StarPower Semiconductor Ltd.

تغطي وحدات الطاقة IGBT بجهد 650V من ستارباور نطاق تيار واسعاً من 10A إلى أكثر من 800A وتوفر بنى مثل نصف الجسر والمفتاح القاطع وPIM وستة خلايا ومستويات ثلاثة I-NPC وترانزستور أحادي. تستخدم رقائق Planar NPT وتقنية Trench-FS من الجيل الأول إلى الثالث بجهد تشغيلي منخفض يصل إلى 1.30V حتى 1.50V يوازن بين الكفاءة والموثوقية. تشمل الحزم القاعدة المسطحة وقاعدة PINFIN والمصبوبة والأنواع القياسية (C2/C5/C6/F1/L2/L4/L6/P3/P4). وهي مناسبة للأنظمة الصناعية والطاقة المتجددة وتكييف السيارات.

فئة الجهد: 650V; التيار: 10A إلى أكثر من 800A; الرقاقة: Planar NPT / Trench-FS Gen1/Gen2/Gen3; البنية: نصف جسر/مفتاح قاطع/PIM/ستة خلايا/ثلاثة مستويات/أحادي; VCE(sat): 1.30V إلى 1.50V (نموذجي); الحزمة: قاعدة مسطحة / P3/P4 (PINFIN) / C2/C5/C6/F1/L2/L4/L6; استخدام السيارة يوصى به حسب AQG-324.

• تحريك الضاغط وتكييف السيارة
• عاكس صناعي ومحرك مؤازر
• عاكس كهروضوئي وتخزين طاقة
• مزود طاقة وUPS

تستهدف وحدات IGBT بجهد 750V من ستارباور تطبيقات حافلة الجهد الأعلى، وتوفر هامش جهد وأمان إضافيين فوق منصة 650V. توفر بنى نصف جسر ومفتاح قاطع وPIM وستة خلايا وثلاثة مستويات لعواكس الجر للهجينة والكهربائية والشواحن على متن السيارة. تمنح رقائق Trench-FS المانعة للحقل فقد موصلية منخفضاً وتمويجاً محسناً. تغطي الحزم القاعدة المسطحة ومشتت PINFIN.

فئة الجهد: 750V; التيار: 10A إلى مئات الأمبير (حسب الموديل); الرقاقة: Trench-FS Gen1/Gen2/Gen3; البنية: نصف جسر/مفتاح قاطع/PIM/ستة خلايا/ثلاثة مستويات; VCE(sat): نحو 1.4V إلى 1.7V (نموذجي); الحزمة: قاعدة مسطحة / قاعدة PINFIN; جر السيارة يوصى به حسب AQG-324.

• عاكس الجر الرئيسي للمركبة الكهربائية
• شاحن على متن السيارة OBC وDCDC
• عاكس صناعي ومحرك مؤازر
• تخزين وعاكس كهروضوئي

تلبي وحدات IGBT بجهد 1000V من ستارباور أنظمة حافلة الجهد المتوسط-المرتفع، وتعطي هامش حجب جهد أعلى لعواكس الجر ومحولات DCDC عالية الجهد. تواصل تقنية Trench-FS المانعة للحقل وتوازن بين فقد الموصلية المنخفض والمتانة الجيدة أمام القصر. تشمل البنى نصف جسر ومفتاح قاطع وPIM وستة خلايا لأنظمة تتطلب كفاءة وموثوقية عاليتين. تُستخدم حزم مسطحة عالية الحرارة وقاعدة PINFIN.

فئة الجهد: 1000V; التيار: عشرات إلى مئات الأمبير (حسب الموديل); الرقاقة: Trench-FS Gen1/Gen2/Gen3; البنية: نصف جسر/مفتاح قاطع/PIM/ستة خلايا; VCE(sat): نحو 1.5V إلى 1.8V (نموذجي); الحزمة: قاعدة مسطحة / قاعدة PINFIN; استخدام السيارة يوصى به حسب AQG-324.

• عاكس الجر عالي الجهد للمركبة الكهربائية
• محول DCDC عالي الجهد
• محرك صناعي متوسط الجهد
• تحويل رياح/شمس/تخزين

تمثل وحدات IGBT بجهد 1200V من ستارباور العائلة الأوسع، وتغطي من 10A إلى 900A وكل البنى: أحادي ونصف جسر ومفتاح قاطع وPIM وأربع خلايا وستة خلايا وثلاثة مستويات I-NPC وباعث مشترك. تمتد الرقائق من Planar NPT إلى Trench-FS الجيل الثالث، حيث تحقق C6.1/C6 برقائق الجيل الثالث جهداً منخفضاً جداً 1.35V حتى 1.40V ودورة طاقة ممتازة. تشمل الحزم A3 المسطح وC1/C2/C2.1/C5/C6/C6.1/C8/L2 لجر المركبات وشواحن ومحولات صناعية.

فئة الجهد: 1200V; التيار: 10A إلى 900A; الرقاقة: Planar NPT / Trench-FS Gen1/Gen2/Gen3; البنية: أحادي/نصف جسر/مفتاح قاطع/PIM/أربع خلايا/ستة خلايا/ثلاثة مستويات/باعث مشترك; VCE(sat): 1.35V (جيل3 C6.1) إلى 3.10V (Planar NPT); الحزمة: A3/C1/C2/C2.1/C5/C6/C6.1/C8/L2; جر السيارة يوصى به حسب AQG-324.

• عاكس الجر الرئيسي للمركبة الكهربائية
• وحدة شحن سريع DC
• عاكس صناعي ومحرك مؤازر
• عاكس كهروضوئي ومحول تخزين

تستهدف وحدات IGBT بجهد 1700V من ستارباور حافلة الجهد الأعلى ومتانة أكبر أمام القصر، مثل مساعدات جر السكك الحديدية وتحويل الرياح ومحركات الجهد المتوسط الصناعية. تستخدم رقائق Trench-FS عالية الجهد التي تحافظ على فقد موصلية منخفض وتمويج موثوق عند حجب 1700V. البنى غالباً نصف جسر ومفتاح قاطع وPIM، بحزم مسطحة عالية الحرارة لعمر طويل في دورة الطاقة.

فئة الجهد: 1700V; التيار: عشرات إلى مئات الأمبير (حسب الموديل); الرقاقة: Trench-FS Gen1/Gen2/Gen3; البنية: نصف جسر/مفتاح قاطع/PIM; VCE(sat): نحو 1.7V إلى 2.0V (نموذجي); الحزمة: قاعدة مسطحة عالية الحرارة; درجة صناعية عالية الموثوقية، سكك/رياح يوصى بشهادة قطاعية.

• جر السكك الحديدية ومحول مساعد
• محول طاقة الرياح
• عاكس صناعي متوسط الجهد
• مزود DC عالي الجهد

تقوم وحدات SiC بجهد 750V من ستارباور على رقائق MOSFET من كربيد السيليكون للمركبات الكهربائية وعواكس الجر عند حافلة 800V فأقل، بفقد تمويج أقل ودرجة حرارة مفصل أعلى من IGBT بنفس الجهد. تغطي ست خلايا ونصف جسر وترانزستور أحادي وتدعم تردد تمويج عالياً لتقليل المكونات السلبية. الحزم منخفضة الحث والحجب العالي تلائم المركبات الكهربائية ذات الكفاءة والكثافة.

فئة الجهد: 750V; الرقاقة: MOSFET SiC; البنية: ست خلايا/نصف جسر/أحادي; RDS(on): مستوى الملي أوم (حسب الموديل); مميزات: فقد تمويج منخفض وحجب عالٍ ودرجة حرارة مفصل عالية (فوق 175م); الحزمة: قاعدة PINFIN / منخفضة الحث; استخدام السيارة يوصى به حسب AQG-324.

• عاكس جر المركبة الكهربائية منصة 800V
• شاحن على متن السيارة OBC
• محول DCDC عالي الجهد
• مصدر صناعي عالي الكفاءة

تمثل وحدات SiC بجهد 1200V من ستارباور أجهزة محورية لنظم دفع المركبات الكهربائية، وتغطي نصف جسر (N4) وست خلايا (P6) وأحادي (T6). تستخدم تصميماً منخفض الحث لتجنب التذبذب، مع ركيزة عازلة AMB وقاعدة تبريد PINFIN لصلابة حرارية وميكانيكية ممتازة. تنخفض المقاومة RDS(on) إلى 2.15mΩ حتى 2.90mΩ (ست خلايا P6) و8.80mΩ (أحادي T6) مما يمكّن تردداً وكثافة طاقة عالية.

فئة الجهد: 1200V; الرقاقة: MOSFET SiC; البنية: نصف جسر (N4) / ست خلايا (P6) / أحادي (T6); RDS(on): 2.15mΩ إلى 2.90mΩ (ست خلايا)، 8.80mΩ إلى 8.86mΩ (أحادي); الحزمة: N4 مصبوب+PINFIN / P6 (PINFIN/Pressfit/طرف طويل) / T6 (T-Pack أو مصبوب); مميزات: حث منخفض وركيزة AMB ودرجة حرارة مفصل عالية; استخدام السيارة حسب AQG-324.

• عاكس الجر الرئيسي للمركبة الكهربائية
• وحدة شحن سريع وفائق السرعة DC
• شاحن على متن السيارة وDCDC عالي الجهد
• مصدر وخدمة صناعية عالية التردد

إن وحدة IPM من ستارباور وحدة طاقة ذكية مدمجة جداً ومنخفضة الاستهلاك وعالية الموثوقية، مزودة بقيادات HVIC وLVIC توفر حماية من انخفاض الجهد وزيادة التيار وارتفاع الحرارة وإخراج الحرارة. تغطي منصات 600V/650V بتيار 5A إلى 50A في حزم مصبوبة U1/U2/U3/U5 مدمجة وسهلة التركيب. تطبيقاتها تشمل العواكس الصناعية والأجهزة وتكييف السيارات.

فئة الجهد: 600V/650V; التيار: 5A إلى 50A; البنية: ست خلايا; الرقاقة: Trench-FS Gen1; VCE(sat): 1.50V إلى 1.75V (نموذجي); الحزمة: U1/U2/U3/U5 مصبوبة; حماية: UV/OC/OT/إخراج حرارة; استخدام: عاكس وتكييف وتكييف سيارة.

• تحريك ضاغط تكييف السيارة
• تكييف عاكس سكني وتجاري
• عاكس صناعي ومحرك مؤازر
• تحريك محرك منخفض القدرة

تقدم أجهزة الطاقة المنفصلة بجهد 650V من ستارباور ترانزستورات IGBT وSiC أحادية في حزم TO-247 لتطبيقات عاكس السيارات والأجهزة والكهروضوئية والمحركات الصناعية. يمتد التردد من 50Hz إلى 50kHz بتيار من 10A إلى 160A يوازن الكفاءة والموثوقية. يتيح النهج المنفصل تركيب حلقات طاقة بمرونة للقدرة المنخفضة والمتوسطة ومزودات مساعدة.

فئة الجهد: 650V; التيار: 10A إلى 160A; الرقاقة: Trench-FS IGBT / SiC; الحزمة: TO-247-3L / TO-247PLUS-3L / TO-247PLUS-4L; التردد: 50Hz إلى 50kHz; مميزات: موثوقية عالية وأداء عالٍ; استخدام: عاكس سيارة وجهاز وكهروضوئي ومحرك.

• عاكس ومحول DCDC مساعد للسيارة
• تحكم تردد الأجهزة
• عاكس كهروضوئي صغير ومحسن
• مصدر صناعي ومساعد

تقدم الأجهزة المنفصلة بجهد 750V من ستارباور هامش جهد أعلى فوق منصة 650V لمزودات مساعدة حافلة 800V والمراحل الأمامية للشاحن على متن السيارة. تستخدم رقائق Trench-FS IGBT وSiC في عائلات TO-247 للتركيب الآلي. تجمع السلسلة بين فقد موصلية منخفض وتمويج جيد وتلبي متطلبات موثوقية السيارة وعمرها.

فئة الجهد: 750V; التيار: 10A إلى 160A; الرقاقة: Trench-FS IGBT / SiC; الحزمة: TO-247-3L / TO-247PLUS-3L / TO-247PLUS-4L; التردد: 50Hz إلى 50kHz; مميزات: موثوقية عالية وفقد منخفض; استخدام السيارة يوصى به حسب الدرجة السيارة.

• المرحلة الأمامية للشاحن OBC
• مزود مساعد منصة 800V
• مصدر صناعي واتصالات
• كهروضوئي وتخزين

تغطي الأجهزة المنفصلة بجهد 1200V من ستارباور ترانزستور IGBT أحادي وMOSFET SiC في حزم T2 (TO-247-3L وTO-247PLUS-3L/4L) بتيار من 10A إلى أكثر من 140A. تظهر ترانزستورات IGBT جهداً 1.25V إلى 1.95V، بينما تصل SiC إلى مقاومة 17.0mΩ (سلسلة DM170S12) وتدعم تردداً ودرجة حرارة عالية. تُستخدم في المراحل المساعدة للسيارات ومصادر صناعية وتحويل فعال.

فئة الجهد: 1200V; التيار: 10A إلى أكثر من 140A; الرقاقة: Trench-FS Gen1/Gen2 IGBT وMOSFET SiC; الحزمة: T2 (TO-247-3L / TO-247PLUS-3L / TO-247PLUS-4L); VCE(sat) لـ IGBT: 1.25V إلى 1.95V (نموذجي); RDS(on) لـ SiC: 17.0mΩ (DM170S12); التردد: عالٍ; استخدام: عاكس سيارة ومصدر صناعي وفعال.

• مزود ومحول DCDC مساعد للمركبة
• مصدر مفتاح عالي التردد صناعي
• تحويل كهروضوئي وتخزين
• تحريك محرك وخدمة مؤازر

تكمل وحدات الثنائيات من ستارباور وحدات IGBT/SiC وتوفر توليفات الثنائيات اللازمة لدوائر التيار الحر والتقويم والكبح. تغطي فئات جهد وتيار متعددة وتُقرن بمرونة مع نصف جسر ومفتاح قاطع وPIM. تلبي الحزم عالية الموثوقية والركائز عالية الحرارة متطلبات التعافي العكسي والحرارية للعواكس والطاقة المتجددة والجر.

فئة الجهد: 600V إلى 1700V (حسب الموديل); التيار: عدة تصنيفات (حسب الموديل); النوع: وحدة ثنائي تقويم/تيار حر; الحزمة: قاعدة مسطحة / وحدة طاقة قياسية; مميزات: تعافٍ عكسي منخفض وموثوقية عالية; استخدام: مع وحدات IGBT/SiC في العاكس والتحريك.

• تيار حر وتقويم لعاكس صناعي
• عاكس وتحويل طاقة متجددة
• وحدة تحريك وكبح
• مصدر وUPS

إن وحدة IGBT L6 من ستارباور وحدة جديدة لبنى طاقة مرنة، بتخطيط أطراف على هيئة مصفوفة يتكيف مع بنى دوائر متغيرة. تتيح هذه البنية تنفيذ نصف جسر أو ثلاثة مستويات أو بنية مخصصة في حزمة واحدة مما يزيد حرية التصميم. توازن بين كثافة الطاقة والتبريد الجيد ومناسبة للمركبات الكهربائية والتحويل الصناعي الذي يتطلب مرونة.

السلسلة: وحدة IGBT L6; مميزة: تخطيط أطراف مصفوفة لبنى متغيرة; الجهد: 650V/1200V (حسب الموديل); الحزمة: L6 (قاعدة مسطحة); مميزات: كثافة طاقة عالية وتبريد جيد; استخدام: مركبة كهربائية وتحويل صناعي (حسب البيانات).

• نظام دفع متعدد للمركبة الكهربائية
• محول بنية مرنة صناعي
• نظام تخزين وكهروضوئي
• وحدة طاقة مخصصة

إن وحدة IGBT P6 من ستارباور وحدة جديدة عالية كثافة الطاقة بركائز عازلة HPS وAMB عالية التوصيل الحراري وعالية الموثوقية داخلياً. يحسّن ذلك التبريد وعمر دورة الطاقة بشكل ملحوظ ويلائم جر المركبات وتحويل القدرة العالية. تُستخدم حزمة P6 بالفعل على نطاق واسع في وحدات SiC ذات ست خلايا، وتواصل نسخة IGBT نفس المنصة منخفضة المقاومة الحرارية.

السلسلة: وحدة IGBT P6; مميزة: ركائز عازلة HPS وAMB عالية التوصيل الحراري; الجهد: 650V/1200V (حسب الموديل); الحزمة: P6 (PINFIN/Pressfit/طرف طويل); مميزات: تبريد عالٍ وعمر دورة طاقة طويل; استخدام: جر سيارة وقدرة عالية (حسب البيانات).

• عاكس الجر الرئيسي للمركبة الكهربائية
• تحويل صناعي عالي القدرة
• وحدة شحن سريع DC
• تحويل تخزين

إن وحدة IGBT N5 من ستارباور منتج جديد لكفاءة نقل طاقة عالية، بتصميم متوازٍ متعدد الرقائق يعطي كفاءة أعلى وتوزيع تيار أفضل. يقلل التوازي المتعدد الإجهاد الحراري لكل رقاقة ويرفع قدرة دورة الطاقة. تستهدف السلسلة جر المركبات الكهربائية وتحويل التيار العالي.

السلسلة: وحدة IGBT N5; مميزة: تصميم متوازٍ متعدد الرقائق لكفاءة أعلى; الجهد: حسب الموديل (منصة 1200V شائعة); الحزمة: سلسلة N (حسب الموديل); مميزات: كفاءة عالية وتوزيع جيد ودورة طاقة عالية; استخدام: جر سيارة وتيار عالٍ (حسب البيانات).

• عاكس الجر الرئيسي للمركبة الكهربائية
• تحويل صناعي تيار عالٍ
• وحدة شحن سريع DC
• نظام تخزين

إن وحدة IGBT C6.1 من ستارباور منصة ناضجة بصلابة ميكانيكية ممتازة ودورة طاقة متفوقة وتنوع في الحزم. مع رقائق Trench-FS الجيل الثالث يصل C6.1 إلى جهد 1.35V حتى 1.40V وبتيار نصف جسر حتى 750A-800A، ويُستخدم في جر المركبات والتحويل الصناعي. يدعم القاعدة المسطحة والحزم القياسية للتصميم المنصاتي.

السلسلة: وحدة IGBT C6.1; مميزة: صلابة ميكانيكية ممتازة ودورة طاقة متفوقة وتنوع حزم; الرقاقة: Trench-FS Gen3; الجهد: 650V/1200V; VCE(sat): 1.35V إلى 1.40V (جيل3 نموذجي); التيار: نصف جسر حتى 750A-800A; الحزمة: C6.1 (قاعدة مسطحة); استخدام السيارة حسب AQG-324.

• عاكس الجر الرئيسي للمركبة الكهربائية
• عاكس صناعي عالي القدرة
• شحن سريع وفائق السرعة DC
• تحويل رياح/شمس/تخزين

إن وحدة SiC P6 من ستارباور وحدة سيليكون كربيد لأنظمة دفع المركبات الكهربائية، بتصميم منخفض الحث لتجنب التذبذب وركيزة عازلة AMB مع قاعدة تبريد PINFIN. تحقق بنية ست الخلايا (DC1200V مثل MD22HTC/MD29HTC) مقاومة 2.15mΩ حتى 2.83mΩ وتمكّن تردداً وكثافة عالية. وهي جهاز محوري لجر منصة 800V والشحن الفائق السرعة.

السلسلة: وحدة SiC P6; مميزة: حث منخفض وركيزة عازلة AMB وقاعدة PINFIN; الجهد: 1200V; الرقاقة: MOSFET SiC; البنية: ست خلايا; RDS(on): 2.15mΩ إلى 2.83mΩ (نموذجي); الحزمة: P6 (PINFIN/Pressfit/طرف طويل); استخدام السيارة حسب AQG-324.

• عاكس جر المركبة الكهربائية منصة 800V
• وحدة شحن فائق السرعة وسريع DC
• شاحن على متن السيارة وDCDC عالي الجهد
• مصدر صناعي فعال عالي التردد