Profil de l’entreprise
StarPower Semiconductor Ltd. est un fabricant chinois vérifié de la chaîne d’approvisionnement des véhicules à énergies nouvelles. Son périmètre documenté comprend Modules de puissance IGBT et SiC.
Produits
Module de puissance IGBT 650V
Les modules de puissance IGBT 650V de StarPower couvrent une large plage de courant de 10A a plus de 800A et proposent des topologies demi-pont, hacheur, PIM, sixpack, I-NPC trois niveaux et interrupteur simple. Ils utilisent des puces Planar NPT et Trench-FS Gen1/Gen2/Gen3 avec VCE(sat) aussi bas que 1,30V a 1,50V, alliant efficacite et fiabilite. Les boitiers incluent base plate, base PINFIN, moulé et types standards (C2/C5/C6/F1/L2/L4/L6/P3/P4). Ils conviennent aux entrainements industriels, ENR et climatisation auto.
Classe de tension: 650V; Courant: 10A a plus de 800A; Puce: Planar NPT / Trench-FS Gen1/Gen2/Gen3; Topologie: demi-pont, hacheur, PIM, sixpack, I-NPC 3 niveaux, simple; VCE(sat): 1,30V a 1,50V (typ); Boitier: base plate / P3/P4 (PINFIN) / C2/C5/C6/F1/L2/L4/L6; Usage auto recommande avec AQG-324.
- Entrainement compresseur et climatisation auto
- Variateur industriel et servo
- Onduleur photovoltaique et stockage
- Alimentation et onduleur UPS
Module de puissance IGBT 750V
Les modules IGBT 750V de StarPower visent les bus a tension plus elevee, offrant une marge de tension et de securite supplementaire par rapport a la plateforme 650V. Ils proposent demi-pont, hacheur, PIM, sixpack et trois niveaux pour onduleurs de traction hybrides et electriques et chargeurs embarques. Les puces Trench-FS field-stop donnent de faibles pertes a la conduction et une commutation optimisee. Les boitiers couvrent base plate et dissipateur PINFIN.
Classe de tension: 750V; Courant: 10A a plusieurs centaines A (selon modele); Puce: Trench-FS Gen1/Gen2/Gen3; Topologie: demi-pont/hacheur/PIM/sixpack/3 niveaux; VCE(sat): environ 1,4V a 1,7V (typ); Boitier: base plate / base PINFIN; Traction auto recommandee avec AQG-324.
- Onduleur de traction NEV
- Chargeur embarque OBC et DCDC
- Variateur industriel et servo
- Stockage et onduleur PV
Module de puissance IGBT 1000V
Les modules IGBT 1000V de StarPower servent les systemes a bus moyen-haut, donnant une marge de tension de blocage plus elevee pour onduleurs de traction et DCDC haute tension. Ils conservent la technologie Trench-FS field-stop, equilibrent faibles pertes a la conduction et bonne tenue au court-circuit. Les topologies incluent demi-pont, hacheur, PIM et sixpack pour les systemes exigeants en rendement. On utilise des boitiers plats haute thermique et PINFIN.
Classe de tension: 1000V; Courant: dizaines a plusieurs centaines A (selon modele); Puce: Trench-FS Gen1/Gen2/Gen3; Topologie: demi-pont/hacheur/PIM/sixpack; VCE(sat): environ 1,5V a 1,8V (typ); Boitier: base plate / base PINFIN; Usage auto recommande avec AQG-324.
- Onduleur de traction haute tension NEV
- Convertisseur DCDC haute tension
- Variateur industriel moyenne tension
- Conversion eolien/solaire/stockage
Module de puissance IGBT 1200V
Les modules IGBT 1200V de StarPower sont la famille la plus riche, couvrant 10A a 900A et toutes les topologies: simple, demi-pont, hacheur, PIM, four-pack, sixpack, I-NPC trois niveaux et emetteur commun. Les puces vont de Planar NPT a Trench-FS Gen3, C6.1/C6 en Gen3 atteignant VCE(sat) tres bas 1,35V a 1,40V et excellent cyclage de puissance. Les boitiers incluent A3 plat, C1/C2/C2.1/C5/C6/C6.1/C8/L2 pour traction NEV, bornes de recharge et conversion industrielle.
Classe de tension: 1200V; Courant: 10A a 900A; Puce: Planar NPT / Trench-FS Gen1/Gen2/Gen3; Topologie: simple/demi-pont/hacheur/PIM/4-pack/sixpack/I-NPC 3 niveaux/emetteur commun; VCE(sat): 1,35V (Gen3 C6.1) a 3,10V (Planar NPT); Boitier: A3/C1/C2/C2.1/C5/C6/C6.1/C8/L2; Traction auto recommandee avec AQG-324.
- Onduleur de traction principal NEV
- Module de recharge rapide DC
- Variateur industriel et servo
- Convertisseur photovoltaique et stockage
Module de puissance IGBT 1700V
Les modules IGBT 1700V de StarPower visent les bus a tension plus elevee et une meilleure tenue au court-circuit, comme les auxiliaires de traction ferroviaire, la conversion eolienne et les variateurs industriels moyenne tension. Ils utilisent des puces Trench-FS haute tension gardant faibles pertes a la conduction et commutation fiable a 1700V de blocage. Les topologies sont surtout demi-pont, hacheur et PIM, avec boitiers plats haute thermique pour longue duree de cyclage.
Classe de tension: 1700V; Courant: dizaines a plusieurs centaines A (selon modele); Puce: Trench-FS Gen1/Gen2/Gen3; Topologie: demi-pont/hacheur/PIM; VCE(sat): environ 1,7V a 2,0V (typ); Boitier: base plate haute thermique; Classe industrielle haute fiabilite, rail/eolien recommandes avec certification secteur.
- Traction ferroviaire et convertisseur auxiliaire
- Convertisseur eolien
- Variateur industriel moyenne tension
- Alimentation DC haute tension
Module de puissance SiC 750V
Les modules SiC 750V de StarPower reposent sur des puces MOSFET carbure de silicium pour VE et onduleurs de traction a 800V et moins, avec pertes de commutation plus faibles et temperature de jonction plus elevee que l'IGBT de meme tension. Ils couvrent sixpack, demi-pont et interrupteur simple et supportent haute frequence pour reduire les passifs. Les boitiers faible inductance et haut blocage conviennent aux NEV efficaces et denses.
Classe de tension: 750V; Puce: MOSFET SiC; Topologie: sixpack/demi-pont/simple; RDS(on): niveau milliohm (selon modele); Caracteristiques: faibles pertes commutation, haut blocage, haute Tj (au-dela 175C); Boitier: base PINFIN / faible inductance; Usage auto recommande avec AQG-324.
- Onduleur de traction NEV plateforme 800V
- Chargeur embarque OBC
- Convertisseur DCDC haute tension
- Alimentation industrielle efficace
Module de puissance SiC 1200V
Les modules SiC 1200V de StarPower sont des elements centraux des chaines de traction NEV, couvrant demi-pont (N4), sixpack (P6) et simple (T6). Ils adoptent un profil faible inductance pour eviter les oscillations, avec substrat isolant AMB et dissipateur PINFIN pour robustesse thermique et mecanique. RDS(on) aussi basse que 2,15mOhm a 2,90mOhm (sixpack P6) et 8,80mOhm (simple T6), permettant haute frequence et densite.
Classe de tension: 1200V; Puce: MOSFET SiC; Topologie: demi-pont (N4) / sixpack (P6) / simple (T6); RDS(on): 2,15mOhm a 2,90mOhm (sixpack), 8,80mOhm a 8,86mOhm (simple); Boitier: N4 moulé+PINFIN / P6 (PINFIN/Pressfit/longue patte) / T6 (T-Pack ou moulé); Caracteristiques: faible inductance, substrat AMB, haute Tj; Usage auto avec AQG-324.
- Onduleur de traction principal NEV
- Module de recharge rapide et ultra-rapide DC
- Chargeur embarque et DCDC haute tension
- Alimentation et servo industriels haute frequence
Module de puissance intelligent IPM
L'IPM de StarPower est un module intelligent tres integre, basse consommation et haute fiabilite, avec drivers HVIC et LVIC offrant protection sous-tension, surintensite, surtemperature et sortie temperature. Il couvre 600V/650V a 5A-50A en boitiers moules U1/U2/U3/U5 compacts et faciles a monter. Applications: variateurs industriels, electromenager et climatisation auto.
Classe de tension: 600V/650V; Courant: 5A a 50A; Topologie: sixpack; Puce: Trench-FS Gen1; VCE(sat): 1,50V a 1,75V (typ); Boitier: U1/U2/U3/U5 moulé; Protection: UV/OC/OT/sortie temperature; Usage: variateur, climatiseur, clim auto.
- Entrainement compresseur climatisation auto
- Climatiseur onduleur residentiel et tertiaire
- Variateur industriel et servo
- Entrainement moteur faible puissance
Composant discret de puissance 650V
Les composants discrets de puissance 650V de StarPower livrent IGBT et SiC simples en boitiers TO-247 pour onduleurs auto, electromenager, PV et variateurs. La frequence va de 50Hz a 50kHz avec courant 10A a 160A, alliant rendement et fiabilite. L'approche discrete permet de composer souple les boucles de puissance pour faible/moyenne puissance et alimentations auxiliaires.
Classe de tension: 650V; Courant: 10A a 160A; Puce: Trench-FS IGBT / SiC; Boitier: TO-247-3L / TO-247PLUS-3L / TO-247PLUS-4L; Frequence: 50Hz a 50kHz; Caracteristiques: haute fiabilite, haute performance; Usage: onduleur auto, electromenager, PV, variateur.
- Onduleur auxiliaire et DCDC auto
- Commande frequence electromenager
- Micro-onduleur et optimiseur PV
- Alimentation industrielle et auxiliaire
Composant discret de puissance 750V
Les composants discrets 750V de StarPower offrent une marge de tension plus elevee que la plateforme 650V pour alimentations auxiliaires du bus 800V et etages avant OBC. Ils utilisent puces Trench-FS IGBT et SiC surtout en familles TO-247 pour montage automatique. La serie combine faibles pertes a la conduction et bonne commutation, repond aux exigences auto de fiabilite.
Classe de tension: 750V; Courant: 10A a 160A; Puce: Trench-FS IGBT / SiC; Boitier: TO-247-3L / TO-247PLUS-3L / TO-247PLUS-4L; Frequence: 50Hz a 50kHz; Caracteristiques: haute fiabilite, faibles pertes; Usage auto recommande avec grade auto.
- Etage avant OBC
- Alimentation auxiliaire plateforme 800V
- Alimentation industrielle et telecom
- PV et stockage
Composant discret de puissance 1200V
Les composants discrets 1200V de StarPower couvrent IGBT simple et MOSFET SiC en boitiers T2 (TO-247-3L et TO-247PLUS-3L/4L) avec courant 10A a plus de 140A. Les IGBT simples affichent VCE(sat) 1,25V a 1,95V, et les SiC RDS(on) jusqu'a 17,0mOhm (DM170S12), supportant haute frequence et temperature de jonction. Utilises en etages auxiliaires auto, alimentations industrielles et conversion efficace.
Classe de tension: 1200V; Courant: 10A a plus de 140A; Puce: Trench-FS Gen1/Gen2 IGBT et MOSFET SiC; Boitier: T2 (TO-247-3L / TO-247PLUS-3L / TO-247PLUS-4L); VCE(sat) IGBT: 1,25V a 1,95V (typ); RDS(on) SiC: 17,0mOhm (DM170S12); Frequence: haute; Usage: onduleur auto, alimentation industrielle, pile efficace.
- Alimentation auxiliaire et DCDC NEV
- Alimentation a decoupage industrielle haute frequence
- Conversion PV et stockage
- Entrainement et servo moteur
Module de diodes
Les modules de diodes StarPower completent les modules IGBT/SiC, fournissant les ensembles de diodes de puissance pour roue libre, redressement et freinage. Ils couvrent plusieurs classes de tension et courant et s'associent au demi-pont, hacheur et PIM. Les boitiers fiables et substrats haute thermique repondent aux exigences de recupération inverse et thermiques des variateurs, ENR et traction.
Classe de tension: 600V a 1700V (selon modele); Courant: plusieurs calibres (selon modele); Type: diode redresseur / roue libre; Boitier: base plate / module de puissance standard; Caracteristiques: faible recupération inverse, haute fiabilite; Usage: avec modules IGBT/SiC en onduleur et variateur.
- Roue libre et redressement variateur industriel
- Onduleur et conversion ENR
- Bloc entrainement et freinage
- Alimentation et onduleur
Module IGBT L6
Le module IGBT L6 de StarPower est un module nouveau pour topologies flexibles, a disposition de broches en reseau adaptee a diverses topologies. Cette structure permet demi-pont, trois niveaux ou topologie perso dans un meme boitier, augmentant la liberte de conception. Il equilibre densite de puissance et bon refroidissement, propre aux NEV et conversion industrielle necessitant flexibilite.
Serie: Module IGBT L6; Caracteristique: disposition broches en reseau pour topologies variables; Tension: 650V/1200V (selon modele); Boitier: L6 (base plate); Caracteristiques: haute densite puissance, bon refroidissement; Usage: NEV, conversion industrielle (selon doc).
- Train de propulsion multi-fonctions NEV
- Convertisseur industriel a topologie flexible
- Systeme de stockage et PV
- Bloc de puissance sur mesure
Module IGBT P6
Le module IGBT P6 de StarPower est un module nouvelle generation haute densite avec substrats isolants HPS et AMB haute conductivite thermique et haute fiabilite. Cela ameliore nettement refroidissement et cyclage de puissance, propre a la traction NEV et conversion forte puissance. Le boitier P6 est deja utilise en serie dans les modules SiC sixpack, et la version IGBT continue la meme plateforme basse resistance thermique.
Serie: Module IGBT P6; Caracteristique: substrats isolants HPS et AMB haute conductivite; Tension: 650V/1200V (selon modele); Boitier: P6 (PINFIN/Pressfit/longue patte); Caracteristiques: haut refroidissement, long cyclage; Usage: traction NEV, forte puissance (selon doc).
- Onduleur de traction principal NEV
- Conversion industrielle forte puissance
- Module de recharge rapide DC
- Conversion stockage
Module IGBT N5
Le module IGBT N5 de StarPower est une nouveaute pour haut rendement de transfert d'energie, a conception multi-puces en parallele donnant meilleur rendement et meilleur partage de courant. Le parallele multi-puces reduit la contrainte thermique par puce et eleve le cyclage de puissance. La serie vise traction NEV et conversion a fort courant.
Serie: Module IGBT N5; Caracteristique: conception multi-puces en parallele pour rendement; Tension: selon modele (souvent 1200V); Boitier: serie N (selon modele); Caracteristiques: haut rendement, bon partage, fort cyclage; Usage: traction NEV, fort courant (selon doc).
- Onduleur de traction principal NEV
- Conversion industrielle a fort courant
- Module de recharge rapide DC
- Systeme de stockage
Module IGBT C6.1
Le module IGBT C6.1 de StarPower est une plateforme mature a robustesse mecanique excellente, cyclage de puissance superieur et boitiers varies. Avec puces Trench-FS Gen3, le C6.1 atteint VCE(sat) 1,35V a 1,40V et courant demi-pont jusqu'a 750A-800A, utilise en traction NEV et conversion industrielle. Il supporte base plate et boitiers standards pour conception plateforme.
Serie: Module IGBT C6.1; Caracteristique: robustesse mecanique excellente, cyclage superieur, boitiers varies; Puce: Trench-FS Gen3; Tension: 650V/1200V; VCE(sat): 1,35V a 1,40V (Gen3, typ); Courant: demi-pont jusqu'a 750A-800A; Boitier: C6.1 (base plate); Usage auto avec AQG-324.
- Onduleur de traction principal NEV
- Variateur industriel forte puissance
- Recharge rapide et ultra-rapide DC
- Conversion eolien/solaire/stockage
Module SiC P6
Le module SiC P6 de StarPower est un module carbure de silicium pour chaines de traction NEV, a conception faible inductance evitant les oscillations, substrat isolant AMB et dissipateur PINFIN. La topologie sixpack (DC1200V, ex. MD22HTC/MD29HTC) atteint RDS(on) 2,15mOhm a 2,83mOhm, permettant haute frequence et densite. C'est un element central pour traction plateforme 800V et recharge ultra-rapide.
Serie: Module SiC P6; Caracteristique: faible inductance, substrat AMB et dissipateur PINFIN; Tension: 1200V; Puce: MOSFET SiC; Topologie: sixpack; RDS(on): 2,15mOhm a 2,83mOhm (typ); Boitier: P6 (PINFIN/Pressfit/longue patte); Usage auto avec AQG-324.
- Onduleur de traction NEV plateforme 800V
- Module de recharge ultra-rapide et rapide DC
- Chargeur embarque et DCDC haute tension
- Alimentation industrielle efficace haute frequence
Preuves de production
Des sources officielles ou publiques faisant autorité confirment la fabrication de Modules de puissance IGBT et SiC et le lien direct avec les véhicules à énergies nouvelles.
Cette fiche repose sur des informations publiques confirmées. Elle ne constitue ni un audit, ni une certification, ni une recommandation commerciale.
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