StarPower Semiconductor Ltd.

Los módulos de potencia IGBT de 650V de StarPower abarcan una amplia corriente de 10A a más de 800A y ofrecen topologías como medio puente, chopper, PIM, sixpack, I-NPC de tres niveles y transistor simple. Emplean chips Planar NPT y Trench-FS Gen1/Gen2/Gen3 con VCE(sat) de solo 1,30V a 1,50V, equilibrando eficiencia y fiabilidad. Los encapsulados incluyen base plana, base PINFIN, moldeado y tipos estándar (C2/C5/C6/F1/L2/L4/L6/P3/P4). Son idóneos para accionamientos industriales, energías renovables y aire acondicionado de automoción.

Clase de tensión: 650V; Corriente: 10A a más de 800A; Chip: Planar NPT / Trench-FS Gen1/Gen2/Gen3; Topología: medio puente, chopper, PIM, sixpack, I-NPC 3 niveles, simple; VCE(sat): 1,30V a 1,50V (típ); Encapsulado: base plana / P3/P4 (PINFIN) / C2/C5/C6/F1/L2/L4/L6; Uso automotriz recomendado con AQG-324 (según datasheet).

• Accionamiento de compresor y A/A de automoción
• Variador industrial y servo
• Inversor fotovoltaico y almacenamiento
• Fuente de alimentación y SAI

Los módulos IGBT de 750V de StarPower están pensados para buses de mayor tensión, aportando margen de tensión y seguridad adicionales sobre la plataforma de 650V. Ofrecen medio puente, chopper, PIM, sixpack y tres niveles para inversores de tracción de híbridos y eléctricos y cargadores a bordo. Los chips Trench-FS de tipo field-stop dan baja pérdida de conducción y conmutación optimizada. Los encapsulados cubren base plana y disipador PINFIN.

Clase de tensión: 750V; Corriente: 10A a varios cientos A (según modelo); Chip: Trench-FS Gen1/Gen2/Gen3; Topología: medio puente/chopper/PIM/sixpack/3 niveles; VCE(sat): sobre 1,4V a 1,7V (típ); Encapsulado: base plana / base PINFIN; Tracción automotriz recomendada con AQG-324.

• Inversor de tracción principal NEV
• Cargador a bordo OBC y DCDC
• Variador industrial y servo
• Almacenamiento y inversor PV

Los módulos IGBT de 1000V de StarPower sirven a sistemas de bus medio-alto, dando mayor margen de tensión de bloqueo para inversores de tracción y DCDC de alta tensión. Mantienen la tecnología Trench-FS field-stop, equilibrando baja pérdida de conducción y buena robustez ante cortocircuito. Las topologías abarcan medio puente, chopper, PIM y sixpack para sistemas exigentes en eficiencia y fiabilidad. Se usan encapsulados planos de alta disipación y PINFIN.

Clase de tensión: 1000V; Corriente: decenas a varios cientos A (según modelo); Chip: Trench-FS Gen1/Gen2/Gen3; Topología: medio puente/chopper/PIM/sixpack; VCE(sat): sobre 1,5V a 1,8V (típ); Encapsulado: base plana / base PINFIN; Uso automotriz recomendado con AQG-324.

• Inversor de tracción de alta tensión NEV
• Convertidor DCDC de alta tensión
• Variador industrial de media tensión
• Conversión eólica/solar/almacenamiento

Los módulos IGBT de 1200V de StarPower son la familia más amplia, cubriendo de 10A a 900A y todas las topologías: simple, medio puente, chopper, PIM, four-pack, sixpack, I-NPC de tres niveles y emisor común. Los chips van de Planar NPT a Trench-FS Gen3, con C6.1/C6 en Gen3 logrando VCE(sat) ultra baja de 1,35V a 1,40V y excelente ciclo de potencia. Los encapsulados incluyen A3 plano, C1/C2/C2.1/C5/C6/C6.1/C8/L2, para tracción NEV, cargadores y conversión industrial.

Clase de tensión: 1200V; Corriente: 10A a 900A; Chip: Planar NPT / Trench-FS Gen1/Gen2/Gen3; Topología: simple/medio puente/chopper/PIM/4-pack/sixpack/I-NPC 3 niveles/emisor común; VCE(sat): 1,35V (Gen3 C6.1) a 3,10V (Planar NPT); Encapsulado: A3/C1/C2/C2.1/C5/C6/C6.1/C8/L2; Tracción automotriz recomendada con AQG-324.

• Inversor de tracción principal NEV
• Módulo de carga rápida DC
• Variador industrial y servo
• Convertidor fotovoltaico y de almacenamiento

Los módulos IGBT de 1700V de StarPower apuntan a buses de mayor tensión y mayor robustez ante cortocircuito, como auxiliares de tracción ferroviaria, conversión eólica y variadores industriales de media tensión. Usan chips Trench-FS de alta tensión que mantienen baja pérdida de conducción y conmutación fiable a 1700V de bloqueo. Las topologías son sobre todo medio puente, chopper y PIM, con encapsulados planos de alta disipación para larga vida en ciclo de potencia.

Clase de tensión: 1700V; Corriente: decenas a varios cientos A (según modelo); Chip: Trench-FS Gen1/Gen2/Gen3; Topología: medio puente/chopper/PIM; VCE(sat): sobre 1,7V a 2,0V (típ); Encapsulado: base plana de alta disipación; Grado industrial de alta fiabilidad, ferrocarril/eólica recomendados con certificación sectorial.

• Tracción ferroviaria y convertidor auxiliar
• Convertidor eólico
• Variador industrial de media tensión
• Fuente DC de alta tensión

Los módulos de potencia SiC de 750V de StarPower se basan en chips MOSFET SiC para VE y inversores de tracción a 800V y menor, con menor pérdida de conmutación y mayor temperatura de unión que IGBT de igual tensión. Cubren sixpack, medio puente y transistor simple, y soportan alta frecuencia de conmutación para reducir componentes pasivos. Los encapsulados de baja inductancia y alto bloqueo convienen a NEV enfocados en eficiencia y densidad.

Clase de tensión: 750V; Chip: MOSFET SiC; Topología: sixpack/medio puente/simple; RDS(on): nivel de miliohmios (según modelo); Características: baja pérdida de conmutación, alto bloqueo, alta Tj (sobre 175C); Encapsulado: base PINFIN / baja inductancia; Uso automotriz recomendado con AQG-324.

• Inversor de tracción NEV plataforma 800V
• Cargador a bordo OBC
• Convertidor DCDC de alta tensión
• Fuente industrial de alta eficiencia

Los módulos SiC de 1200V de StarPower son dispositivos centrales para trenes de transmisión NEV, cubriendo medio puente (N4), sixpack (P6) y simple (T6). Usan diseño de baja inductancia para evitar oscilaciones, con sustrato aislante AMB y base de refrigeración PINFIN para gran robustez térmica y mecánica. La RDS(on) baja de 2,15mΩ a 2,90mΩ (sixpack P6) y 8,80mΩ (simple T6) permite alta frecuencia y densidad de potencia.

Clase de tensión: 1200V; Chip: MOSFET SiC; Topología: medio puente (N4) / sixpack (P6) / simple (T6); RDS(on): 2,15mΩ a 2,90mΩ (sixpack), 8,80mΩ a 8,86mΩ (simple); Encapsulado: N4 moldeado+PINFIN / P6 (PINFIN/Pressfit/largo) / T6 (T-Pack o moldeado); Características: baja inductancia, sustrato AMB, alta Tj; Uso automotriz con AQG-324.

• Inversor de tracción principal NEV
• Módulo de carga rápida y ultrarrápida DC
• Cargador a bordo y DCDC de alta tensión
• Fuente y servo industriales de alta frecuencia

El IPM de StarPower es un módulo inteligente muy integrado, de baja potencia y alta fiabilidad, con drivers HVIC y LVIC que ofrecen protección ante subtensión, sobrecorriente, sobre temperatura y salida de temperatura. Cubre plataformas de 600V/650V a 5A-50A en encapsulados moldeados U1/U2/U3/U5, compactos y fáciles de montar. Sus aplicaciones incluyen variadores industriales, electrodomésticos y aire acondicionado de automoción.

Clase de tensión: 600V/650V; Corriente: 5A a 50A; Topología: sixpack; Chip: Trench-FS Gen1; VCE(sat): 1,50V a 1,75V (típ); Encapsulado: U1/U2/U3/U5 moldeado; Protección: UV/OC/OT/salida de temperatura; Uso: variador, A/A, A/A automotriz.

• Accionamiento de compresor de A/A de automoción
• A/A inversor residencial y comercial
• Variador industrial y servo
• Accionamiento de motor de baja potencia

Los dispositivos discretos de potencia de 650V de StarPower entregan IGBT y SiC en encapsulados tipo TO-247 para inversores de automoción, electrodomésticos, PV y variadores industriales. La frecuencia abarca de 50Hz a 50kHz con corriente de 10A a 160A, equilibrando eficiencia y fiabilidad. El enfoque discreto permite componer lazos de potencia con flexibilidad para baja/media potencia y fuentes auxiliares.

Clase de tensión: 650V; Corriente: 10A a 160A; Chip: Trench-FS IGBT / SiC; Encapsulado: TO-247-3L / TO-247PLUS-3L / TO-247PLUS-4L; Frecuencia: 50Hz a 50kHz; Características: alta fiabilidad, alto rendimiento; Uso: inversor automotriz, electrodoméstico, PV, variador.

• Inversor auxiliar y DCDC de automoción
• Control de frecuencia de electrodomésticos
• Microinversor y optimizador PV
• Fuente industrial y auxiliar

Los dispositivos discretos de 750V de StarPower dan mayor margen de tensión sobre la plataforma de 650V para fuentes auxiliares de bus 800V y etapas frontales de OBC. Usan chips Trench-FS IGBT y SiC sobre todo en familias TO-247 para montaje automático. La serie combina baja pérdida de conducción y buena conmutación, cumpliendo requisitos automotrices de fiabilidad y vida útil.

Clase de tensión: 750V; Corriente: 10A a 160A; Chip: Trench-FS IGBT / SiC; Encapsulado: TO-247-3L / TO-247PLUS-3L / TO-247PLUS-4L; Frecuencia: 50Hz a 50kHz; Características: alta fiabilidad, baja pérdida; Uso automotriz recomendado con grado automotriz.

• Etapa frontal de OBC
• Fuente auxiliar plataforma 800V
• Fuente industrial y de telecom
• PV y almacenamiento

Los dispositivos discretos de 1200V de StarPower cubren IGBT simple y MOSFET SiC en encapsulados T2 (TO-247-3L y TO-247PLUS-3L/4L), con corriente de 10A a más de 140A. Los IGBT simples muestran VCE(sat) de 1,25V a 1,95V, y los SiC simples alcanzan RDS(on) de solo 17,0mΩ (DM170S12), soportando alta frecuencia y temperatura de unión. Se usan en etapas auxiliares de automoción, fuentes industriales y conversión eficiente.

Clase de tensión: 1200V; Corriente: 10A a más de 140A; Chip: Trench-FS Gen1/Gen2 IGBT y MOSFET SiC; Encapsulado: T2 (TO-247-3L / TO-247PLUS-3L / TO-247PLUS-4L); VCE(sat) IGBT: 1,25V a 1,95V (típ); RDS(on) SiC: 17,0mΩ (DM170S12); Frecuencia: alta; Uso: inversor automotriz, fuente industrial, fuente eficiente.

• Fuente auxiliar y DCDC de NEV
• Fuente conmutada industrial de alta frecuencia
• Conversión PV y de almacenamiento
• Accionamiento y servo de motor

Los módulos de diodo de StarPower complementan a los módulos IGBT/SiC, aportando las combinaciones de diodos de potencia necesarias para circuitos de libre rueda, rectificación y frenado. Cubren varias clases de tensión y corriente y se emparejan con medio puente, chopper y PIM. Los encapsulados de alta fiabilidad y sustratos de alta disipación cumplen las exigencias de recuperación inversa y térmicas de variadores, energías renovables y tracción.

Clase de tensión: 600V a 1700V (según modelo); Corriente: múltiples (según modelo); Tipo: módulo de diodo rectificador / libre rueda; Encapsulado: base plana / módulo estándar; Características: baja recuperación inversa, alta fiabilidad; Uso: con módulos IGBT/SiC en inversor y variador.

• Libre rueda y rectificación de variador industrial
• Inversor y conversión de renovables
• Unidad de accionamiento y frenado
• Fuente y SAI

El módulo IGBT L6 de StarPower es un módulo nuevo para topologías flexibles, con disposición de terminales en matriz que se adapta a distintas topologías de circuito. Esta estructura permite realizar medio puente, tres niveles o topologías a medida en un mismo encapsulado, aumentando la libertad de diseño. Equilibra densidad de potencia y buena refrigeración, idóneo para NEV y conversión industrial que requieren flexibilidad.

Serie: Módulo IGBT L6; Característica: disposición de terminales en matriz para topologías variables; Tensión: 650V/1200V (según modelo); Encapsulado: L6 (base plana); Características: alta densidad de potencia, buena refrigeración; Uso: NEV, conversión industrial (según datasheet).

• Tren motriz multifunción NEV
• Convertidor industrial de topología flexible
• Sistema de almacenamiento y PV
• Unidad de potencia a medida

El módulo IGBT P6 de StarPower es un módulo nuevo de alta densidad de potencia con sustratos aislantes HPS y AMB de alta conductividad térmica y alta fiabilidad. Esto mejora notablemente la refrigeración y la vida en ciclo de potencia, idóneo para tracción NEV y conversión de alta potencia. El encapsulado P6 ya se usa en masa en módulos SiC sixpack, y la versión IGBT continúa la misma plataforma de baja resistencia térmica.

Serie: Módulo IGBT P6; Característica: sustratos aislantes HPS y AMB de alta conductividad; Tensión: 650V/1200V (según modelo); Encapsulado: P6 (PINFIN/Pressfit/largo); Características: alta refrigeración, alta vida en ciclo; Uso: tracción NEV, alta potencia (según datasheet).

• Inversor de tracción principal NEV
• Conversión industrial de alta potencia
• Módulo de carga rápida DC
• Conversión de almacenamiento

El módulo IGBT N5 de StarPower es un producto nuevo para alta eficiencia de transmisión de energía, con diseño multicapa paralelo que da mayor eficiencia y mejor reparto de corriente. El paralelo multicapa reduce el estrés térmico por chip y eleva la capacidad de ciclo de potencia. La serie apunta a tracción NEV y conversión de alta corriente.

Serie: Módulo IGBT N5; Característica: diseño multicapa paralelo para mayor eficiencia; Tensión: según modelo (plataforma 1200V habitual); Encapsulado: serie N (según modelo); Características: alta eficiencia, buen reparto, alto ciclo; Uso: tracción NEV, alta corriente (según datasheet).

• Inversor de tracción principal NEV
• Conversión industrial de alta corriente
• Módulo de carga rápida DC
• Sistema de almacenamiento

El módulo IGBT C6.1 de StarPower es una plataforma madura con excelente robustez mecánica, superior ciclo de potencia y variada disponibilidad de encapsulados. Con chips Trench-FS Gen3, el C6.1 alcanza VCE(sat) de 1,35V a 1,40V con corriente de medio puente hasta 750A-800A, usado en tracción NEV y conversión industrial. Soporta base plana y encapsulados estándar para diseño en plataforma.

Serie: Módulo IGBT C6.1; Característica: excelente robustez mecánica, superior ciclo de potencia, variado encapsulado; Chip: Trench-FS Gen3; Tensión: 650V/1200V; VCE(sat): 1,35V a 1,40V (Gen3, típ); Corriente: medio puente hasta 750A-800A; Encapsulado: C6.1 (base plana); Uso automotriz con AQG-324.

• Inversor de tracción principal NEV
• Variador industrial de alta potencia
• Carga rápida y ultrarrápida DC
• Conversión eólica/solar/almacenamiento

El módulo SiC P6 de StarPower es un módulo de SiC para trenes de transmisión NEV, con diseño de baja inductancia para evitar oscilaciones, y sustrato aislante AMB con base de refrigeración PINFIN. La topología sixpack (DC1200V, p.ej. MD22HTC/MD29HTC) alcanza RDS(on) de 2,15mΩ a 2,83mΩ, permitiendo alta frecuencia y densidad. Es un dispositivo central para tracción 800V y carga ultrarrápida.

Serie: Módulo SiC P6; Característica: baja inductancia, sustrato aislante AMB y base PINFIN; Tensión: 1200V; Chip: MOSFET SiC; Topología: sixpack; RDS(on): 2,15mΩ a 2,83mΩ (típ); Encapsulado: P6 (PINFIN/Pressfit/largo); Uso automotriz con AQG-324.

• Inversor de tracción NEV plataforma 800V
• Módulo de carga ultrarrápida y rápida DC
• Cargador a bordo y DCDC de alta tensión
• Fuente industrial eficiente de alta frecuencia