天岳先进

官网族名为「4H-导电型碳化硅单晶衬底」，英文标注 4H n-type。官网原文说明：导电型碳化硅衬底材料多用于同质外延，制备功率半导体器件，在以电动汽车为代表的新能源以及光伏、风力发电领域广泛应用。目前公司的6&8英寸产品稳定交付全球量产级客户，同时具备12英寸衬底产品的生产能力。

【6英寸基本信息】直径 150.0mm+0mm/-0.2mm；表面取向 4°偏向±0.5°；主参考边长度 47.5mm±1.5mm；主参考面取向 ±1.0°；副参考边 无；厚度 350.0um±25.0um；晶型 4H；导电类型 n-type。【8英寸基本信息】直径 200.0mm+0mm/-0.5mm；表面取向 4°偏向±0.5°；主参考边长度 Notch；Notch取向 ±1°；Notch角度 90°+5°/-1°；Notch深度 距边1mm+0.25mm/-0mm；副参考边 无；厚度 350/500.0um±25.0um；晶型 4H；导电类型 n-type。【12英寸基本信息】直径 300.0mm+0mm/-0.5mm；表面取向 4°偏向±0.5°；主参考边 Notch；副参考边 None；Notch取向 ±5°；Notch角度 90°+5°/-1°；Notch深度 距边1mm+0.25mm/-0mm；厚度 750.0um±25.0um；晶型 4H；导电类型 n-type。官网注明：更加详细的产品信息欢迎咨询营销团队。官网未公开披露微管密度、位错密度、电阻率等具体数值指标。

• 电力电子器件：通过在导电型碳化硅衬底上生长碳化硅外延层，制得碳化硅同质外延片，可进一步制成肖特基二极管、MOSFET、IGBT等功率器件，应用在新能源汽车、轨道交通以及大功率输电变电等领域
• 以电动汽车为代表的新能源领域
• 光伏发电与风力发电
• 高亮度LED：碳化硅与氮化镓的热失配和晶格失配小，外延层质量好，并且碳化硅具有良好的导热和导电能力，在大功率LED方面具有非常大的优势，采用碳化硅作为衬底的LED亮度高、能耗低、寿命长

官网族名为「4H-半绝缘型衬底」，英文标注 4H Semi-Insulating。官网原文说明：半绝缘型SiC衬底具有较高的电阻率，常用于氮化镓异质外延，以HEMT为代表的射频器件兼备了碳化硅良好的导热性能和氮化镓在高频段下大功率射频输出的优势，广泛应用于5G基站等新一代通信领域。半绝缘型碳化硅衬底材料还具备优良的光学性能，12英寸衬底在AR眼镜等光学和穿戴电子领域有着广阔的应用前景。用途说明：该族主要面向射频/通信与光学应用，并非车用功率器件所用衬底（车用 SiC 功率器件需导电型衬底），此处据实收录并说明其用途。

【6英寸基本信息】直径 150.0mm+0mm/-0.2mm；表面取向 {0001}±0.2°；主参考边长度 Notch；副参考边长度 无参考副边；Notch边取向 <1100>±1.0°；Notch边深度 距边1.0mm+0.25mm/-0.00mm；Notch边角度 90°+5°/-1°；厚度 500.0um±25.0um；导电类型 半绝缘。【8英寸基本信息】直径 200.0mm+0mm/-0.5mm；表面取向 {0001}±0.2°；主参考边长度 Notch；副参考边长度 无参考副边；Notch边取向 <1100>±1.0°；Notch边深度 距边1.0mm+0.25mm/-0.00mm；Notch边角度 90°+5°/-1°；厚度 500.0um±25.0um；导电类型 半绝缘。【12英寸基本信息】直径 300.0mm+0mm/-0.5mm；表面取向 {0001}±0.5°；主参考边长度 Notch；副参考边长度 无参考副边；Notch边取向 <1100>±5.0°；Notch边深度 距边1.0mm+0.25mm/-0.00mm；Notch边角度 90°+5°/-1°；厚度 750.0um±25.0um；导电类型 半绝缘。官网未公开披露微管密度、位错密度、电阻率等具体数值指标。

• 微波射频器件：通过在半绝缘型碳化硅衬底上生长氮化镓外延层，制得碳化硅基氮化镓外延片，可进一步制成HEMT等微波射频器件，应用于信息通讯、无线电探测等领域
• 5G基站等新一代通信领域
• 氮化镓异质外延
• 光学与穿戴电子：12英寸衬底在AR眼镜等光学和穿戴电子领域有着广阔的应用前景
• 散热应用：碳化硅材料的高热导性和热稳定性特征可以更有效的传导热量，提升散热效果，优化整体系统，在热沉应用领域正在受到越来越多的关注

官网族名为「P型碳化硅衬底」，英文标注 4H P-type，在首页与产品导航中亦标注为「4H-铝掺杂类导电型碳化硅单晶衬底」。官网原文说明：P型碳化硅衬底材料多用于同质外延，制备特高压功率半导体器件，在以特高压输电为代表的智能电网及轨道交通、工业大功率电源领域广泛应用。据官网新闻（article393.html，2026.04.21），公司在液相法高品质p型衬底制备技术方面取得新进展，成果刊登于《Journal of Crystal Growth》。

【6英寸基本信息】直径 150.0mm+0mm/-0.2mm；表面取向 4°偏向<1120>±0.5°；主参考边长度 47.5mm±1.5mm；副参考边长度 平行于<1120>±1.0°；厚度 350.0um±25.0um；导电类型 p-type。【8英寸基本信息】直径 200.0mm+0mm/-0.2mm；表面取向 4°偏向<1120>±0.5°；主参考边长度 Notch；Notch边取向 <1100>±1°；Notch边深度 1mm+0.25mm/-0mm；Notch边角度 90°+5°/-1°；厚度 350.0um±25.0um；导电类型 p-type。【12英寸基本信息】直径 300.0mm+0mm/-0.5mm；表面取向 4°偏向<1120>±0.5°；主参考边长度 Notch；Notch边取向 <1100>±5°；Notch边深度 1mm+0.25mm/-0mm；Notch边角度 90°+5°/-1°；厚度 750.0um±25.0um；导电类型 p-type。官网未公开披露微管密度、位错密度、电阻率等具体数值指标。

• 高压大功率器件：基于p型衬底制备的SiC基IGBT（绝缘栅双极晶体管）利用双极型载流子注入产生电导调制效应，相比于传统单极器件，可显著降低高压下的导通损耗，简化电力系统，提升电能转换效率，适用于智能电网以及人工智能能源管理等高压&特高压领域
• 特高压输电为代表的智能电网
• 轨道交通
• 工业大功率电源
• 散热应用：碳化硅材料的高热导性和热稳定性特征可以更有效的传导热量，提升散热效果，在热沉应用领域正在受到越来越多的关注

官网在导电型碳化硅单晶衬底产品详情页以「高亮度LED」为独立应用方向列出。官网原文：碳化硅与氮化镓的热失配和晶格失配小，外延层质量好，并且碳化硅具有良好的导热和导电能力，在大功率LED方面具有非常大的优势，采用碳化硅作为衬底的LED亮度高、能耗低、寿命长。该族即面向高亮度LED（大功率LED）应用的碳化硅衬底产品方向，以导电型（n型）衬底为载体。

沿用导电型（4H n-type）衬底同一规格体系，按 6/8/12 英寸区分。【6英寸】直径 150.0mm+0mm/-0.2mm；表面取向 4°偏向±0.5°；主参考边长度 47.5 mm ±1.5 mm；主参考面取向 ±1.0°；副参考边 无；厚度 350.0um±25.0um；晶型 4H；导电类型 n-type。【8英寸】直径 200.0mm+0mm/-0.5mm；表面取向 4°偏向±0.5°；主参考边长度 Notch；Notch取向 ±1°；Notch角度 90°+5°/-1°；Notch深度 距边1mm+0.25mm/-0mm；副参考边 无；厚度 350/500.0um±25.0um；晶型 4H；导电类型 n-type。【12英寸】直径 300.0mm+0mm/-0.5mm；表面取向 4°偏向±0.5°；主参考边 Notch；副参考边 None；Notch取向 ±5°；Notch角度 90°+5°/-1°；Notch深度 距边1mm+0.25mm/-0mm；厚度 750.0um±25.0um；晶型 4H；导电类型 n-type。针对LED应用的关键性能维度为碳化硅与氮化镓的热失配和晶格失配小、外延层质量好、导热与导电能力良好；官网未公开披露该应用方向专有的缺陷密度等数值指标。

• 高亮度LED（大功率LED）：碳化硅与氮化镓热失配和晶格失配小，外延层质量好，且导热与导电能力良好，在大功率LED方面具有非常大的优势
• 采用碳化硅作为衬底的LED亮度高、能耗低、寿命长
• 以碳化硅为衬底生长氮化镓外延层，用于大功率发光器件

官网在半绝缘型碳化硅单晶衬底产品详情页与P型碳化硅衬底产品详情页均以「散热应用」为独立应用方向列出，指向碳化硅作为热沉（散热基板/热管理材料）的用途。官网原文：散热一直是影响器件寿命的主要原因之一，碳化硅材料的高热导性和热稳定性特征可以更有效的传导热量，提升散热效果，优化整体系统。在热沉应用领域正在受到越来越多的关注。该族为材料级应用方向族，官网未给出热沉材料的独立型号与尺寸表，规格沿用碳化硅衬底材料的高热导率、热稳定性等材料属性描述。

官网以材料属性而非独立型号规格呈现：碳化硅（4H-SiC）热导率 4.9 W/cmK；禁带宽度 3.26 eV；临界击穿场强 2.8 MV/cm；饱和电子漂移速率 2.7（1E7 cm/s）（以上数值取自官网知识库「什么是碳化硅」页 product3.html 的材料物性对照表）。官网原文强调其「高热导性和热稳定性特征可以更有效的传导热量，提升散热效果，优化整体系统」。官网未给出热沉材料的独立尺寸、厚度、热阻等数值规格，故不作数字补全。

• 热沉应用：在热沉应用领域正在受到越来越多的关注
• 功率器件与模块的散热：散热是影响器件寿命的主要原因之一，高热导率可有效传导热量、降低器件温度
• 系统级热管理优化：提升散热效果，优化整体系统
• 半绝缘型衬底在射频器件中同时发挥碳化硅良好导热性能（氮化镓射频器件散热）

官网在4H-半绝缘型碳化硅单晶衬底产品详情页的产品描述中原文说明：半绝缘型碳化硅衬底材料还具备优良的光学性能，12英寸衬底在AR眼镜等光学和穿戴电子领域有着广阔的应用前景。据此以「光学与穿戴电子」应用方向单独建族，载体为12英寸4H半绝缘型碳化硅单晶衬底。

【12英寸（4H 半绝缘型）】直径 300.0mm+0mm/-0.5mm；表面取向 {0001}±0.5°；主参考边长度 Notch；副参考边长度 无参考副边；Notch边取向 <1100>±5.0°；Notch边深度 距边1.0mm+0.25mm/-0.00mm；Notch边角度 90°+5°/-1°；厚度 750.0um±25.0um；导电类型 半绝缘。光学相关性能官网仅表述为「具备优良的光学性能」，未公开折射率、透过率、表面粗糙度等数值指标，官网注明更加详细的产品信息欢迎咨询营销团队。

• AR眼镜等光学领域
• 穿戴电子领域
• 12英寸大尺寸衬底带来的光学与穿戴电子应用前景

官网在4H-半绝缘型碳化硅单晶衬底产品详情页以「微波射频器件」为独立应用方向列出。官网原文：半绝缘型SiC衬底具有较高的电阻率，常用于氮化镓异质外延，以HEMT为代表的射频器件兼备了碳化硅良好的导热性能和氮化镓在高频段下大功率射频输出的优势，广泛应用于5G基站等新一代通信领域；通过在半绝缘型碳化硅衬底上生长氮化镓外延层，制得碳化硅基氮化镓外延片，可进一步制成HEMT等微波射频器件，应用于信息通讯、无线电探测等领域。本族为按应用方向展开的射频/通信方向族。

【6英寸】直径 150.0mm+0mm/-0.2mm；表面取向 {0001}±0.2°；主参考边长度 Notch；副参考边长度 无参考副边；Notch边取向 <1100>±1.0°；Notch边深度 距边1.0mm+0.25mm/-0.00mm；Notch边角度 90°+5°/-1°；厚度 500.0um±25.0um；导电类型 半绝缘。【8英寸】直径 200.0mm+0mm/-0.5mm；表面取向 {0001}±0.2°；主参考边长度 Notch；副参考边长度 无参考副边；Notch边取向 <1100>±1.0°；Notch边深度 距边1.0mm+0.25mm/-0.00mm；Notch边角度 90°+5°/-1°；厚度 500.0um±25.0um；导电类型 半绝缘。【12英寸】直径 300.0mm+0mm/-0.5mm；表面取向 {0001}±0.5°；主参考边长度 Notch；副参考边长度 无参考副边；Notch边取向 <1100>±5.0°；Notch边深度 距边1.0mm+0.25mm/-0.00mm；Notch边角度 90°+5°/-1°；厚度 750.0um±25.0um；导电类型 半绝缘。关键材料属性（官网知识库）：碳化硅热导率 4.9 W/cmK、饱和电子漂移速率 2.7（1E7 cm/s），兼顾导热与高频大功率输出。官网未公开该应用方向的专有射频损耗等数值指标。

• 5G基站等新一代通信领域（5G基站功率放大器的主流选择）
• 无线通信基础设施
• 微波射频器件：HEMT等微波射频器件
• 信息通讯、无线电探测
• 氮化镓异质外延：在半绝缘型碳化硅衬底上生长氮化镓外延层制得碳化硅基氮化镓外延片

官网在P型碳化硅衬底产品详情页以「高压大功率器件」为独立应用方向列出。官网原文：基于p型衬底制备的SiC基IGBT（绝缘栅双极晶体管）利用双极型载流子注入产生电导调制效应，相比于传统单极器件，可显著降低高压下的导通损耗，简化电力系统，提升电能转换效率，适用于智能电网以及人工智能能源管理等高压&特高压领域。P型碳化硅衬底材料多用于同质外延，制备特高压功率半导体器件，在以特高压输电为代表的智能电网及轨道交通、工业大功率电源领域广泛应用。

【6英寸】直径 150.0mm+0mm/-0.2mm；表面取向 4°偏向<1120>±0.5°；主参考边长度 47.5mm±1.5mm；副参考边长度 平行于<1120>±1.0°；厚度 350.0um±25.0um；导电类型 p-type。【8英寸】直径 200.0mm+0mm/-0.2mm；表面取向 4°偏向<1120>±0.5°；主参考边长度 Notch；Notch边取向 ±1°；Notch边深度 1mm+0.25mm/-0mm；Notch边角度 90°+5°/-1°；厚度 350.0um±25.0um；导电类型 p-type。【12英寸】直径 300.0mm+0mm/-0.5mm；表面取向 4°偏向<1120>±0.5°；主参考边长度 Notch；Notch边取向 ±5°；Notch边深度 1mm+0.25mm/-0mm；Notch边角度 90°+5°/-1°；厚度 750.0um±25.0um；导电类型 p-type。官网未公开载流子寿命、电阻率等数值指标；据官网新闻 article393.html（2026.04.21），公司在液相法高品质p型衬底制备技术方面取得新进展，成果刊登于《Journal of Crystal Growth》，涉及晶体质量、电学均一性、长载流子寿命以及创新性热场设计。

• 高压&特高压领域：智能电网以及人工智能能源管理
• 以特高压输电为代表的智能电网
• 轨道交通
• 工业大功率电源
• SiC基IGBT（绝缘栅双极晶体管）等双极型高压大功率器件

官网产品中心中 4H-氮掺杂类导电型碳化硅单晶衬底（4H n-type）按尺寸展开的6英寸规格档位。导电型碳化硅衬底材料多用于同质外延，制备功率半导体器件，在以电动汽车为代表的新能源以及光伏、风力发电领域广泛应用；目前公司的6&8英寸产品稳定交付全球量产级客户。

直径 150.0mm+0mm/-0.2mm；表面取向 4°偏向±0.5°；主参考边长度 47.5 mm ±1.5 mm；主参考面取向 ±1.0°；Notch取向 /；Notch角度 /；Notch深度 /；副参考边 无；厚度 350.0um±25.0um；晶型 4H；导电类型 n-type。官网未公开微管密度、位错密度、电阻率等数值指标。

• 功率半导体器件同质外延：制得碳化硅同质外延片，可进一步制成肖特基二极管、MOSFET、IGBT等功率器件
• 以电动汽车为代表的新能源领域
• 光伏发电与风力发电
• 轨道交通、大功率输电变电
• 高亮度LED（大功率LED）

官网产品中心中 4H-氮掺杂类导电型碳化硅单晶衬底（4H n-type）按尺寸展开的8英寸规格档位。官网原文说明：目前公司的6&8英寸产品稳定交付全球量产级客户，同时具备12英寸衬底产品的生产能力；导电型衬底多用于同质外延，制备功率半导体器件，在以电动汽车为代表的新能源以及光伏、风力发电领域广泛应用。

直径 200.0mm+0mm/-0.5mm；表面取向 4°偏向±0.5°；主参考边长度 Notch；主参考面取向 /；Notch取向 ±1°；Notch角度 90°+5°/-1°；Notch深度 距边1mm+0.25mm/-0mm；副参考边 无；厚度 350/500.0um±25.0um；晶型 4H；导电类型 n-type。官网未公开微管密度、位错密度、电阻率等数值指标。

• 功率半导体器件同质外延：肖特基二极管、MOSFET、IGBT等功率器件
• 以电动汽车为代表的新能源领域
• 光伏发电与风力发电
• 轨道交通、大功率输电变电
• 高亮度LED（大功率LED）

官网产品中心中 4H-氮掺杂类导电型碳化硅单晶衬底（4H n-type）按尺寸展开的12英寸规格档位。官网原文：公司具备12英寸衬底产品的生产能力。据官网新闻 article128.html，公司在 SEMICON China 2025 展示了 6/8/12 英寸碳化硅衬底产品矩阵，包括12英寸高纯半绝缘、12英寸导电p型与12英寸导电n型碳化硅衬底。

直径 300.0mm+0mm/-0.5mm；表面取向 4°偏向±0.5°；主参考边 Notch；副参考边 None；Notch取向 ±5°；Notch角度 90°+5°/-1°；Notch深度 距边1mm+0.25mm/-0mm；厚度 750.0um±25.0um；晶型 4H；导电类型 n-type。官网未公开微管密度、位错密度、电阻率等数值指标。

• 功率半导体器件同质外延：肖特基二极管、MOSFET、IGBT等功率器件
• 以电动汽车为代表的新能源领域
• 光伏发电与风力发电
• 轨道交通、大功率输电变电
• 高亮度LED（大功率LED）

官网产品中心中 4H-半绝缘型碳化硅单晶衬底（4H Semi-Insulating）按尺寸展开的6英寸规格档位。半绝缘型SiC衬底具有较高的电阻率，常用于氮化镓异质外延，以HEMT为代表的射频器件兼备了碳化硅良好的导热性能和氮化镓在高频段下大功率射频输出的优势，广泛应用于5G基站等新一代通信领域。

直径 150.0mm+0mm/-0.2mm；表面取向 {0001}±0.2°；主参考面取向 /；副参考面取向 /；主参考边长度 Notch；副参考边长度 无参考副边；Notch边取向 <1100>±1.0°；Notch边深度 距边1.0mm+0.25mm/-0.00mm；Notch边角度 90°+5°/-1°；厚度 500.0um±25.0um；导电类型 半绝缘。官网未公开微管密度、位错密度、电阻率等数值指标。

• 微波射频器件：碳化硅基氮化镓外延片进而制成HEMT等器件
• 5G基站等新一代通信领域
• 信息通讯、无线电探测
• 氮化镓异质外延
• 热沉/散热应用

官网产品中心中 4H-半绝缘型碳化硅单晶衬底（4H Semi-Insulating）按尺寸展开的8英寸规格档位。半绝缘型SiC衬底具有较高的电阻率，常用于氮化镓异质外延，以HEMT为代表的射频器件兼备了碳化硅良好的导热性能和氮化镓在高频段下大功率射频输出的优势，广泛应用于5G基站等新一代通信领域。

直径 200.0mm+0mm/-0.5mm；表面取向 {0001}±0.2°；主参考面取向 /；副参考面取向 /；主参考边长度 Notch；副参考边长度 无参考副边；Notch边取向 <1100>±1.0°；Notch边深度 距边1.0mm+0.25mm/-0.00mm；Notch边角度 90°+5°/-1°；厚度 500.0um±25.0um；导电类型 半绝缘。官网未公开微管密度、位错密度、电阻率等数值指标。

• 微波射频器件：碳化硅基氮化镓外延片进而制成HEMT等器件
• 5G基站等新一代通信领域
• 信息通讯、无线电探测
• 氮化镓异质外延
• 热沉/散热应用

官网产品中心中 4H-半绝缘型碳化硅单晶衬底（4H Semi-Insulating）按尺寸展开的12英寸规格档位。官网原文：半绝缘型碳化硅衬底材料还具备优良的光学性能，12英寸衬底在AR眼镜等光学和穿戴电子领域有着广阔的应用前景。据官网新闻 article128.html，公司在 SEMICON China 2025 展出12英寸高纯半绝缘碳化硅衬底。

直径 300.0mm+0mm/-0.5mm；表面取向 {0001}±0.5°；主参考面取向 /；副参考面取向 /；主参考边长度 Notch；副参考边长度 无参考副边；Notch边取向 <1100>±5.0°；Notch边深度 距边1.0mm+0.25mm/-0.00mm；Notch边角度 90°+5°/-1°；厚度 750.0um±25.0um；导电类型 半绝缘。官网未公开微管密度、位错密度、电阻率等数值指标。

• AR眼镜等光学领域
• 穿戴电子领域
• 微波射频器件：碳化硅基氮化镓外延片进而制成HEMT等器件
• 5G基站等新一代通信领域
• 热沉/散热应用

官网产品中心中 4H-铝掺杂类导电型碳化硅单晶衬底（4H P-type）按尺寸展开的6英寸规格档位。P型碳化硅衬底材料多用于同质外延，制备特高压功率半导体器件，在以特高压输电为代表的智能电网及轨道交通、工业大功率电源领域广泛应用。

直径 150.0mm+0mm/-0.2mm；表面取向 4°偏向<1120>±0.5°；主参考边长度 47.5mm±1.5mm；副参考边长度 平行于<1120>±1.0°；Notch边取向 /；Notch边深度 /；Notch边角度 /；厚度 350.0um±25.0um；导电类型 p-type。官网未公开微管密度、位错密度、电阻率等数值指标。

• 特高压功率半导体器件同质外延
• 以特高压输电为代表的智能电网
• 轨道交通
• 工业大功率电源
• 热沉/散热应用

官网产品中心中 4H-铝掺杂类导电型碳化硅单晶衬底（4H P-type）按尺寸展开的8英寸规格档位。据官网新闻 article393.html，公司继全球首发8英寸液相法晶体、12英寸p型衬底以来，在液相法技术方面持续引领行业发展。

直径 200.0mm+0mm/-0.2mm；表面取向 4°偏向<1120>±0.5°；主参考边长度 Notch；副参考边长度 /；Notch边取向 ±1°；Notch边深度 1mm+0.25mm/-0mm；Notch边角度 90°+5°/-1°；厚度 350.0um±25.0um；导电类型 p-type。官网未公开微管密度、位错密度、电阻率等数值指标。

• 特高压功率半导体器件同质外延
• 以特高压输电为代表的智能电网
• 轨道交通
• 工业大功率电源
• 热沉/散热应用

官网产品中心中 4H-铝掺杂类导电型碳化硅单晶衬底（4H P-type）按尺寸展开的12英寸规格档位。据官网新闻 article393.html 与 article128.html，公司已实现12英寸p型衬底，并在 SEMICON China 2025 展出12英寸导电p型碳化硅衬底；12英寸衬底面向光伏储能、5G通信、高压智能电网等清洁能源应用。

直径 300.0mm+0mm/-0.5mm；表面取向 4°偏向<1120>±0.5°；主参考边长度 Notch；副参考边长度 /；Notch边取向 ±5°；Notch边深度 1mm+0.25mm/-0mm；Notch边角度 90°+5°/-1°；厚度 750.0um±25.0um；导电类型 p-type。官网未公开微管密度、位错密度、电阻率等数值指标。

• 特高压功率半导体器件同质外延
• 以特高压输电为代表的智能电网
• 轨道交通
• 工业大功率电源
• 热沉/散热应用