîtier:TO-220/TO-252; Capacité de jonction:200 pF

• Alimentation électrique
• Photovoltaïque
• Électronique grand public
• Contrôle industriel

Diodes suppresseurs de tension transitoire (TVS) pour la protection contre les surtensions et transitoires.

Tension de claquage:12 V~400 V; Tension de serrage:19 V~650 V; Classe de puissance:400 W/600 W/1500 W; Plage de temp. de jonction:-55℃~+150℃; Capacité de jonction:500 pF

• Électronique automobile
• Télécommunications
• Contrôle industriel
• Électronique grand public

Diodes de protection contre les décharges électrostatiques (ESD) pour la protection des interfaces et ports.

Protection ESD:IEC61000-4-2; Capacité de jonction:0.5 pF; Tension inverse:5 V; Courant nominal:2 A; Plage de temp. de jonction:-55℃~+125℃; Boîtier:SOD-523/DFN1006

• Électronique grand public
• Télécommunications
• Électronique automobile
• Maison intelligente

Dispositif de protection contre les surtensions de type thyristor (TSP) pour la protection foudre et transitoires.

Tension d'amorçage:50 V~300 V; Courant de surtension:100 A~500 A; Temps de réponse:<1 µs; Température de fonctionnement:-40℃~+125℃; Matériau:Si

• Télécommunications
• Contrôle industriel
• Alimentation électrique
• Électronique grand public

Gamme de redresseurs commandés au silicium (SCR), incluant SCR unidirectionnel et TRIAC bidirectionnel.

Type de canal:SCR/TRIAC; Tension inverse:600 V~1200 V; Courant nominal:10 A~40 A; Température de fonctionnement:-40℃~+125℃; Procédé:Thyristor

• Électroménager
• Contrôle industriel
• Éclairage
• Alimentation électrique

Gamme de dispositifs de protection de grade automobile, incluant TVS et ESD pour l'électronique automobile.

Certification:AEC-Q101; Tension de claquage:12 V~58 V; Tension de serrage:19 V~94 V; Protection ESD:IEC61000-4-2; Degré de protection:IP67; Température de fonctionnement:-40℃~+150℃

• Véhicule à nouvelle énergie
• Électronique automobile
• Commande électronique du véhicule
• Système tri-électrique

Le transistor de puissance est un composant bipolaire de moyenne à haute puissance pour la commutation de puissance, la régulation linéaire et l'amplification de signal. En boîtier de la série TO, il assure avec fiabilité les fonctions de pilotage dans l'automatisme, les alimentations et l'électroménager.

Type bipolaire NPN/PNP; boîtier TO-126/TO-220/TO-3P; courant collecteur 1–15A; tension 40–400V; dissipation 2–100W; température de jonction −55℃~150℃.

• Contrôle industriel
• Alimentation électrique
• Électroménager
• Électronique automobile

Le transistor numérique à petit signal (DTC) intègre une résistance de polarisation dans la puce, se relie directement au microcontrôleur et supprime les résistances externes pour simplifier le circuit. Il sert à la commutation et au décalage de niveau, idéal pour les applications compactes grand public, télécoms et industrielles.

Résistance intégrée pré-polarisée; boîtier SOT-23/SOT-323; commande commutation/décalage de niveau; tension 50V; courant collecteur 100mA; dissipation 200mW.

• Électronique grand public
• Maison intelligente
• Contrôle industriel
• Télécommunications

La diode Zener de puissance est un régulateur Zener haute puissance qui fournit une tension de référence stable à l'alimentation et bride la surtension en défaut pour protéger les circuits aval. Elle convient à la régulation de source, la tension de référence et la protection antihasard dans l'industrie et l'automobile.

Type Zener haute puissance; tension régulée 3.3–100V; boîtier DO-41/DO-15/TO-220; dissipation 1–5W; tolérance ±5%; température de jonction −55℃~150℃.

• Alimentation électrique
• Contrôle industriel
• Électronique automobile
• Électroménager

Gamme de MOSFET à usage général couvrant les structures de procédé à tranchée et à super-jonction, entre autres.

Type de canal:N/P-channel; Tension nominale:20 V~1000 V; Courant nominal:0.1 A~100 A; Résistance à l'état passant:5 mΩ~100 mΩ; Boîtier:SOT/TO/PDFN/DFN/TOLL; Procédé:Trench/SJ

• Alimentation électrique
• Contrôle industriel
• Stockage photovoltaïque
• Électronique grand public
• Télécommunications

Gamme de MOSFET canal N de grade automobile répondant aux normes de fiabilité de l'électronique automobile.

Certification:AEC-Q101; Type de canal:N-channel; Tension nominale:40 V~1200 V; Courant nominal:30 A~300 A; Résistance à l'état passant:2 mΩ~20 mΩ; Tension de bus:800 V; Température de fonctionnement:-55℃~+175℃

• Véhicule à nouvelle énergie
• Chargeur embarqué (OBC)
• Contrôleur de moteur
• Gestion de batterie
• DC-DC

Gamme de MOSFET canal P de grade automobile adaptés à la commutation de charge et la gestion de batterie.

Certification:AEC-Q101; Type de canal:P-channel; Tension nominale:-30 V~-100 V; Courant nominal:10 A~60 A; Résistance à l'état passant:5 mΩ~40 mΩ; Température de fonctionnement:-55℃~+175℃

• Véhicule à nouvelle énergie
• Gestion de batterie
• Interrupteur de charge
• Commande électronique du véhicule

La famille de MOSFET complémentaires N+P de grade automobile réunit des dispositifs à canal N et P dans un même boîtier, dédiée aux topologies demi-pont telles que le pont en H et l'entraînement de moteur tout en respectant la fiabilité automobile. Elle offre une commutation de puissance compacte et efficace pour le contrôle véhicule, l'entraînement moteur et la gestion du chemin d'alimentation.

Type MOSFET complémentaire N+P; certification AEC-Q101; boîtier PDFN/TO; résistance à l'état passant jusqu'à quelques mΩ; tension 30–100V; usage pont en H/entraînement moteur/demi-pont.

• Véhicule à nouvelle énergie
• Entraînement de moteur
• Pont en H
• Commande électronique du véhicule

Gamme de diodes Schottky en carbure de silicium (SiC SBD) de grade automobile, résistantes à haute température et à faible recouvrement inverse.

Certification:AEC-Q101; Chute de tension directe:1.2 V~1.7 V; Tension inverse:650 V~1200 V; Charge de recouvrement inverse:15 nC~50 nC; Plage de temp. de jonction:-55℃~+175℃; Courant nominal:10 A~50 A

• Véhicule à nouvelle énergie
• Chargeur embarqué (OBC)
• Convertisseur DC-DC
• Borne de recharge

Gamme de MOSFET en carbure de silicium de grade automobile, haute tension et faibles pertes, pour traction principale et OBC.

Certification:AEC-Q101; Tension nominale:650 V~1200 V; Résistance à l'état passant:8 mΩ~40 mΩ; Tension de bus:800 V; Fréquence de commutation:100 kHz~300 kHz; Plage de temp. de jonction:-55℃~+175℃

• Véhicule à nouvelle énergie
• Onduleur de traction principal
• Chargeur embarqué (OBC)
• DC-DC haute tension

Gamme de IGBT discrets de grade automobile développés sur une plateforme à micro-tranchée à arrêt de champ.

Certification:AEC-Q101; Tension nominale:650 V/1200 V; Courant nominal:25 A~75 A; Chute de saturation:1.5 V~1.9 V; Plage de temp. de jonction:-55℃~+175℃; Boîtier:TO-247-3L/TO-247-4L

• Véhicule à nouvelle énergie
• Chauffage PTC automobile
• Contrôle de moteur
• Alimentation du véhicule
• Système tri-électrique

Produits de puces de dispositifs discrets semiconducteurs (wafer) couvrant puces au silicium et au carbure de silicium.

Taille de plaquette:4/5/6/8 in (Si), 6 in (SiC); Matériau:Si/SiC; Procédé:Trench/SJ/Epi; Substrat:Cu/ceramic

• Fabrication de dispositifs discrets
• Semi-conducteurs de puissance
• Véhicule à nouvelle énergie
• Stockage photovoltaïque
• Industrie

La gamme de circuits intégrés (CI) couvre les composants de gestion et de commande de puissance, offrant aux systèmes des fonctions clés comme la conversion, la commande et la protection. Au service de l'électronique grand public, l'automatisme, l'automobile et les alimentations, elle marque le passage clé de l'entreprise des composants discrets vers l'intégration système.

Type CI gestion/commande de puissance; fonctions conversion/commande/protection; procédé CMOS/BCD standard; boîtier SOP/QFN/DFN; applications grand public/industriel/automobile/alimentation.

• Électronique grand public
• Contrôle industriel
• Électronique automobile
• Alimentation électrique

Produits de modules de puissance couvrant modules IGBT et modules de puissance SiC, en grades industriel et automobile.

Tension nominale:650 V~1700 V; Topologie:Half-bridge/T-type 3L/Boost; Substrat:DBC Cu substrate; Boîtier:Easy/C1/C2/E1/E2/P2/P3; Matériau:Cu/ceramic; Température de fonctionnement:-40℃~+150℃

• Variation de fréquence industrielle
• Entraînement servo
• Stockage photovoltaïque
• Borne de recharge
• Véhicule à nouvelle énergie

Les composants discrets plats et à compression haute puissance visent la conversion de puissance à tension moyenne à haute et fort courant, avec une structure à contact frontal pour réduire la résistance thermique et accroître la fiabilité. Ils équipent les milieux exigeant une forte densité de puissance: variateurs industriels, électronique de puissance et nouvelle énergie.

Structure plate/à compression; type module thyristor/diode; tension 600–6500V; courant 100–5000A; refroidissement air/eau; applications variateur/électronique de puissance/nouvelle énergie.

• Variation de fréquence industrielle
• Électronique de puissance
• Nouvelle énergie
• Alimentation électrique