瞻芯电子

瞻芯电子核心功率器件产品线。相对于硅(Si)MOSFET，碳化硅(SiC)MOSFET 具有更低的导通损耗、更快的开关速度和工作频率，适用于更高效、更紧凑的应用场景。产品覆盖第1代(IV1Q)、第2代(IV2Q)、第3代(IV3Q) SiC MOSFET 工艺平台，多数型号通过 AEC-Q101 车规认证（型号尾缀 Z 表示 AEC-Q101），部分裸片通过 JEDEC 标准认证；另有 IV3M12035T935 创新合封器件，采用 TO247-4Slim 封装，集成第3代 1200V 35mΩ SiC MOSFET 与 Si 二极管，专为光伏应用开发，获“2025行家极光奖·年度优秀产品”。

电压等级覆盖 650V / 750V / 1200V / 1400V / 1700V；RDS(on)@25℃ 覆盖约 11.5mΩ~1Ω，1200V 系列典型规格如 IV3Q12013T4Z(1200V/147A/13.5mΩ/22.5mΩ@175℃/TO247-4)、IV3Q12035T4Z(1200V/67A/35mΩ/57mΩ/TO247-4)、IV3Q12021T4Z(1200V/102A/21mΩ/34.8mΩ/TO247-4)、IV3Q12075QDZ(1200V/39A/68mΩ/112mΩ/QDPAK)、IV2Q17020T4Z(1700V/94A/20mΩ/44mΩ/TO247-4)、IV3Q07011T4Z(750V/167A/11.5mΩ/16mΩ/TO247-4)、IV3Q06025T4Z(650V/92A/25mΩ/31.5mΩ/TO247-4)、IV3Q06025K2Z(650V/92A/25mΩ/31.5mΩ/X2PAK)、IV3Q12035K1Z(1200V/68A/35mΩ/57mΩ/TC3Pak)。封装形式包括 TO247-4、TO247-4S、TO247-3、TO263-7、TOLL、TC3Pak、X2PAK、QDPAK 及 Bare Die（裸片，型号含 BD/BDY/BDB/BAG/BDG）；车规型号尾缀标记：T9Z/T4Z/D7Z/K1Z/K2Z/QDZ 为 AEC-Q101，BD 系列为 JEDEC。第3代 1200V SiC MOSFET 覆盖 10~150mΩ 电阻范围。TC3Pak 顶部散热表面贴装封装型号 IV2Q12040K1Z、IV2Q12080K1Z 支持 15V~18V 驱动电压并已通过 AEC-Q101 认证。

• 新能源汽车主驱逆变器（第三代 1200V 10mΩ/13mΩ 大芯片 SiC MOSFET）
• 车载充电机 OBC
• 电动汽车 DC/DC 转换器
• 车载空调压缩机 / PTC 加热
• 充电桩 / 充电模块
• 光伏逆变与光伏升压
• 储能系统
• UPS 电源
• 服务器 / 通信电源
• 工业电源与电焊机
• 电机驱动
• 脉冲能源与感应加热

碳化硅(SiC)功率模块产品兼具碳化硅(SiC)器件和不同封装的独特优势，支持更高效率、更紧凑和更简洁的系统设计。产品涵盖 SMPD 塑封半桥模块、1B 封装半桥模块、HPD 三相桥模块、SOT-227 标准模块（含 Single MOSFET、MOSFET+SBD、SBD in parallel 三种内部配置）以及 TM 塑封三相模块等多种封装与拓扑。其中 SMPD 塑封 SiC 半桥模块已通过 AQG-324 车规认证并搭载新能源车型 OBC；2000V SiC 功率模块已批量应用于大型光伏电站；IV1B12009HA2L 采用与 Easy 1B 相同外形尺寸，内部芯片布置于 DCB 覆铜陶瓷基板，具备内部绝缘功能，可直接贴合散热器而无需额外陶瓷绝缘垫片，并集成 NTC 负温度系数热敏电阻用于温度监测，内置开尔文源极引脚以抑制高速开关过程中的驱动电压尖峰。

官方参数（均在 Status: Active）：IVHD121M4TA3Z JEDEC 1200V / 759A,Tf=60℃ / 1.66mΩ / Vth 2.8V / 三相桥 / HPD；IVHD071M5TB3Z JEDEC 750V / 660A,Tf=60℃ / 1.73mΩ / Vth 2.8V / 三相桥 / HPD；IVSM12075HA3Z JEDEC 1200V / 33A,Tc=25℃ / 75mΩ / 2.8V / 半桥 / SMPD；IVSM12035HA3Z JEDEC 1200V / 61A,Tc=25℃ / 35mΩ / 2.8V / 半桥 / SMPD；IVSM06025HA2Z AEC-Q101 650V / 72A,Tc=100℃ / 25mΩ / 2.8V / 半桥 / SMPD（采用第2代 SiC MOSFET 芯片，绝缘封装，支持顶部散热，已获 AQG-324 认证）；IV1B12009HA2L JEDEC 1200V / 100A,Tc=117℃ / 9mΩ / 2.8V / half bridge / 1B（外形高度仅 12mm，第2代平面栅 1200V SiC MOSFET 芯片，开通电压 +15V~+18V，关断电压 -3.5V~-2V，额定电流 100A）；IV1B12013HA1L JEDEC 1200V / 96A,Th=50℃ / 13mΩ / 3.2V / half bridge / 1B；IVTM12080TA1Z AEC-Q101 1200V / 30A,Tc=100℃ / 80mΩ / 3.6V / three-phase / TM(塑封)；IVST12013MA3L JEDEC 1200V / 96A,Tc=100℃ / 13mΩ / 2.8V / MOSFET+SBD / SOT-227；IVST12017MA1L JEDEC 1200V / 85A,Tc=100℃ / 17mΩ / 3.2V / MOSFET+SBD / SOT-227；IVST12017SA1L JEDEC 1200V / 85A,Tc=100℃ / 17mΩ / 3.2V / Single MOSFET / SOT-227；IVST12050SA1L JEDEC 1200V / 43A,Tc=100℃ / 50mΩ / 3.2V / Single MOSFET / SOT-227；IVST12040DA1L 1200V / 40A,Tc=144℃ / SBD in parallel / SOT-227；IVST12080DA1L 1200V / 80A,Tc=136℃ / SBD in parallel / SOT-227；IVST12120DA1L 1200V / 120A,Tc=98℃ / SBD in parallel / SOT-227；IVST12160DA1L 1200V / 160A,Tc=98℃ / SBD in parallel / SOT-227。另有 2000V SiC 功率模块系列已批量应用。

• 新能源汽车主驱逆变器
• 车载充电机 OBC（SMPD 塑封 SiC 半桥模块已搭载热门新能源车型 OBC）
• 大型光伏电站（2000V SiC 功率模块）
• 光伏逆变与储能变流器
• 直流充电桩 / 充电模块
• 高频高压 DC-DC 变换器
• UPS 不间断电源
• 电动汽车 DC/DC 转换器

瞻芯电子自主创新开发的比邻驱动(Nextdrive)系列碳化硅(SiC)专用栅极驱动芯片，具有紧凑、高速和智能的特点，包括单/双通道、不同绝缘等级、负压驱动、短路保护、抗米勒效应等类型，以支持更稳定、高效的系统设计。IVCR1401/IVCR1402 为业界首创的紧凑、高速、智能的 SiC MOSFET 专用低侧栅极驱动芯片，也适用于自举高侧栅极驱动，集成退饱和短路保护并内置消隐时间，另有欠压锁定(UVLO)与故障报警功能；IVCR1412 为业界第一款集成负压和米勒效应抑制功能、采用极紧凑 SOT23-6 封装的栅极驱动芯片，输出为准电流源从而免除栅极电阻，可贴近功率管安装以最大限度减小栅极驱动环路杂散电感；IVCR2401 为通用型双通道 SiC/Si MOSFET/IGBT 栅极驱动芯片（SOIC8 封装，可选带/不带热焊盘）；IVCO1A0x 为一系列具隔离功能的单通道栅极驱动芯片，已量产并获 AEC-Q100 车规认证。截至官网披露，瞻芯累计交付栅极驱动芯片约 1 亿颗。

IVCR1401 / IVCR1402：8 引脚封装，兼容宽范围供电高达 35V，4A 峰值拉灌电流，内部集成 -3.5V 负压，集成退饱和短路保护（内部恒流源 1mA，阈值提高到 9.5V，可通过外围 R1 调整触发阈值）、UVLO 及故障报警；IVCR1402Q 为车规版本，通过 AEC-Q100 认证，8 引脚封装内集成负压产生、退饱和保护与可编程 UVLO。IVCR1412：SOT23-6 极紧凑封装，集成负压与有源米勒效应抑制，强下拉输出可免除栅极电阻。IVCR2401：输入电压范围 0-25V，提供 ±4A 峰值拉灌电流，双通道独立输出，两通道间延迟失配典型值 1ns，传输延迟典型值 45ns（最大值 80ns），集成输入滤波电路可滤除典型 20ns 输入毛刺，工作温度 -40℃~125℃，SOIC-8 及带热焊盘 SOIC-8(EP) 两种封装，支持两通道并联模式。IVCR2404：4A 双通道高速低侧栅极驱动。IVCO1A0x（IVCO1A01 分离式输出 / IVCO1A02 有源米勒钳位）：隔离型单通道，8.5A 峰值拉电流与 10A 峰值灌电流，最高输出电压 36V，集成 UVLO，通过 AEC-Q100。IVCO1411 / IVCO1412：隔离型单通道栅极驱动器，4A 峰值拉灌电流；其中 IVCO1412（含 IVCO1412DW 集成隔离与负压驱动版本）在官网公开文章中标注为“在研产品”，将保留短路保护/负压/自举完整性能。官方列表页字段维度为 Isolation / Vcc / Channel / Iout / Negative bias / UVLO / Delay / Package / Status。

• 车载空调压缩机驱动（基于 IVCR1402 的方案已通过客户严格验证并量产上车；另有 IVCO1A02DW 与 IVCR1402+IVCO1412DW 方案）
• 车载 OBC（比邻驱动 IVCR1401/1402 与 80mΩ/1200V TO247-4 或 TO247-3 SiC MOSFET 配套）
• 车载 PTC 加热
• 电动空调压缩机
• 叉车充电机
• SiC MOSFET 多管并联的大功率电驱开发（17mΩ/1200V TO-247 单管与 IVCR1412 配套）
• PFC 电源与图腾柱 PFC
• 开关电源 SMPS（AC/DC 与 DC/DC 转换器）
• 服务器 / 通信电源
• UPS 不间断电源
• 光伏 / 风能逆变器
• 电动汽车充电桩与充电站系统
• 电动汽车电机控制器
• 风机驱动

碳化硅(SiC)肖特基势垒二极管(SBD)，相对硅(Si)二极管具有更低导通损耗、更高的工作温度和开关频率，有利于提升整体系统效率。产品采用瞻芯自主 SiC SBD 工艺技术，采用复合型终端结构设计使雪崩击穿电压达 1600V 以上（6 英寸晶圆上实现 >90% 合格率），并采用新型三维元胞结构实现极低反向漏电：常温下漏电流 IR 典型值约 5uA@1200V，200℃ 极限高温下 IR 也仅约 50uA@1200V。可靠性方面通过 1000 小时 HV-H3TRB（85℃/85%RH/960V）与 1000h HV-HTRB 等严格测试（More Than JEDEC）。最大结温 175℃，具有高浪涌电流容量、极快反向恢复时间与正温度系数 VF，有利于并联时的电流均衡。

官方筛选器披露该族 VRRM 覆盖 650V / 1200V / 2000V；IF(150℃) 覆盖 2A~90A（含 2*30A 双芯型号）；IFSM(tp=10ms) 覆盖 31A~380A；VF(25℃) 典型 1.31V~1.55V；VF(175℃) 典型 1.48V~2.5V；封装含 Bare Die、TO220-2、TO252-2、TO263-2、TO247-3、TO247-2、TO252-3、DFN8x8。已确认型号：IV1D12040U3 为采用第1代 SiC SBD 工艺技术的 1200V 40A 产品，TO247-3 封装，具较低正向压降(Vf)、较高击穿电压(BV)与较小反向恢复电流，耐受较大浪涌电流；IV1D12040T2 为 1200V 40A SiC 肖特基二极管，最大结温 175℃，具高浪涌电流容量与极快反向恢复时间；IV1D12010T2 为 1200V 10A 型号，常温 IR 约 5uA@1200V、200℃ 下 IR 约 50uA@1200V，200℃ 关断损耗不超过 60mW；IV2D12060T2Z 为车规级 1200V 60A SiC SBD，TO247-2 封装，满足 AEC-Q101，最高工作结温 175℃，可承受 10ms 高达 300A 的浪涌电流冲击，VF 具正温度系数。

• 光伏升压变换器（Solar Power Boost）
• 逆变器续流二极管（Free Wheeling Diodes）
• Vienna 三相 PFC
• 充电桩模块（EV Charger Piles / Charging pile modules）
• 工业开关电源与通信电源（Switching Mode Power Supplies）
• 新能源汽车电子

瞻芯电子创新开发的模拟控制芯片，无需编程调试即可提供快速、精确和可靠的模拟控制信号，同时能克服多种应用中的技术难点，帮助快速开发高性能电源产品。代表产品 IVCC1102 是工业界首款全功能连续导通模式(CCM)图腾柱 PFC 模拟控制芯片，且仅为 16 脚封装，于 2022 年第一季度量产，荣获第八届“中国电源学会科学技术奖·优秀产品创新奖”。相比数字控制器，IVCC1102 采用自主专利的固定前馈比控制技术，可克服反向电流倒灌、平滑过零点电流控制、兼顾低总谐波失真(THD)与快电压环控制、抗雷击破坏等控制难点。

官方列表：IVCC1102DR 为 CCM 模式图腾柱模拟控制芯片，图腾柱(Totem-Pole)拓扑，SOIC-16 封装，状态 Not for new design；IVCC1102F4AR 为 CCM 模式图腾柱模拟控制芯片，图腾柱拓扑，QFN-20 (4x4) 封装，状态 Not for new design；IVCC1104DR 为 CCM 模式图腾柱模拟控制芯片，图腾柱拓扑，SOIC-16 封装，状态 Active；IVCC1104F4AR 为 CCM 模式图腾柱模拟控制芯片，图腾柱拓扑，QFN-20 (4x4) 封装，状态 Active。IVCC1104 为高速、精确、紧凑的图腾柱 PFC 控制器，提供 SOIC-16 与 QFN 4x4 20L 两种封装形式，为业界首款具全功能连续导通模式(CCM)控制的图腾柱 PFC 模拟控制器。IVCC1102 提供 SOIC-16L 与 4x4mm QFN-20L 两种封装，配套 2.5kW 图腾柱 PFC 参考设计。

• 通信电源
• 数据中心暨服务器电源
• 钛金级 / 铂金级高效率电源设计
• 图腾柱 PFC 功率因数校正（配合 650V SiC MOSFET 与比邻驱动 Nextdrive 栅极驱动芯片的整套方案）
• 高性能 AC/DC 开关电源