SICC

Le site officiel nomme cette famille « substrat monocristallin de carbure de silicium conducteur 4H », notée 4H type n. Selon le site : les matériaux de substrat de SiC conducteurs servent principalement à l'homoépitaxie pour fabriquer des dispositifs semiconducteurs de puissance, largement utilisés dans les nouvelles énergies représentées par les véhicules électriques ainsi que dans le photovoltaïque et l'éolien. Les produits de 6 et 8 pouces sont actuellement livrés de façon stable à des clients mondiaux de production de série, et la société dispose aussi d'une capacité de production de substrats de 12 pouces.

[6 pouces] Diamètre 150.0mm+0mm/-0.2mm; orientation de surface désaxée de 4° ±0.5°; longueur du plan primaire 47.5mm±1.5mm; orientation du plan primaire ±1.0°; plan secondaire: aucun; épaisseur 350.0µm±25.0µm; polytype 4H; type de conduction: type n. [8 pouces] Diamètre 200.0mm+0mm/-0.5mm; orientation de surface désaxée de 4° ±0.5°; plan primaire: Notch; orientation du Notch ±1°; angle du Notch 90°+5°/-1°; profondeur du Notch 1mm+0.25mm/-0mm depuis le bord; plan secondaire: aucun; épaisseur 350/500.0µm±25.0µm; polytype 4H; type de conduction: type n. [12 pouces] Diamètre 300.0mm+0mm/-0.5mm; orientation de surface désaxée de 4° ±0.5°; référence primaire: Notch; plan secondaire: aucun; orientation du Notch ±5°; angle du Notch 90°+5°/-1°; profondeur du Notch 1mm+0.25mm/-0mm depuis le bord; épaisseur 750.0µm±25.0µm; polytype 4H; type de conduction: type n. Le site indique que des informations plus détaillées peuvent être obtenues auprès de l'équipe commerciale ; les chiffres de densité de micropipes, de densité de dislocations et de résistivité ne sont pas divulgués.

• Électronique de puissance : en faisant croître une couche épitaxiale de SiC sur un substrat conducteur de SiC, on obtient des plaques homoépitaxiales de SiC, à partir desquelles sont fabriqués des dispositifs de puissance tels que diodes Schottky, MOSFET et IGBT, appliqués aux véhicules électriques, au ferroviaire et au transport et à la transformation d'énergie de forte puissance
• Nouvelles énergies représentées par les véhicules électriques
• Production photovoltaïque et éolienne
• LED à haut rendement : le faible désaccord thermique et réticulaire entre SiC et GaN assure une bonne qualité épitaxiale, et le SiC possède une bonne conductivité thermique et électrique, offrant de grands avantages pour les LED de forte puissance ; les LED sur substrat SiC sont lumineuses, sobres et durables

Le site officiel nomme cette famille « substrat 4H semi-isolant », notée 4H Semi-Insulating. Selon le site : les substrats de SiC semi-isolants présentent une résistivité élevée et servent habituellement à l'hétéroépitaxie du nitrure de gallium ; les dispositifs RF représentés par le HEMT combinent la bonne conductivité thermique du SiC et la puissance RF élevée du GaN en hautes fréquences, et sont largement utilisés dans les communications de nouvelle génération comme les stations de base 5G. Les substrats de SiC semi-isolants possèdent aussi d'excellentes propriétés optiques, et ceux de 12 pouces offrent de larges perspectives d'application dans les lunettes AR et d'autres domaines de l'optique et de l'électronique portable. Remarque : cette famille vise les applications RF/communication et optiques, non les substrats pour dispositifs de puissance automobiles (qui exigent des substrats conducteurs) ; elle est recensée ici en conséquence.

[6 pouces] Diamètre 150.0mm+0mm/-0.2mm; orientation de surface {0001}±0.2°; plan primaire: Notch; sans plan secondaire; orientation du Notch <1100>±1.0°; profondeur du Notch 1.0mm+0.25mm/-0.00mm depuis le bord; angle du Notch 90°+5°/-1°; épaisseur 500.0µm±25.0µm; type de conduction: semi-isolant. [8 pouces] Diamètre 200.0mm+0mm/-0.5mm; orientation de surface {0001}±0.2°; plan primaire: Notch; sans plan secondaire; orientation du Notch <1100>±1.0°; profondeur du Notch 1.0mm+0.25mm/-0.00mm depuis le bord; angle du Notch 90°+5°/-1°; épaisseur 500.0µm±25.0µm; type de conduction: semi-isolant. [12 pouces] Diamètre 300.0mm+0mm/-0.5mm; orientation de surface {0001}±0.5°; plan primaire: Notch; sans plan secondaire; orientation du Notch <1100>±5.0°; profondeur du Notch 1.0mm+0.25mm/-0.00mm depuis le bord; angle du Notch 90°+5°/-1°; épaisseur 750.0µm±25.0µm; type de conduction: semi-isolant. Le site officiel ne divulgue pas les chiffres de densité de micropipes, de densité de dislocations ni de résistivité.

• Dispositifs micro-ondes RF : en faisant croître une couche épitaxiale de GaN sur un substrat semi-isolant de SiC, on obtient des plaques épitaxiales GaN sur SiC, à partir desquelles sont fabriqués des HEMT et autres dispositifs micro-ondes RF, appliqués aux communications d'information, à la détection radio et à d'autres domaines
• Communications de nouvelle génération comme les stations de base 5G
• Hétéroépitaxie du GaN
• Optique et électronique portable : les substrats de 12 pouces offrent de larges perspectives dans les lunettes AR et d'autres domaines optiques et portables
• Dissipation thermique : la forte conductivité thermique et la stabilité thermique du SiC conduisent la chaleur plus efficacement, améliorant la dissipation et optimisant l'ensemble du système ; le matériau suscite une attention croissante dans les applications de dissipateurs thermiques

Le site officiel nomme cette famille « substrat de carbure de silicium de type P », notée 4H type P, et l'étiquette aussi « substrat monocristallin de SiC conducteur dopé à l'aluminium 4H » sur la page d'accueil et la navigation produits. Selon le site : les matériaux de substrat de SiC de type P servent principalement à l'homoépitaxie pour fabriquer des dispositifs semiconducteurs de puissance à très haute tension, largement appliqués aux réseaux intelligents représentés par le transport à très haute tension ainsi qu'au ferroviaire et aux alimentations industrielles de forte puissance. Selon une actualité du site (article393.html, 21.04.2026), la société a réalisé de nouveaux progrès dans la technologie de préparation par voie liquide de substrats de type P de haute qualité, publiés dans le Journal of Crystal Growth.

[6 pouces] Diamètre 150.0mm+0mm/-0.2mm; orientation de surface décalée de 4° vers <1120>±0.5°; longueur du plan primaire 47.5mm±1.5mm; plan secondaire parallèle à <1120>±1.0°; épaisseur 350.0µm±25.0µm; type de conduction: type p. [8 pouces] Diamètre 200.0mm+0mm/-0.2mm; orientation de surface décalée de 4° vers <1120>±0.5°; plan primaire: Notch; orientation du Notch <1100>±1°; profondeur du Notch 1mm+0.25mm/-0mm; angle du Notch 90°+5°/-1°; épaisseur 350.0µm±25.0µm; type de conduction: type p. [12 pouces] Diamètre 300.0mm+0mm/-0.5mm; orientation de surface décalée de 4° vers <1120>±0.5°; plan primaire: Notch; orientation du Notch <1100>±5°; profondeur du Notch 1mm+0.25mm/-0mm; angle du Notch 90°+5°/-1°; épaisseur 750.0µm±25.0µm; type de conduction: type p. Le site officiel ne divulgue pas les chiffres de densité de micropipes, de densité de dislocations ni de résistivité.

• Dispositifs haute tension et forte puissance : les IGBT SiC fabriqués sur substrats de type P utilisent l'injection bipolaire de porteurs pour créer une modulation de conductivité, réduisant nettement les pertes à l'état passant sous haute tension par rapport aux dispositifs unipolaires traditionnels, simplifiant les systèmes électriques et améliorant l'efficacité de conversion d'énergie ; adaptés aux réseaux intelligents, à la gestion d'énergie par IA et à d'autres domaines haute et très haute tension
• Réseaux intelligents représentés par le transport à très haute tension
• Ferroviaire
• Alimentations industrielles de forte puissance
• Applications de dissipation thermique : la forte conductivité thermique et la stabilité thermique du SiC conduisent la chaleur plus efficacement, améliorant la dissipation ; le matériau suscite une attention croissante dans les applications de dissipateurs thermiques

Sur la page du substrat monocristallin de SiC conducteur, le site officiel liste la « LED à haut rendement » comme direction d'application indépendante. Texte du site : le faible désaccord thermique et réticulaire entre SiC et GaN donne une bonne qualité épitaxiale, et le SiC possède une bonne conductivité thermique et électrique, offrant de grands avantages pour les LED de forte puissance ; les LED sur substrat SiC sont lumineuses, sobres et durables. Cette famille est la direction de produits de substrats SiC orientée vers les applications LED à haut rendement (forte puissance), fondée sur des substrats conducteurs (type n).

Système de spécifications identique à celui des substrats conducteurs (4H type n), décliné en 6/8/12 pouces. [6 pouces] Diamètre 150.0mm+0mm/-0.2mm; orientation de surface désaxée de 4° ±0.5°; longueur du plan primaire 47.5mm±1.5mm; orientation du plan primaire ±1.0°; plan secondaire: aucun; épaisseur 350.0µm±25.0µm; polytype 4H; type de conduction: type n. [8 pouces] Diamètre 200.0mm+0mm/-0.5mm; orientation de surface désaxée de 4° ±0.5°; plan primaire: Notch; orientation du Notch ±1°; angle du Notch 90°+5°/-1°; profondeur du Notch 1mm+0.25mm/-0mm depuis le bord; plan secondaire: aucun; épaisseur 350/500.0µm±25.0µm; polytype 4H; type de conduction: type n. [12 pouces] Diamètre 300.0mm+0mm/-0.5mm; orientation de surface désaxée de 4° ±0.5°; référence primaire: Notch; plan secondaire: aucun; orientation du Notch ±5°; angle du Notch 90°+5°/-1°; profondeur du Notch 1mm+0.25mm/-0mm depuis le bord; épaisseur 750.0µm±25.0µm; polytype 4H; type de conduction: type n. Les dimensions clés de performance pour les LED sont le faible désaccord thermique et réticulaire SiC-GaN, la bonne qualité épitaxiale et la bonne conductivité thermique et électrique ; le site ne divulgue pas de chiffres spécifiques à cette application comme la densité de défauts.

• LED à haut rendement (forte puissance) : faible désaccord thermique et réticulaire SiC-GaN, bonne qualité épitaxiale et bonne conductivité thermique et électrique, avec de grands avantages pour les LED de forte puissance
• Les LED sur substrat SiC sont lumineuses, sobres et durables
• Croissance de couches épitaxiales de GaN sur des substrats SiC pour des dispositifs électroluminescents de forte puissance

Sur la page du substrat monocristallin de SiC semi-isolant comme sur celle du substrat de SiC de type P, le site officiel liste les « applications de dissipation thermique » comme direction d'application indépendante, visant l'emploi du SiC comme dissipateur (substrat thermique / matériau de gestion thermique). Texte du site : la dissipation a toujours été l'un des principaux facteurs affectant la durée de vie des dispositifs ; la forte conductivité thermique et la stabilité thermique du SiC conduisent la chaleur plus efficacement, améliorant la dissipation et optimisant l'ensemble du système, et le matériau suscite une attention croissante dans les applications de dissipateurs thermiques. Il s'agit d'une famille de direction d'application au niveau matériau ; le site ne fournit ni modèles ni tableaux de dimensions indépendants pour le matériau dissipateur, et les spécifications suivent les descriptions des propriétés du matériau, comme la forte conductivité thermique et la stabilité thermique des substrats de SiC.

Présenté par le site officiel comme des propriétés du matériau plutôt que comme une spécification de modèle indépendante : conductivité thermique du SiC (4H-SiC) 4.9 W/cmK ; largeur de bande interdite 3.26 eV ; champ critique de claquage 2.8 MV/cm ; vitesse de dérive électronique de saturation 2.7 (1E7 cm/s) (chiffres issus de la base de connaissances du site « Qu'est-ce que le carbure de silicium », page product3.html). Le site souligne que sa « forte conductivité thermique et sa stabilité thermique conduisent la chaleur plus efficacement, améliorant la dissipation et optimisant l'ensemble du système ». Le site ne fournit pas de dimensions, d'épaisseurs ni de résistances thermiques indépendantes du matériau dissipateur, aucune valeur n'est donc ajoutée.

• Applications de dissipateurs thermiques : le matériau suscite une attention croissante dans ce domaine
• Dissipation pour dispositifs et modules de puissance : la dissipation est l'un des principaux facteurs affectant la durée de vie ; la forte conductivité thermique conduit efficacement la chaleur et abaisse la température du dispositif
• Optimisation de la gestion thermique au niveau système : améliorer la dissipation et optimiser l'ensemble du système
• Les substrats semi-isolants exploitent simultanément la bonne conductivité thermique du SiC dans les dispositifs RF (dissipation des dispositifs RF GaN)

Dans la description du produit de la page du substrat monocristallin de SiC semi-isolant 4H, le site officiel indique : les matériaux de substrat de SiC semi-isolants possèdent également d'excellentes propriétés optiques, et les substrats de 12 pouces offrent de larges perspectives d'application dans les lunettes AR et d'autres domaines de l'optique et de l'électronique portable. Sur cette base, une famille de direction d'application « optique et électronique portable » est créée séparément, portée par le substrat monocristallin de SiC semi-isolant 4H de 12 pouces.

[12 pouces (4H semi-isolant)] Diamètre 300.0mm+0mm/-0.5mm; orientation de surface {0001}±0.5°; plan primaire: Notch; sans plan secondaire; orientation du Notch <1100>±5.0°; profondeur du Notch 1.0mm+0.25mm/-0.00mm depuis le bord; angle du Notch 90°+5°/-1°; épaisseur 750.0µm±25.0µm; type de conduction: semi-isolant. Concernant les performances optiques, le site indique seulement « d'excellentes propriétés optiques » et ne divulgue pas de valeurs telles que l'indice de réfraction, la transmittance ou la rugosité de surface ; le site précise que des informations plus détaillées peuvent être obtenues auprès de l'équipe commerciale.

• Lunettes AR et autres domaines optiques
• Électronique portable
• Perspectives d'application en optique et électronique portable apportées par les substrats de grande taille de 12 pouces

Sur la page du substrat monocristallin de SiC semi-isolant 4H, le site officiel liste les « dispositifs micro-ondes RF » comme direction d'application indépendante. Texte du site : les substrats de SiC semi-isolants présentent une résistivité élevée et servent habituellement à l'hétéroépitaxie du GaN ; les dispositifs RF représentés par le HEMT combinent la bonne conductivité thermique du SiC et la puissance RF élevée du GaN en hautes fréquences, et sont largement utilisés dans les communications de nouvelle génération comme les stations de base 5G ; en faisant croître une couche épitaxiale de GaN sur un substrat semi-isolant de SiC, on obtient des plaques épitaxiales GaN sur SiC, à partir desquelles sont fabriqués des HEMT et autres dispositifs micro-ondes RF, appliqués aux communications d'information, à la détection radio et à d'autres domaines. Cette famille déploie la direction RF/communication par application.

[6 pouces] Diamètre 150.0mm+0mm/-0.2mm; orientation de surface {0001}±0.2°; plan primaire: Notch; sans plan secondaire; orientation du Notch <1100>±1.0°; profondeur du Notch 1.0mm+0.25mm/-0.00mm depuis le bord; angle du Notch 90°+5°/-1°; épaisseur 500.0µm±25.0µm; type de conduction: semi-isolant. [8 pouces] Diamètre 200.0mm+0mm/-0.5mm; orientation de surface {0001}±0.2°; plan primaire: Notch; sans plan secondaire; orientation du Notch <1100>±1.0°; profondeur du Notch 1.0mm+0.25mm/-0.00mm depuis le bord; angle du Notch 90°+5°/-1°; épaisseur 500.0µm±25.0µm; type de conduction: semi-isolant. [12 pouces] Diamètre 300.0mm+0mm/-0.5mm; orientation de surface {0001}±0.5°; plan primaire: Notch; sans plan secondaire; orientation du Notch <1100>±5.0°; profondeur du Notch 1.0mm+0.25mm/-0.00mm depuis le bord; angle du Notch 90°+5°/-1°; épaisseur 750.0µm±25.0µm; type de conduction: semi-isolant. Propriétés clés du matériau (base de connaissances du site) : conductivité thermique du SiC 4.9 W/cmK, vitesse de dérive électronique de saturation 2.7 (1E7 cm/s), associant conduction de la chaleur et sortie de forte puissance en haute fréquence. Le site ne divulgue pas de chiffres spécifiques à l'application comme les pertes RF.

• Communications de nouvelle génération comme les stations de base 5G (choix dominant pour les amplificateurs de puissance des stations de base 5G)
• Infrastructure de communication sans fil
• Dispositifs micro-ondes RF : HEMT et autres dispositifs micro-ondes RF
• Communications d'information, détection radio
• Hétéroépitaxie du GaN : croissance de couches épitaxiales de GaN sur des substrats semi-isolants de SiC pour obtenir des plaques épitaxiales GaN sur SiC

Sur la page du substrat de SiC de type P, le site officiel liste les « dispositifs haute tension et forte puissance » comme direction d'application indépendante. Texte du site : les IGBT SiC fabriqués sur substrats de type P utilisent l'injection bipolaire de porteurs pour créer une modulation de conductivité, réduisant nettement les pertes à l'état passant sous haute tension par rapport aux dispositifs unipolaires traditionnels, simplifiant les systèmes électriques et améliorant l'efficacité de conversion d'énergie ; adaptés aux réseaux intelligents, à la gestion d'énergie par IA et à d'autres domaines haute et très haute tension. Les matériaux de substrat de SiC de type P servent principalement à l'homoépitaxie pour fabriquer des dispositifs semiconducteurs de puissance à très haute tension, largement appliqués aux réseaux intelligents représentés par le transport à très haute tension ainsi qu'au ferroviaire et aux alimentations industrielles de forte puissance.

[6 pouces] Diamètre 150.0mm+0mm/-0.2mm; orientation de surface décalée de 4° vers <1120>±0.5°; longueur du plan primaire 47.5mm±1.5mm; plan secondaire parallèle à <1120>±1.0°; épaisseur 350.0µm±25.0µm; type de conduction: type p. [8 pouces] Diamètre 200.0mm+0mm/-0.2mm; orientation de surface décalée de 4° vers <1120>±0.5°; plan primaire: Notch; orientation du Notch ±1°; profondeur du Notch 1mm+0.25mm/-0mm; angle du Notch 90°+5°/-1°; épaisseur 350.0µm±25.0µm; type de conduction: type p. [12 pouces] Diamètre 300.0mm+0mm/-0.5mm; orientation de surface décalée de 4° vers <1120>±0.5°; plan primaire: Notch; orientation du Notch ±5°; profondeur du Notch 1mm+0.25mm/-0mm; angle du Notch 90°+5°/-1°; épaisseur 750.0µm±25.0µm; type de conduction: type p. Le site ne divulgue pas de valeurs telles que la durée de vie des porteurs ou la résistivité ; selon une actualité du site (article393.html, 21.04.2026), la société a réalisé de nouveaux progrès dans la technologie de préparation par voie liquide de substrats de type P de haute qualité, publiés dans le Journal of Crystal Growth, portant sur la qualité cristalline, l'uniformité électrique, la longue durée de vie des porteurs et une conception innovante du champ thermique.

• Domaines haute et très haute tension : réseaux intelligents et gestion d'énergie par IA
• Réseaux intelligents représentés par le transport à très haute tension
• Ferroviaire
• Alimentations industrielles de forte puissance
• IGBT SiC (transistors bipolaires à grille isolée) et autres dispositifs bipolaires haute tension et forte puissance

Palier de spécification 6 pouces du substrat monocristallin de SiC conducteur 4H dopé à l'azote (4H type n), décliné par taille dans le centre de produits officiel. Les matériaux de substrat de SiC conducteurs servent principalement à l'homoépitaxie pour fabriquer des dispositifs semiconducteurs de puissance, largement utilisés dans les nouvelles énergies représentées par les véhicules électriques ainsi que dans le photovoltaïque et l'éolien ; les produits de 6 et 8 pouces sont actuellement livrés de façon stable à des clients mondiaux de production de série.

Diamètre 150.0mm+0mm/-0.2mm; orientation de surface désaxée de 4° ±0.5°; longueur du plan primaire 47.5mm±1.5mm; orientation du plan primaire ±1.0°; orientation du Notch /; angle du Notch /; profondeur du Notch /; plan secondaire: aucun; épaisseur 350.0µm±25.0µm; polytype 4H; type de conduction: type n. Le site officiel ne divulgue pas les chiffres de densité de micropipes, de densité de dislocations ni de résistivité.

• Homoépitaxie pour dispositifs semiconducteurs de puissance : obtention de plaques homoépitaxiales de SiC et fabrication de diodes Schottky, MOSFET, IGBT et autres dispositifs de puissance
• Nouvelles énergies représentées par les véhicules électriques
• Production photovoltaïque et éolienne
• Ferroviaire, transport et transformation d'énergie de forte puissance
• LED à haut rendement (forte puissance)

Palier de spécification 8 pouces du substrat monocristallin de SiC conducteur 4H dopé à l'azote (4H type n), décliné par taille dans le centre de produits officiel. Texte du site : les produits de 6 et 8 pouces sont actuellement livrés de façon stable à des clients mondiaux de production de série, et la société dispose aussi d'une capacité de production de substrats de 12 pouces ; les substrats conducteurs servent principalement à l'homoépitaxie pour fabriquer des dispositifs semiconducteurs de puissance, largement utilisés dans les nouvelles énergies représentées par les véhicules électriques ainsi que dans le photovoltaïque et l'éolien.

Diamètre 200.0mm+0mm/-0.5mm; orientation de surface désaxée de 4° ±0.5°; plan primaire: Notch; orientation du plan primaire /; orientation du Notch ±1°; angle du Notch 90°+5°/-1°; profondeur du Notch 1mm+0.25mm/-0mm depuis le bord; plan secondaire: aucun; épaisseur 350/500.0µm±25.0µm; polytype 4H; type de conduction: type n. Le site officiel ne divulgue pas les chiffres de densité de micropipes, de densité de dislocations ni de résistivité.

• Homoépitaxie pour dispositifs semiconducteurs de puissance : diodes Schottky, MOSFET, IGBT et autres dispositifs de puissance
• Nouvelles énergies représentées par les véhicules électriques
• Production photovoltaïque et éolienne
• Ferroviaire, transport et transformation d'énergie de forte puissance
• LED à haut rendement (forte puissance)

Palier de spécification 12 pouces du substrat monocristallin de SiC conducteur 4H dopé à l'azote (4H type n). Texte du site : la société dispose d'une capacité de production de substrats de 12 pouces. Selon l'actualité du site article128.html, la société a présenté sa matrice de produits de substrats SiC 6/8/12 pouces à SEMICON China 2025, incluant des substrats SiC de 12 pouces semi-isolants haute pureté, conducteurs de type p et conducteurs de type n.

Diamètre 300.0mm+0mm/-0.5mm; orientation de surface désaxée de 4° ±0.5°; référence primaire: Notch; plan secondaire: aucun; orientation du Notch ±5°; angle du Notch 90°+5°/-1°; profondeur du Notch 1mm+0.25mm/-0mm depuis le bord; épaisseur 750.0µm±25.0µm; polytype 4H; type de conduction: type n. Le site officiel ne divulgue pas les chiffres de densité de micropipes, de densité de dislocations ni de résistivité.

• Homoépitaxie pour dispositifs semiconducteurs de puissance : diodes Schottky, MOSFET, IGBT et autres dispositifs de puissance
• Nouvelles énergies représentées par les véhicules électriques
• Production photovoltaïque et éolienne
• Ferroviaire, transport et transformation d'énergie de forte puissance
• LED à haut rendement (forte puissance)

Palier de spécification 6 pouces du substrat monocristallin de SiC semi-isolant 4H (4H Semi-Insulating). Les substrats de SiC semi-isolants présentent une résistivité élevée et servent habituellement à l'hétéroépitaxie du GaN ; les dispositifs RF représentés par le HEMT combinent la bonne conductivité thermique du SiC et la puissance RF élevée du GaN en hautes fréquences, et sont largement utilisés dans les communications de nouvelle génération comme les stations de base 5G.

Diamètre 150.0mm+0mm/-0.2mm; orientation de surface {0001}±0.2°; orientation du plan primaire /; orientation du plan secondaire /; plan primaire: Notch; sans plan secondaire; orientation du Notch <1100>±1.0°; profondeur du Notch 1.0mm+0.25mm/-0.00mm depuis le bord; angle du Notch 90°+5°/-1°; épaisseur 500.0µm±25.0µm; type de conduction: semi-isolant. Le site officiel ne divulgue pas les chiffres de densité de micropipes, de densité de dislocations ni de résistivité.

• Dispositifs micro-ondes RF : plaques épitaxiales GaN sur SiC transformées ensuite en HEMT et autres dispositifs
• Communications de nouvelle génération comme les stations de base 5G
• Communications d'information, détection radio
• Hétéroépitaxie du GaN
• Applications de dissipateurs thermiques / dissipation thermique

Palier de spécification 8 pouces du substrat monocristallin de SiC semi-isolant 4H (4H Semi-Insulating). Les substrats de SiC semi-isolants présentent une résistivité élevée et servent habituellement à l'hétéroépitaxie du GaN ; les dispositifs RF représentés par le HEMT combinent la bonne conductivité thermique du SiC et la puissance RF élevée du GaN en hautes fréquences, et sont largement utilisés dans les communications de nouvelle génération comme les stations de base 5G.

Diamètre 200.0mm+0mm/-0.5mm; orientation de surface {0001}±0.2°; orientation du plan primaire /; orientation du plan secondaire /; plan primaire: Notch; sans plan secondaire; orientation du Notch <1100>±1.0°; profondeur du Notch 1.0mm+0.25mm/-0.00mm depuis le bord; angle du Notch 90°+5°/-1°; épaisseur 500.0µm±25.0µm; type de conduction: semi-isolant. Le site officiel ne divulgue pas les chiffres de densité de micropipes, de densité de dislocations ni de résistivité.

• Dispositifs micro-ondes RF : plaques épitaxiales GaN sur SiC transformées ensuite en HEMT et autres dispositifs
• Communications de nouvelle génération comme les stations de base 5G
• Communications d'information, détection radio
• Hétéroépitaxie du GaN
• Applications de dissipateurs thermiques / dissipation thermique

Palier de spécification 12 pouces du substrat monocristallin de SiC semi-isolant 4H (4H Semi-Insulating). Texte du site : les matériaux de substrat de SiC semi-isolants possèdent également d'excellentes propriétés optiques, et les substrats de 12 pouces offrent de larges perspectives d'application dans les lunettes AR et d'autres domaines de l'optique et de l'électronique portable. Selon l'actualité du site article128.html, la société a exposé le substrat SiC semi-isolant haute pureté de 12 pouces à SEMICON China 2025.

Diamètre 300.0mm+0mm/-0.5mm; orientation de surface {0001}±0.5°; orientation du plan primaire /; orientation du plan secondaire /; plan primaire: Notch; sans plan secondaire; orientation du Notch <1100>±5.0°; profondeur du Notch 1.0mm+0.25mm/-0.00mm depuis le bord; angle du Notch 90°+5°/-1°; épaisseur 750.0µm±25.0µm; type de conduction: semi-isolant. Le site officiel ne divulgue pas les chiffres de densité de micropipes, de densité de dislocations ni de résistivité.

• Lunettes AR et autres domaines optiques
• Électronique portable
• Dispositifs micro-ondes RF : plaques épitaxiales GaN sur SiC transformées ensuite en HEMT et autres dispositifs
• Communications de nouvelle génération comme les stations de base 5G
• Applications de dissipateurs thermiques / dissipation thermique

Palier de spécification 6 pouces du substrat monocristallin de SiC conducteur 4H dopé à l'aluminium (4H type P). Les matériaux de substrat de SiC de type P servent principalement à l'homoépitaxie pour fabriquer des dispositifs semiconducteurs de puissance à très haute tension, largement appliqués aux réseaux intelligents représentés par le transport à très haute tension ainsi qu'au ferroviaire et aux alimentations industrielles de forte puissance.

Diamètre 150.0mm+0mm/-0.2mm; orientation de surface décalée de 4° vers <1120>±0.5°; longueur du plan primaire 47.5mm±1.5mm; plan secondaire parallèle à <1120>±1.0°; orientation du Notch /; profondeur du Notch /; angle du Notch /; épaisseur 350.0µm±25.0µm; type de conduction: type p. Le site officiel ne divulgue pas les chiffres de densité de micropipes, de densité de dislocations ni de résistivité.

• Homoépitaxie pour dispositifs semiconducteurs de puissance à très haute tension
• Réseaux intelligents représentés par le transport à très haute tension
• Ferroviaire
• Alimentations industrielles de forte puissance
• Applications de dissipateurs thermiques / dissipation thermique

Palier de spécification 8 pouces du substrat monocristallin de SiC conducteur 4H dopé à l'aluminium (4H type P). Selon l'actualité du site article393.html, après le premier cristal au monde obtenu par voie liquide de 8 pouces et le substrat de type p de 12 pouces, la société continue de mener le développement du secteur en technologie liquide.

Diamètre 200.0mm+0mm/-0.2mm; orientation de surface décalée de 4° vers <1120>±0.5°; plan primaire: Notch; longueur du plan secondaire /; orientation du Notch ±1°; profondeur du Notch 1mm+0.25mm/-0mm; angle du Notch 90°+5°/-1°; épaisseur 350.0µm±25.0µm; type de conduction: type p. Le site officiel ne divulgue pas les chiffres de densité de micropipes, de densité de dislocations ni de résistivité.

• Homoépitaxie pour dispositifs semiconducteurs de puissance à très haute tension
• Réseaux intelligents représentés par le transport à très haute tension
• Ferroviaire
• Alimentations industrielles de forte puissance
• Applications de dissipateurs thermiques / dissipation thermique

Palier de spécification 12 pouces du substrat monocristallin de SiC conducteur 4H dopé à l'aluminium (4H type P). Selon les actualités du site article393.html et article128.html, la société a déjà réalisé des substrats de type p de 12 pouces et exposé le substrat SiC conducteur de type p de 12 pouces à SEMICON China 2025 ; les substrats de 12 pouces visent des applications d'énergie propre comme le stockage photovoltaïque, les communications 5G et les réseaux intelligents haute tension.

Diamètre 300.0mm+0mm/-0.5mm; orientation de surface décalée de 4° vers <1120>±0.5°; plan primaire: Notch; longueur du plan secondaire /; orientation du Notch ±5°; profondeur du Notch 1mm+0.25mm/-0mm; angle du Notch 90°+5°/-1°; épaisseur 750.0µm±25.0µm; type de conduction: type p. Le site officiel ne divulgue pas les chiffres de densité de micropipes, de densité de dislocations ni de résistivité.

• Homoépitaxie pour dispositifs semiconducteurs de puissance à très haute tension
• Réseaux intelligents représentés par le transport à très haute tension
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