SICC

На официальном сайте семейство называется «монокристаллическая проводящая подложка карбида кремния 4H», обозначение 4H n-типа. По данным сайта: проводящие материалы подложек SiC применяются главным образом для гомоэпитаксии и изготовления силовых полупроводниковых приборов и широко используются в новой энергетике, представленной электромобилями, а также в фотоэлектрической и ветровой энергетике. В настоящее время продукция 6 и 8 дюймов стабильно поставляется клиентам серийного производства по всему миру; компания также обладает производственной мощностью по подложкам 12 дюймов.

[6 дюймов] Диаметр 150.0мм+0мм/-0.2мм; ориентация поверхности — отклонение 4° ±0.5°; длина основной плоскости 47.5мм±1.5мм; ориентация основной плоскости ±1.0°; вспомогательная плоскость: отсутствует; толщина 350.0мкм±25.0мкм; политип 4H; тип проводимости: n-тип. [8 дюймов] Диаметр 200.0мм+0мм/-0.5мм; ориентация поверхности — отклонение 4° ±0.5°; основная плоскость: Notch; ориентация Notch ±1°; угол Notch 90°+5°/-1°; глубина Notch 1мм+0.25мм/-0мм от края; вспомогательная плоскость: отсутствует; толщина 350/500.0мкм±25.0мкм; политип 4H; тип проводимости: n-тип. [12 дюймов] Диаметр 300.0мм+0мм/-0.5мм; ориентация поверхности — отклонение 4° ±0.5°; основная плоскость: Notch; вспомогательная плоскость: отсутствует; ориентация Notch ±5°; угол Notch 90°+5°/-1°; глубина Notch 1мм+0.25мм/-0мм от края; толщина 750.0мкм±25.0мкм; политип 4H; тип проводимости: n-тип. На сайте указано, что более подробную информацию можно получить у отдела продаж; значения плотности микротрубок, плотности дислокаций и удельного сопротивления не раскрываются.

• Приборы силовой электроники: при наращивании эпитаксиального слоя SiC на проводящей подложке SiC получают гомоэпитаксиальные пластины SiC, из которых далее изготавливают силовые приборы — диоды Шоттки, MOSFET, IGBT, применяемые в электромобилях, на железнодорожном транспорте и в мощной передаче и трансформации электроэнергии
• Новая энергетика, представленная электромобилями
• Фотоэлектрическая и ветровая энергетика
• Яркие светодиоды: малое термическое и решёточное рассогласование SiC и GaN обеспечивает хорошее качество эпитаксиального слоя, а SiC обладает хорошей тепло- и электропроводностью, что даёт большие преимущества в мощных светодиодах; светодиоды на подложках SiC яркие, экономичные и долговечные

На официальном сайте семейство называется «полуизолирующая подложка 4H», обозначение 4H Semi-Insulating. По данным сайта: полуизолирующие подложки SiC обладают высоким удельным сопротивлением и обычно применяются для гетероэпитаксии нитрида галлия; СВЧ-приборы, представленные HEMT, сочетают хорошую теплопроводность SiC с мощным ВЧ-выходом GaN в высокочастотном диапазоне и широко используются в связи нового поколения, такой как базовые станции 5G. Полуизолирующие подложки SiC также обладают отличными оптическими свойствами, а подложки 12 дюймов имеют широкие перспективы применения в AR-очках и других областях оптики и носимой электроники. Примечание: данное семейство ориентировано на приложения ВЧ/связи и оптики, а не на подложки для автомобильных силовых приборов SiC (для которых нужны проводящие подложки); здесь оно внесено соответственно.

[6 дюймов] Диаметр 150.0мм+0мм/-0.2мм; ориентация поверхности {0001}±0.2°; основная плоскость: Notch; без вспомогательной плоскости; ориентация Notch <1100>±1.0°; глубина Notch 1.0мм+0.25мм/-0.00мм от края; угол Notch 90°+5°/-1°; толщина 500.0мкм±25.0мкм; тип проводимости: полуизолирующий. [8 дюймов] Диаметр 200.0мм+0мм/-0.5мм; ориентация поверхности {0001}±0.2°; основная плоскость: Notch; без вспомогательной плоскости; ориентация Notch <1100>±1.0°; глубина Notch 1.0мм+0.25мм/-0.00мм от края; угол Notch 90°+5°/-1°; толщина 500.0мкм±25.0мкм; тип проводимости: полуизолирующий. [12 дюймов] Диаметр 300.0мм+0мм/-0.5мм; ориентация поверхности {0001}±0.5°; основная плоскость: Notch; без вспомогательной плоскости; ориентация Notch <1100>±5.0°; глубина Notch 1.0мм+0.25мм/-0.00мм от края; угол Notch 90°+5°/-1°; толщина 750.0мкм±25.0мкм; тип проводимости: полуизолирующий. Официальный сайт не раскрывает значений плотности микротрубок, плотности дислокаций и удельного сопротивления.

• СВЧ-приборы: при наращивании эпитаксиального слоя GaN на полуизолирующей подложке SiC получают эпитаксиальные пластины GaN на SiC, из которых далее изготавливают HEMT и другие СВЧ-приборы, применяемые в информационной связи, радиолокации и других областях
• Связь нового поколения, такая как базовые станции 5G
• Гетероэпитаксия GaN
• Оптика и носимая электроника: подложки 12 дюймов имеют широкие перспективы в AR-очках и других оптических и носимых областях
• Теплоотвод: высокая теплопроводность и термостабильность SiC позволяют эффективнее отводить тепло, улучшая охлаждение и оптимизируя систему в целом; материал привлекает всё больше внимания в применениях теплоотвода

На официальном сайте семейство называется «подложка из карбида кремния P-типа», обозначение 4H P-типа; на главной странице и в навигации по продукции оно также помечено как «монокристаллическая проводящая подложка SiC 4H, легированная алюминием». По данным сайта: материалы подложек SiC P-типа применяются главным образом для гомоэпитаксии и изготовления полупроводниковых приборов сверхвысокого напряжения, широко используются в интеллектуальных сетях, представленных передачей электроэнергии сверхвысокого напряжения, а также на железнодорожном транспорте и в промышленных источниках питания большой мощности. Согласно новости сайта (article393.html, 21.04.2026), компания достигла нового прогресса в технологии жидкофазного получения высококачественных подложек p-типа; результат опубликован в Journal of Crystal Growth.

[6 дюймов] Диаметр 150.0мм+0мм/-0.2мм; ориентация поверхности — отклонение 4° в направлении <1120>±0.5°; длина основной плоскости 47.5мм±1.5мм; вспомогательная плоскость параллельна <1120>±1.0°; толщина 350.0мкм±25.0мкм; тип проводимости: p-тип. [8 дюймов] Диаметр 200.0мм+0мм/-0.2мм; ориентация поверхности — отклонение 4° в направлении <1120>±0.5°; основная плоскость: Notch; ориентация Notch <1100>±1°; глубина Notch 1мм+0.25мм/-0мм; угол Notch 90°+5°/-1°; толщина 350.0мкм±25.0мкм; тип проводимости: p-тип. [12 дюймов] Диаметр 300.0мм+0мм/-0.5мм; ориентация поверхности — отклонение 4° в направлении <1120>±0.5°; основная плоскость: Notch; ориентация Notch <1100>±5°; глубина Notch 1мм+0.25мм/-0мм; угол Notch 90°+5°/-1°; толщина 750.0мкм±25.0мкм; тип проводимости: p-тип. Официальный сайт не раскрывает значений плотности микротрубок, плотности дислокаций и удельного сопротивления.

• Высоковольтные мощные приборы: IGBT на основе SiC (биполярные транзисторы с изолированным затвором), изготовленные на подложках p-типа, используют биполярную инжекцию носителей для создания модуляции проводимости, существенно снижая потери в открытом состоянии при высоком напряжении по сравнению с традиционными униполярными приборами, упрощая энергосистемы и повышая эффективность преобразования энергии; подходят для интеллектуальных сетей, ИИ-управления энергетикой и других областей высокого и сверхвысокого напряжения
• Интеллектуальные сети, представленные передачей электроэнергии сверхвысокого напряжения
• Железнодорожный транспорт
• Промышленные источники питания большой мощности
• Теплоотвод: высокая теплопроводность и термостабильность SiC позволяют эффективнее отводить тепло, улучшая охлаждение; материал привлекает всё больше внимания в применениях теплоотвода

На странице проводящих монокристаллических подложек SiC официальный сайт выделяет «яркие светодиоды» как самостоятельное направление применения. Текст сайта: малое термическое и решёточное рассогласование SiC и GaN обеспечивает хорошее качество эпитаксиального слоя, а SiC обладает хорошей тепло- и электропроводностью, что даёт большие преимущества в мощных светодиодах; светодиоды на подложках SiC яркие, экономичные и долговечные. Данное семейство — направление продуктов подложек SiC для применений ярких (мощных) светодиодов на базе проводящих подложек (n-типа).

Система спецификаций та же, что у проводящих подложек (4H n-типа), с различением на 6/8/12 дюймов. [6 дюймов] Диаметр 150.0мм+0мм/-0.2мм; ориентация поверхности — отклонение 4° ±0.5°; длина основной плоскости 47.5мм±1.5мм; ориентация основной плоскости ±1.0°; вспомогательная плоскость: отсутствует; толщина 350.0мкм±25.0мкм; политип 4H; тип проводимости: n-тип. [8 дюймов] Диаметр 200.0мм+0мм/-0.5мм; ориентация поверхности — отклонение 4° ±0.5°; основная плоскость: Notch; ориентация Notch ±1°; угол Notch 90°+5°/-1°; глубина Notch 1мм+0.25мм/-0мм от края; вспомогательная плоскость: отсутствует; толщина 350/500.0мкм±25.0мкм; политип 4H; тип проводимости: n-тип. [12 дюймов] Диаметр 300.0мм+0мм/-0.5мм; ориентация поверхности — отклонение 4° ±0.5°; основная плоскость: Notch; вспомогательная плоскость: отсутствует; ориентация Notch ±5°; угол Notch 90°+5°/-1°; глубина Notch 1мм+0.25мм/-0мм от края; толщина 750.0мкм±25.0мкм; политип 4H; тип проводимости: n-тип. Ключевые характеристики для светодиодов — малое термическое и решёточное рассогласование SiC и GaN, хорошее качество эпитаксиального слоя, хорошая тепло- и электропроводность; сайт не раскрывает специфичных для этого применения значений, например плотности дефектов.

• Яркие (мощные) светодиоды: малое термическое и решёточное рассогласование SiC и GaN, хорошее качество эпитаксиального слоя, хорошая тепло- и электропроводность, большие преимущества в мощных светодиодах
• Светодиоды на подложках SiC яркие, экономичные и долговечные
• Наращивание эпитаксиальных слоёв GaN на подложках SiC для мощных светоизлучающих приборов

Как на странице полуизолирующих монокристаллических подложек SiC, так и на странице подложек SiC P-типа официальный сайт выделяет «теплоотводящие применения» как самостоятельное направление, указывая на использование SiC в качестве теплоотвода (термического основания / материала термоменеджмента). Текст сайта: теплоотвод всегда был одним из главных факторов, влияющих на срок службы приборов; высокая теплопроводность и термостабильность SiC позволяют эффективнее отводить тепло, улучшая охлаждение и оптимизируя систему в целом, и материал привлекает всё больше внимания в применениях теплоотвода. Это семейство направлений применения на уровне материала; сайт не даёт отдельных моделей и таблиц размеров для материала теплоотвода, а спецификации следуют описаниям свойств материала, таким как высокая теплопроводность и термостабильность подложек SiC.

Представлено официальным сайтом как свойства материала, а не спецификация отдельного изделия: теплопроводность SiC (4H-SiC) 4.9 Вт/см·К; ширина запрещённой зоны 3.26 эВ; критическая напряжённость поля пробоя 2.8 МВ/см; скорость дрейфа электронов насыщения 2.7 (1E7 см/с) (значения из базы знаний сайта «Что такое карбид кремния», страница product3.html). Сайт подчёркивает, что «высокая теплопроводность и термостабильность позволяют эффективнее отводить тепло, улучшая охлаждение и оптимизируя систему в целом». Сайт не даёт независимых размеров, толщин или тепловых сопротивлений материала теплоотвода, поэтому значения не добавляются.

• Применения теплоотвода: материал привлекает всё больше внимания в этой области
• Охлаждение силовых приборов и модулей: теплоотвод — один из главных факторов, влияющих на срок службы; высокая теплопроводность эффективно отводит тепло и снижает температуру прибора
• Оптимизация термоменеджмента на уровне системы: улучшение охлаждения и оптимизация системы в целом
• Полуизолирующие подложки одновременно используют хорошую теплопроводность SiC в СВЧ-приборах (охлаждение GaN СВЧ-приборов)

В описании продукции на странице полуизолирующих монокристаллических подложек SiC 4H официальный сайт указывает: полуизолирующие материалы подложек SiC также обладают отличными оптическими свойствами, а подложки 12 дюймов имеют широкие перспективы применения в AR-очках и других областях оптики и носимой электроники. На этой основе отдельно создано семейство направления применения «оптика и носимая электроника», носителем которого является монокристаллическая полуизолирующая подложка SiC 4H диаметром 12 дюймов.

[12 дюймов (4H полуизолирующая)] Диаметр 300.0мм+0мм/-0.5мм; ориентация поверхности {0001}±0.5°; основная плоскость: Notch; без вспомогательной плоскости; ориентация Notch <1100>±5.0°; глубина Notch 1.0мм+0.25мм/-0.00мм от края; угол Notch 90°+5°/-1°; толщина 750.0мкм±25.0мкм; тип проводимости: полуизолирующий. Что касается оптических характеристик, сайт лишь указывает на «отличные оптические свойства» и не раскрывает значений, таких как показатель преломления, пропускание или шероховатость поверхности; сайт отмечает, что более подробную информацию можно получить у отдела продаж.

• AR-очки и другие оптические области
• Носимая электроника
• Перспективы применения в оптике и носимой электронике, обеспечиваемые крупноразмерными подложками 12 дюймов

На странице полуизолирующих монокристаллических подложек SiC 4H официальный сайт выделяет «СВЧ-приборы» как самостоятельное направление применения. Текст сайта: полуизолирующие подложки SiC обладают высоким удельным сопротивлением и обычно применяются для гетероэпитаксии GaN; СВЧ-приборы, представленные HEMT, сочетают хорошую теплопроводность SiC с мощным ВЧ-выходом GaN в высокочастотном диапазоне и широко используются в связи нового поколения, такой как базовые станции 5G; при наращивании эпитаксиального слоя GaN на полуизолирующей подложке SiC получают эпитаксиальные пластины GaN на SiC, из которых далее изготавливают HEMT и другие СВЧ-приборы, применяемые в информационной связи, радиолокации и других областях. Данное семейство раскрывает ВЧ/связевое направление по областям применения.

[6 дюймов] Диаметр 150.0мм+0мм/-0.2мм; ориентация поверхности {0001}±0.2°; основная плоскость: Notch; без вспомогательной плоскости; ориентация Notch <1100>±1.0°; глубина Notch 1.0мм+0.25мм/-0.00мм от края; угол Notch 90°+5°/-1°; толщина 500.0мкм±25.0мкм; тип проводимости: полуизолирующий. [8 дюймов] Диаметр 200.0мм+0мм/-0.5мм; ориентация поверхности {0001}±0.2°; основная плоскость: Notch; без вспомогательной плоскости; ориентация Notch <1100>±1.0°; глубина Notch 1.0мм+0.25мм/-0.00мм от края; угол Notch 90°+5°/-1°; толщина 500.0мкм±25.0мкм; тип проводимости: полуизолирующий. [12 дюймов] Диаметр 300.0мм+0мм/-0.5мм; ориентация поверхности {0001}±0.5°; основная плоскость: Notch; без вспомогательной плоскости; ориентация Notch <1100>±5.0°; глубина Notch 1.0мм+0.25мм/-0.00мм от края; угол Notch 90°+5°/-1°; толщина 750.0мкм±25.0мкм; тип проводимости: полуизолирующий. Ключевые свойства материала (база знаний сайта): теплопроводность SiC 4.9 Вт/см·К, скорость дрейфа электронов насыщения 2.7 (1E7 см/с), сочетающие отвод тепла и мощный высокочастотный выход. Сайт не раскрывает специфичных для применения значений, например ВЧ-потерь.

• Связь нового поколения, такая как базовые станции 5G (основной выбор для усилителей мощности базовых станций 5G)
• Инфраструктура беспроводной связи
• СВЧ-приборы: HEMT и другие СВЧ-приборы
• Информационная связь, радиолокация
• Гетероэпитаксия GaN: наращивание эпитаксиальных слоёв GaN на полуизолирующих подложках SiC для получения пластин GaN на SiC

На странице подложек SiC P-типа официальный сайт выделяет «высоковольтные мощные приборы» как самостоятельное направление применения. Текст сайта: IGBT на основе SiC (биполярные транзисторы с изолированным затвором), изготовленные на подложках p-типа, используют биполярную инжекцию носителей для создания модуляции проводимости, существенно снижая потери в открытом состоянии при высоком напряжении по сравнению с традиционными униполярными приборами, упрощая энергосистемы и повышая эффективность преобразования энергии; подходят для интеллектуальных сетей, ИИ-управления энергетикой и других областей высокого и сверхвысокого напряжения. Материалы подложек SiC P-типа применяются главным образом для гомоэпитаксии и изготовления полупроводниковых приборов сверхвысокого напряжения, широко используются в интеллектуальных сетях, представленных передачей электроэнергии сверхвысокого напряжения, а также на железнодорожном транспорте и в промышленных источниках питания большой мощности.

[6 дюймов] Диаметр 150.0мм+0мм/-0.2мм; ориентация поверхности — отклонение 4° в направлении <1120>±0.5°; длина основной плоскости 47.5мм±1.5мм; вспомогательная плоскость параллельна <1120>±1.0°; толщина 350.0мкм±25.0мкм; тип проводимости: p-тип. [8 дюймов] Диаметр 200.0мм+0мм/-0.2мм; ориентация поверхности — отклонение 4° в направлении <1120>±0.5°; основная плоскость: Notch; ориентация Notch ±1°; глубина Notch 1мм+0.25мм/-0мм; угол Notch 90°+5°/-1°; толщина 350.0мкм±25.0мкм; тип проводимости: p-тип. [12 дюймов] Диаметр 300.0мм+0мм/-0.5мм; ориентация поверхности — отклонение 4° в направлении <1120>±0.5°; основная плоскость: Notch; ориентация Notch ±5°; глубина Notch 1мм+0.25мм/-0мм; угол Notch 90°+5°/-1°; толщина 750.0мкм±25.0мкм; тип проводимости: p-тип. Сайт не раскрывает значений, таких как время жизни носителей и удельное сопротивление; согласно новости сайта (article393.html, 21.04.2026), компания достигла нового прогресса в технологии жидкофазного получения высококачественных подложек p-типа; результат опубликован в Journal of Crystal Growth и охватывает качество кристалла, электрическую однородность, большое время жизни носителей и инновационный дизайн теплового поля.

• Области высокого и сверхвысокого напряжения: интеллектуальные сети и ИИ-управление энергетикой
• Интеллектуальные сети, представленные передачей электроэнергии сверхвысокого напряжения
• Железнодорожный транспорт
• Промышленные источники питания большой мощности
• IGBT на основе SiC (биполярные транзисторы с изолированным затвором) и другие биполярные высоковольтные мощные приборы

Спецификация 6 дюймов монокристаллической проводящей подложки SiC 4H, легированной азотом (4H n-типа), в разбивке по размерам в официальном центре продукции. Проводящие материалы подложек SiC применяются главным образом для гомоэпитаксии и изготовления силовых полупроводниковых приборов и широко используются в новой энергетике, представленной электромобилями, а также в фотоэлектрической и ветровой энергетике; в настоящее время продукция 6 и 8 дюймов стабильно поставляется клиентам серийного производства по всему миру.

Диаметр 150.0мм+0мм/-0.2мм; ориентация поверхности — отклонение 4° ±0.5°; длина основной плоскости 47.5мм±1.5мм; ориентация основной плоскости ±1.0°; ориентация Notch /; угол Notch /; глубина Notch /; вспомогательная плоскость: отсутствует; толщина 350.0мкм±25.0мкм; политип 4H; тип проводимости: n-тип. Официальный сайт не раскрывает значений плотности микротрубок, плотности дислокаций и удельного сопротивления.

• Гомоэпитаксия для силовых полупроводниковых приборов: получение гомоэпитаксиальных пластин SiC и изготовление диодов Шоттки, MOSFET, IGBT и других силовых приборов
• Новая энергетика, представленная электромобилями
• Фотоэлектрическая и ветровая энергетика
• Железнодорожный транспорт, мощная передача и трансформация электроэнергии
• Яркие (мощные) светодиоды

Спецификация 8 дюймов монокристаллической проводящей подложки SiC 4H, легированной азотом (4H n-типа), в разбивке по размерам в официальном центре продукции. Текст сайта: в настоящее время продукция 6 и 8 дюймов стабильно поставляется клиентам серийного производства по всему миру, компания также обладает производственной мощностью по подложкам 12 дюймов; проводящие подложки применяются главным образом для гомоэпитаксии и изготовления силовых полупроводниковых приборов и широко используются в новой энергетике, представленной электромобилями, а также в фотоэлектрической и ветровой энергетике.

Диаметр 200.0мм+0мм/-0.5мм; ориентация поверхности — отклонение 4° ±0.5°; основная плоскость: Notch; ориентация основной плоскости /; ориентация Notch ±1°; угол Notch 90°+5°/-1°; глубина Notch 1мм+0.25мм/-0мм от края; вспомогательная плоскость: отсутствует; толщина 350/500.0мкм±25.0мкм; политип 4H; тип проводимости: n-тип. Официальный сайт не раскрывает значений плотности микротрубок, плотности дислокаций и удельного сопротивления.

• Гомоэпитаксия для силовых полупроводниковых приборов: диоды Шоттки, MOSFET, IGBT и другие силовые приборы
• Новая энергетика, представленная электромобилями
• Фотоэлектрическая и ветровая энергетика
• Железнодорожный транспорт, мощная передача и трансформация электроэнергии
• Яркие (мощные) светодиоды

Спецификация 12 дюймов монокристаллической проводящей подложки SiC 4H, легированной азотом (4H n-типа). Текст сайта: компания обладает производственной мощностью по подложкам 12 дюймов. Согласно новости сайта article128.html, компания представила матрицу продуктов подложек SiC 6/8/12 дюймов на SEMICON China 2025, включая подложки SiC 12 дюймов: высокочистые полуизолирующие, проводящие p-типа и проводящие n-типа.

Диаметр 300.0мм+0мм/-0.5мм; ориентация поверхности — отклонение 4° ±0.5°; основная плоскость: Notch; вспомогательная плоскость: отсутствует; ориентация Notch ±5°; угол Notch 90°+5°/-1°; глубина Notch 1мм+0.25мм/-0мм от края; толщина 750.0мкм±25.0мкм; политип 4H; тип проводимости: n-тип. Официальный сайт не раскрывает значений плотности микротрубок, плотности дислокаций и удельного сопротивления.

• Гомоэпитаксия для силовых полупроводниковых приборов: диоды Шоттки, MOSFET, IGBT и другие силовые приборы
• Новая энергетика, представленная электромобилями
• Фотоэлектрическая и ветровая энергетика
• Железнодорожный транспорт, мощная передача и трансформация электроэнергии
• Яркие (мощные) светодиоды

Спецификация 6 дюймов монокристаллической полуизолирующей подложки SiC 4H (4H Semi-Insulating). Полуизолирующие подложки SiC обладают высоким удельным сопротивлением и обычно применяются для гетероэпитаксии GaN; СВЧ-приборы, представленные HEMT, сочетают хорошую теплопроводность SiC с мощным ВЧ-выходом GaN в высокочастотном диапазоне и широко используются в связи нового поколения, такой как базовые станции 5G.

Диаметр 150.0мм+0мм/-0.2мм; ориентация поверхности {0001}±0.2°; ориентация основной плоскости /; ориентация вспомогательной плоскости /; основная плоскость: Notch; без вспомогательной плоскости; ориентация Notch <1100>±1.0°; глубина Notch 1.0мм+0.25мм/-0.00мм от края; угол Notch 90°+5°/-1°; толщина 500.0мкм±25.0мкм; тип проводимости: полуизолирующий. Официальный сайт не раскрывает значений плотности микротрубок, плотности дислокаций и удельного сопротивления.

• СВЧ-приборы: эпитаксиальные пластины GaN на SiC, из которых далее изготавливают HEMT и другие приборы
• Связь нового поколения, такая как базовые станции 5G
• Информационная связь, радиолокация
• Гетероэпитаксия GaN
• Применения теплоотвода / рассеивания тепла

Спецификация 8 дюймов монокристаллической полуизолирующей подложки SiC 4H (4H Semi-Insulating). Полуизолирующие подложки SiC обладают высоким удельным сопротивлением и обычно применяются для гетероэпитаксии GaN; СВЧ-приборы, представленные HEMT, сочетают хорошую теплопроводность SiC с мощным ВЧ-выходом GaN в высокочастотном диапазоне и широко используются в связи нового поколения, такой как базовые станции 5G.

Диаметр 200.0мм+0мм/-0.5мм; ориентация поверхности {0001}±0.2°; ориентация основной плоскости /; ориентация вспомогательной плоскости /; основная плоскость: Notch; без вспомогательной плоскости; ориентация Notch <1100>±1.0°; глубина Notch 1.0мм+0.25мм/-0.00мм от края; угол Notch 90°+5°/-1°; толщина 500.0мкм±25.0мкм; тип проводимости: полуизолирующий. Официальный сайт не раскрывает значений плотности микротрубок, плотности дислокаций и удельного сопротивления.

• СВЧ-приборы: эпитаксиальные пластины GaN на SiC, из которых далее изготавливают HEMT и другие приборы
• Связь нового поколения, такая как базовые станции 5G
• Информационная связь, радиолокация
• Гетероэпитаксия GaN
• Применения теплоотвода / рассеивания тепла

Спецификация 12 дюймов монокристаллической полуизолирующей подложки SiC 4H (4H Semi-Insulating). Текст сайта: полуизолирующие материалы подложек SiC также обладают отличными оптическими свойствами, а подложки 12 дюймов имеют широкие перспективы применения в AR-очках и других областях оптики и носимой электроники. Согласно новости сайта article128.html, компания экспонировала высокочистую полуизолирующую подложку SiC 12 дюймов на SEMICON China 2025.

Диаметр 300.0мм+0мм/-0.5мм; ориентация поверхности {0001}±0.5°; ориентация основной плоскости /; ориентация вспомогательной плоскости /; основная плоскость: Notch; без вспомогательной плоскости; ориентация Notch <1100>±5.0°; глубина Notch 1.0мм+0.25мм/-0.00мм от края; угол Notch 90°+5°/-1°; толщина 750.0мкм±25.0мкм; тип проводимости: полуизолирующий. Официальный сайт не раскрывает значений плотности микротрубок, плотности дислокаций и удельного сопротивления.

• AR-очки и другие оптические области
• Носимая электроника
• СВЧ-приборы: эпитаксиальные пластины GaN на SiC, из которых далее изготавливают HEMT и другие приборы
• Связь нового поколения, такая как базовые станции 5G
• Применения теплоотвода / рассеивания тепла

Спецификация 6 дюймов монокристаллической проводящей подложки SiC 4H, легированной алюминием (4H P-типа). Материалы подложек SiC P-типа применяются главным образом для гомоэпитаксии и изготовления полупроводниковых приборов сверхвысокого напряжения, широко используются в интеллектуальных сетях, представленных передачей электроэнергии сверхвысокого напряжения, а также на железнодорожном транспорте и в промышленных источниках питания большой мощности.

Диаметр 150.0мм+0мм/-0.2мм; ориентация поверхности — отклонение 4° в направлении <1120>±0.5°; длина основной плоскости 47.5мм±1.5мм; вспомогательная плоскость параллельна <1120>±1.0°; ориентация Notch /; глубина Notch /; угол Notch /; толщина 350.0мкм±25.0мкм; тип проводимости: p-тип. Официальный сайт не раскрывает значений плотности микротрубок, плотности дислокаций и удельного сопротивления.

• Гомоэпитаксия для полупроводниковых приборов сверхвысокого напряжения
• Интеллектуальные сети, представленные передачей электроэнергии сверхвысокого напряжения
• Железнодорожный транспорт
• Промышленные источники питания большой мощности
• Применения теплоотвода / рассеивания тепла

Спецификация 8 дюймов монокристаллической проводящей подложки SiC 4H, легированной алюминием (4H P-типа). Согласно новости сайта article393.html, после первого в мире кристалла, выращенного жидкофазным методом диаметром 8 дюймов, и подложки p-типа 12 дюймов компания продолжает лидировать в отрасли по жидкофазной технологии.

Диаметр 200.0мм+0мм/-0.2мм; ориентация поверхности — отклонение 4° в направлении <1120>±0.5°; основная плоскость: Notch; длина вспомогательной плоскости /; ориентация Notch ±1°; глубина Notch 1мм+0.25мм/-0мм; угол Notch 90°+5°/-1°; толщина 350.0мкм±25.0мкм; тип проводимости: p-тип. Официальный сайт не раскрывает значений плотности микротрубок, плотности дислокаций и удельного сопротивления.

• Гомоэпитаксия для полупроводниковых приборов сверхвысокого напряжения
• Интеллектуальные сети, представленные передачей электроэнергии сверхвысокого напряжения
• Железнодорожный транспорт
• Промышленные источники питания большой мощности
• Применения теплоотвода / рассеивания тепла

Спецификация 12 дюймов монокристаллической проводящей подложки SiC 4H, легированной алюминием (4H P-типа). Согласно новостям сайта article393.html и article128.html, компания уже освоила подложки p-типа 12 дюймов и экспонировала проводящую подложку SiC p-типа 12 дюймов на SEMICON China 2025; подложки 12 дюймов ориентированы на приложения чистой энергетики, такие как фотоэлектрическое накопление энергии, связь 5G и высоковольтные интеллектуальные сети.

Диаметр 300.0мм+0мм/-0.5мм; ориентация поверхности — отклонение 4° в направлении <1120>±0.5°; основная плоскость: Notch; длина вспомогательной плоскости /; ориентация Notch ±5°; глубина Notch 1мм+0.25мм/-0мм; угол Notch 90°+5°/-1°; толщина 750.0мкм±25.0мкм; тип проводимости: p-тип. Официальный сайт не раскрывает значений плотности микротрубок, плотности дислокаций и удельного сопротивления.

• Гомоэпитаксия для полупроводниковых приборов сверхвысокого напряжения
• Интеллектуальные сети, представленные передачей электроэнергии сверхвысокого напряжения
• Железнодорожный транспорт
• Промышленные источники питания большой мощности
• Применения теплоотвода / рассеивания тепла