Производители

Нужны данные о производстве

StarPower Semiconductor Ltd.

StarPower Semiconductor Ltd.

МестонахождениеЦзясин, Чжэцзян, КитайДата основания2005-04-27Уставный капиталCNY239,473,466ОтраслиКомпоненты для электромобилейПоследняя проверка2026-08-12

О компании

StarPower Semiconductor Ltd. — подтверждённый китайский производитель в цепочке поставок автомобилей на новых источниках энергии. Документированная продукция включает Силовые модули IGBT и SiC.

Продукция

Силовой модуль IGBT 650V

Описание продукта

Силовые модули IGBT на 650V компании StarPower охватывают широкий диапазон тока от 10A до 800A и предлагают топологии полумост, чоппер, PIM, sixpack, трёхуровневую I-NPC и одиночный ключ. Применяются чипы Planar NPT и Trench-FS Gen1/Gen2/Gen3 с VCE(sat) всего 1,30–1,50V, что сочетает эффективность и надёжность. Корпуса включают плоское основание, основание PINFIN, литые и стандартные (C2/C5/C6/F1/L2/L4/L6/P3/P4). Подходят для промышленных приводов, ВИЭ и автокондиционеров.

Ключевые характеристики

Класс напряжения: 650V; Ток: 10A–более 800A; Чип: Planar NPT / Trench-FS Gen1/Gen2/Gen3; Топология: полумост, чоппер, PIM, sixpack, I-NPC 3 уровня, одиночный; VCE(sat): 1,30–1,50V (тип.); Корпус: плоское основание / P3/P4 (PINFIN) / C2/C5/C6/F1/L2/L4/L6; Авто применение рекомендуется с AQG-324.

Применение
  • Привод компрессора и кондиционера авто
  • Промышленный инвертор и сервопривод
  • Фотоэлектрический инвертор и накопитель
  • Источник питания и ИБП
Источник по продукту ↗

Силовой модуль IGBT 750V

Описание продукта

Силовые модули IGBT на 750V компании StarPower предназначены для шин повышенного напряжения, обеспечивая запас по напряжению и безопасности сверх платформы 650V. Предлагаются топологии полумост, чоппер, PIM, sixpack и трёхуровневая для тяговых инверторов гибридов и электромобилей и бортовых зарядок. Чипы Trench-FS field-stop дают низкие потери проводимости и оптимизированное переключение. Корпуса — плоское основание и радиатор PINFIN.

Ключевые характеристики

Класс напряжения: 750V; Ток: 10A–несколько сотен А (по модели); Чип: Trench-FS Gen1/Gen2/Gen3; Топология: полумост/чоппер/PIM/sixpack/3 уровня; VCE(sat): около 1,4–1,7V (тип.); Корпус: плоское основание / PINFIN; Тяга авто рекомендуется с AQG-324.

Применение
  • Тяговый инвертор NEV
  • Бортовое ЗУ OBC и DCDC
  • Промышленный инвертор и серво
  • Накопитель и фотоинвертор
Источник по продукту ↗

Силовой модуль IGBT 1000V

Описание продукта

Силовые модули IGBT на 1000V компании StarPower служат системам шин средне-высокого напряжения, давая больший запас по блокирующему напряжению для тяговых инверторов и DCDC высокого напряжения. Сохраняется технология Trench-FS field-stop с балансом низких потерь проводимости и стойкости к КЗ. Топологии включают полумост, чоппер, PIM и sixpack для систем с высокими требованиями по эффективности. Используются корпуса с плоским основанием и PINFIN.

Ключевые характеристики

Класс напряжения: 1000V; Ток: десятки–несколько сотен А (по модели); Чип: Trench-FS Gen1/Gen2/Gen3; Топология: полумост/чоппер/PIM/sixpack; VCE(sat): около 1,5–1,8V (тип.); Корпус: плоское основание / PINFIN; Авто применение рекомендуется с AQG-324.

Применение
  • Тяговый инвертор высокого напряжения NEV
  • Преобразователь DCDC высокого напряжения
  • Промышленный привод среднего напряжения
  • Преобразование ветер/солнце/накопитель
Источник по продукту ↗

Силовой модуль IGBT 1200V

Описание продукта

Силовые модули IGBT на 1200V компании StarPower — самое обширное семейство, охватывающее 10A–900A и все топологии: одиночный, полумост, чоппер, PIM, four-pack, sixpack, I-NPC трёх уровней и общий эмиттер. Чипы от Planar NPT до Trench-FS Gen3, причём C6.1/C6 на Gen3 дают сверхнизкое VCE(sat) 1,35–1,40V и отличный цикл мощности. Корпуса A3 плоский, C1/C2/C2.1/C5/C6/C6.1/C8/L2 для тяги NEV, зарядок и промышленности.

Ключевые характеристики

Класс напряжения: 1200V; Ток: 10A–900A; Чип: Planar NPT / Trench-FS Gen1/Gen2/Gen3; Топология: одиночный/полумост/чоппер/PIM/4-pack/sixpack/I-NPC 3 ур./общий эмиттер; VCE(sat): 1,35V (Gen3 C6.1) – 3,10V (Planar NPT); Корпус: A3/C1/C2/C2.1/C5/C6/C6.1/C8/L2; Тяга авто рекомендуется с AQG-324.

Применение
  • Тяговый инвертор NEV
  • Модуль быстрой зарядки DC
  • Промышленный инвертор и серво
  • Фото- и сетевой преобразователь
Источник по продукту ↗

Силовой модуль IGBT 1700V

Описание продукта

Силовые модули IGBT на 1700V компании StarPower нацелены на шины более высокого напряжения и повышенную стойкость к КЗ, например вспомогательные преобразователи тяги железных дорог, ветроэнергетика и промышленные приводы среднего напряжения. Применяются высоковольтные чипы Trench-FS, сохраняющие низкие потери проводимости и надёжное переключение при блокирующем 1700V. Топологии — в основном полумост, чоппер и PIM, с плоскими корпусами высокой теплопередачи для долгого цикла мощности.

Ключевые характеристики

Класс напряжения: 1700V; Ток: десятки–несколько сотен А (по модели); Чип: Trench-FS Gen1/Gen2/Gen3; Топология: полумост/чоппер/PIM; VCE(sat): около 1,7–2,0V (тип.); Корпус: плоское основание высокой теплопередачи; Промышленный класс, жд/ветер рекомендуется с отраслевой сертификацией.

Применение
  • Тяга железных дорог и вспомогательный преобразователь
  • Ветроэнергетический преобразователь
  • Промышленный инвертор среднего напряжения
  • Источник DC высокого напряжения
Источник по продукту ↗

Силовой модуль SiC 750V

Описание продукта

Силовые модули SiC на 750V компании StarPower построены на чипах MOSFET карбида кремния для электромобилей и тяговых инверторов при шинах 800V и ниже, обеспечивая меньшие потери переключения и более высокую температуру перехода, чем IGBT того же напряжения. Охватывают sixpack, полумост и одиночный ключ, поддерживают высокую частоту для уменьшения пассивных элементов. Корпуса с низкой индуктивностью и высоким блокирующим напряжением подходят эффективным NEV.

Ключевые характеристики

Класс напряжения: 750V; Чип: MOSFET SiC; Топология: sixpack/полумост/одиночный; RDS(on): миллиомный уровень (по модели); Особенности: низкие потери переключения, высокое блокирующее напряжение, высокая Tj (выше 175С); Корпус: PINFIN / низкоиндуктивный; Авто применение рекомендуется с AQG-324.

Применение
  • Тяговый инвертор NEV платформы 800V
  • Бортовое ЗУ OBC
  • Преобразователь DCDC высокого напряжения
  • Промышленный источник высокой эффективности
Источник по продукту ↗

Силовой модуль SiC 1200V

Описание продукта

Силовые модули SiC на 1200V компании StarPower — ключевые устройства для трансмиссий NEV, охватывающие полумост (N4), sixpack (P6) и одиночный (T6). Применён малошумный малошумящий дизайн с низкой индуктивностью, изоляционная подложка AMB и радиатор PINFIN для отличной тепловой и механической прочности. RDS(on) всего 2,15–2,90 мОм (sixpack P6) и 8,80 мОм (одиночный T6), что даёт высокую частоту и плотность мощности.

Ключевые характеристики

Класс напряжения: 1200V; Чип: MOSFET SiC; Топология: полумост (N4) / sixpack (P6) / одиночный (T6); RDS(on): 2,15–2,90 мОм (sixpack), 8,80–8,86 мОм (одиночный); Корпус: N4 литой+PINFIN / P6 (PINFIN/Pressfit/длинный вывод) / T6 (T-Pack или литой); Особенности: низкая индуктивность, подложка AMB, высокая Tj; Авто применение с AQG-324.

Применение
  • Тяговый инвертор NEV
  • Модуль быстрой и ультрабыстрой зарядки DC
  • Бортовое ЗУ и DCDC высокого напряжения
  • Промышленный источник и серво высокой частоты
Источник по продукту ↗

Интеллектуальный силовой модуль IPM

Описание продукта

IPM компании StarPower — высокоинтегрированный маломощный надёжный интеллектуальный модуль со встроенными драйверами HVIC и LVIC, обеспечивающими защиту от пониженного напряжения, перегрузки по току, перегрева и выход температуры. Охватывает платформы 600V/650V при токе 5A–50A в литых корпусах U1/U2/U3/U5, компактных и удобных для монтажа. Применяется в промышленных инверторах, бытовой технике и автокондиционерах.

Ключевые характеристики

Класс напряжения: 600V/650V; Ток: 5A–50A; Топология: sixpack; Чип: Trench-FS Gen1; VCE(sat): 1,50–1,75V (тип.); Корпус: U1/U2/U3/U5 литой; Защита: UV/OC/OT/выход температуры; Применение: инвертор, кондиционер, автокондиционер.

Применение
  • Привод компрессора автокондиционера
  • Бытовой и коммерческий инверторный кондиционер
  • Промышленный инвертор и серво
  • Маломощный привод двигателя
Источник по продукту ↗

Силовой дискретный прибор 650V

Описание продукта

Дискретные приборы мощности 650V компании StarPower предлагают одиночные IGBT и SiC в корпусах TO-247 для автомобильных инверторов, бытовой техники, ВИЭ и промышленных приводов. Рабочая частота 50Гц–50кГц при токе 10A–160A сочетает эффективность и надёжность. Дискретный подход позволяет гибко строить силовые контуры для малой/средней мощности и вспомогательных источников.

Ключевые характеристики

Класс напряжения: 650V; Ток: 10A–160A; Чип: Trench-FS IGBT / SiC; Корпус: TO-247-3L / TO-247PLUS-3L / TO-247PLUS-4L; Частота: 50Гц–50кГц; Особенности: высокая надёжность, высокая производительность; Применение: автоинвертор, быт, ВИЭ, привод.

Применение
  • Автомобильный вспомогательный инвертор и DCDC
  • Частотное управление бытовой техники
  • Фотоэлектрический микроинвертор и оптимизатор
  • Промышленный и вспомогательный источник
Источник по продукту ↗

Силовой дискретный прибор 750V

Описание продукта

Дискретные приборы мощности 750V компании StarPower дают больший запас напряжения над платформой 650V для вспомогательных источников шины 800V и входных ступеней бортового ЗУ. Применяются чипы Trench-FS IGBT и SiC преимущественно в семействах TO-247 для автоматического монтажа. Серия сочетает низкие потери проводимости и хорошее переключение, отвечая требованиям автомобильной надёжности.

Ключевые характеристики

Класс напряжения: 750V; Ток: 10A–160A; Чип: Trench-FS IGBT / SiC; Корпус: TO-247-3L / TO-247PLUS-3L / TO-247PLUS-4L; Частота: 50Гц–50кГц; Особенности: высокая надёжность, низкие потери; Авто применение рекомендуется с автомобильной сертификацией.

Применение
  • Входная ступень OBC
  • Вспомогательный источник платформы 800V
  • Промышленный и телеком-источник
  • ВИЭ и накопитель
Источник по продукту ↗

Силовой дискретный прибор 1200V

Описание продукта

Дискретные приборы мощности 1200V компании StarPower охватывают одиночные IGBT и MOSFET SiC в корпусах T2 (TO-247-3L и TO-247PLUS-3L/4L) при токе 10A–более 140A. Одиночные IGBT имеют VCE(sat) 1,25–1,95V, а SiC — RDS(on) всего 17,0 мОм (серия DM170S12), поддерживая высокую частоту и температуру перехода. Широко применяются во вспомогательных ступенях авто, промышленных источниках и эффективном преобразовании.

Ключевые характеристики

Класс напряжения: 1200V; Ток: 10A–более 140A; Чип: Trench-FS Gen1/Gen2 IGBT и MOSFET SiC; Корпус: T2 (TO-247-3L / TO-247PLUS-3L / TO-247PLUS-4L); VCE(sat) IGBT: 1,25–1,95V (тип.); RDS(on) SiC: 17,0 мОм (DM170S12); Частота: высокая; Применение: автоинвертор, промышленный источник, эффективный БП.

Применение
  • Автомобильный вспомогательный источник и DCDC
  • Промышленный импульсный источник высокой частоты
  • Преобразование ВИЭ и накопителя
  • Привод двигателя и серво
Источник по продукту ↗

Диодный модуль

Описание продукта

Диодные модули StarPower дополняют модули IGBT/SiC, обеспечивая нужные сборки силовых диодов для цепей свободного хода, выпрямления и торможения. Охватывают несколько классов напряжения и тока и гибко сочетаются с полумостом, чоппером и PIM. Надёжные корпуса и теплопроводящие подложки отвечают требованиям по обратному восстановлению и теплу промышленных приводов, ВИЭ и тяги.

Ключевые характеристики

Класс напряжения: 600V–1700V (по модели); Ток: несколько номиналов (по модели); Тип: выпрямительный / диод свободного хода; Корпус: плоское основание / стандартный силовой; Особенности: низкое обратное восстановление, высокая надёжность; Применение: с IGBT/SiC модулями в инверторе и приводе.

Применение
  • Свободный ход и выпрямление промышленного инвертора
  • Инвертор и преобразование ВИЭ
  • Привод и тормозной блок
  • Источник и ИБП
Источник по продукту ↗

Силовой модуль IGBT L6

Описание продукта

Модуль IGBT L6 компании StarPower — новый модуль для гибких силовых топологий с матричным расположением выводов, адаптируемым под разные схемы. Такая структура позволяет реализовать полумост, три уровня или заказную топологию в одном корпусе, повышая свободу проектирования. Сочетает высокую плотность мощности и хорошее охлаждение, подходит для NEV и промышленного преобразования.

Ключевые характеристики

Серия: Силовой модуль IGBT L6; Особенность: матричное расположение выводов для разных топологий; Напряжение: 650V/1200V (по модели); Корпус: L6 (плоское основание); Особенности: высокая плотность мощности, хорошее охлаждение; Применение: NEV, промышленное преобразование (по документации).

Применение
  • Многофункциональная трансмиссия NEV
  • Промышленный преобразователь гибкой топологии
  • Система накопления и ВИЭ
  • Заказной силовой блок
Источник по продукту ↗

Силовой модуль IGBT P6

Описание продукта

Модуль IGBT P6 компании StarPower — новый высокоплотный модуль с изоляционными подложками HPS и AMB высокой теплопроводности и надёжности внутри. Это заметно улучшает охлаждение и цикл мощности, подходя для тяги NEV и преобразования большой мощности. Корпус P6 уже массово применяется в модулях SiC sixpack, а версия IGBT продолжает ту же платформу с низким тепловым сопротивлением.

Ключевые характеристики

Серия: Силовой модуль IGBT P6; Особенность: изоляционные подложки HPS и AMB высокой теплопроводности; Напряжение: 650V/1200V (по модели); Корпус: P6 (PINFIN/Pressfit/длинный вывод); Особенности: высокое охлаждение, долгий цикл мощности; Применение: тяга NEV, большая мощность (по документации).

Применение
  • Тяговый инвертор NEV
  • Промышленное преобразование большой мощности
  • Модуль быстрой зарядки DC
  • Преобразование накопителя
Источник по продукту ↗

Силовой модуль IGBT N5

Описание продукта

Модуль IGBT N5 компании StarPower — новинка для высокой эффективности передачи энергии с параллельным многокристальным исполнением, дающим более высокую эффективность и лучшее распределение тока. Параллельное включение снижает тепловое напряжение кристалла и повышает цикл мощности. Серия нацелена на тягу NEV и преобразование большого тока.

Ключевые характеристики

Серия: Силовой модуль IGBT N5; Особенность: параллельное многокристальное исполнение для эффективности; Напряжение: по модели (часто платформа 1200V); Корпус: серия N (по модели); Особенности: высокая эффективность, хорошее распределение, высокий цикл; Применение: тяга NEV, большой ток (по документации).

Применение
  • Тяговый инвертор NEV
  • Промышленное преобразование большого тока
  • Модуль быстрой зарядки DC
  • Система накопления
Источник по продукту ↗

Силовой модуль IGBT C6.1

Описание продукта

Модуль IGBT C6.1 компании StarPower — зрелая платформа с отличной механической прочностью, превосходным циклом мощности и разнообразием корпусов. На чипах Trench-FS Gen3 модуль C6.1 достигает VCE(sat) 1,35–1,40V при токе полумоста до 750–800A, широко применяется в тяге NEV и промышленности. Поддерживает плоское основание и стандартные корпуса для платформенного проектирования.

Ключевые характеристики

Серия: Силовой модуль IGBT C6.1; Особенность: отличная механическая прочность, превосходный цикл мощности, разные корпуса; Чип: Trench-FS Gen3; Напряжение: 650V/1200V; VCE(sat): 1,35–1,40V (Gen3, тип.); Ток: полумост до 750–800A; Корпус: C6.1 (плоское основание); Авто применение с AQG-324.

Применение
  • Тяговый инвертор NEV
  • Промышленный инвертор большой мощности
  • Быстрая и ультрабыстрая зарядка DC
  • Преобразование ветер/солнце/накопитель
Источник по продукту ↗

Силовой модуль SiC P6

Описание продукта

Модуль SiC P6 компании StarPower — карбид-кремниевый модуль для трансмиссий NEV с малошумным малошумящим дизайном (низкая индуктивность) во избежание колебаний, изоляционной подложкой AMB и радиатором PINFIN. Топология sixpack (DC1200V, напр. MD22HTC/MD29HTC) достигает RDS(on) 2,15–2,83 мОм, обеспечивая высокую частоту и плотность. Это ключевое устройство для тяги платформы 800V и ультрабыстрой зарядки.

Ключевые характеристики

Серия: Силовой модуль SiC P6; Особенность: низкая индуктивность, подложка AMB и радиатор PINFIN; Напряжение: 1200V; Чип: MOSFET SiC; Топология: sixpack; RDS(on): 2,15–2,83 мОм (тип.); Корпус: P6 (PINFIN/Pressfit/длинный вывод); Авто применение с AQG-324.

Применение
  • Тяговый инвертор NEV платформы 800V
  • Модуль ультрабыстрой и быстрой зарядки DC
  • Бортовое ЗУ и DCDC высокого напряжения
  • Промышленный эффективный источник высокой частоты
Источник по продукту ↗

Данные о производстве

Официальные или авторитетные открытые источники подтверждают производство Силовые модули IGBT и SiC и прямую связь с автомобилями на новых источниках энергии.

Основной источникОткрыть источник 1 ↗

Профиль основан на подтверждённой открытой информации и не является аудитом, сертификацией или коммерческой рекомендацией.

← Компоненты для электромобилей