SICC

يسمي الموقع الرسمي هذه العائلة «ركيزة كربيد السيليكون أحادية البلورة موصلة 4H»، بالرمز 4H من نوع n. ووفقاً للموقع: تُستخدم مواد ركائز كربيد السيليكون الموصلة أساساً في النمو الطبقي المتجانس وتصنيع أجهزة أشباه الموصلات القدرية، وتُطبق على نطاق واسع في الطاقة الجديدة المتمثلة بالمركبات الكهربائية وكذلك في توليد الطاقة الشمسية وطاقة الرياح. وتُسلَّم حالياً منتجات 6 و8 بوصات بثبات إلى عملاء إنتاج ضخم حول العالم، كما تمتلك الشركة القدرة الإنتاجية لركائز 12 بوصة.

[6 بوصة] القطر 150.0mm+0mm/-0.2mm؛ اتجاه السطح انحراف 4° ±0.5°؛ طول الوجه الرئيسي 47.5mm±1.5mm؛ اتجاه الوجه الرئيسي ±1.0°؛ الوجه الثانوي: لا يوجد؛ السماكة 350.0µm±25.0µm؛ النمط البلوري 4H؛ نوع التوصيل: نوع n. [8 بوصة] القطر 200.0mm+0mm/-0.5mm؛ اتجاه السطح انحراف 4° ±0.5°؛ الوجه الرئيسي: Notch؛ اتجاه Notch ±1°؛ زاوية Notch 90°+5°/-1°؛ عمق Notch 1mm+0.25mm/-0mm من الحافة؛ الوجه الثانوي: لا يوجد؛ السماكة 350/500.0µm±25.0µm؛ النمط البلوري 4H؛ نوع التوصيل: نوع n. [12 بوصة] القطر 300.0mm+0mm/-0.5mm؛ اتجاه السطح انحراف 4° ±0.5°؛ المرجع الرئيسي: Notch؛ الوجه الثانوي: لا يوجد؛ اتجاه Notch ±5°؛ زاوية Notch 90°+5°/-1°؛ عمق Notch 1mm+0.25mm/-0mm من الحافة؛ السماكة 750.0µm±25.0µm؛ النمط البلوري 4H؛ نوع التوصيل: نوع n. يشير الموقع إلى أنه يمكن الحصول على معلومات أكثر تفصيلاً من فريق التسويق؛ ولا تُفصح عن قيم كثافة الأنابيب الدقيقة أو كثافة الانخلاعات أو المقاومة النوعية.

• أجهزة إلكترونيات القدرة: بنمو طبقة طبقية من SiC على ركيزة SiC موصلة تُحصَّل رقائق SiC متجانسة النمو، تُصنَّع منها أجهزة قدرة مثل ثنائيات شوتكي وMOSFET وIGBT، تُستخدم في المركبات الكهربائية والنقل بالسكك الحديدية ونقل الكهرباء عالية القدرة وتحويلها
• الطاقة الجديدة المتمثلة بالمركبات الكهربائية
• توليد الطاقة الشمسية وطاقة الرياح
• مصابيح LED فائقة السطوع: التطابق الحراري والبلوري الجيد بين SiC وGaN يمنح جودة طبقية جيدة، ويتميز SiC بتوصيل حراري وكهربائي جيد، ما يوفر مزايا كبيرة في مصابيح LED عالية القدرة؛ ومصابيح LED على ركائز SiC ساطعة وموفرة للطاقة وطويلة العمر

يسمي الموقع الرسمي هذه العائلة «ركيزة 4H شبه عازلة»، بالرمز 4H Semi-Insulating. ووفقاً للموقع: تتميز ركائز SiC شبه العازلة بمقاومة نوعية عالية وتُستخدم عادة في النمو الطبقي غير المتجانس لنيتريد الغاليوم؛ وتجمع أجهزة الترددات الراديوية الممثلة بـ HEMT بين التوصيل الحراري الجيد لـ SiC والخرج الراديوي عالي القدرة لـ GaN في الترددات العالية، وتُستخدم على نطاق واسع في اتصالات الجيل الجديد كمحطات القاعدة 5G. كما تتميز ركائز SiC شبه العازلة بخصائص بصرية ممتازة، وذات ركائز 12 بوصة آفاق تطبيق واسعة في نظارات الواقع المعزز ومجالات البصريات والإلكترونيات القابلة للارتداء. ملاحظة: تستهدف هذه العائلة تطبيقات الترددات الراديوية والاتصالات والبصريات، وليس ركائز أجهزة القدرة للسيارات (التي تتطلب ركائز موصلة)؛ وقد أُدرجت هنا وفقاً لذلك.

[6 بوصة] القطر 150.0mm+0mm/-0.2mm؛ اتجاه السطح {0001}±0.2°؛ الوجه الرئيسي: Notch؛ لا يوجد وجه ثانوي؛ اتجاه Notch <1100>±1.0°؛ عمق Notch 1.0mm+0.25mm/-0.00mm من الحافة؛ زاوية Notch 90°+5°/-1°؛ السماكة 500.0µm±25.0µm؛ نوع التوصيل: شبه عازل. [8 بوصة] القطر 200.0mm+0mm/-0.5mm؛ اتجاه السطح {0001}±0.2°؛ الوجه الرئيسي: Notch؛ لا يوجد وجه ثانوي؛ اتجاه Notch <1100>±1.0°؛ عمق Notch 1.0mm+0.25mm/-0.00mm من الحافة؛ زاوية Notch 90°+5°/-1°؛ السماكة 500.0µm±25.0µm؛ نوع التوصيل: شبه عازل. [12 بوصة] القطر 300.0mm+0mm/-0.5mm؛ اتجاه السطح {0001}±0.5°؛ الوجه الرئيسي: Notch؛ لا يوجد وجه ثانوي؛ اتجاه Notch <1100>±5.0°؛ عمق Notch 1.0mm+0.25mm/-0.00mm من الحافة؛ زاوية Notch 90°+5°/-1°؛ السماكة 750.0µm±25.0µm؛ نوع التوصيل: شبه عازل. لا يفصح الموقع عن قيم كثافة الأنابيب الدقيقة أو كثافة الانخلاعات أو المقاومة النوعية.

• أجهزة الميكروويف والترددات الراديوية: بنمو طبقة طبقية من GaN على ركيزة SiC شبه عازلة تُحصَّل رقائق GaN على SiC، تُصنَّع منها أجهزة HEMT وغيرها من أجهزة الميكروويف والترددات الراديوية، وتُستخدم في اتصالات المعلومات والكشف الراديوي وغيرها
• اتصالات الجيل الجديد مثل محطات القاعدة 5G
• النمو الطبقي غير المتجانس لنيتريد الغاليوم
• البصريات والإلكترونيات القابلة للارتداء: ركائز 12 بوصة ذات آفاق تطبيق واسعة في نظارات الواقع المعزز ومجالات بصرية وقابلة للارتداء أخرى
• تبديد الحرارة: التوصيل الحراري العالي والاستقرار الحراري لـ SiC يوصلان الحرارة بفعالية أكبر، ما يحسّن التبريد ويحسّن النظام ككل؛ ويحظى المادة باهتمام متزايد في تطبيقات المشتتات الحرارية

يسمي الموقع الرسمي هذه العائلة «ركيزة كربيد السيليكون من نوع P»، بالرمز 4H من نوع P، ويوسمها أيضاً «ركيزة SiC أحادية البلورة موصلة مطعَّمة بالألومنيوم 4H» في الصفحة الرئيسية وقائمة المنتجات. ووفقاً للموقع: تُستخدم مواد ركائز SiC من نوع P أساساً في النمو الطبقي المتجانس وتصنيع أجهزة أشباه الموصلات القدرية فائقة الجهد، وتُطبق على نطاق واسع في الشبكات الذكية المتمثلة بنقل الكهرباء فائق الجهد وكذلك في السكك الحديدية ومزودات الطاقة الصناعية عالية القدرة. ووفق خبر نُشر على الموقع (article393.html، 2026.04.21)، حققت الشركة تقدماً جديداً في تقنية التحضير بالطريق السائل لركائز نوع p عالية الجودة، ونُشرت النتيجة في مجلة Journal of Crystal Growth.

[6 بوصة] القطر 150.0mm+0mm/-0.2mm؛ اتجاه السطح منحرف 4° باتجاه <1120>±0.5°؛ طول الوجه الرئيسي 47.5mm±1.5mm؛ الوجه الثانوي موازٍ لـ <1120>±1.0°؛ السماكة 350.0µm±25.0µm؛ نوع التوصيل: نوع p. [8 بوصة] القطر 200.0mm+0mm/-0.2mm؛ اتجاه السطح منحرف 4° باتجاه <1120>±0.5°؛ الوجه الرئيسي: Notch؛ اتجاه Notch <1100>±1°؛ عمق Notch 1mm+0.25mm/-0mm؛ زاوية Notch 90°+5°/-1°؛ السماكة 350.0µm±25.0µm؛ نوع التوصيل: نوع p. [12 بوصة] القطر 300.0mm+0mm/-0.5mm؛ اتجاه السطح منحرف 4° باتجاه <1120>±0.5°؛ الوجه الرئيسي: Notch؛ اتجاه Notch <1100>±5°؛ عمق Notch 1mm+0.25mm/-0mm؛ زاوية Notch 90°+5°/-1°؛ السماكة 750.0µm±25.0µm؛ نوع التوصيل: نوع p. لا يفصح الموقع عن قيم كثافة الأنابيب الدقيقة أو كثافة الانخلاعات أو المقاومة النوعية.

• أجهزة الجهد العالي والقدرة العالية: تستخدم ترانزستورات IGBT القائمة على SiC والمصنوعة على ركائز من نوع P حقن الحاملات الثنائي القطبية لتوليد تعديل التوصيل، ما يخفض بوضوح خسائر التوصيل عند الجهد العالي مقارنة بالأجهزة أحادية القطب التقليدية، ويبسّط الأنظمة الكهربائية ويحسّن كفاءة تحويل الطاقة؛ وتناسب الشبكات الذكية وإدارة الطاقة بالذكاء الاصطناعي وغيرها من مجالات الجهد العالي وفائق العلو
• الشبكات الذكية المتمثلة بنقل الكهرباء فائق الجهد
• السكك الحديدية
• مزودات الطاقة الصناعية عالية القدرة
• تطبيقات تبديد الحرارة: التوصيل الحراري العالي والاستقرار الحراري لـ SiC يوصلان الحرارة بفعالية أكبر ما يحسّن التبريد؛ ويحظى المادة باهتمام متزايد في تطبيقات المشتتات الحرارية

في صفحة ركائز SiC أحادية البلورة الموصلة، يُدرج الموقع الرسمي «مصابيح LED فائقة السطوع» كاتجاه تطبيق مستقل. نص الموقع: التطابق الحراري والبلوري الجيد بين SiC وGaN يمنح جودة طبقية جيدة، ويتميز SiC بتوصيل حراري وكهربائي جيد، ما يوفر مزايا كبيرة في مصابيح LED عالية القدرة؛ ومصابيح LED على ركائز SiC ساطعة وموفرة للطاقة وطويلة العمر. هذه العائلة هي اتجاه منتجات ركائز SiC الموجه لتطبيقات LED فائقة السطوع (عالية القدرة)، وقاعدتها ركائز موصلة (من نوع n).

نظام المواصفات نفسه المستخدم في الركائز الموصلة (4H من نوع n)، مع التمييز بين 6/8/12 بوصة. [6 بوصة] القطر 150.0mm+0mm/-0.2mm؛ اتجاه السطح انحراف 4° ±0.5°؛ طول الوجه الرئيسي 47.5mm±1.5mm؛ اتجاه الوجه الرئيسي ±1.0°؛ الوجه الثانوي: لا يوجد؛ السماكة 350.0µm±25.0µm؛ النمط البلوري 4H؛ نوع التوصيل: نوع n. [8 بوصة] القطر 200.0mm+0mm/-0.5mm؛ اتجاه السطح انحراف 4° ±0.5°؛ الوجه الرئيسي: Notch؛ اتجاه Notch ±1°؛ زاوية Notch 90°+5°/-1°؛ عمق Notch 1mm+0.25mm/-0mm من الحافة؛ الوجه الثانوي: لا يوجد؛ السماكة 350/500.0µm±25.0µm؛ النمط البلوري 4H؛ نوع التوصيل: نوع n. [12 بوصة] القطر 300.0mm+0mm/-0.5mm؛ اتجاه السطح انحراف 4° ±0.5°؛ المرجع الرئيسي: Notch؛ الوجه الثانوي: لا يوجد؛ اتجاه Notch ±5°؛ زاوية Notch 90°+5°/-1°؛ عمق Notch 1mm+0.25mm/-0mm من الحافة؛ السماكة 750.0µm±25.0µm؛ النمط البلوري 4H؛ نوع التوصيل: نوع n. أبعاد الأداء الرئيسية لتطبيقات LED هي التطابق الحراري والبلوري الجيد بين SiC وGaN، وجودة الطبقة الطبقية الجيدة، والتوصيل الحراري والكهربائي الجيد؛ ولا يفصح الموقع عن قيم خاصة بهذا التطبيق مثل كثافة العيوب.

• مصابيح LED فائقة السطوع (عالية القدرة): تطابق حراري وبلوري جيد بين SiC وGaN، وجودة طبقية جيدة، وتوصيل حراري وكهربائي جيد، مع مزايا كبيرة في مصابيح LED عالية القدرة
• مصابيح LED على ركائز SiC ساطعة وموفرة للطاقة وطويلة العمر
• نمو طبقات طبقية من GaN على ركائز SiC لأجهزة إصدار الضوء عالية القدرة

في صفحة ركائز SiC أحادية البلورة شبه العازلة وفي صفحة ركائز SiC من نوع P على حد سواء، يُدرج الموقع الرسمي «تطبيقات تبديد الحرارة» كاتجاه تطبيق مستقل، مشيراً إلى استخدام SiC كمشتت حراري (قاعدة حرارية / مادة إدارة حرارية). نص الموقع: ظل تبديد الحرارة أحد أهم العوامل المؤثرة في عمر الأجهزة؛ والتوصيل الحراري العالي والاستقرار الحراري لـ SiC يوصلان الحرارة بفعالية أكبر، ما يحسّن التبريد ويحسّن النظام ككل، ويحظى المادة باهتمام متزايد في تطبيقات المشتتات الحرارية. هذه عائلة اتجاهات تطبيق على مستوى المادة؛ ولا يقدم الموقع نماذج أو جداول أبعاد مستقلة لمادة المشتت، بل تتبع المواصفات وصف خصائص المادة مثل التوصيل الحراري العالي والاستقرار الحراري لركائز SiC.

يعرضه الموقع الرسمي كخصائص للمادة لا كموصفات طراز مستقل: التوصيل الحراري لـ SiC (4H-SiC) ‏4.9 W/cmK؛ عرض فجوة الطاقة 3.26 eV؛ شدة مجال الانحلال الحرجة 2.8 MV/cm؛ سرعة انجراف الإلكترونات عند الإشباع 2.7 (1E7 cm/s) (قيم من قاعدة معارف الموقع «ما هو كربيد السيليكون»، صفحة product3.html). ويؤكد الموقع أن «التوصيل الحراري العالي والاستقرار الحراري يوصلان الحرارة بفعالية أكبر، ما يحسّن التبريد ويحسّن النظام ككل». ولا يقدم الموقع أبعاداً أو سماكات أو مقاومات حرارية مستقلة لمادة المشتت، لذا لا تُضاف أي قيم.

• تطبيقات المشتتات الحرارية: يحظى المادة باهتمام متزايد في هذا المجال
• تبريد أجهزة ووحدات القدرة: تبديد الحرارة أحد أهم العوامل المؤثرة في عمر الجهاز؛ والتوصيل الحراري العالي يوصل الحرارة بفعالية ويخفض حرارة الجهاز
• تحسين الإدارة الحرارية على مستوى النظام: تحسين التبريد وتحسين النظام ككل
• الركائز شبه العازلة تستخدم في آن واحد التوصيل الحراري الجيد لـ SiC في أجهزة الترددات الراديوية (تبريد أجهزة GaN الراديوية)

في وصف المنتج بصفحة ركائز SiC أحادية البلورة شبه العازلة 4H، يذكر الموقع الرسمي: تتميز مواد ركائز SiC شبه العازلة أيضاً بخصائص بصرية ممتازة، وذات ركائز 12 بوصة آفاق تطبيق واسعة في نظارات الواقع المعزز ومجالات البصريات والإلكترونيات القابلة للارتداء. وعلى هذا الأساس أُنشئت على حدة عائلة اتجاه تطبيق «البصريات والإلكترونيات القابلة للارتداء»، وقاعدتها ركيزة SiC شبه عازلة 4H أحادية البلورة مقاس 12 بوصة.

[12 بوصة (4H شبه عازلة)] القطر 300.0mm+0mm/-0.5mm؛ اتجاه السطح {0001}±0.5°؛ الوجه الرئيسي: Notch؛ لا يوجد وجه ثانوي؛ اتجاه Notch <1100>±5.0°؛ عمق Notch 1.0mm+0.25mm/-0.00mm من الحافة؛ زاوية Notch 90°+5°/-1°؛ السماكة 750.0µm±25.0µm؛ نوع التوصيل: شبه عازل. أما الأداء البصري فيكتفي الموقع بذكر «خصائص بصرية ممتازة» دون الكشف عن قيم مثل معامل الانكسار أو النفاذية أو خشونة السطح؛ ويشير الموقع إلى أنه يمكن الحصول على معلومات أكثر تفصيلاً من فريق التسويق.

• نظارات الواقع المعزز وغيرها من المجالات البصرية
• الإلكترونيات القابلة للارتداء
• آفاق التطبيق في البصريات والإلكترونيات القابلة للارتداء التي توفرها الركائز الكبيرة مقاس 12 بوصة

في صفحة ركائز SiC أحادية البلورة شبه العازلة 4H، يُدرج الموقع الرسمي «أجهزة الميكروويف والترددات الراديوية» كاتجاه تطبيق مستقل. نص الموقع: تتميز ركائز SiC شبه العازلة بمقاومة نوعية عالية وتُستخدم عادة في النمو الطبقي غير المتجانس لـ GaN؛ وتجمع أجهزة الترددات الراديوية الممثلة بـ HEMT بين التوصيل الحراري الجيد لـ SiC والخرج الراديوي عالي القدرة لـ GaN في الترددات العالية، وتُستخدم على نطاق واسع في اتصالات الجيل الجديد مثل محطات القاعدة 5G؛ وبنمو طبقة طبقية من GaN على ركيزة SiC شبه عازلة تُحصَّل رقائق GaN على SiC، تُصنَّع منها أجهزة HEMT وغيرها من أجهزة الميكروويف والترددات الراديوية، وتُستخدم في اتصالات المعلومات والكشف الراديوي وغيرها. هذه العائلة تفصّل اتجاه الترددات الراديوية والاتصالات حسب التطبيق.

[6 بوصة] القطر 150.0mm+0mm/-0.2mm؛ اتجاه السطح {0001}±0.2°؛ الوجه الرئيسي: Notch؛ لا يوجد وجه ثانوي؛ اتجاه Notch <1100>±1.0°؛ عمق Notch 1.0mm+0.25mm/-0.00mm من الحافة؛ زاوية Notch 90°+5°/-1°؛ السماكة 500.0µm±25.0µm؛ نوع التوصيل: شبه عازل. [8 بوصة] القطر 200.0mm+0mm/-0.5mm؛ اتجاه السطح {0001}±0.2°؛ الوجه الرئيسي: Notch؛ لا يوجد وجه ثانوي؛ اتجاه Notch <1100>±1.0°؛ عمق Notch 1.0mm+0.25mm/-0.00mm من الحافة؛ زاوية Notch 90°+5°/-1°؛ السماكة 500.0µm±25.0µm؛ نوع التوصيل: شبه عازل. [12 بوصة] القطر 300.0mm+0mm/-0.5mm؛ اتجاه السطح {0001}±0.5°؛ الوجه الرئيسي: Notch؛ لا يوجد وجه ثانوي؛ اتجاه Notch <1100>±5.0°؛ عمق Notch 1.0mm+0.25mm/-0.00mm من الحافة؛ زاوية Notch 90°+5°/-1°؛ السماكة 750.0µm±25.0µm؛ نوع التوصيل: شبه عازل. خصائص المادة الرئيسية (قاعدة معارف الموقع): التوصيل الحراري لـ SiC ‏4.9 W/cmK، وسرعة انجراف الإلكترونات عند الإشباع 2.7 (1E7 cm/s)، ما يجمع بين توصيل الحرارة والخرج عالي القدرة في الترددات العالية. ولا يفصح الموقع عن قيم خاصة بالتطبيق مثل خسائر الترددات الراديوية.

• اتصالات الجيل الجديد مثل محطات القاعدة 5G (الخيار الرئيسي لمكبرات القدرة في محطات 5G)
• بنية الاتصالات اللاسلكية التحتية
• أجهزة الميكروويف والترددات الراديوية: HEMT وغيرها من أجهزة الميكروويف والترددات الراديوية
• اتصالات المعلومات، الكشف الراديوي
• النمو الطبقي غير المتجانس لـ GaN: نمو طبقات طبقية من GaN على ركائز SiC شبه عازلة للحصول على رقائق GaN على SiC

في صفحة ركائز SiC من نوع P، يُدرج الموقع الرسمي «أجهزة الجهد العالي والقدرة العالية» كاتجاه تطبيق مستقل. نص الموقع: تستخدم ترانزستورات IGBT القائمة على SiC والمصنوعة على ركائز من نوع P حقن الحاملات الثنائي القطبية لتوليد تعديل التوصيل، ما يخفض بوضوح خسائر التوصيل عند الجهد العالي مقارنة بالأجهزة أحادية القطب التقليدية، ويبسّط الأنظمة الكهربائية ويحسّن كفاءة تحويل الطاقة؛ وتناسب الشبكات الذكية وإدارة الطاقة بالذكاء الاصطناعي وغيرها من مجالات الجهد العالي وفائق العلو. وتُستخدم مواد ركائز SiC من نوع P أساساً في النمو الطبقي المتجانس وتصنيع أجهزة أشباه الموصلات القدرية فائقة الجهد، وتُطبق على نطاق واسع في الشبكات الذكية المتمثلة بنقل الكهرباء فائق الجهد وكذلك في السكك الحديدية ومزودات الطاقة الصناعية عالية القدرة.

[6 بوصة] القطر 150.0mm+0mm/-0.2mm؛ اتجاه السطح منحرف 4° باتجاه <1120>±0.5°؛ طول الوجه الرئيسي 47.5mm±1.5mm؛ الوجه الثانوي موازٍ لـ <1120>±1.0°؛ السماكة 350.0µm±25.0µm؛ نوع التوصيل: نوع p. [8 بوصة] القطر 200.0mm+0mm/-0.2mm؛ اتجاه السطح منحرف 4° باتجاه <1120>±0.5°؛ الوجه الرئيسي: Notch؛ اتجاه Notch ±1°؛ عمق Notch 1mm+0.25mm/-0mm؛ زاوية Notch 90°+5°/-1°؛ السماكة 350.0µm±25.0µm؛ نوع التوصيل: نوع p. [12 بوصة] القطر 300.0mm+0mm/-0.5mm؛ اتجاه السطح منحرف 4° باتجاه <1120>±0.5°؛ الوجه الرئيسي: Notch؛ اتجاه Notch ±5°؛ عمق Notch 1mm+0.25mm/-0mm؛ زاوية Notch 90°+5°/-1°؛ السماكة 750.0µm±25.0µm؛ نوع التوصيل: نوع p. لا يفصح الموقع عن قيم مثل عمر الحاملات أو المقاومة النوعية؛ ووفق خبر على الموقع (article393.html، 2026.04.21)، حققت الشركة تقدماً جديداً في تقنية التحضير بالطريق السائل لركائز نوع p عالية الجودة، ونُشرت النتيجة في Journal of Crystal Growth، ويشمل جودة البلورة والتجانس الكهربائي وطول عمر الحاملات وتصميماً مبتكراً للحقل الحراري.

• مجالات الجهد العالي وفائق العلو: الشبكات الذكية وإدارة الطاقة بالذكاء الاصطناعي
• الشبكات الذكية المتمثلة بنقل الكهرباء فائق الجهد
• السكك الحديدية
• مزودات الطاقة الصناعية عالية القدرة
• ترانزستورات IGBT القائمة على SiC وغيرها من الأجهزة الثنائية القطب عالية الجهد والقدرة

فئة مواصفات 6 بوصات من ركيزة SiC أحادية البلورة الموصلة 4H المطعَّمة بالنيتروجين (4H من نوع n) كما تُعرض حسب الحجم في مركز المنتجات الرسمي. تُستخدم مواد ركائز SiC الموصلة أساساً في النمو الطبقي المتجانس وتصنيع أجهزة أشباه الموصلات القدرية، وتُطبق على نطاق واسع في الطاقة الجديدة المتمثلة بالمركبات الكهربائية وكذلك في توليد الطاقة الشمسية وطاقة الرياح؛ وتُسلَّم حالياً منتجات 6 و8 بوصات بثبات إلى عملاء إنتاج ضخم حول العالم.

القطر 150.0mm+0mm/-0.2mm؛ اتجاه السطح انحراف 4° ±0.5°؛ طول الوجه الرئيسي 47.5mm±1.5mm؛ اتجاه الوجه الرئيسي ±1.0°؛ اتجاه Notch /؛ زاوية Notch /؛ عمق Notch /؛ الوجه الثانوي: لا يوجد؛ السماكة 350.0µm±25.0µm؛ النمط البلوري 4H؛ نوع التوصيل: نوع n. لا يفصح الموقع الرسمي عن قيم كثافة الأنابيب الدقيقة أو كثافة الانخلاعات أو المقاومة النوعية.

• النمو الطبقي المتجانس لأجهزة أشباه الموصلات القدرية: الحصول على رقائق SiC متجانسة النمو وتصنيع ثنائيات شوتكي وMOSFET وIGBT وغيرها من أجهزة القدرة
• الطاقة الجديدة المتمثلة بالمركبات الكهربائية
• توليد الطاقة الشمسية وطاقة الرياح
• السكك الحديدية، نقل الكهرباء عالية القدرة وتحويلها
• مصابيح LED فائقة السطوع (عالية القدرة)

فئة مواصفات 8 بوصات من ركيزة SiC أحادية البلورة الموصلة 4H المطعَّمة بالنيتروجين (4H من نوع n) كما تُعرض حسب الحجم في مركز المنتجات الرسمي. نص الموقع: تُسلَّم حالياً منتجات 6 و8 بوصات بثبات إلى عملاء إنتاج ضخم حول العالم، كما تمتلك الشركة القدرة الإنتاجية لركائز 12 بوصة؛ وتُستخدم الركائز الموصلة أساساً في النمو الطبقي المتجانس وتصنيع أجهزة أشباه الموصلات القدرية، وتُطبق على نطاق واسع في الطاقة الجديدة المتمثلة بالمركبات الكهربائية وكذلك في توليد الطاقة الشمسية وطاقة الرياح.

القطر 200.0mm+0mm/-0.5mm؛ اتجاه السطح انحراف 4° ±0.5°؛ الوجه الرئيسي: Notch؛ اتجاه الوجه الرئيسي /؛ اتجاه Notch ±1°؛ زاوية Notch 90°+5°/-1°؛ عمق Notch 1mm+0.25mm/-0mm من الحافة؛ الوجه الثانوي: لا يوجد؛ السماكة 350/500.0µm±25.0µm؛ النمط البلوري 4H؛ نوع التوصيل: نوع n. لا يفصح الموقع الرسمي عن قيم كثافة الأنابيب الدقيقة أو كثافة الانخلاعات أو المقاومة النوعية.

• النمو الطبقي المتجانس لأجهزة أشباه الموصلات القدرية: ثنائيات شوتكي وMOSFET وIGBT وغيرها من أجهزة القدرة
• الطاقة الجديدة المتمثلة بالمركبات الكهربائية
• توليد الطاقة الشمسية وطاقة الرياح
• السكك الحديدية، نقل الكهرباء عالية القدرة وتحويلها
• مصابيح LED فائقة السطوع (عالية القدرة)

فئة مواصفات 12 بوصة من ركيزة SiC أحادية البلورة الموصلة 4H المطعَّمة بالنيتروجين (4H من نوع n). نص الموقع: تمتلك الشركة القدرة الإنتاجية لركائز 12 بوصة. ووفق خبر الموقع article128.html، عرضت الشركة مصفوفة منتجات ركائز SiC مقاس 6/8/12 بوصة في معرض SEMICON China 2025، بما يشمل ركائز SiC مقاس 12 بوصة شبه عازلة عالية النقاء وموصلة من نوع p وموصلة من نوع n.

القطر 300.0mm+0mm/-0.5mm؛ اتجاه السطح انحراف 4° ±0.5°؛ المرجع الرئيسي: Notch؛ الوجه الثانوي: لا يوجد؛ اتجاه Notch ±5°؛ زاوية Notch 90°+5°/-1°؛ عمق Notch 1mm+0.25mm/-0mm من الحافة؛ السماكة 750.0µm±25.0µm؛ النمط البلوري 4H؛ نوع التوصيل: نوع n. لا يفصح الموقع الرسمي عن قيم كثافة الأنابيب الدقيقة أو كثافة الانخلاعات أو المقاومة النوعية.

• النمو الطبقي المتجانس لأجهزة أشباه الموصلات القدرية: ثنائيات شوتكي وMOSFET وIGBT وغيرها من أجهزة القدرة
• الطاقة الجديدة المتمثلة بالمركبات الكهربائية
• توليد الطاقة الشمسية وطاقة الرياح
• السكك الحديدية، نقل الكهرباء عالية القدرة وتحويلها
• مصابيح LED فائقة السطوع (عالية القدرة)

فئة مواصفات 6 بوصات من ركيزة SiC أحادية البلورة شبه العازلة 4H (4H Semi-Insulating). تتميز ركائز SiC شبه العازلة بمقاومة نوعية عالية وتُستخدم عادة في النمو الطبقي غير المتجانس لـ GaN؛ وتجمع أجهزة الترددات الراديوية الممثلة بـ HEMT بين التوصيل الحراري الجيد لـ SiC والخرج الراديوي عالي القدرة لـ GaN في الترددات العالية، وتُستخدم على نطاق واسع في اتصالات الجيل الجديد مثل محطات القاعدة 5G.

القطر 150.0mm+0mm/-0.2mm؛ اتجاه السطح {0001}±0.2°؛ اتجاه الوجه الرئيسي /؛ اتجاه الوجه الثانوي /؛ الوجه الرئيسي: Notch؛ لا يوجد وجه ثانوي؛ اتجاه Notch <1100>±1.0°؛ عمق Notch 1.0mm+0.25mm/-0.00mm من الحافة؛ زاوية Notch 90°+5°/-1°؛ السماكة 500.0µm±25.0µm؛ نوع التوصيل: شبه عازل. لا يفصح الموقع الرسمي عن قيم كثافة الأنابيب الدقيقة أو كثافة الانخلاعات أو المقاومة النوعية.

• أجهزة الميكروويف والترددات الراديوية: رقائق GaN على SiC تُحوَّل لاحقاً إلى HEMT وغيرها من الأجهزة
• اتصالات الجيل الجديد مثل محطات القاعدة 5G
• اتصالات المعلومات، الكشف الراديوي
• النمو الطبقي غير المتجانس لنيتريد الغاليوم
• تطبيقات المشتتات الحرارية / تبديد الحرارة

فئة مواصفات 8 بوصات من ركيزة SiC أحادية البلورة شبه العازلة 4H (4H Semi-Insulating). تتميز ركائز SiC شبه العازلة بمقاومة نوعية عالية وتُستخدم عادة في النمو الطبقي غير المتجانس لـ GaN؛ وتجمع أجهزة الترددات الراديوية الممثلة بـ HEMT بين التوصيل الحراري الجيد لـ SiC والخرج الراديوي عالي القدرة لـ GaN في الترددات العالية، وتُستخدم على نطاق واسع في اتصالات الجيل الجديد مثل محطات القاعدة 5G.

القطر 200.0mm+0mm/-0.5mm؛ اتجاه السطح {0001}±0.2°؛ اتجاه الوجه الرئيسي /؛ اتجاه الوجه الثانوي /؛ الوجه الرئيسي: Notch؛ لا يوجد وجه ثانوي؛ اتجاه Notch <1100>±1.0°؛ عمق Notch 1.0mm+0.25mm/-0.00mm من الحافة؛ زاوية Notch 90°+5°/-1°؛ السماكة 500.0µm±25.0µm؛ نوع التوصيل: شبه عازل. لا يفصح الموقع الرسمي عن قيم كثافة الأنابيب الدقيقة أو كثافة الانخلاعات أو المقاومة النوعية.

• أجهزة الميكروويف والترددات الراديوية: رقائق GaN على SiC تُحوَّل لاحقاً إلى HEMT وغيرها من الأجهزة
• اتصالات الجيل الجديد مثل محطات القاعدة 5G
• اتصالات المعلومات، الكشف الراديوي
• النمو الطبقي غير المتجانس لنيتريد الغاليوم
• تطبيقات المشتتات الحرارية / تبديد الحرارة

فئة مواصفات 12 بوصة من ركيزة SiC أحادية البلورة شبه العازلة 4H (4H Semi-Insulating). نص الموقع: تتميز مواد ركائز SiC شبه العازلة أيضاً بخصائص بصرية ممتازة، وذات ركائز 12 بوصة آفاق تطبيق واسعة في نظارات الواقع المعزز ومجالات البصريات والإلكترونيات القابلة للارتداء. ووفق خبر الموقع article128.html، عرضت الشركة ركيزة SiC شبه عازلة عالية النقاء مقاس 12 بوصة في SEMICON China 2025.

القطر 300.0mm+0mm/-0.5mm؛ اتجاه السطح {0001}±0.5°؛ اتجاه الوجه الرئيسي /؛ اتجاه الوجه الثانوي /؛ الوجه الرئيسي: Notch؛ لا يوجد وجه ثانوي؛ اتجاه Notch <1100>±5.0°؛ عمق Notch 1.0mm+0.25mm/-0.00mm من الحافة؛ زاوية Notch 90°+5°/-1°؛ السماكة 750.0µm±25.0µm؛ نوع التوصيل: شبه عازل. لا يفصح الموقع الرسمي عن قيم كثافة الأنابيب الدقيقة أو كثافة الانخلاعات أو المقاومة النوعية.

• نظارات الواقع المعزز وغيرها من المجالات البصرية
• الإلكترونيات القابلة للارتداء
• أجهزة الميكروويف والترددات الراديوية: رقائق GaN على SiC تُحوَّل لاحقاً إلى HEMT وغيرها من الأجهزة
• اتصالات الجيل الجديد مثل محطات القاعدة 5G
• تطبيقات المشتتات الحرارية / تبديد الحرارة

فئة مواصفات 6 بوصات من ركيزة SiC أحادية البلورة الموصلة 4H المطعَّمة بالألومنيوم (4H من نوع P). تُستخدم مواد ركائز SiC من نوع P أساساً في النمو الطبقي المتجانس وتصنيع أجهزة أشباه الموصلات القدرية فائقة الجهد، وتُطبق على نطاق واسع في الشبكات الذكية المتمثلة بنقل الكهرباء فائق الجهد وكذلك في السكك الحديدية ومزودات الطاقة الصناعية عالية القدرة.

القطر 150.0mm+0mm/-0.2mm؛ اتجاه السطح منحرف 4° باتجاه <1120>±0.5°؛ طول الوجه الرئيسي 47.5mm±1.5mm؛ الوجه الثانوي موازٍ لـ <1120>±1.0°؛ اتجاه Notch /؛ عمق Notch /؛ زاوية Notch /؛ السماكة 350.0µm±25.0µm؛ نوع التوصيل: نوع p. لا يفصح الموقع الرسمي عن قيم كثافة الأنابيب الدقيقة أو كثافة الانخلاعات أو المقاومة النوعية.

• النمو الطبقي المتجانس لأجهزة أشباه الموصلات القدرية فائقة الجهد
• الشبكات الذكية المتمثلة بنقل الكهرباء فائق الجهد
• السكك الحديدية
• مزودات الطاقة الصناعية عالية القدرة
• تطبيقات المشتتات الحرارية / تبديد الحرارة

فئة مواصفات 8 بوصات من ركيزة SiC أحادية البلورة الموصلة 4H المطعَّمة بالألومنيوم (4H من نوع P). ووفق خبر الموقع article393.html، بعد أول بلورة في العالم بالطريق السائل مقاس 8 بوصات وركيزة نوع p مقاس 12 بوصة، تواصل الشركة قيادة تطور القطاع في تقنية الطريق السائل.

القطر 200.0mm+0mm/-0.2mm؛ اتجاه السطح منحرف 4° باتجاه <1120>±0.5°؛ الوجه الرئيسي: Notch؛ طول الوجه الثانوي /؛ اتجاه Notch ±1°؛ عمق Notch 1mm+0.25mm/-0mm؛ زاوية Notch 90°+5°/-1°؛ السماكة 350.0µm±25.0µm؛ نوع التوصيل: نوع p. لا يفصح الموقع الرسمي عن قيم كثافة الأنابيب الدقيقة أو كثافة الانخلاعات أو المقاومة النوعية.

• النمو الطبقي المتجانس لأجهزة أشباه الموصلات القدرية فائقة الجهد
• الشبكات الذكية المتمثلة بنقل الكهرباء فائق الجهد
• السكك الحديدية
• مزودات الطاقة الصناعية عالية القدرة
• تطبيقات المشتتات الحرارية / تبديد الحرارة

فئة مواصفات 12 بوصة من ركيزة SiC أحادية البلورة الموصلة 4H المطعَّمة بالألومنيوم (4H من نوع P). ووفق خبري الموقع article393.html وarticle128.html، حققت الشركة ركائز نوع p مقاس 12 بوصة وعرضت ركيزة SiC الموصلة من نوع p مقاس 12 بوصة في SEMICON China 2025؛ وتستهدف الركائز مقاس 12 بوصة تطبيقات الطاقة النظيفة مثل تخزين الطاقة الشمسية واتصالات 5G والشبكات الذكية عالية الجهد.

القطر 300.0mm+0mm/-0.5mm؛ اتجاه السطح منحرف 4° باتجاه <1120>±0.5°؛ الوجه الرئيسي: Notch؛ طول الوجه الثانوي /؛ اتجاه Notch ±5°؛ عمق Notch 1mm+0.25mm/-0mm؛ زاوية Notch 90°+5°/-1°؛ السماكة 750.0µm±25.0µm؛ نوع التوصيل: نوع p. لا يفصح الموقع الرسمي عن قيم كثافة الأنابيب الدقيقة أو كثافة الانخلاعات أو المقاومة النوعية.

• النمو الطبقي المتجانس لأجهزة أشباه الموصلات القدرية فائقة الجهد
• الشبكات الذكية المتمثلة بنقل الكهرباء فائق الجهد
• السكك الحديدية
• مزودات الطاقة الصناعية عالية القدرة
• تطبيقات المشتتات الحرارية / تبديد الحرارة