InventChip

Linea principal de dispositivos de potencia de InventChip. En comparacion con los MOSFET de silicio (Si), los MOSFET de carburo de silicio (SiC) presentan menores perdidas de conduccion, mayor velocidad de conmutacion y mayor frecuencia de funcionamiento, por lo que resultan adecuados para escenarios de aplicacion mas eficientes y compactos. Los productos abarcan las plataformas de proceso de MOSFET de SiC de 1.ª generacion (IV1Q), 2.ª generacion (IV2Q) y 3.ª generacion (IV3Q); la mayoria de los modelos cuentan con la certificacion automotriz AEC-Q101 (el sufijo Z en la designacion del modelo indica AEC-Q101) y algunos chips desnudos (bare die) estan certificados conforme a la norma JEDEC. Tambien existe el innovador dispositivo coempaquetado IV3M12035T935, con encapsulado TO247-4Slim, que integra un MOSFET de SiC de 3.ª generacion de 1200 V y 35 mOhm con un diodo de Si; fue desarrollado especificamente para aplicaciones fotovoltaicas y obtuvo el premio «Producto Excelente del Ano» de los Expert Aurora Awards 2025.

Los niveles de tension cubren 650 V / 750 V / 1200 V / 1400 V / 1700 V; RDS(on)@25C cubre aproximadamente 11,5 mOhm~1 Ohm. Las especificaciones tipicas de la serie de 1200 V incluyen IV3Q12013T4Z (1200V/147A/13,5mOhm/22,5mOhm@175C/TO247-4), IV3Q12035T4Z (1200V/67A/35mOhm/57mOhm/TO247-4), IV3Q12021T4Z (1200V/102A/21mOhm/34,8mOhm/TO247-4), IV3Q12075QDZ (1200V/39A/68mOhm/112mOhm/QDPAK), IV2Q17020T4Z (1700V/94A/20mOhm/44mOhm/TO247-4), IV3Q07011T4Z (750V/167A/11,5mOhm/16mOhm/TO247-4), IV3Q06025T4Z (650V/92A/25mOhm/31,5mOhm/TO247-4), IV3Q06025K2Z (650V/92A/25mOhm/31,5mOhm/X2PAK) e IV3Q12035K1Z (1200V/68A/35mOhm/57mOhm/TC3Pak). Los tipos de encapsulado incluyen TO247-4, TO247-4S, TO247-3, TO263-7, TOLL, TC3Pak, X2PAK, QDPAK y Bare Die (chip desnudo, designaciones que contienen BD/BDY/BDB/BAG/BDG); sufijos de modelos automotrices: T9Z/T4Z/D7Z/K1Z/K2Z/QDZ corresponden a AEC-Q101, mientras que la serie BD es JEDEC. Los MOSFET de SiC de 1200 V de 3.ª generacion cubren un rango de resistencia de 10~150 mOhm. Los modelos con encapsulado de montaje superficial con disipacion superior TC3Pak IV2Q12040K1Z e IV2Q12080K1Z admiten tension de excitacion de 15 V~18 V y ya cuentan con certificacion AEC-Q101.

• Inversor de traccion principal de vehiculos de nueva energia (MOSFET de SiC de 3.ª generacion 1200 V, 10 mOhm/13 mOhm, chip grande)
• Cargador de a bordo OBC
• Convertidores CC/CC para vehiculos electricos
• Compresor de aire acondicionado a bordo / calefaccion PTC
• Postes de carga / modulos de carga
• Inversion fotovoltaica y elevacion fotovoltaica
• Sistemas de almacenamiento de energia
• Fuentes de alimentacion UPS
• Fuentes de alimentacion para servidores / telecomunicaciones
• Fuentes de alimentacion industriales y maquinas de soldar
• Accionamientos de motor
• Energia pulsada y calentamiento por induccion

Los modulos de potencia de carburo de silicio (SiC) combinan las ventajas unicas de los dispositivos de SiC y de los distintos encapsulados, lo que permite disenos de sistema mas eficientes, compactos y sencillos. Los productos abarcan diversos encapsulados y topologias, como modulos semipuente encapsulados SMPD, modulos semipuente con encapsulado 1B, modulos de puente trifasico HPD, modulos estandar SOT-227 (con tres configuraciones internas: Single MOSFET, MOSFET+SBD y SBD in parallel) y modulos trifasicos encapsulados TM. Entre ellos, el modulo semipuente SiC encapsulado SMPD ha superado la certificacion automotriz AQG-324 y se utiliza en el OBC de vehiculos de nueva energia; el modulo de potencia SiC de 2000 V se ha aplicado en serie en grandes plantas fotovoltaicas; el IV1B12009HA2L utiliza las mismas dimensiones externas que el Easy 1B, con sus chips internos montados sobre un sustrato ceramico con cobre DCB, lo que proporciona aislamiento interno y permite fijarlo directamente al disipador sin necesidad de una almohadilla aislante ceramica adicional; ademas integra un termistor NTC de coeficiente negativo de temperatura para la monitorizacion de temperatura y un pin de fuente Kelvin incorporado para suprimir los picos de tension de excitacion durante la conmutacion a alta velocidad.

Parametros oficiales (todos con Status: Active): IVHD121M4TA3Z JEDEC 1200 V / 759 A, Tf=60C / 1,66 mOhm / Vth 2,8 V / puente trifasico / HPD; IVHD071M5TB3Z JEDEC 750 V / 660 A, Tf=60C / 1,73 mOhm / Vth 2,8 V / puente trifasico / HPD; IVSM12075HA3Z JEDEC 1200 V / 33 A, Tc=25C / 75 mOhm / 2,8 V / semipuente / SMPD; IVSM12035HA3Z JEDEC 1200 V / 61 A, Tc=25C / 35 mOhm / 2,8 V / semipuente / SMPD; IVSM06025HA2Z AEC-Q101 650 V / 72 A, Tc=100C / 25 mOhm / 2,8 V / semipuente / SMPD (utiliza chips MOSFET de SiC de 2.ª generacion, encapsulado aislado, admite disipacion superior, ya certificado AQG-324); IV1B12009HA2L JEDEC 1200 V / 100 A, Tc=117C / 9 mOhm / 2,8 V / semipuente / 1B (altura externa de solo 12 mm, chips MOSFET de SiC de 1200 V de puerta planar de 2.ª generacion, tension de encendido +15 V~+18 V, tension de apagado -3,5 V~-2 V, corriente nominal 100 A); IV1B12013HA1L JEDEC 1200 V / 96 A, Th=50C / 13 mOhm / 3,2 V / semipuente / 1B; IVTM12080TA1Z AEC-Q101 1200 V / 30 A, Tc=100C / 80 mOhm / 3,6 V / trifasico / TM (encapsulado); IVST12013MA3L JEDEC 1200 V / 96 A, Tc=100C / 13 mOhm / 2,8 V / MOSFET+SBD / SOT-227; IVST12017MA1L JEDEC 1200 V / 85 A, Tc=100C / 17 mOhm / 3,2 V / MOSFET+SBD / SOT-227; IVST12017SA1L JEDEC 1200 V / 85 A, Tc=100C / 17 mOhm / 3,2 V / Single MOSFET / SOT-227; IVST12050SA1L JEDEC 1200 V / 43 A, Tc=100C / 50 mOhm / 3,2 V / Single MOSFET / SOT-227; IVST12040DA1L 1200 V / 40 A, Tc=144C / SBD in parallel / SOT-227; IVST12080DA1L 1200 V / 80 A, Tc=136C / SBD in parallel / SOT-227; IVST12120DA1L 1200 V / 120 A, Tc=98C / SBD in parallel / SOT-227; IVST12160DA1L 1200 V / 160 A, Tc=98C / SBD in parallel / SOT-227. Ademas, la serie de modulos de potencia SiC de 2000 V ya se aplica en serie.

• Inversor de traccion principal de vehiculos de nueva energia
• Cargador de a bordo OBC (el modulo semipuente SiC encapsulado SMPD ya se utiliza en el OBC de populares modelos de vehiculos de nueva energia)
• Grandes plantas fotovoltaicas (modulo de potencia SiC de 2000 V)
• Inversores fotovoltaicos y convertidores de almacenamiento de energia
• Postes de carga CC / modulos de carga
• Convertidores CC-CC de alta frecuencia y alta tension
• Fuentes de alimentacion ininterrumpida UPS
• Convertidores CC/CC para vehiculos electricos

La serie Nextdrive de circuitos integrados de controlador de puerta especificos para SiC, desarrollada mediante innovacion propia por InventChip, es compacta, rapida e inteligente, e incluye tipos de uno o dos canales, distintos niveles de aislamiento, excitacion con tension negativa, proteccion contra cortocircuito y supresion del efecto Miller, para soportar disenos de sistema mas estables y eficientes. Los IVCR1401/IVCR1402 son los primeros circuitos integrados de controlador de puerta compactos, rapidos e inteligentes del sector dedicados a MOSFET de SiC; tambien son aptos para la excitacion de puerta de lado alto con bootstrap, integran proteccion de cortocircuito por desaturacion con tiempo de enmascaramiento incorporado y ademas ofrecen bloqueo por baja tension (UVLO) y aviso de fallo. El IVCR1412 es el primer circuito integrado de controlador de puerta del sector que integra tension negativa y supresion del efecto Miller en un encapsulado extremadamente compacto SOT23-6; su salida se comporta como una fuente de corriente cuasi ideal, lo que elimina la necesidad de resistencia de puerta, y puede montarse cerca del transistor de potencia para minimizar la inductancia parastia del bucle de excitacion de puerta. El IVCR2401 es un circuito integrado de controlador de puerta de doble canal de uso general para SiC/Si MOSFET/IGBT (encapsulado SOIC8, disponible con o sin pad termico). Los IVCO1A0x son una familia de circuitos integrados de controlador de puerta de un solo canal con aislamiento, ya en produccion en serie y con certificacion automotriz AEC-Q100. Segun lo divulgado en el sitio web oficial, InventChip ha entregado de forma acumulada unos 100 millones de circuitos integrados de controlador de puerta.

IVCR1401 / IVCR1402: encapsulado de 8 pines, compatible con un amplio rango de alimentacion de hasta 35 V, corriente de pico de fuente y sumidero de 4 A, tension negativa de -3,5 V integrada internamente, proteccion integrada de cortocircuito por desaturacion (fuente de corriente constante interna de 1 mA, umbral elevado a 9,5 V, umbral de disparo ajustable mediante R1 externa), UVLO y aviso de fallo; el IVCR1402Q es la version automotriz, certificada AEC-Q100, que integra generacion de tension negativa, proteccion por desaturacion y UVLO programable en un encapsulado de 8 pines. IVCR1412: encapsulado extremadamente compacto SOT23-6, integra tension negativa y supresion activa del efecto Miller; su salida de fuerte pull-down elimina la necesidad de resistencia de puerta. IVCR2401: rango de tension de entrada 0-25 V, proporciona +/-4 A de corriente de pico de fuente y sumidero, doble salida independiente, desajuste tipico de retardo entre canales de 1 ns, retardo de propagacion tipico de 45 ns (maximo 80 ns), circuito de filtrado de entrada integrado que elimina glitches de entrada tipicos de 20 ns, temperatura de funcionamiento -40C~125C, dos opciones de encapsulado SOIC-8 y SOIC-8 con pad termico (EP), admite modo de dos canales en paralelo. IVCR2404: controlador de puerta de lado bajo de alta velocidad y doble canal de 4 A. IVCO1A0x (IVCO1A01 salida separada / IVCO1A02 clamp activo Miller): de un solo canal aislado, 8,5 A de corriente de pico de fuente y 10 A de corriente de pico de sumidero, tension de salida maxima 36 V, UVLO integrado, certificado AEC-Q100. IVCO1411 / IVCO1412: controladores de puerta de un solo canal con aislamiento, 4 A de corriente de pico de fuente y sumidero; de ellos, el IVCO1412 (incluida la version IVCO1412DW con aislamiento integrado y excitacion con tension negativa) se describe en articulos oficiales publicos como "producto en desarrollo" y conservara la funcionalidad completa de proteccion contra cortocircuito / tension negativa / bootstrap. Los campos de la pagina oficial de listado son Isolation / Vcc / Channel / Iout / Negative bias / UVLO / Delay / Package / Status.

• Accionamiento del compresor de aire acondicionado a bordo (las soluciones basadas en el IVCR1402 han superado la estricta validacion del cliente y han entrado en produccion en serie en vehiculos; tambien existen la solucion IVCO1A02DW y la solucion IVCR1402+IVCO1412DW)
• OBC a bordo (Nextdrive IVCR1401/1402 combinados con MOSFET de SiC de 80 mOhm/1200 V en TO247-4 o TO247-3)
• Calefaccion PTC a bordo
• Compresores de aire acondicionado electricos
• Cargadores de carretillas elevadoras
• Desarrollo de accionamientos electricos de alta potencia con varios MOSFET de SiC en paralelo (dispositivos individuales de 17 mOhm/1200 V TO-247 combinados con el IVCR1412)
• Fuentes de alimentacion PFC y PFC de tipo totem-pole
• Fuentes de alimentacion conmutadas SMPS (convertidores CA/CC y CC/CC)
• Fuentes de alimentacion para servidores / telecomunicaciones
• Fuentes de alimentacion ininterrumpida UPS
• Inversores fotovoltaicos / eolicos
• Postes de carga y sistemas de estaciones de carga para vehiculos electricos
• Controladores de motor para vehiculos electricos
• Accionamientos de ventiladores

Los diodos de barrera Schottky (SBD) de carburo de silicio (SiC) presentan menores perdidas de conduccion y mayor temperatura de funcionamiento y frecuencia de conmutacion que los diodos de silicio (Si), lo que contribuye a mejorar la eficiencia global del sistema. Los productos emplean la tecnologia de proceso SiC SBD propia de InventChip; un diseno de estructura de terminacion compuesta eleva la tension de ruptura por avalancha por encima de 1600 V (logrando un rendimiento superior al 90 % en obleas de 6 pulgadas), y una novedosa estructura de celda tridimensional logra una fuga inversa extremadamente baja: a temperatura ambiente la corriente de fuga tipica IR es de unos 5 uA@1200V, e incluso a la temperatura extrema de 200C la IR es de solo unos 50 uA@1200V. En cuanto a fiabilidad, superan ensayos estrictos como HV-H3TRB de 1000 horas (85C/85%RH/960V) y HV-HTRB de 1000 h (More Than JEDEC). La temperatura de union maxima es de 175C, con alta capacidad de corriente de pico, tiempo de recuperacion inversa extremadamente rapido y coeficiente de temperatura positivo de VF, lo que favorece el reparto de corriente en paralelo.

El filtro oficial revela que el VRRM de esta familia cubre 650 V / 1200 V / 2000 V; IF(150C) cubre 2 A~90 A (incluidos modelos de doble chip de 2*30 A); IFSM(tp=10ms) cubre 31 A~380 A; VF(25C) tipico 1,31 V~1,55 V; VF(175C) tipico 1,48 V~2,5 V; los encapsulados incluyen Bare Die, TO220-2, TO252-2, TO263-2, TO247-3, TO247-2, TO252-3 y DFN8x8. Modelos confirmados: IV1D12040U3 es un producto de 1200 V 40 A que utiliza tecnologia de proceso SiC SBD de 1.ª generacion en encapsulado TO247-3, con menor caida de tension directa (Vf), mayor tension de ruptura (BV) y menor corriente de recuperacion inversa, y soporta grandes corrientes de pico; IV1D12040T2 es un diodo Schottky de SiC de 1200 V 40 A con temperatura de union maxima de 175C, alta capacidad de corriente de pico y tiempo de recuperacion inversa extremadamente rapido; IV1D12010T2 es un modelo de 1200 V 10 A con IR a temperatura ambiente de unos 5 uA@1200V e IR de unos 50 uA@1200V a 200C, y perdidas de apagado a 200C no superiores a 60 mW; IV2D12060T2Z es un SiC SBD de 1200 V 60 A de grado automotriz, encapsulado TO247-2, conforme a AEC-Q101, con temperatura de union de funcionamiento maxima de 175C, capaz de soportar impactos de corriente de pico de hasta 300 A durante 10 ms, y con coeficiente de temperatura positivo de VF.

• Convertidores elevadores fotovoltaicos (Solar Power Boost)
• Diodos de rueda libre de inversores
• PFC trifasico Vienna
• Postes de carga para vehiculos electricos / modulos de postes de carga
• Fuentes de alimentacion conmutadas industriales y fuentes de alimentacion para telecomunicaciones
• Electronica de vehiculos de nueva energia

Los circuitos integrados de control analogico desarrollados con innovacion por InventChip proporcionan senales de control analogicas rapidas, precisas y fiables sin necesidad de programacion ni depuracion, al tiempo que superan dificultades tecnicas en diversas aplicaciones y ayudan a desarrollar rapidamente productos de alimentacion de alto rendimiento. El producto representativo IVCC1102 es el primer circuito integrado de control analogico de PFC de tipo totem-pole en modo de conduccion continua (CCM) con todas las funciones del sector, y ademas en un encapsulado de solo 16 pines; entro en produccion en serie en el primer trimestre de 2022 y obtuvo el premio «Premio a la Innovacion en Productos Excelentes» del 8.º Premio de Ciencia y Tecnologia de la Sociedad China de Fuentes de Alimentacion. En comparacion con los controladores digitales, el IVCC1102 emplea una tecnica patentada de control de relacion de prealimentacion fija, que supera dificultades de control como el reflujo de corriente inversa, el control suave de la corriente en el cruce por cero, la consecucion simultanea de baja distorsion armonica total (THD) y un lazo de tension rapido, y la resistencia a danos por descargas atmosfericas.

Listado oficial: IVCC1102DR es un circuito integrado de control analogico de tipo totem-pole en modo CCM, topologia totem-pole, encapsulado SOIC-16, estado Not for new design; IVCC1102F4AR es un circuito integrado de control analogico de tipo totem-pole en modo CCM, topologia totem-pole, encapsulado QFN-20 (4x4), estado Not for new design; IVCC1104DR es un circuito integrado de control analogico de tipo totem-pole en modo CCM, topologia totem-pole, encapsulado SOIC-16, estado Active; IVCC1104F4AR es un circuito integrado de control analogico de tipo totem-pole en modo CCM, topologia totem-pole, encapsulado QFN-20 (4x4), estado Active. El IVCC1104 es un controlador PFC de tipo totem-pole rapido, preciso y compacto que se ofrece en dos tipos de encapsulado, SOIC-16 y QFN 4x4 20L, y es el primer controlador analogico PFC de tipo totem-pole del sector con control completo en modo de conduccion continua (CCM). El IVCC1102 se ofrece en dos encapsulados, SOIC-16L y QFN-20L de 4x4 mm, y se suministra con un diseno de referencia de PFC de tipo totem-pole de 2,5 kW.

• Fuentes de alimentacion para telecomunicaciones
• Fuentes de alimentacion para centros de datos y servidores
• Disenos de fuentes de alimentacion de alta eficiencia de nivel Titanium / Platinum
• Correccion del factor de potencia PFC de tipo totem-pole (solucion completa junto con MOSFET de SiC de 650 V y circuitos integrados de controlador de puerta Nextdrive)
• Fuentes de alimentacion conmutadas CA/CC de alto rendimiento