斯达半导体股份有限公司

斯达半导体650V IGBT功率模块覆盖从10A到800A以上的宽广电流范围，提供半桥、斩波、PIM功率集成、六单元、三电平I-NPC以及单管等多种电路拓扑。芯片采用Planar NPT与Trench-FS Gen1/Gen2/Gen3技术，导通压降低至1.30V~1.50V，兼顾高效率与高可靠性。封装形式包括平板基板、PINFIN基板、注塑及标准封装(C2/C5/C6/F1/L2/L4/L6/P3/P4等)，满足工业变频、新能源与车用空调的需求。该系列通过严苛的可靠性验证，适用于对功率密度与散热要求较高的场景，产品手册可在官网逐型下载。

电压等级: 650V; 电流等级: 10A~800A以上; 芯片技术: Planar NPT / Trench-FS Gen1 / Gen2 / Gen3; 电路结构: 半桥、斩波、PIM、六单元、三电平I-NPC、单管; 导通压降VCE(sat): 1.30V~1.50V(typ); 封装: 平板基板/ P3/P4(PINFIN基板)/ C2/C5/C6/F1/L2/L4/L6; 工作结温: 高可靠性工业级; 汽车应用推荐通过AQG-324认证(具体型号以手册为准)。

• 新能源汽车车用空调与压缩机驱动
• 工业变频器与伺服驱动
• 光伏逆变与储能变流
• 电源与不间断电源UPS

斯达半导体750V IGBT功率模块面向更高母线电压的应用场景，在标准650V平台之上提供额外的电压裕度与系统安全余量。该系列同样提供半桥、斩波、PIM、六单元、三电平等多种电路拓扑，适配混动与纯电动车主驱逆变及车载充电机。芯片采用Trench-FS场截止技术，具有低导通损耗与优化的开关特性。封装覆盖平板基板与PINFIN散热基板，满足高功率密度设计。

电压等级: 750V; 电流等级: 10A~数百A(以官网型号为准); 芯片技术: Trench-FS Gen1/Gen2/Gen3; 电路结构: 半桥/斩波/PIM/六单元/三电平; 导通压降VCE(sat): 约1.4V~1.7V(typ); 封装: 平板基板/ PINFIN基板; 汽车主驱应用推荐符合AQG-324认证。

• 新能源汽车主驱逆变器
• 车载充电机OBC与DCDC
• 工业变频与伺服
• 储能与光伏逆变

斯达半导体1000V IGBT功率模块面向中高压母线系统，为主驱逆变与高压DCDC提供更高阻断电压裕度。该系列延续Trench-FS场截止芯片技术，兼顾低导通损耗与良好的短路耐受能力。电路拓扑涵盖半桥、斩波、PIM及六单元等，适用于对系统效率与可靠性要求严苛的场合。封装采用高导热平板基板与PINFIN基板方案。

电压等级: 1000V; 电流等级: 数十A~数百A(以官网型号为准); 芯片技术: Trench-FS Gen1/Gen2/Gen3; 电路结构: 半桥/斩波/PIM/六单元; 导通压降VCE(sat): 约1.5V~1.8V(typ); 封装: 平板基板/ PINFIN基板; 汽车应用推荐符合AQG-324认证。

• 新能源汽车高压主驱逆变
• 高压DCDC变换器
• 工业中压变频
• 风光储变流

斯达半导体1200V IGBT功率模块是产品矩阵中最丰富的一类，电流覆盖10A到900A，涵盖单管、半桥、斩波、PIM、四单元、六单元、三电平I-NPC、共发射极等全套拓扑。芯片采用Planar NPT到Trench-FS Gen3多代技术，其中C6.1与C6封装采用Gen3芯片实现1.35V~1.40V的超低导通压降与优秀的功率循环能力。封装包括A3平板、C1/C2/C2.1/C5/C6/C6.1/C8/L2等，广泛服务于新能源汽车主驱、充电桩与工业变流。

电压等级: 1200V; 电流等级: 10A~900A; 芯片技术: Planar NPT / Trench-FS Gen1/Gen2/Gen3; 电路结构: 单管/半桥/斩波/PIM/四单元/六单元/三电平I-NPC/共发射极; 导通压降VCE(sat): 1.35V(Gen3 C6.1)~3.10V(Planar NPT); 封装: A3/C1/C2/C2.1/C5/C6/C6.1/C8/L2(平板或标准封装); 汽车主驱模块推荐符合AQG-324认证。

• 新能源汽车主驱逆变器
• 直流快充与充电桩功率模块
• 工业变频与伺服驱动
• 光伏与储能变流器

斯达半导体1700V IGBT功率模块面向更高母线电压与更强短路耐受需求的应用，如轨道交通牵引辅助、风电变流与工业中压传动。该系列采用高耐压Trench-FS芯片，在1700V阻断电压下仍保持较低的导通损耗与可靠的开关性能。电路拓扑以半桥、斩波及PIM为主，封装采用高导热平板基板以保证长期功率循环寿命。

电压等级: 1700V; 电流等级: 数十A~数百A(以官网型号为准); 芯片技术: Trench-FS Gen1/Gen2/Gen3; 电路结构: 半桥/斩波/PIM; 导通压降VCE(sat): 约1.7V~2.0V(typ); 封装: 高导热平板基板; 工业级高可靠性, 牵引与风电应用推荐符合行业认证。

• 轨道交通牵引与辅助变流
• 风力发电变流器
• 工业中压变频器
• 高压直流电源

斯达半导体750V SiC功率模块基于碳化硅MOSFET芯片，面向800V及以下母线电压的电动汽车与主驱逆变应用，提供比同电压IGBT更低的开关损耗与更高的工作结温。该系列涵盖六单元、半桥、单管等电路配置，支持高开关频率以缩小无源器件体积。低电感封装与高阻断电压特性使其特别适合追求效率与功率密度的新能源车型。

电压等级: 750V; 芯片类型: SiC MOSFET; 电路结构: 六单元/半桥/单管; 导通电阻RDS(on): 毫欧级(以官网型号为准); 特性: 低开关损耗、高阻断电压、高工作结温(可达175℃以上); 封装: PINFIN基板/低电感封装; 新能源汽车应用推荐符合AQG-324认证。

• 800V平台新能源汽车主驱逆变
• 车载充电机OBC
• 高压DCDC变换器
• 高效工业电源

斯达半导体1200V SiC功率模块是新能源汽车电驱系统的核心器件，覆盖半桥(N4封装)、六单元(P6封装)与单管(T6封装)等多种拓扑。模块采用低电感设计避免振荡，配合AMB散热绝缘基板与PINFIN散热基板，实现优异的散热与机械稳健性。导通电阻低至2.15mΩ~2.90mΩ(P6六单元)及8.80mΩ(T6单管)，支持高开关频率与高功率密度。

电压等级: 1200V; 芯片类型: SiC MOSFET; 电路结构: 半桥(N4)/六单元(P6)/单管(T6); 导通电阻RDS(on): 2.15mΩ~2.90mΩ(六单元), 8.80mΩ~8.86mΩ(单管); 封装: N4注塑+PINFIN基板/ P6(PINFIN/Pressfit/长端子)/ T6(T-Pack或注塑); 特性: 低电感设计、AMB基板、高工作结温; 汽车应用符合AQG-324认证。

• 新能源汽车主驱逆变器
• 直流快充与超充模块
• 车载充电机与高压DCDC
• 工业高频电源与伺服

斯达半导体IPM智能功率模块是一种高集成、低功耗、高可靠性的智能功率模块，内置具备欠压、过流、过温及温度输出等保护功能的HVIC与LVIC驱动芯片。该系列覆盖600V/650V电压平台，电流等级5A~50A，采用U1/U2/U3/U5注塑封装，结构紧凑易于贴装。目标应用覆盖工业变频器、家电及电动汽车空调等领域。

电压等级: 600V/650V; 电流等级: 5A~50A; 电路结构: 六单元(Sixpack); 芯片技术: Trench-FS Gen1; 导通压降VCE(sat): 1.50V~1.75V(typ); 封装: U1/U2/U3/U5注塑封装; 内置保护: 欠压(UV)/过流(OC)/过温(OT)/温度输出; 应用: 变频器、空调、车用空调。

• 新能源汽车车用空调压缩机驱动
• 家用与商用变频空调
• 工业变频器与伺服
• 小功率电机驱动

斯达半导体650V功率分立器件以TO-247等标准封装提供单管IGBT与SiC器件，覆盖车用逆变、家电、光伏与工业变频等广泛领域。器件工作频率从50Hz超低频至50kHz超高频，电流等级从10A到160A，兼顾高效率与高可靠性。分立方案便于客户灵活组合功率回路，适合中小功率与辅助电源应用。

电压等级: 650V; 电流等级: 10A~160A; 芯片类型: Trench-FS IGBT / SiC; 封装: TO-247-3L / TO-247PLUS-3L / TO-247PLUS-4L; 工作频率: 50Hz~50kHz; 特性: 高可靠性、高性能; 应用: 车用逆变、家电、光伏、工业变频。

• 车用辅助逆变与DCDC
• 家电变频控制
• 光伏微型逆变与优化器
• 工业电源与辅助电源

斯达半导体750V功率分立器件在650V平台之上提供更高电压裕度，适用于800V母线系统的辅助电源与车载充电机前置级。器件采用Trench-FS IGBT与SiC芯片，封装以TO-247系列为主，便于自动化贴装。该系列兼具低导通损耗与良好的开关特性，满足车规对可靠性与寿命的要求。

电压等级: 750V; 电流等级: 10A~160A; 芯片类型: Trench-FS IGBT / SiC; 封装: TO-247-3L / TO-247PLUS-3L / TO-247PLUS-4L; 工作频率: 50Hz~50kHz; 特性: 高可靠性、低损耗; 汽车应用推荐符合车规认证。

• 车载充电机OBC前置级
• 800V平台辅助电源
• 工业与通信电源
• 光伏与储能

斯达半导体1200V功率分立器件涵盖单管IGBT与SiC MOSFET，采用T2封装(TO-247-3L与TO-247PLUS-3L/4L)，电流覆盖10A到140A以上。IGBT单管导通压降1.25V~1.95V，SiC单管导通电阻低至17.0mΩ(DM170S12系列)，支持高开关频率与高工作结温。该系列广泛应用于车用逆变辅助级、工业电源及高效能量转换。

电压等级: 1200V; 电流等级: 10A~140A以上; 芯片类型: Trench-FS Gen1/Gen2 IGBT 与 SiC MOSFET; 封装: T2(TO-247-3L / TO-247PLUS-3L / TO-247PLUS-4L); IGBT导通压降VCE(sat): 1.25V~1.95V(typ); SiC导通电阻RDS(on): 17.0mΩ(DM170S12); 工作频率: 高频; 应用: 车用逆变、工业电源、高效电源。

• 新能源汽车辅助电源与DCDC
• 工业高频开关电源
• 光伏与储能变流
• 电机驱动与伺服

斯达半导体二极管模块与IGBT/SiC功率模块配套，提供续流、整流与制动回路所需的功率二极管组合。模块涵盖多种电压等级与电流等级，可与半桥、斩波、PIM等拓扑灵活搭配。二极管模块采用高可靠性封装与高导热基板，满足工业变频、新能源与传动系统对反向恢复与热性能的要求。

电压等级: 600V~1700V(以官网型号为准); 电流等级: 多规格(以官网型号为准); 类型: 功率整流二极管/续流二极管模块; 封装: 平板基板/标准功率模块封装; 特性: 低反向恢复、高可靠性; 应用: 与IGBT/SiC模块配套用于变频、逆变与传动。

• 工业变频器续流与整流
• 新能源逆变与变流
• 电机传动与制动单元
• 电源与UPS

L6 IGBT模块是斯达半导体面向灵活功率拓扑推出的新型模块，采用阵列式端子布局设计，可应对多变的电路拓扑需求。该结构便于客户在同一封装内实现半桥、三电平或定制拓扑，提升设计自由度。模块兼顾高功率密度与良好散热，适用于新能源汽车与工业变流等需要拓扑灵活性的场景。

系列: L6 IGBT模块; 特征: 灵活的阵列式端子布局, 可应对多变的电路拓扑; 电压等级: 650V/1200V(以具体型号为准); 封装: L6(平板基板); 特性: 高功率密度、良好散热; 应用: 新能源汽车、工业变流(具体参数以官网手册为准)。

• 新能源汽车多合一电驱
• 工业灵活拓扑变流器
• 储能与光伏系统
• 定制化功率单元

P6 IGBT模块是斯达半导体的新一代高功率密度模块，模块内部采用高热导率、高可靠性的HPS与AMB散热绝缘基板。该结构显著提升了散热能力与功率循环寿命，适合新能源汽车主驱与大功率变流。P6封装已在SiC六单元模块中规模应用，IGBT版本延续相同低热阻平台。

系列: P6 IGBT模块; 特征: 模块内部采用高热导率、高可靠性HPS和AMB散热绝缘基板; 电压等级: 650V/1200V(以具体型号为准); 封装: P6(PINFIN/Pressfit/长端子); 特性: 高散热、高功率循环寿命; 应用: 新能源汽车主驱、大功率变流(具体参数以官网手册为准)。

• 新能源汽车主驱逆变器
• 大功率工业变流
• 直流快充模块
• 储能变流

N5 IGBT模块是斯达半导体面向高能量传输效率设计的新品，内部采用多芯片并联设计，具有更高的能量传输效率与更优的电流均流特性。多芯片并联降低了单芯片热应力，提升模块整体功率循环能力。该系列面向新能源汽车主驱与大电流变流应用。

系列: N5 IGBT模块; 特征: 内部采用多芯片并联设计, 具有更高的能量传输效率; 电压等级: 以官网型号为准(常见1200V平台); 封装: N系列(以官网为准); 特性: 高能量传输效率、优均流、高功率循环; 应用: 新能源汽车主驱、大电流变流(具体参数以官网手册为准)。

• 新能源汽车主驱逆变器
• 大电流工业变流
• 直流快充功率模块
• 储能系统

C6.1 IGBT模块是斯达半导体成熟且机械稳健性出色的模块平台，具备优秀的功率循环能力与多变的封装可用性。采用Trench-FS Gen3芯片的C6.1模块导通压降低至1.35V~1.40V，半桥电流可达750A~800A，广泛用于新能源汽车主驱与工业变流。该平台支持平板基板与多种标准封装，便于客户平台化设计。

系列: C6.1 IGBT模块; 特征: 出色的机械稳健性, 优秀的功率循环能力, 多变的封装可用性; 芯片: Trench-FS Gen3; 电压等级: 650V/1200V; 导通压降VCE(sat): 1.35V~1.40V(Gen3, typ); 电流: 半桥最高750A~800A; 封装: C6.1(平板基板); 汽车应用符合AQG-324认证。

• 新能源汽车主驱逆变器
• 工业大功率变频
• 直流快充与超充
• 风光储变流

P6 SiC模块是斯达半导体面向新能源汽车电驱推出的碳化硅功率模块，采用低电感设计避免振荡，并搭配AMB散热绝缘基板与PINFIN散热基板。六单元拓扑(DC1200V, 如MD22HTC/MD29HTC系列)导通电阻低至2.15mΩ~2.83mΩ，支持高开关频率与高功率密度。该模块是800V平台主驱与超充的核心器件。

系列: P6 SiC模块; 特征: 低电感设计避免振荡, AMB散热绝缘基板和PINFIN散热基板; 电压等级: 1200V; 芯片: SiC MOSFET; 电路: 六单元(Sixpack); 导通电阻RDS(on): 2.15mΩ~2.83mΩ(typ); 封装: P6(PINFIN/Pressfit/长端子); 汽车应用符合AQG-324认证。

• 800V平台新能源汽车主驱逆变
• 直流超充与快充模块
• 车载充电机与高压DCDC
• 工业高频高效电源