SICC

El sitio web oficial denomina esta familia «sustrato monocristalino de carburo de silicio conductivo 4H», marcada como 4H tipo n. Según el sitio: los materiales de sustrato de SiC conductivos se usan principalmente para homoepitaxia y fabricación de dispositivos semiconductores de potencia, con amplia aplicación en las nuevas energías representadas por los vehículos eléctricos, así como en la generación fotovoltaica y eólica. Actualmente los productos de 6 y 8 pulgadas se entregan con estabilidad a clientes mundiales de producción en serie, y la empresa también posee capacidad de producción de sustratos de 12 pulgadas.

[6 pulgadas] Diámetro 150.0mm+0mm/-0.2mm; orientación de superficie 4° de desviación ±0.5°; longitud del plano primario 47.5mm±1.5mm; orientación del plano primario ±1.0°; plano secundario: ninguno; grosor 350.0µm±25.0µm; politipo 4H; tipo de conducción: tipo n. [8 pulgadas] Diámetro 200.0mm+0mm/-0.5mm; orientación de superficie 4° de desviación ±0.5°; plano primario: Notch; orientación del Notch ±1°; ángulo del Notch 90°+5°/-1°; profundidad del Notch 1mm+0.25mm/-0mm desde el borde; plano secundario: ninguno; grosor 350/500.0µm±25.0µm; politipo 4H; tipo de conducción: tipo n. [12 pulgadas] Diámetro 300.0mm+0mm/-0.5mm; orientación de superficie 4° de desviación ±0.5°; referencia primaria: Notch; plano secundario: ninguno; orientación del Notch ±5°; ángulo del Notch 90°+5°/-1°; profundidad del Notch 1mm+0.25mm/-0mm desde el borde; grosor 750.0µm±25.0µm; politipo 4H; tipo de conducción: tipo n. El sitio indica que puede solicitarse información más detallada al equipo comercial; no se divulgan cifras de densidad de micotubos, densidad de dislocaciones ni resistividad.

• Dispositivos de electrónica de potencia: al crecer una capa epitaxial de SiC sobre un sustrato conductivo de SiC se obtienen obleas homoepitaxiales de SiC, a partir de las cuales se fabrican dispositivos de potencia como diodos Schottky, MOSFET e IGBT, aplicados en vehículos eléctricos, ferrocarriles y transmisión y transformación de energía de gran potencia
• Nuevas energías representadas por los vehículos eléctricos
• Generación fotovoltaica y eólica
• LED de alto brillo: la pequeña discrepancia térmica y de red entre SiC y GaN ofrece una buena calidad epitaxial, y el SiC posee buena conductividad térmica y eléctrica, con grandes ventajas en LED de alta potencia; los LED sobre sustrato de SiC son brillantes, eficientes y duraderos

El sitio web oficial denomina esta familia «sustrato 4H semiaislante», marcada como 4H Semi-Insulating. Según el sitio: los sustratos de SiC semiaislantes presentan alta resistividad y se emplean habitualmente en heteroepitaxia de nitruro de galio; los dispositivos de RF representados por el HEMT combinan la buena conductividad térmica del SiC con la salida de RF de alta potencia del GaN en altas frecuencias, y se usan ampliamente en comunicaciones de nueva generación como las estaciones base 5G. Los sustratos de SiC semiaislantes también poseen excelentes propiedades ópticas, y los de 12 pulgadas tienen amplias perspectivas de aplicación en gafas AR y otras áreas de óptica y electrónica vestible. Nota: esta familia se orienta a aplicaciones de RF/comunicaciones y óptica, no a los sustratos para dispositivos de potencia automotrices (que requieren sustratos conductivos); se registra aquí en consecuencia.

[6 pulgadas] Diámetro 150.0mm+0mm/-0.2mm; orientación de superficie {0001}±0.2°; plano primario: Notch; sin plano secundario; orientación del Notch <1100>±1.0°; profundidad del Notch 1.0mm+0.25mm/-0.00mm desde el borde; ángulo del Notch 90°+5°/-1°; grosor 500.0µm±25.0µm; tipo de conducción: semiaislante. [8 pulgadas] Diámetro 200.0mm+0mm/-0.5mm; orientación de superficie {0001}±0.2°; plano primario: Notch; sin plano secundario; orientación del Notch <1100>±1.0°; profundidad del Notch 1.0mm+0.25mm/-0.00mm desde el borde; ángulo del Notch 90°+5°/-1°; grosor 500.0µm±25.0µm; tipo de conducción: semiaislante. [12 pulgadas] Diámetro 300.0mm+0mm/-0.5mm; orientación de superficie {0001}±0.5°; plano primario: Notch; sin plano secundario; orientación del Notch <1100>±5.0°; profundidad del Notch 1.0mm+0.25mm/-0.00mm desde el borde; ángulo del Notch 90°+5°/-1°; grosor 750.0µm±25.0µm; tipo de conducción: semiaislante. El sitio no divulga cifras de densidad de micotubos, densidad de dislocaciones ni resistividad.

• Dispositivos de microondas y RF: al crecer una capa epitaxial de GaN sobre un sustrato semiaislante de SiC se obtienen obleas epitaxiales de GaN sobre SiC, a partir de las cuales se fabrican HEMT y otros dispositivos de microondas y RF, aplicados en telecomunicaciones, detección por radio y otros campos
• Comunicaciones de nueva generación como las estaciones base 5G
• Heteroepitaxia de GaN
• Óptica y electrónica vestible: los sustratos de 12 pulgadas tienen amplias perspectivas en gafas AR y otros campos ópticos y vestibles
• Disipación térmica: la alta conductividad térmica y estabilidad térmica del SiC conducen el calor con mayor eficacia, mejorando la disipación y optimizando el sistema global; el material atrae una atención creciente en aplicaciones de disipadores térmicos

El sitio web oficial denomina esta familia «sustrato de carburo de silicio tipo P», marcada como 4H tipo P, y también la etiqueta «sustrato monocristalino de SiC conductivo dopado con aluminio 4H» en la portada y la navegación de productos. Según el sitio: los materiales de sustrato de SiC tipo P se usan principalmente para homoepitaxia y fabricación de dispositivos semiconductores de potencia de ultralta tensión, con amplia aplicación en redes eléctricas inteligentes representadas por la transmisión en ultra alta tensión, así como en ferrocarriles y fuentes de alimentación industriales de gran potencia. Según una noticia del sitio (article393.html, 21.04.2026), la empresa logró nuevos avances en la tecnología de preparación por vía líquida de sustratos tipo P de alta calidad, publicados en Journal of Crystal Growth.

[6 pulgadas] Diámetro 150.0mm+0mm/-0.2mm; orientación de superficie desviada 4° hacia <1120>±0.5°; longitud del plano primario 47.5mm±1.5mm; plano secundario paralelo a <1120>±1.0°; grosor 350.0µm±25.0µm; tipo de conducción: tipo p. [8 pulgadas] Diámetro 200.0mm+0mm/-0.2mm; orientación de superficie desviada 4° hacia <1120>±0.5°; plano primario: Notch; orientación del Notch <1100>±1°; profundidad del Notch 1mm+0.25mm/-0mm; ángulo del Notch 90°+5°/-1°; grosor 350.0µm±25.0µm; tipo de conducción: tipo p. [12 pulgadas] Diámetro 300.0mm+0mm/-0.5mm; orientación de superficie desviada 4° hacia <1120>±0.5°; plano primario: Notch; orientación del Notch <1100>±5°; profundidad del Notch 1mm+0.25mm/-0mm; ángulo del Notch 90°+5°/-1°; grosor 750.0µm±25.0µm; tipo de conducción: tipo p. El sitio no divulga cifras de densidad de micotubos, densidad de dislocaciones ni resistividad.

• Dispositivos de alta tensión y gran potencia: los IGBT de SiC fabricados sobre sustratos tipo P utilizan la inyección bipolar de portadores para generar modulación de conductividad, reduciendo notablemente las pérdidas en conducción a alta tensión frente a los dispositivos unipolares tradicionales, simplificando los sistemas eléctricos y mejorando la eficiencia de conversión de energía; adecuados para redes inteligentes, gestión de energía con IA y otros campos de alta y ultralta tensión
• Redes inteligentes representadas por la transmisión en ultra alta tensión
• Ferrocarriles
• Fuentes de alimentación industriales de gran potencia
• Aplicaciones de disipación térmica: la alta conductividad térmica y estabilidad térmica del SiC conducen el calor con mayor eficacia, mejorando la disipación; el material atrae una atención creciente en aplicaciones de disipadores térmicos

En la página del sustrato monocristalino de SiC conductivo, el sitio web oficial lista el «LED de alto brillo» como dirección de aplicación independiente. Texto del sitio: la pequeña discrepancia térmica y de red entre SiC y GaN da una buena calidad epitaxial, y el SiC posee buena conductividad térmica y eléctrica, con grandes ventajas en LED de alta potencia; los LED sobre sustrato de SiC son brillantes, eficientes y duraderos. Esta familia es la dirección de producto de sustratos de SiC orientada a aplicaciones de LED de alto brillo (alta potencia), basada en sustratos conductivos (tipo n).

Sistema de especificaciones idéntico al de los sustratos conductivos (4H tipo n), diferenciado por 6/8/12 pulgadas. [6 pulgadas] Diámetro 150.0mm+0mm/-0.2mm; orientación de superficie 4° de desviación ±0.5°; longitud del plano primario 47.5mm±1.5mm; orientación del plano primario ±1.0°; plano secundario: ninguno; grosor 350.0µm±25.0µm; politipo 4H; tipo de conducción: tipo n. [8 pulgadas] Diámetro 200.0mm+0mm/-0.5mm; orientación de superficie 4° de desviación ±0.5°; plano primario: Notch; orientación del Notch ±1°; ángulo del Notch 90°+5°/-1°; profundidad del Notch 1mm+0.25mm/-0mm desde el borde; plano secundario: ninguno; grosor 350/500.0µm±25.0µm; politipo 4H; tipo de conducción: tipo n. [12 pulgadas] Diámetro 300.0mm+0mm/-0.5mm; orientación de superficie 4° de desviación ±0.5°; referencia primaria: Notch; plano secundario: ninguno; orientación del Notch ±5°; ángulo del Notch 90°+5°/-1°; profundidad del Notch 1mm+0.25mm/-0mm desde el borde; grosor 750.0µm±25.0µm; politipo 4H; tipo de conducción: tipo n. Las dimensiones clave de rendimiento para LED son la pequeña discrepancia térmica y de red entre SiC y GaN, la buena calidad epitaxial y la buena conductividad térmica y eléctrica; el sitio no divulga cifras específicas de la aplicación como la densidad de defectos.

• LED de alto brillo (alta potencia): pequeña discrepancia térmica y de red entre SiC y GaN, buena calidad epitaxial y buena conductividad térmica y eléctrica, con grandes ventajas en LED de alta potencia
• Los LED sobre sustrato de SiC son brillantes, eficientes y duraderos
• Crecimiento de capas epitaxiales de GaN sobre sustratos de SiC para dispositivos de emisión de luz de alta potencia

Tanto en la página del sustrato monocristalino de SiC semiaislante como en la del sustrato de SiC tipo P, el sitio web oficial lista las «aplicaciones de disipación térmica» como dirección de aplicación independiente, apuntando al uso del SiC como disipador (sustrato térmico / material de gestión térmica). Texto del sitio: la disipación siempre ha sido uno de los principales factores que afectan a la vida útil de los dispositivos; la alta conductividad térmica y estabilidad térmica del SiC conducen el calor con mayor eficacia, mejorando la disipación y optimizando el sistema global, y el material atrae una atención creciente en aplicaciones de disipadores térmicos. Es una familia de dirección de aplicación a nivel de material; el sitio no ofrece modelos ni tablas de dimensiones independientes para el material disipador, y las especificaciones siguen las descripciones de propiedades del material, como la alta conductividad térmica y la estabilidad térmica de los sustratos de SiC.

Presentado por el sitio oficial como propiedades del material, no como especificación de un modelo independiente: conductividad térmica del SiC (4H-SiC) 4.9 W/cmK; anchura de banda prohibida 3.26 eV; campo crítico de ruptura 2.8 MV/cm; velocidad de deriva electrónica de saturación 2.7 (1E7 cm/s) (cifras de la base de conocimientos del sitio «¿Qué es el carburo de silicio?», página product3.html). El sitio subraya que su «alta conductividad térmica y estabilidad térmica conducen el calor con mayor eficacia, mejorando la disipación y optimizando el sistema global». El sitio no da dimensiones, grosores ni resistencias térmicas independientes del material disipador, por lo que no se añaden cifras.

• Aplicaciones de disipadores térmicos: el material atrae una atención creciente en este campo
• Disipación para dispositivos y módulos de potencia: la disipación es uno de los principales factores que afectan a la vida útil; la alta conductividad térmica conduce el calor eficazmente y reduce la temperatura del dispositivo
• Optimización de la gestión térmica a nivel de sistema: mejorar la disipación y optimizar el sistema global
• Los sustratos semiaislantes aprovechan simultáneamente la buena conductividad térmica del SiC en dispositivos de RF (disipación de los dispositivos de RF de GaN)

En la descripción del producto de la página del sustrato monocristalino de SiC semiaislante 4H, el sitio oficial indica: los materiales de sustrato de SiC semiaislantes también poseen excelentes propiedades ópticas, y los sustratos de 12 pulgadas tienen amplias perspectivas de aplicación en gafas AR y otras áreas de óptica y electrónica vestible. Sobre esta base se crea por separado una familia de dirección de aplicación «óptica y electrónica vestible», soportada por el sustrato monocristalino de SiC semiaislante 4H de 12 pulgadas.

[12 pulgadas (4H semiaislante)] Diámetro 300.0mm+0mm/-0.5mm; orientación de superficie {0001}±0.5°; plano primario: Notch; sin plano secundario; orientación del Notch <1100>±5.0°; profundidad del Notch 1.0mm+0.25mm/-0.00mm desde el borde; ángulo del Notch 90°+5°/-1°; grosor 750.0µm±25.0µm; tipo de conducción: semiaislante. En cuanto al rendimiento óptico, el sitio solo indica «excelentes propiedades ópticas» y no divulga valores como índice de refracción, transmitancia o rugosidad superficial; el sitio señala que puede solicitarse información más detallada al equipo comercial.

• Gafas AR y otros campos ópticos
• Electrónica vestible
• Perspectivas de aplicación en óptica y electrónica vestible aportadas por los sustratos de gran tamaño de 12 pulgadas

En la página del sustrato monocristalino de SiC semiaislante 4H, el sitio oficial lista los «dispositivos de microondas y RF» como dirección de aplicación independiente. Texto del sitio: los sustratos de SiC semiaislantes presentan alta resistividad y se emplean habitualmente en heteroepitaxia de GaN; los dispositivos de RF representados por el HEMT combinan la buena conductividad térmica del SiC con la salida de RF de alta potencia del GaN en altas frecuencias, y se usan ampliamente en comunicaciones de nueva generación como las estaciones base 5G; al crecer una capa epitaxial de GaN sobre un sustrato semiaislante de SiC se obtienen obleas epitaxiales de GaN sobre SiC, a partir de las cuales se fabrican HEMT y otros dispositivos de microondas y RF, aplicados en telecomunicaciones, detección por radio y otros campos. Esta familia desarrolla la dirección RF/comunicaciones por aplicación.

[6 pulgadas] Diámetro 150.0mm+0mm/-0.2mm; orientación de superficie {0001}±0.2°; plano primario: Notch; sin plano secundario; orientación del Notch <1100>±1.0°; profundidad del Notch 1.0mm+0.25mm/-0.00mm desde el borde; ángulo del Notch 90°+5°/-1°; grosor 500.0µm±25.0µm; tipo de conducción: semiaislante. [8 pulgadas] Diámetro 200.0mm+0mm/-0.5mm; orientación de superficie {0001}±0.2°; plano primario: Notch; sin plano secundario; orientación del Notch <1100>±1.0°; profundidad del Notch 1.0mm+0.25mm/-0.00mm desde el borde; ángulo del Notch 90°+5°/-1°; grosor 500.0µm±25.0µm; tipo de conducción: semiaislante. [12 pulgadas] Diámetro 300.0mm+0mm/-0.5mm; orientación de superficie {0001}±0.5°; plano primario: Notch; sin plano secundario; orientación del Notch <1100>±5.0°; profundidad del Notch 1.0mm+0.25mm/-0.00mm desde el borde; ángulo del Notch 90°+5°/-1°; grosor 750.0µm±25.0µm; tipo de conducción: semiaislante. Propiedades clave del material (base de conocimientos del sitio): conductividad térmica del SiC 4.9 W/cmK, velocidad de deriva electrónica de saturación 2.7 (1E7 cm/s), que combinan conducción de calor y salida de alta potencia a alta frecuencia. El sitio no divulga cifras específicas de la aplicación como las pérdidas de RF.

• Comunicaciones de nueva generación como las estaciones base 5G (elección predominante para los amplificadores de potencia de estaciones base 5G)
• Infraestructura de comunicación inalámbrica
• Dispositivos de microondas y RF: HEMT y otros dispositivos de microondas y RF
• Telecomunicaciones, detección por radio
• Heteroepitaxia de GaN: crecimiento de capas epitaxiales de GaN sobre sustratos semiaislantes de SiC para obtener obleas epitaxiales de GaN sobre SiC

En la página del sustrato de SiC tipo P, el sitio oficial lista los «dispositivos de alta tensión y gran potencia» como dirección de aplicación independiente. Texto del sitio: los IGBT de SiC fabricados sobre sustratos tipo P utilizan la inyección bipolar de portadores para generar modulación de conductividad, reduciendo notablemente las pérdidas en conducción a alta tensión frente a los dispositivos unipolares tradicionales, simplificando los sistemas eléctricos y mejorando la eficiencia de conversión de energía; adecuados para redes inteligentes, gestión de energía con IA y otros campos de alta y ultralta tensión. Los materiales de sustrato de SiC tipo P se usan principalmente para homoepitaxia y fabricación de dispositivos semiconductores de potencia de ultralta tensión, con amplia aplicación en redes eléctricas inteligentes representadas por la transmisión en ultra alta tensión, así como en ferrocarriles y fuentes de alimentación industriales de gran potencia.

[6 pulgadas] Diámetro 150.0mm+0mm/-0.2mm; orientación de superficie desviada 4° hacia <1120>±0.5°; longitud del plano primario 47.5mm±1.5mm; plano secundario paralelo a <1120>±1.0°; grosor 350.0µm±25.0µm; tipo de conducción: tipo p. [8 pulgadas] Diámetro 200.0mm+0mm/-0.2mm; orientación de superficie desviada 4° hacia <1120>±0.5°; plano primario: Notch; orientación del Notch ±1°; profundidad del Notch 1mm+0.25mm/-0mm; ángulo del Notch 90°+5°/-1°; grosor 350.0µm±25.0µm; tipo de conducción: tipo p. [12 pulgadas] Diámetro 300.0mm+0mm/-0.5mm; orientación de superficie desviada 4° hacia <1120>±0.5°; plano primario: Notch; orientación del Notch ±5°; profundidad del Notch 1mm+0.25mm/-0mm; ángulo del Notch 90°+5°/-1°; grosor 750.0µm±25.0µm; tipo de conducción: tipo p. El sitio no divulga valores como la vida útil de portadores o la resistividad; según una noticia del sitio (article393.html, 21.04.2026), la empresa logró nuevos avances en la tecnología de preparación por vía líquida de sustratos tipo P de alta calidad, publicados en Journal of Crystal Growth, con aspectos como la calidad cristalina, la uniformidad eléctrica, la larga vida de portadores y un innovador diseño del campo térmico.

• Campos de alta y ultralta tensión: redes inteligentes y gestión de energía con IA
• Redes inteligentes representadas por la transmisión en ultra alta tensión
• Ferrocarriles
• Fuentes de alimentación industriales de gran potencia
• IGBT de SiC (transistores bipolares de puerta aislada) y otros dispositivos bipolares de alta tensión y gran potencia

Especificación de 6 pulgadas del sustrato monocristalino de SiC conductivo 4H dopado con nitrógeno (4H tipo n), tal como se despliega por tamaño en el centro de productos oficial. Los materiales de sustrato de SiC conductivos se usan principalmente para homoepitaxia y fabricación de dispositivos semiconductores de potencia, con amplia aplicación en las nuevas energías representadas por los vehículos eléctricos, así como en la generación fotovoltaica y eólica; actualmente los productos de 6 y 8 pulgadas se entregan con estabilidad a clientes mundiales de producción en serie.

Diámetro 150.0mm+0mm/-0.2mm; orientación de superficie 4° de desviación ±0.5°; longitud del plano primario 47.5mm±1.5mm; orientación del plano primario ±1.0°; orientación del Notch /; ángulo del Notch /; profundidad del Notch /; plano secundario: ninguno; grosor 350.0µm±25.0µm; politipo 4H; tipo de conducción: tipo n. El sitio oficial no divulga cifras de densidad de micotubos, densidad de dislocaciones ni resistividad.

• Homoepitaxia para dispositivos semiconductores de potencia: obtención de obleas homoepitaxiales de SiC y fabricación de diodos Schottky, MOSFET, IGBT y otros dispositivos de potencia
• Nuevas energías representadas por los vehículos eléctricos
• Generación fotovoltaica y eólica
• Ferrocarriles, transmisión y transformación de energía de gran potencia
• LED de alto brillo (alta potencia)

Especificación de 8 pulgadas del sustrato monocristalino de SiC conductivo 4H dopado con nitrógeno (4H tipo n), tal como se despliega por tamaño en el centro de productos oficial. Texto del sitio: actualmente los productos de 6 y 8 pulgadas se entregan con estabilidad a clientes mundiales de producción en serie, y la empresa también posee capacidad de producción de sustratos de 12 pulgadas; los sustratos conductivos se usan principalmente para homoepitaxia y fabricación de dispositivos semiconductores de potencia, con amplia aplicación en las nuevas energías representadas por los vehículos eléctricos, así como en la generación fotovoltaica y eólica.

Diámetro 200.0mm+0mm/-0.5mm; orientación de superficie 4° de desviación ±0.5°; plano primario: Notch; orientación del plano primario /; orientación del Notch ±1°; ángulo del Notch 90°+5°/-1°; profundidad del Notch 1mm+0.25mm/-0mm desde el borde; plano secundario: ninguno; grosor 350/500.0µm±25.0µm; politipo 4H; tipo de conducción: tipo n. El sitio oficial no divulga cifras de densidad de micotubos, densidad de dislocaciones ni resistividad.

• Homoepitaxia para dispositivos semiconductores de potencia: diodos Schottky, MOSFET, IGBT y otros dispositivos de potencia
• Nuevas energías representadas por los vehículos eléctricos
• Generación fotovoltaica y eólica
• Ferrocarriles, transmisión y transformación de energía de gran potencia
• LED de alto brillo (alta potencia)

Especificación de 12 pulgadas del sustrato monocristalino de SiC conductivo 4H dopado con nitrógeno (4H tipo n). Texto del sitio: la empresa posee capacidad de producción de sustratos de 12 pulgadas. Según la noticia del sitio article128.html, la empresa mostró su matriz de productos de sustratos de SiC de 6/8/12 pulgadas en SEMICON China 2025, incluidos sustratos de SiC de 12 pulgadas semiaislantes de alta pureza, conductivos tipo p y conductivos tipo n.

Diámetro 300.0mm+0mm/-0.5mm; orientación de superficie 4° de desviación ±0.5°; referencia primaria: Notch; plano secundario: ninguno; orientación del Notch ±5°; ángulo del Notch 90°+5°/-1°; profundidad del Notch 1mm+0.25mm/-0mm desde el borde; grosor 750.0µm±25.0µm; politipo 4H; tipo de conducción: tipo n. El sitio oficial no divulga cifras de densidad de micotubos, densidad de dislocaciones ni resistividad.

• Homoepitaxia para dispositivos semiconductores de potencia: diodos Schottky, MOSFET, IGBT y otros dispositivos de potencia
• Nuevas energías representadas por los vehículos eléctricos
• Generación fotovoltaica y eólica
• Ferrocarriles, transmisión y transformación de energía de gran potencia
• LED de alto brillo (alta potencia)

Especificación de 6 pulgadas del sustrato monocristalino de SiC semiaislante 4H (4H Semi-Insulating). Los sustratos de SiC semiaislantes presentan alta resistividad y se emplean habitualmente en heteroepitaxia de GaN; los dispositivos de RF representados por el HEMT combinan la buena conductividad térmica del SiC con la salida de RF de alta potencia del GaN en altas frecuencias, y se usan ampliamente en comunicaciones de nueva generación como las estaciones base 5G.

Diámetro 150.0mm+0mm/-0.2mm; orientación de superficie {0001}±0.2°; orientación del plano primario /; orientación del plano secundario /; plano primario: Notch; sin plano secundario; orientación del Notch <1100>±1.0°; profundidad del Notch 1.0mm+0.25mm/-0.00mm desde el borde; ángulo del Notch 90°+5°/-1°; grosor 500.0µm±25.0µm; tipo de conducción: semiaislante. El sitio oficial no divulga cifras de densidad de micotubos, densidad de dislocaciones ni resistividad.

• Dispositivos de microondas y RF: obleas epitaxiales de GaN sobre SiC que se transforman después en HEMT y otros dispositivos
• Comunicaciones de nueva generación como las estaciones base 5G
• Telecomunicaciones, detección por radio
• Heteroepitaxia de GaN
• Aplicaciones de disipadores térmicos / disipación térmica

Especificación de 8 pulgadas del sustrato monocristalino de SiC semiaislante 4H (4H Semi-Insulating). Los sustratos de SiC semiaislantes presentan alta resistividad y se emplean habitualmente en heteroepitaxia de GaN; los dispositivos de RF representados por el HEMT combinan la buena conductividad térmica del SiC con la salida de RF de alta potencia del GaN en altas frecuencias, y se usan ampliamente en comunicaciones de nueva generación como las estaciones base 5G.

Diámetro 200.0mm+0mm/-0.5mm; orientación de superficie {0001}±0.2°; orientación del plano primario /; orientación del plano secundario /; plano primario: Notch; sin plano secundario; orientación del Notch <1100>±1.0°; profundidad del Notch 1.0mm+0.25mm/-0.00mm desde el borde; ángulo del Notch 90°+5°/-1°; grosor 500.0µm±25.0µm; tipo de conducción: semiaislante. El sitio oficial no divulga cifras de densidad de micotubos, densidad de dislocaciones ni resistividad.

• Dispositivos de microondas y RF: obleas epitaxiales de GaN sobre SiC que se transforman después en HEMT y otros dispositivos
• Comunicaciones de nueva generación como las estaciones base 5G
• Telecomunicaciones, detección por radio
• Heteroepitaxia de GaN
• Aplicaciones de disipadores térmicos / disipación térmica

Especificación de 12 pulgadas del sustrato monocristalino de SiC semiaislante 4H (4H Semi-Insulating). Texto del sitio: los materiales de sustrato de SiC semiaislantes también poseen excelentes propiedades ópticas, y los sustratos de 12 pulgadas tienen amplias perspectivas de aplicación en gafas AR y otras áreas de óptica y electrónica vestible. Según la noticia del sitio article128.html, la empresa exhibió el sustrato de SiC semiaislante de alta pureza de 12 pulgadas en SEMICON China 2025.

Diámetro 300.0mm+0mm/-0.5mm; orientación de superficie {0001}±0.5°; orientación del plano primario /; orientación del plano secundario /; plano primario: Notch; sin plano secundario; orientación del Notch <1100>±5.0°; profundidad del Notch 1.0mm+0.25mm/-0.00mm desde el borde; ángulo del Notch 90°+5°/-1°; grosor 750.0µm±25.0µm; tipo de conducción: semiaislante. El sitio oficial no divulga cifras de densidad de micotubos, densidad de dislocaciones ni resistividad.

• Gafas AR y otros campos ópticos
• Electrónica vestible
• Dispositivos de microondas y RF: obleas epitaxiales de GaN sobre SiC que se transforman después en HEMT y otros dispositivos
• Comunicaciones de nueva generación como las estaciones base 5G
• Aplicaciones de disipadores térmicos / disipación térmica

Especificación de 6 pulgadas del sustrato monocristalino de SiC conductivo 4H dopado con aluminio (4H tipo P). Los materiales de sustrato de SiC tipo P se usan principalmente para homoepitaxia y fabricación de dispositivos semiconductores de potencia de ultralta tensión, con amplia aplicación en redes eléctricas inteligentes representadas por la transmisión en ultra alta tensión, así como en ferrocarriles y fuentes de alimentación industriales de gran potencia.

Diámetro 150.0mm+0mm/-0.2mm; orientación de superficie desviada 4° hacia <1120>±0.5°; longitud del plano primario 47.5mm±1.5mm; plano secundario paralelo a <1120>±1.0°; orientación del Notch /; profundidad del Notch /; ángulo del Notch /; grosor 350.0µm±25.0µm; tipo de conducción: tipo p. El sitio oficial no divulga cifras de densidad de micotubos, densidad de dislocaciones ni resistividad.

• Homoepitaxia para dispositivos semiconductores de potencia de ultralta tensión
• Redes inteligentes representadas por la transmisión en ultra alta tensión
• Ferrocarriles
• Fuentes de alimentación industriales de gran potencia
• Aplicaciones de disipadores térmicos / disipación térmica

Especificación de 8 pulgadas del sustrato monocristalino de SiC conductivo 4H dopado con aluminio (4H tipo P). Según la noticia del sitio article393.html, tras el primer cristal del mundo obtenido por vía líquida de 8 pulgadas y el sustrato tipo p de 12 pulgadas, la empresa sigue liderando el desarrollo del sector en tecnología líquida.

Diámetro 200.0mm+0mm/-0.2mm; orientación de superficie desviada 4° hacia <1120>±0.5°; plano primario: Notch; longitud del plano secundario /; orientación del Notch ±1°; profundidad del Notch 1mm+0.25mm/-0mm; ángulo del Notch 90°+5°/-1°; grosor 350.0µm±25.0µm; tipo de conducción: tipo p. El sitio oficial no divulga cifras de densidad de micotubos, densidad de dislocaciones ni resistividad.

• Homoepitaxia para dispositivos semiconductores de potencia de ultralta tensión
• Redes inteligentes representadas por la transmisión en ultra alta tensión
• Ferrocarriles
• Fuentes de alimentación industriales de gran potencia
• Aplicaciones de disipadores térmicos / disipación térmica

Especificación de 12 pulgadas del sustrato monocristalino de SiC conductivo 4H dopado con aluminio (4H tipo P). Según las noticias del sitio article393.html y article128.html, la empresa ya ha materializado sustratos tipo p de 12 pulgadas y exhibió el sustrato de SiC conductivo tipo p de 12 pulgadas en SEMICON China 2025; los sustratos de 12 pulgadas se orientan a aplicaciones de energía limpia como el almacenamiento fotovoltaico, las comunicaciones 5G y las redes inteligentes de alta tensión.

Diámetro 300.0mm+0mm/-0.5mm; orientación de superficie desviada 4° hacia <1120>±0.5°; plano primario: Notch; longitud del plano secundario /; orientación del Notch ±5°; profundidad del Notch 1mm+0.25mm/-0mm; ángulo del Notch 90°+5°/-1°; grosor 750.0µm±25.0µm; tipo de conducción: tipo p. El sitio oficial no divulga cifras de densidad de micotubos, densidad de dislocaciones ni resistividad.

• Homoepitaxia para dispositivos semiconductores de potencia de ultralta tensión
• Redes inteligentes representadas por la transmisión en ultra alta tensión
• Ferrocarriles
• Fuentes de alimentación industriales de gran potencia
• Aplicaciones de disipadores térmicos / disipación térmica