InventChip

Gamme principale de dispositifs de puissance d'InventChip. Par rapport aux MOSFET en silicium (Si), les MOSFET en carbure de silicium (SiC) offrent des pertes de conduction plus faibles, une vitesse de commutation et une frequence de fonctionnement plus elevees, ce qui les rend adaptes a des applications plus efficaces et plus compactes. Les produits couvrent les plateformes de procede MOSFET SiC de 1re generation (IV1Q), 2e generation (IV2Q) et 3e generation (IV3Q) ; la plupart des modeles sont qualifies automobile AEC-Q101 (le suffixe Z de la designation du modele indique AEC-Q101) et certaines puces nues (Bare Die) sont certifiees selon la norme JEDEC. Il existe egalement le dispositif innovant co-packagé IV3M12035T935, au boitier TO247-4Slim, qui integre un MOSFET SiC de 3e generation 1200 V / 35 mOhm et une diode Si ; il a ete developpe specifiquement pour les applications photovoltaiques et a recu le prix « Produit exceptionnel de l'annee » des Expert Aurora Awards 2025.

Les classes de tension couvrent 650 V / 750 V / 1200 V / 1400 V / 1700 V ; RDS(on)@25C couvre environ 11,5 mOhm~1 Ohm. Les specifications typiques de la serie 1200 V comprennent IV3Q12013T4Z (1200V/147A/13.5mOhm/22.5mOhm@175C/TO247-4), IV3Q12035T4Z (1200V/67A/35mOhm/57mOhm/TO247-4), IV3Q12021T4Z (1200V/102A/21mOhm/34.8mOhm/TO247-4), IV3Q12075QDZ (1200V/39A/68mOhm/112mOhm/QDPAK), IV2Q17020T4Z (1700V/94A/20mOhm/44mOhm/TO247-4), IV3Q07011T4Z (750V/167A/11.5mOhm/16mOhm/TO247-4), IV3Q06025T4Z (650V/92A/25mOhm/31.5mOhm/TO247-4), IV3Q06025K2Z (650V/92A/25mOhm/31.5mOhm/X2PAK) et IV3Q12035K1Z (1200V/68A/35mOhm/57mOhm/TC3Pak). Les types de boitiers comprennent TO247-4, TO247-4S, TO247-3, TO263-7, TOLL, TC3Pak, X2PAK, QDPAK et Bare Die (puces nues, designations contenant BD/BDY/BDB/BAG/BDG) ; suffixes des modeles automobiles : T9Z/T4Z/D7Z/K1Z/K2Z/QDZ correspondent a AEC-Q101, tandis que la serie BD correspond a JEDEC. Les MOSFET SiC 1200 V de 3e generation couvrent une plage de resistance de 10~150 mOhm. Les modeles a boitier TC3Pak pour montage en surface avec refroidissement par le dessus IV2Q12040K1Z et IV2Q12080K1Z prennent en charge une tension d'attaque de 15 V~18 V et sont deja certifies AEC-Q101.

• Onduleur de traction principal de vehicules a energie nouvelle (MOSFET SiC de 3e generation 1200 V 10/13 mOhm a grande puce)
• Chargeur embarque OBC
• Convertisseurs DC/DC pour vehicules electriques
• Compresseur de climatisation embarque / chauffage PTC
• Bornes de recharge / modules de charge
• Ondulation photovoltaique et elevation photovoltaique
• Systemes de stockage d'energie
• Alimentations UPS
• Alimentations pour serveurs / telecommunications
• Alimentations industrielles et machines a souder
• Entrainements de moteurs
• Energie pulsee et chauffage par induction

Les modules de puissance en carbure de silicium (SiC) combinent les avantages uniques des dispositifs SiC et de differents boitiers, permettant des conceptions systeme plus efficaces, plus compactes et plus simples. Les produits couvrent divers boitiers et topologies, notamment des modules demi-pont moules SMPD, des modules demi-pont en boitier 1B, des modules de pont triphase HPD, des modules standard SOT-227 (avec trois configurations internes : Single MOSFET, MOSFET+SBD et SBD in parallel) et des modules triphases moules TM. Parmi eux, le module demi-pont SiC moule SMPD a obtenu la qualification automobile AQG-324 et equipe l'OBC de vehicules a energie nouvelle ; le module de puissance SiC 2000 V est deja applique en serie dans de grandes centrales photovoltaiques ; l'IV1B12009HA2L reprend les memes dimensions exterieures que l'Easy 1B, ses puces internes etant montees sur un substrat ceramique cuivre DCB, ce qui assure une isolation interne et permet de le fixer directement au dissipateur sans pastille isolante ceramique supplementaire ; il integre egalement une thermistance NTC a coefficient de temperature negatif pour la surveillance de la temperature et une broche de source Kelvin integree afin de supprimer les pics de tension d'attaque lors de la commutation a grande vitesse.

Parametres officiels (tous avec Status: Active) : IVHD121M4TA3Z JEDEC 1200 V / 759 A, Tf=60C / 1,66 mOhm / Vth 2,8 V / pont triphase / HPD ; IVHD071M5TB3Z JEDEC 750 V / 660 A, Tf=60C / 1,73 mOhm / Vth 2,8 V / pont triphase / HPD ; IVSM12075HA3Z JEDEC 1200 V / 33 A, Tc=25C / 75 mOhm / 2,8 V / demi-pont / SMPD ; IVSM12035HA3Z JEDEC 1200 V / 61 A, Tc=25C / 35 mOhm / 2,8 V / demi-pont / SMPD ; IVSM06025HA2Z AEC-Q101 650 V / 72 A, Tc=100C / 25 mOhm / 2,8 V / demi-pont / SMPD (utilise des puces MOSFET SiC de 2e generation, boitier isole, refroidissement par le dessus pris en charge, deja certifie AQG-324) ; IV1B12009HA2L JEDEC 1200 V / 100 A, Tc=117C / 9 mOhm / 2,8 V / demi-pont / 1B (hauteur de boitier de seulement 12 mm, puces MOSFET SiC 1200 V a grille plane de 2e generation, tension d'amorcage +15 V~+18 V, tension de blocage -3,5 V~-2 V, courant nominal 100 A) ; IV1B12013HA1L JEDEC 1200 V / 96 A, Th=50C / 13 mOhm / 3,2 V / demi-pont / 1B ; IVTM12080TA1Z AEC-Q101 1200 V / 30 A, Tc=100C / 80 mOhm / 3,6 V / triphase / TM (moule) ; IVST12013MA3L JEDEC 1200 V / 96 A, Tc=100C / 13 mOhm / 2,8 V / MOSFET+SBD / SOT-227 ; IVST12017MA1L JEDEC 1200 V / 85 A, Tc=100C / 17 mOhm / 3,2 V / MOSFET+SBD / SOT-227 ; IVST12017SA1L JEDEC 1200 V / 85 A, Tc=100C / 17 mOhm / 3,2 V / Single MOSFET / SOT-227 ; IVST12050SA1L JEDEC 1200 V / 43 A, Tc=100C / 50 mOhm / 3,2 V / Single MOSFET / SOT-227 ; IVST12040DA1L 1200 V / 40 A, Tc=144C / SBD in parallel / SOT-227 ; IVST12080DA1L 1200 V / 80 A, Tc=136C / SBD in parallel / SOT-227 ; IVST12120DA1L 1200 V / 120 A, Tc=98C / SBD in parallel / SOT-227 ; IVST12160DA1L 1200 V / 160 A, Tc=98C / SBD in parallel / SOT-227. En outre, une serie de modules de puissance SiC 2000 V est deja en application de serie.

• Onduleur de traction principal de vehicules a energie nouvelle
• Chargeur embarque OBC (le module demi-pont SiC moule SMPD equipe deja l'OBC de modeles populaires de vehicules a energie nouvelle)
• Grandes centrales photovoltaiques (module de puissance SiC 2000 V)
• Onduleurs photovoltaiques et convertisseurs de stockage d'energie
• Bornes de recharge DC / modules de charge
• Convertisseurs DC-DC haute frequence et haute tension
• Alimentations sans interruption UPS
• Convertisseurs DC/DC pour vehicules electriques

La serie Nextdrive de circuits integres de pilote de grille dedies au SiC, developpee par innovation propre d'InventChip, est compacte, rapide et intelligente ; elle comprend des types a un ou deux canaux, differents niveaux d'isolation, une attaque a tension negative, une protection contre les courts-circuits et une suppression de l'effet Miller, afin de soutenir des conceptions systeme plus stables et plus efficaces. Les IVCR1401/IVCR1402 sont les premiers circuits integres de pilote de grille compacts, rapides et intelligents du secteur dedies aux MOSFET SiC ; ils conviennent aussi a l'attaque de grille cote haut en bootstrap, integrent une protection contre les courts-circuits par desaturation avec un temps de masquage integre, et offrent en outre un verrouillage de sous-tension (UVLO) et une signalisation de defaut. L'IVCR1412 est le premier circuit integre de pilote de grille du secteur a integrer une tension negative et une suppression de l'effet Miller dans un boitier extremement compact SOT23-6 ; sa sortie se comporte comme une quasi-source de courant, ce qui supprime le besoin d'une resistance de grille, et il peut etre monte au plus pres du transistor de puissance afin de minimiser l'inductance parasite de la boucle d'attaque de grille. L'IVCR2401 est un circuit integre de pilote de grille a double canal universel pour SiC/Si MOSFET/IGBT (boitier SOIC8, disponible avec ou sans pad thermique). Les IVCO1A0x forment une famille de circuits integres de pilote de grille monocanal isoles, deja en production de serie et certifies automobile AEC-Q100. Selon les informations publiees sur le site officiel, InventChip a livre au total environ 100 millions de circuits integres de pilote de grille.

IVCR1401 / IVCR1402 : boitier a 8 broches, compatible avec une large plage d'alimentation jusqu'a 35 V, courant de crete de source et de puits de 4 A, tension negative de -3,5 V integree en interne, protection integree contre les courts-circuits par desaturation (source de courant constant interne de 1 mA, seuil porte a 9,5 V, seuil de declenchement reglable par la resistance externe R1), UVLO et signalisation de defaut ; l'IVCR1402Q est la version automobile, certifiee AEC-Q100, integrant la generation de tension negative, la protection par desaturation et un UVLO programmable dans un boitier a 8 broches. IVCR1412 : boitier extremement compact SOT23-6, integre une tension negative et une suppression active de l'effet Miller ; sa sortie forte en tirage vers le bas supprime le besoin d'une resistance de grille. IVCR2401 : plage de tension d'entree 0-25 V, courant de crete de source et de puits de +/-4 A, deux sorties independantes, desalignement de retard typique entre les deux canaux de 1 ns, retard de propagation typique de 45 ns (maximum 80 ns), circuit de filtrage d'entree integre eliminant les glitches d'entree typiques de 20 ns, temperature de fonctionnement -40C~125C, deux boitiers SOIC-8 et SOIC-8 avec pad thermique (EP), prise en charge d'un mode a deux canaux en parallele. IVCR2404 : pilote de grille cote bas a double canal haute vitesse de 4 A. IVCO1A0x (IVCO1A01 sortie separee / IVCO1A02 clamp actif Miller) : monocanal isole, courant de crete de source de 8,5 A et courant de crete de puits de 10 A, tension de sortie maximale 36 V, UVLO integre, certifie AEC-Q100. IVCO1411 / IVCO1412 : pilotes de grille monocanal isoles, courant de crete de source et de puits de 4 A ; parmi eux, l'IVCO1412 (y compris la version IVCO1412DW a isolation integree et attaque a tension negative) est presente dans des articles officiels publics comme un « produit en cours de developpement » et conservera l'ensemble des fonctions de protection contre les courts-circuits / tension negative / bootstrap. Les champs de la page de liste officielle sont Isolation / Vcc / Channel / Iout / Negative bias / UVLO / Delay / Package / Status.

• Attaque du compresseur de climatisation embarque (les solutions basees sur l'IVCR1402 ont passe la validation stricte des clients et sont entrees en production de serie a bord de vehicules ; il existe aussi la solution IVCO1A02DW et la solution IVCR1402+IVCO1412DW)
• OBC embarque (Nextdrive IVCR1401/1402 associes a des MOSFET SiC 80 mOhm/1200 V en TO247-4 ou TO247-3)
• Chauffage PTC embarque
• Compresseurs de climatisation electriques
• Chargeurs de chariots elevateurs
• Developpement d'entrainements electriques de forte puissance avec plusieurs MOSFET SiC en parallele (dispositifs simples 17 mOhm/1200 V TO-247 associes a l'IVCR1412)
• Alimentations PFC et PFC de type totem-pole
• Alimentations a decoupage SMPS (convertisseurs AC/DC et DC/DC)
• Alimentations pour serveurs / telecommunications
• Alimentations sans interruption UPS
• Onduleurs photovoltaiques / eoliens
• Bornes de recharge et systemes de stations de recharge pour vehicules electriques
• Controleurs de moteur pour vehicules electriques
• Entrainements de ventilateurs

Les diodes a barriere Schottky (SBD) en carbure de silicium (SiC) presentent des pertes de conduction plus faibles ainsi qu'une temperature de fonctionnement et une frequence de commutation plus elevees que les diodes en silicium (Si), ce qui contribue a ameliorer le rendement global du systeme. Les produits utilisent la technologie de procede SiC SBD propre a InventChip ; une conception de structure de terminaison composite porte la tension de claquage par avalanche au-dessus de 1600 V (avec un rendement superieur a 90 % sur des plaques de 6 pouces), et une nouvelle structure de cellule tridimensionnelle permet un courant de fuite inverse extremement faible : a temperature ambiante, le courant de fuite typique IR est d'environ 5uA@1200V, et meme a la temperature extreme de 200C, l'IR n'est que d'environ 50uA@1200V. En matiere de fiabilite, elles passent des essais rigoureux tels que HV-H3TRB de 1000 heures (85C/85%RH/960V) et HV-HTRB de 1000 h (More Than JEDEC). La temperature de jonction maximale est de 175C, avec une forte capacite de courant de surcharge, un temps de recouvrement inverse extremement rapide et un coefficient de temperature positif de VF, ce qui favorise l'equilibrage des courants en parallele.

Le filtre officiel indique que le VRRM de cette famille couvre 650 V / 1200 V / 2000 V ; IF(150C) couvre 2 A~90 A (y compris des modeles a double puce de 2*30 A) ; IFSM(tp=10ms) couvre 31 A~380 A ; VF(25C) typiquement 1,31 V~1,55 V ; VF(175C) typiquement 1,48 V~2,5 V ; les boitiers comprennent Bare Die, TO220-2, TO252-2, TO263-2, TO247-3, TO247-2, TO252-3 et DFN8x8. Modeles confirmes : l'IV1D12040U3 est un produit 1200 V 40 A utilisant la technologie de procede SiC SBD de 1re generation en boitier TO247-3, avec une plus faible chute de tension directe (Vf), une tension de claquage (BV) plus elevee et un courant de recouvrement inverse plus faible, et il supporte de forts courants de surcharge ; l'IV1D12040T2 est une diode Schottky SiC 1200 V 40 A avec une temperature de jonction maximale de 175C, une forte capacite de courant de surcharge et un temps de recouvrement inverse extremement rapide ; l'IV1D12010T2 est un modele 1200 V 10 A avec un IR a temperature ambiante d'environ 5uA@1200V et un IR d'environ 50uA@1200V a 200C, et des pertes de blocage a 200C ne depassant pas 60mW ; l'IV2D12060T2Z est une SiC SBD 1200 V 60 A de qualite automobile, en boitier TO247-2, conforme AEC-Q101, avec une temperature de jonction de fonctionnement maximale de 175C, capable de supporter des chocs de courant de surcharge allant jusqu'a 300 A pendant 10 ms, avec un coefficient de temperature positif de VF.

• Convertisseurs elevateurs photovoltaiques (Solar Power Boost)
• Diodes de roue libre d'onduleurs
• PFC triphase Vienna
• Bornes de recharge pour vehicules electriques / modules de bornes de recharge
• Alimentations a decoupage industrielles et alimentations pour telecommunications
• Electronique des vehicules a energie nouvelle

Les circuits integres de controle analogique developpes par innovation propre d'InventChip fournissent des signaux de controle analogiques rapides, precis et fiables sans necessiter de programmation ni de mise au point, tout en surmontant des difficultes techniques dans diverses applications et en aidant a developper rapidement des produits d'alimentation haute performance. Le produit representatif IVCC1102 est le premier circuit integre de controle analogique PFC de type totem-pole en mode de conduction continue (CCM) pleinement fonctionnel du secteur, et ce dans un boitier de seulement 16 broches ; il est entre en production de serie au premier trimestre 2022 et a recu le prix « Innovation en produits exceptionnels » du 8e Prix de science et technologie de la Societe chinoise des sources d'alimentation. Par rapport aux controleurs numeriques, l'IVCC1102 utilise une technique brevetee de controle a rapport d'anticipation fixe, qui surmonte des difficultes de controle telles que le reflux de courant inverse, le controle fluide du courant au passage par zero, l'obtention simultanee d'un faible taux de distorsion harmonique totale (THD) et d'une boucle de tension rapide, ainsi que la resistance aux dommages causes par la foudre.

Liste officielle : l'IVCC1102DR est un circuit integre de controle analogique totem-pole en mode CCM, topologie totem-pole, boitier SOIC-16, statut Not for new design ; l'IVCC1102F4AR est un circuit integre de controle analogique totem-pole en mode CCM, topologie totem-pole, boitier QFN-20 (4x4), statut Not for new design ; l'IVCC1104DR est un circuit integre de controle analogique totem-pole en mode CCM, topologie totem-pole, boitier SOIC-16, statut Active ; l'IVCC1104F4AR est un circuit integre de controle analogique totem-pole en mode CCM, topologie totem-pole, boitier QFN-20 (4x4), statut Active. L'IVCC1104 est un controleur PFC totem-pole rapide, precis et compact propose en deux types de boitiers, SOIC-16 et QFN 4x4 20L, et constitue le premier controleur analogique PFC totem-pole du secteur disposant d'un controle complet en mode de conduction continue (CCM). L'IVCC1102 est propose en deux boitiers, SOIC-16L et QFN-20L de 4x4 mm, et est livre avec un design de reference PFC totem-pole de 2,5 kW.

• Alimentations pour telecommunications
• Alimentations pour centres de donnees et serveurs
• Conceptions d'alimentations haute efficacite de niveau Titanium / Platinum
• Correction du facteur de puissance PFC de type totem-pole (solution complete associee a des MOSFET SiC 650 V et aux circuits integres de pilote de grille Nextdrive)
• Alimentations a decoupage AC/DC haute performance