نبذة عن الشركة
Yangjie مصنع متكامل لأشباه موصلات القدرة؛ وقد دخل خط شرائح SiC ومشروع تغليف وحدات القدرة بمواصفات السيارات الإنتاج.
المنتجات
ثنائي تبديل صغير الإشارة
سلسلة من ثنائيات التبديل المركبة سطحياً والمدمجة، بتبديل سريع وتسرب منخفض للتيار عبر عدة فئات.
التغليف:SOD-323/SOD-523/SOT-23; التيار المقدر:100 mA; الجهد العكسي:75 V; زمن الاسترجاع العكسي:4 ns; نطاق حرارة الوصلة:-55℃~+150℃; سعة الوصلة:1.5 pF
- الإلكترونيات الاستهلاكية
- المنزل الذكي
- الاتصالات
- التحكم الصناعي
ثنائي شوتكي صغير الإشارة
ثنائيات حاجز شوتكي مدمجة بانخفاض جهد أمامي منخفض واستجابة سريعة.
الجهد الأمامي:0.35 V; زمن الاسترجاع العكسي:5 ns; التغليف:SOD-323/SOT-23; التيار المقدر:200 mA; الجهد العكسي:40 V; نطاق حرارة الوصلة:-55℃~+125℃
- الإلكترونيات الاستهلاكية
- مصدر الطاقة
- الاتصالات
- المنزل الذكي
ثنائي زينر صغير الإشارة
سلسلة ثنائيات زينر المنظمة للجهد المدمجة، تُستخدم كمرجع جهد وحماية من زيادة الجهد.
جهد زينر:2.4 V~43 V; التغليف:SOT-23/SOD-323; التيار المقدر:200 mA; نطاق حرارة الوصلة:-55℃~+150℃; سعة الوصلة:50 pF
- الإلكترونيات الاستهلاكية
- التحكم الصناعي
- الاتصالات
- مصدر الطاقة
ترانزستور صغير الإشارة
ترانزستورات ثنائية القطب NPN/PNP منخفضة القدرة لتضخيم الإشارة والتبديل.
نوع القنال:NPN/PNP; التغليف:SOT-23; التيار المقدر:500 mA; الجهد العكسي:50 V; نطاق حرارة الوصلة:-55℃~+150℃; تردد التبديل:200 MHz
- الإلكترونيات الاستهلاكية
- المنزل الذكي
- الاتصالات
- التحكم الصناعي
ثنائي مستقيم
تحوّل سلسلة ثنائيات وجسور التقويم التيار المتناوب إلى مستمر، وتوفّر نطاقاً كاملاً من قيم الجهد العكسي والتيار من منخفض إلى مرتفع ومن تيار صغير إلى كبير. تُستخدم على نطاق واسع في مصادر الطاقة والتحكم الصناعي والأجهزة المنزلية، وهي عنصر تقويم أساسي في تحويل الطاقة.
النوع ثنائي/جسر تقويم قياسي؛ الجهد العكسي 50–1200V؛ التيار الأمامي 1–50A؛ التغليف DO-201/TO-220/GBU؛ حرارة الوصلة −55℃~150℃؛ الاسترداد تقويم قياسي.
- مصدر الطاقة
- التحكم الصناعي
- الأجهزة المنزلية
- الطاقة الجديدة
ثنائي استرجاع سريع
سلسلة ثنائيات الاسترجاع السريع (FRD) بزمن استرجاع عكسي قصير.
زمن الاسترجاع العكسي:35 ns; الجهد العكسي:600 V; التيار المقدر:3 A; شحنة الاسترجاع العكسي:30 nC; نطاق حرارة الوصلة:-55℃~+175℃; التغليف:TO-220/TO-252
- مصدر طاقة مبدّل
- عاكس الطاقة الشمسية
- تحويل التردد الصناعي
- محطة شحن
ثنائي شوتكي
سلسلة ثنائيات حاجز شوتكي بانخفاض VF وأداء عالي التردد ممتاز.
الجهد الأمامي:0.55 V; الجهد العكسي:100 V; التيار المقدر:5 A; نطاق حرارة الوصلة:-55℃~+175℃; التغليف:TO-220/TO-252; سعة الوصلة:200 pF
- مصدر الطاقة
- الطاقة الشمسية
- الإلكترونيات الاستهلاكية
- التحكم الصناعي
ثنائي كابح للجهد العابر
ثنائيات كابحة للجهد العابر (TVS) للحماية من التخطي والعابرات الزائدة للجهد.
جهد الانهيار:12 V~400 V; جهد التثبيت:19 V~650 V; فئة القدرة:400 W/600 W/1500 W; نطاق حرارة الوصلة:-55℃~+150℃; سعة الوصلة:500 pF
- الإلكترونيات السيارة
- الاتصالات
- التحكم الصناعي
- الإلكترونيات الاستهلاكية
ثنائي حماية ESD
ثنائيات حماية من التفريغ الكهربائي الساكن (ESD) لحماية الواجهات والمنافذ.
حماية ESD:IEC61000-4-2; سعة الوصلة:0.5 pF; الجهد العكسي:5 V; التيار المقدر:2 A; نطاق حرارة الوصلة:-55℃~+125℃; التغليف:SOD-523/DFN1006
- الإلكترونيات الاستهلاكية
- الاتصالات
- الإلكترونيات السيارة
- المنزل الذكي
واقي تخطي بالترياك
جهاز حماية من التخطي من نوع الترياك (TSP) للحماية من الصواعق والعابرات.
جهد الانهيار:50 V~300 V; تيار التخطي:100 A~500 A; زمن الاستجابة:<1 µs; درجة حرارة التشغيل:-40℃~+125℃; المادة:Si
- الاتصالات
- التحكم الصناعي
- مصدر الطاقة
- الإلكترونيات الاستهلاكية
مقوم سيليكون قابل للتحكم
سلسلة مقومات السيليكون القابلة للتحكم (SCR) بما فيها SCR أحادي الاتجاه وTRIAC ثنائي الاتجاه.
نوع القنال:SCR/TRIAC; الجهد العكسي:600 V~1200 V; التيار المقدر:10 A~40 A; درجة حرارة التشغيل:-40℃~+125℃; العملية:Thyristor
- الأجهزة المنزلية
- التحكم الصناعي
- الإضاءة
- مصدر الطاقة
أجهزة حماية سيارات
سلسلة أجهزة حماية بدرجة سيارات، تشمل TVS وESD للإلكترونيات السيارة.
الشهادة:AEC-Q101; جهد الانهيار:12 V~58 V; جهد التثبيت:19 V~94 V; حماية ESD:IEC61000-4-2; درجة الحماية:IP67; درجة حرارة التشغيل:-40℃~+150℃
- مركبة الطاقة الجديدة
- الإلكترونيات السيارة
- التحكم الإلكتروني بالمركبة
- نظام الثلاثة كهربائيات
ترانزستور قدرة
الترانزستور ذو القدرة هو جهاز ثنائي القطب متوسط إلى عالي القدرة، يُستخدم للقياس والتبديل في الطاقة والتنظيم الخطي وتضخيم الإشارات. في تغليف سلسلة TO، يؤدي مهام القيادة الموثوقة في التحكم الصناعي ومصادر الطاقة والأجهزة.
النوع ثنائي القطب NPN/PNP؛ التغليف TO-126/TO-220/TO-3P؛ تيار المجمّع 1–15A؛ الجهد 40–400V؛ التبديد 2–100W؛ حرارة الوصلة −55℃~150℃.
- التحكم الصناعي
- مصدر الطاقة
- الأجهزة المنزلية
- الإلكترونيات السيارة
ترانزستور رقمي صغير الإشارة
يدمج الترانزستور الرقمي للإشارات الصغيرة (DTC) مقاومة التحيز داخل الشريحة، ويتصل مباشرة بالمتحكم الدقيق ويستغني عن المقاومات الخارجية لتبسيط التصميم. يُستخدم في التبديل وتحويل المستوى، ومناسب لتطبيقات مدمجة في الاستهلاك والاتصالات والصناعة.
مقاومة مدمجة مُهيّأة مسبقاً؛ التغليف SOT-23/SOT-323؛ القيادة تبديل/تحويل مستوى؛ الجهد 50V؛ تيار المجمّع 100mA؛ التبديد 200mW.
- الإلكترونيات الاستهلاكية
- المنزل الذكي
- التحكم الصناعي
- الاتصالات
ثنائي زينر قدرة
ثنائي زينر ذو القدرة هو ثنائي زينر عالي القدرة يوفّر جهد مرجعي مستقر للمصدر ويقفل فرط الجهد عند الأعطال لحماية الدوائر اللاحقة. يناسب تنظيم المصدر والجهد المرجعي وحماية فرط الجهد في التطبيقات الصناعية والسيارات.
النوع زينر عالي القدرة؛ الجهد المنظّم 3.3–100V؛ التغليف DO-41/DO-15/TO-220؛ التبديد 1–5W؛ الدقة ±5%؛ حرارة الوصلة −55℃~150℃.
- مصدر الطاقة
- التحكم الصناعي
- الإلكترونيات السيارة
- الأجهزة المنزلية
MOSFET عام الأغراض
سلسلة منتجات MOSFET عامة الأغراض تشمل بنى معالجة نوع الخندق والوصلة فائقة وغيرها.
نوع القنال:N/P-channel; الجهد المقدر:20 V~1000 V; التيار المقدر:0.1 A~100 A; المقاومة أثناء التوصيل:5 mΩ~100 mΩ; التغليف:SOT/TO/PDFN/DFN/TOLL; العملية:Trench/SJ
- مصدر الطاقة
- التحكم الصناعي
- تخزين الطاقة الشمسية
- الإلكترونيات الاستهلاكية
- الاتصالات
MOSFET قناة N للسيارات
سلسلة MOSFET قناة N بدرجة سيارات تلبي معايير موثوقية الإلكترونيات السيارة.
الشهادة:AEC-Q101; نوع القنال:N-channel; الجهد المقدر:40 V~1200 V; التيار المقدر:30 A~300 A; المقاومة أثناء التوصيل:2 mΩ~20 mΩ; جهد الناقل:800 V; درجة حرارة التشغيل:-55℃~+175℃
- مركبة الطاقة الجديدة
- شاحن على متن السيارة (OBC)
- وحدة تحكم بالمحرك
- إدارة البطارية
- DC-DC
MOSFET قناة P للسيارات
سلسلة MOSFET قناة P بدرجة سيارات مناسبة لتبديل الحمل وإدارة البطارية.
الشهادة:AEC-Q101; نوع القنال:P-channel; الجهد المقدر:-30 V~-100 V; التيار المقدر:10 A~60 A; المقاومة أثناء التوصيل:5 mΩ~40 mΩ; درجة حرارة التشغيل:-55℃~+175℃
- مركبة الطاقة الجديدة
- إدارة البطارية
- مفتاح حمل
- التحكم الإلكتروني بالمركبة
MOSFET N+P للسيارات
تجمع عائلة MOSFET التكميلي N+P من الفئة السيارات بين أجهزة القناة N والقناة P في تغليف واحد، مخصّصة لبنى نصف الجسر مثل جسر H وقيادة المحرك مع استيفاء موثوقية السيارات. تقدّم تبديل قدرة فعّال ومدمج للتحكم بالمركبة وقيادة المحرك وإدارة مسار الطاقة.
النوع MOSFET تكميلي N+P؛ الشهادة AEC-Q101؛ التغليف PDFN/TO؛ المقاومة أثناء التشغيل حتى بضعة mΩ؛ الجهد 30–100V؛ يُستخدم في جسر H/قيادة المحرك/نصف الجسر.
- مركبة الطاقة الجديدة
- محرك المحرك
- دائرة جسر H
- التحكم الإلكتروني بالمركبة
ثنائي شوتكي SiC للسيارات
سلسلة ثنائيات كربيد السيليكون شوتكي (SiC SBD) بدرجة سيارات، تتحمل الحرارة العالية واسترجاعاً عكسيًا منخفضاً.
الشهادة:AEC-Q101; الجهد الأمامي:1.2 V~1.7 V; الجهد العكسي:650 V~1200 V; شحنة الاسترجاع العكسي:15 nC~50 nC; نطاق حرارة الوصلة:-55℃~+175℃; التيار المقدر:10 A~50 A
- مركبة الطاقة الجديدة
- شاحن على متن السيارة (OBC)
- محول DC-DC
- محطة شحن
MOSFET SiC للسيارات
سلسلة MOSFET كربيد السيليكون بدرجة سيارات، جهد عالٍ وخسارة منخفضة، للدفع الرئيسي وOBC.
الشهادة:AEC-Q101; الجهد المقدر:650 V~1200 V; المقاومة أثناء التوصيل:8 mΩ~40 mΩ; جهد الناقل:800 V; تردد التبديل:100 kHz~300 kHz; نطاق حرارة الوصلة:-55℃~+175℃
- مركبة الطاقة الجديدة
- عاكس الدفع الرئيسي
- شاحن على متن السيارة (OBC)
- DC-DC عالي الجهد
IGBT للسيارات
سلسلة IGBT أحادية بدرجة سيارات مطورة على منصة معالجة خندق دقيق منهٍ بالحقل.
الشهادة:AEC-Q101; الجهد المقدر:650 V/1200 V; التيار المقدر:25 A~75 A; جهد التشبع:1.5 V~1.9 V; نطاق حرارة الوصلة:-55℃~+175℃; التغليف:TO-247-3L/TO-247-4L
- مركبة الطاقة الجديدة
- سخان PTC للسيارة
- التحكم بالمحرك
- مصدر طاقة المركبة
- نظام الثلاثة كهربائيات
الويفر
منتجات رقائق أجهزة أشباه الموصلات المنفصلة (الويفر) تشمل رقائق سيليكونية وكربيد السيليكون.
حجم الويفر:4/5/6/8 in (Si), 6 in (SiC); المادة:Si/SiC; العملية:Trench/SJ/Epi; اللوح الأساسي:Cu/ceramic
- تصنيع الأجهزة المنفصلة
- أشباه الموصلات للطاقة
- مركبة الطاقة الجديدة
- تخزين الطاقة الشمسية
- الصناعة
الدوائر المتكاملة
تغطي عائلة الدوائر المتكاملة (IC) أجهزة إدارة وتحكم الطاقة، وتوفّر للأنظمة وظائف أساسية مثل تحويل الطاقة والقيادة والحماية. تخدم الإلكترونيات الاستهلاكية والتحكم الصناعي والسيارات ومصادر الطاقة، وهي خطوة الشركة الأساسية من العناصر المنفصلة نحو تكامل الأنظمة.
النوع IC لإدارة/تحكم الطاقة؛ الوظائف تحويل/قيادة/حماية؛ التقنية CMOS/BCD قياسية؛ التغليف SOP/QFN/DFN؛ التطبيقات استهلاكي/صناعي/سيارات/طاقة.
- الإلكترونيات الاستهلاكية
- التحكم الصناعي
- الإلكترونيات السيارة
- مصدر الطاقة
وحدة قدرة
منتجات وحدات قدرة تشمل وحدات IGBT ووحدات قدرة SiC، بدرجات صناعية وسيارات.
الجهد المقدر:650 V~1700 V; الطوبولوجيا:Half-bridge/T-type 3L/Boost; اللوح الأساسي:DBC Cu substrate; التغليف:Easy/C1/C2/E1/E2/P2/P3; المادة:Cu/ceramic; درجة حرارة التشغيل:-40℃~+150℃
- تحويل التردد الصناعي
- محرك سيرفو
- تخزين الطاقة الشمسية
- محطة شحن
- مركبة الطاقة الجديدة
أجهزة منفصلة مسطحة
تستهدف الأجهزة المنفصلة المسطحة والضاغطة عالية القدرة سيناريوهات تحويل القدرة بجهد متوسط إلى مرتفع وتيار كبير، ببنية اتصال وجهي لتقليل المقاومة الحرارية ورفع الموثوقية. تُستخدم حيث تلزم كثافة قدرة عالية مثل المحركات الصناعية والإلكترونيات الكهربائية والطاقة الجديدة.
البنية مسطحة/ضاغطة؛ النوع وحدة تيريستور/ثنائي؛ الجهد 600–6500V؛ التيار 100–5000A؛ التبريد هواء/ماء؛ التطبيقات محرك صناعي/إلكترونيات قدرة/طاقة جديدة.
- تحويل التردد الصناعي
- الإلكترونيات القدرة
- الطاقة الجديدة
- مصدر الطاقة
أدلة الإنتاج
وفقا لسجل المصادر العامة الموجود: Yangjie مصنع متكامل لأشباه موصلات القدرة؛ وقد دخل خط شرائح SiC ومشروع تغليف وحدات القدرة بمواصفات السيارات الإنتاج. يستند هذا الملف إلى مراجعة وثائقية، ولا يمثل تدقيقا ميدانيا للمصنع.
يستند هذا الملف إلى معلومات عامة مؤكدة، ولا يمثل تدقيقاً أو شهادة أو توصية تجارية.
← مكونات مركبات الطاقة الجديدة