InventChip

الخط الأساسي لأجهزة الطاقة لدى InventChip. مقارنةً بترانزستورات موسفت من السيليكون (Si)، تتميز ترانزستورات موسفت من كربيد السيليكون (SiC) بخسائر توصيل أقل وسرعة تبديل أعلى وتردد تشغيل أعلى، مما يجعلها مناسبة لسيناريوهات تطبيقية أكثر كفاءة وإحكاماً. تغطي المنتجات منصات عمليات موسفت SiC من الجيل الأول (IV1Q) والجيل الثاني (IV2Q) والجيل الثالث (IV3Q)، ومعظم الطُرز حاصلة على اعتماد السيارات AEC-Q101 (اللاحقة Z في رمز الطراز تشير إلى AEC-Q101)، وبعض الرقائق العارية معتمدة وفق معيار JEDEC. كما يتوفر الجهاز المبتكر IV3M12035T935 المُغلف تغليفاً مشتركاً بحزمة TO247-4Slim، والذي يدمج موسفت SiC من الجيل الثالث بقدرة 1200 فولت و35 ملي أوم مع صمام ثنائي من السيليكون؛ وقد طُوِّر خصيصاً للتطبيقات الكهروضوئية وحصل على جائزة «المنتج المتميز للعام» في جوائز إكسبيرت أورورا 2025.

تغطي فئات الجهد 650 فولت / 750 فولت / 1200 فولت / 1400 فولت / 1700 فولت؛ ويغطي RDS(on)@25C حوالي 11.5 ملي أوم ~ 1 أوم. تشمل المواصفات النموذجية لسلسلة 1200 فولت كلاً من IV3Q12013T4Z (1200V/147A/13.5mOhm/22.5mOhm@175C/TO247-4) و IV3Q12035T4Z (1200V/67A/35mOhm/57mOhm/TO247-4) و IV3Q12021T4Z (1200V/102A/21mOhm/34.8mOhm/TO247-4) و IV3Q12075QDZ (1200V/39A/68mOhm/112mOhm/QDPAK) و IV2Q17020T4Z (1700V/94A/20mOhm/44mOhm/TO247-4) و IV3Q07011T4Z (750V/167A/11.5mOhm/16mOhm/TO247-4) و IV3Q06025T4Z (650V/92A/25mOhm/31.5mOhm/TO247-4) و IV3Q06025K2Z (650V/92A/25mOhm/31.5mOhm/X2PAK) و IV3Q12035K1Z (1200V/68A/35mOhm/57mOhm/TC3Pak). تشمل أنواع الحزم TO247-4 و TO247-4S و TO247-3 و TO263-7 و TOLL و TC3Pak و X2PAK و QDPAK والرقاقة العارية (برموز تحتوي على BD/BDY/BDB/BAG/BDG)؛ لاحقات الطُرز الخاصة بالسيارات: T9Z/T4Z/D7Z/K1Z/K2Z/QDZ تعني AEC-Q101، بينما سلسلة BD فهي JEDEC. تغطي موسفت SiC من الجيل الثالث 1200 فولت نطاق مقاومة من 10 إلى 150 ملي أوم. الطرازان IV2Q12040K1Z و IV2Q12080K1Z بحزمة TC3Pak للتركيب السطحي مع تبريد من الأعلى يدعمان جهد قيادة من 15 فولت إلى 18 فولت وحاصلة بالفعل على اعتماد AEC-Q101.

• عاكس الدفع الرئيسي لمركبات الطاقة الجديدة (موسفت SiC من الجيل الثالث 1200 فولت 10/13 ملي أوم برقاقة كبيرة)
• شاحن على متن المركبة OBC
• محولات التيار المستمر/المستمر للسيارات الكهربائية
• ضاغط مكيف الهواء على المتن / تسخين PTC
• أعمدة الشحن / وحدات الشحن
• العاكس الكهروضوئي ورفع الجهد الكهروضوئي
• أنظمة تخزين الطاقة
• مصادر طاقة UPS
• مصادر طاقة الخوادم / الاتصالات
• مصادر الطاقة الصناعية وآلات اللحام
• قيادة المحركات
• الطاقة النبضية والتسخين بالحث

تجمع وحدات الطاقة من كربيد السيليكون (SiC) بين المزايا الفريدة لأجهزة SiC وللحزم المختلفة، مما يدعم تصاميم أنظمة أكثر كفاءة وإحكاماً وبساطة. تغطي المنتجات مجموعة متنوعة من الحزم والطوبولوجيات، بما في ذلك وحدات نصف الجسر المُغلفة SMPD، ووحدات نصف الجسر بحزمة 1B، ووحدات الجسر ثلاثي الأطوار HPD، ووحدات SOT-227 القياسية (بثلاث تهيئات داخلية: Single MOSFET و MOSFET+SBD و SBD in parallel)، ووحدات ثلاثية الأطوار مُغلفة TM. وقد اجتازت وحدة نصف الجسر SiC المُغلفة SMPD اعتماد السيارات AQG-324 وتُستخدم في شاحن OBC لمركبات الطاقة الجديدة؛ كما طُبقت وحدة الطاقة SiC بقدرة 2000 فولت على نطاق واسع في محطات الطاقة الكهروضوئية الكبيرة؛ ويستخدم IV1B12009HA2L نفس الأبعاد الخارجية لـ Easy 1B، مع تركيب رقائقه الداخلية على ركيزة سيراميكية مكسوة بالنحاس DCB توفر عزلاً داخلياً بحيث يمكن تثبيته مباشرة على المشتت الحراري دون حشوة عزل سيراميكية إضافية، كما يدمج ثرمستور NTC بمعامل حراري سالب لمراقبة درجة الحرارة، ومِسنّ مصدر كلفن مدمج لكبح قمم جهد القيادة أثناء التبديل عالي السرعة.

المعاملات الرسمية (وجميعها بحالة Active): IVHD121M4TA3Z JEDEC 1200V / 759A، Tf=60C / 1.66mOhm / Vth 2.8V / جسر ثلاثي الأطوار / HPD؛ IVHD071M5TB3Z JEDEC 750V / 660A، Tf=60C / 1.73mOhm / Vth 2.8V / جسر ثلاثي الأطوار / HPD؛ IVSM12075HA3Z JEDEC 1200V / 33A، Tc=25C / 75mOhm / 2.8V / نصف جسر / SMPD؛ IVSM12035HA3Z JEDEC 1200V / 61A، Tc=25C / 35mOhm / 2.8V / نصف جسر / SMPD؛ IVSM06025HA2Z AEC-Q101 650V / 72A، Tc=100C / 25mOhm / 2.8V / نصف جسر / SMPD (يستخدم رقائق موسفت SiC من الجيل الثاني، بحزمة معزولة، ويدعم التبريد من الأعلى، وحاصل على اعتماد AQG-324)؛ IV1B12009HA2L JEDEC 1200V / 100A، Tc=117C / 9mOhm / 2.8V / نصف جسر / 1B (ارتفاع الحزمة 12 مم فقط، رقائق موسفت SiC 1200 فولت ببوابة مستوية من الجيل الثاني، جهد التشغيل +15V~+18V، جهد الإيقاف -3.5V~-2V، التيار المقنن 100A)؛ IV1B12013HA1L JEDEC 1200V / 96A، Th=50C / 13mOhm / 3.2V / نصف جسر / 1B؛ IVTM12080TA1Z AEC-Q101 1200V / 30A، Tc=100C / 80mOhm / 3.6V / ثلاثي الأطوار / TM (مُغلف)؛ IVST12013MA3L JEDEC 1200V / 96A، Tc=100C / 13mOhm / 2.8V / MOSFET+SBD / SOT-227؛ IVST12017MA1L JEDEC 1200V / 85A، Tc=100C / 17mOhm / 3.2V / MOSFET+SBD / SOT-227؛ IVST12017SA1L JEDEC 1200V / 85A، Tc=100C / 17mOhm / 3.2V / Single MOSFET / SOT-227؛ IVST12050SA1L JEDEC 1200V / 43A، Tc=100C / 50mOhm / 3.2V / Single MOSFET / SOT-227؛ IVST12040DA1L 1200V / 40A، Tc=144C / SBD in parallel / SOT-227؛ IVST12080DA1L 1200V / 80A، Tc=136C / SBD in parallel / SOT-227؛ IVST12120DA1L 1200V / 120A، Tc=98C / SBD in parallel / SOT-227؛ IVST12160DA1L 1200V / 160A، Tc=98C / SBD in parallel / SOT-227. إضافةً إلى ذلك، فإن سلسلة وحدات الطاقة SiC بقدرة 2000 فولت مطبقة بالفعل على نطاق واسع.

• عاكس الدفع الرئيسي لمركبات الطاقة الجديدة
• شاحن على متن المركبة OBC (وحدة نصف الجسر SiC المُغلفة SMPD مُستخدمة بالفعل في OBC لطرز شائعة من مركبات الطاقة الجديدة)
• محطات الطاقة الكهروضوئية الكبيرة (وحدة طاقة SiC بقدرة 2000 فولت)
• عاكسات كهروضوئية ومحولات تخزين الطاقة
• أعمدة الشحن بالتيار المستمر / وحدات الشحن
• محولات DC-DC عالية التردد وعالية الجهد
• مصادر الطاقة غير المنقطعة UPS
• محولات التيار المستمر/المستمر للسيارات الكهربائية

سلسلة Nextdrive من الدوائر المتكاملة لبوابة التشغيل الخاصة بـ SiC، التي طوّرتها InventChip بابتكار ذاتي، تتميز بالإحكام والسرعة والذكاء، وتشمل أنواعاً أحادية وثنائية القناة وبمستويات عزل مختلفة وقيادة بجهد سالب وحماية من القصر الكهربائي وكبت تأثير ميلر، لدعم تصاميم أنظمة أكثر استقراراً وكفاءة. تُعد IVCR1401/IVCR1402 أول دوائر متكاملة مضغوطة وعالية السرعة وذكية في القطاع مخصصة لموسفت SiC؛ وهي مناسبة أيضاً لقيادة البوابة في الجهة العالية بنمط bootstrap، وتدمج حماية القصر الكهربائي بإزالة التشبع مع زمن إخفاء مدمج، كما توفر قفل الجهد المنخفض (UVLO) وتنبيه الأعطال. أما IVCR1412 فهو أول دائرة متكاملة لبوابة التشغيل في القطاع تدمج الجهد السالب وكبت تأثير ميلر في حزمة SOT23-6 بالغة الإحكام؛ ويعمل خرجه كمصدر تيار شبه مثالي فيُغني عن مقاومة البوابة، ويمكن تركيبه قريباً من ترانزستور القدرة لتقليل المحاثة الشاردة في حلقة قيادة البوابة. وIVCR2401 هي دائرة متكاملة عامة ثنائية القناة لقيادة بوابة SiC/Si MOSFET/IGBT (بحزمة SOIC8، متوفرة مع أو بدون وسادة حرارية). أما IVCO1A0x فهي عائلة من الدوائر المتكاملة أحادية القناة المعزولة لقيادة البوابة، وهي في الإنتاج الكمي وحاصلة على اعتماد السيارات AEC-Q100. ووفقاً لما هو معلن على الموقع الرسمي، فقد سلّمت InventChip تراكمياً نحو 100 مليون دائرة متكاملة لقيادة البوابة.

IVCR1401 / IVCR1402: حزمة بـ 8 أطراف، متوافقة مع نطاق تغذية واسع يصل إلى 35 فولت، تيار ذروة مصدري وحوضي 4 أمبير، جهد سالب مدمج -3.5 فولت، حماية مدمجة من القصر بإزالة التشبع (مصدر تيار ثابت داخلي 1 مللي أمبير، وعتبة مرفوعة إلى 9.5 فولت، ويمكن ضبط عتبة التشغيل عبر المقاومة الخارجية R1)، مع UVLO وتنبيه الأعطال؛ وIVCR1402Q هو الإصدار الخاص بالسيارات، حاصل على اعتماد AEC-Q100، ويدمج توليد الجهد السالب وحماية إزالة التشبع وUVLO القابل للبرمجة في حزمة بـ 8 أطراف. IVCR1412: حزمة SOT23-6 بالغة الإحكام، تدمج الجهد السالب وكبت تأثير ميلر النشط، وخرجه القوي ذو السحب لأسفل يُغني عن مقاومة البوابة. IVCR2401: نطاق جهد الدخل 0-25 فولت، ويوفر ±4 أمبير تيار ذروة مصدري وحوضي، ومخرجين مستقلين، وعدم تطابق تأخير نمطي بين القناتين 1 نانوثانية، وتأخير انتقال نمطي 45 نانوثانية (بحد أقصى 80 نانوثانية)، ودائرة ترشيح دخل مدمجة تُزيل الشوائب النبضية النمطية 20 نانوثانية، ودرجة حرارة تشغيل من -40C إلى 125C، وحزمتان SOIC-8 و SOIC-8 مع وسادة حرارية (EP)، ويدعم نمط القناتين على التوازي. IVCR2404: قائد بوابة منخفض الجهة عالي السرعة ثنائي القناة بقدرة 4 أمبير. IVCO1A0x (IVCO1A01 مخرج منفصل / IVCO1A02 مثبت ميلر نشط): أحادي القناة معزول، تيار ذروة مصدري 8.5 أمبير وتيار ذروة حوضي 10 أمبير، وأقصى جهد خرج 36 فولت، مع UVLO مدمج، ومعتمد AEC-Q100. IVCO1411 / IVCO1412: قائدات بوابة أحادية القناة معزولة، بتيار ذروة مصدري وحوضي 4 أمبير؛ ومنها IVCO1412 (بما في ذلك إصدار IVCO1412DW المزود بعزل مدمج وقيادة بجهد سالب) الموصوف في المقالات الرسمية المنشورة بأنه «منتج قيد التطوير»، وسيحتفظ بالأداء الكامل لحماية القصر / الجهد السالب / bootstrap. أبعاد الحقول في صفحة القائمة الرسمية هي Isolation / Vcc / Channel / Iout / Negative bias / UVLO / Delay / Package / Status.

• قيادة ضاغط مكيف الهواء على المتن (الحلول القائمة على IVCR1402 اجتازت تحقق العملاء الصارم ودخلت الإنتاج الكمي في المركبات؛ وتتوفر أيضاً حلول IVCO1A02DW و IVCR1402+IVCO1412DW)
• شاحن OBC على المتن (Nextdrive IVCR1401/1402 مقترنة بموسفت SiC بحزمة TO247-4 أو TO247-3 بقدرة 80 ملي أوم/1200 فولت)
• تسخين PTC على المتن
• ضاغطات مكيف الهواء الكهربائية
• شواحن الرافعات الشوكية
• تطوير محركات كهربائية عالية القدرة باستخدام عدة موسفت SiC على التوازي (أجهزة فردية 17 ملي أوم/1200 فولت TO-247 مقترنة بـ IVCR1412)
• مصادر طاقة PFC و PFC بنمط عمود الطوطم
• مصادر الطاقة المبدلة SMPS (محولات AC/DC و DC/DC)
• مصادر طاقة الخوادم / الاتصالات
• مصادر الطاقة غير المنقطعة UPS
• عاكسات كهروضوئية / طاقة الرياح
• أعمدة شحن السيارات الكهربائية وأنظمة محطات الشحن
• وحدات تحكم محركات السيارات الكهربائية
• قيادة المراوح

تتميز صمامات ثنائية حاجز شوتكي (SBD) من كربيد السيليكون (SiC) بخسائر توصيل أقل ودرجة حرارة تشغيل وتردد تبديل أعلى مقارنةً بالصمامات الثنائية من السيليكون (Si)، مما يساعد على تحسين كفاءة النظام الإجمالية. تستخدم المنتجات تقنية عملية SiC SBD الخاصة بـ InventChip؛ ويؤدي تصميم بنية الإنهاء المركبة إلى رفع جهد الانهيار الانهياري إلى أكثر من 1600 فولت (مع تحقيق عائد يفوق 90% على رقائق من 6 بوصات)، كما يحقق هيكل الخلية ثلاثي الأبعاد الجديد تسرباً عكسياً منخفضاً للغاية: عند درجة الحرارة العادية يبلغ تيار التسرب النمطي IR نحو 5uA@1200V، وحتى عند درجة الحرارة القصوى 200C لا يتجاوز IR نحو 50uA@1200V. ومن حيث الموثوقية، تجتاز المنتجات اختبارات صارمة مثل HV-H3TRB لمدة 1000 ساعة (85C/85%RH/960V) و HV-HTRB لمدة 1000 ساعة (More Than JEDEC). أقصى درجة حرارة للوصلة 175C، مع قدرة عالية على تيار المفاجأة وزمن استرداد عكسي سريع للغاية ومعامل حراري موجب لـ VF، مما يعزز توازن التيار عند التوصيل على التوازي.

يكشف الفلتر الرسمي أن VRRM لهذه العائلة يغطي 650 فولت / 1200 فولت / 2000 فولت؛ ويغطي IF(150C) من 2 أمبير إلى 90 أمبير (بما في ذلك طرز ثنائية الشريحة 2*30 أمبير)؛ ويغطي IFSM(tp=10ms) من 31 أمبير إلى 380 أمبير؛ وVF(25C) نمطي 1.31 فولت ~ 1.55 فولت؛ وVF(175C) نمطي 1.48 فولت ~ 2.5 فولت؛ وتشمل الحزم Bare Die و TO220-2 و TO252-2 و TO263-2 و TO247-3 و TO247-2 و TO252-3 و DFN8x8. الطُرز المؤكدة: IV1D12040U3 منتج 1200 فولت 40 أمبير يستخدم تقنية عملية SiC SBD من الجيل الأول بحزمة TO247-3، بانخفاض جهد أمامي أقل (Vf) وجهد انهيار أعلى (BV) وتيار استرداد عكسي أصغر، ويتحمل تيارات مفاجأة كبيرة؛ وIV1D12040T2 صمام شوتكي SiC بقدرة 1200 فولت 40 أمبير بأقصى درجة حرارة وصلة 175C، وقدرة عالية على تيار المفاجأة وزمن استرداد عكسي سريع للغاية؛ وIV1D12010T2 طراز 1200 فولت 10 أمبير بتسرب IR عند الحرارة العادية نحو 5uA@1200V و IR نحو 50uA@1200V عند 200C، وخسائر إيقاف التشغيل عند 200C لا تتجاوز 60mW؛ وIV2D12060T2Z صمام SiC SBD بمستوى السيارات بقدرة 1200 فولت 60 أمبير بحزمة TO247-2، مطابق لـ AEC-Q101، بأقصى درجة حرارة وصلة تشغيل 175C، وقادر على تحمل صدمات تيار مفاجأة تصل إلى 300 أمبير لمدة 10 مللي ثانية، مع معامل حراري موجب لـ VF.

• محولات رفع الجهد الكهروضوئية (Solar Power Boost)
• صمامات ثنائية العجلة الحرة في العاكسات
• تصحيح معامل القدرة ثلاثي الأطوار Vienna
• أعمدة شحن المركبات الكهربائية / وحدات أعمدة الشحن
• مصادر الطاقة المبدلة الصناعية ومصادر طاقة الاتصالات
• إلكترونيات مركبات الطاقة الجديدة

توفر الدوائر المتكاملة للتحكم التناظري التي طورتها InventChip بابتكار إشارات تحكم تناظرية سريعة ودقيقة وموثوقة دون الحاجة إلى البرمجة أو التنقيح، مع التغلب على صعوبات تقنية في تطبيقات متعددة والمساعدة على تطوير منتجات طاقة عالية الأداء بسرعة. المنتج الممثل IVCC1102 هو أول دائرة متكاملة للتحكم التناظري في تصحيح معامل القدرة PFC بنمط عمود الطوطم وبنمط التوصيل المستمر (CCM) بكامل الوظائف في القطاع، وفي حزمة من 16 طرفاً فقط؛ وقد دخل الإنتاج الكمي في الربع الأول من عام 2022 وحصل على جائزة «الابتكار في المنتجات المتميزة» من الجائزة الثامنة للعلوم والتقنية لجمعية مصادر الطاقة الصينية. ومقارنةً بوحدات التحكم الرقمية، يستخدم IVCC1102 تقنية تحكم بنسبة تغذية أمامية ثابتة محمية ببراءة اختراع، تتغلب على صعوبات التحكم مثل ارتداد التيار العكسي، والتحكم السلس في تيار نقطة العبور الصفري، وتحقيق انخفاض التشوه التوافقي الكلي (THD) مع حلقة جهد سريعة في آن واحد، ومقاومة التلف الناتج عن الصواعق.

القائمة الرسمية: IVCC1102DR دائرة متكاملة للتحكم التناظري بنمط عمود الطوطم وبنمط CCM، طوبولوجيا عمود الطوطم، حزمة SOIC-16، الحالة Not for new design؛ IVCC1102F4AR دائرة متكاملة للتحكم التناظري بنمط عمود الطوطم وبنمط CCM، طوبولوجيا عمود الطوطم، حزمة QFN-20 (4x4)، الحالة Not for new design؛ IVCC1104DR دائرة متكاملة للتحكم التناظري بنمط عمود الطوطم وبنمط CCM، طوبولوجيا عمود الطوطم، حزمة SOIC-16، الحالة Active؛ IVCC1104F4AR دائرة متكاملة للتحكم التناظري بنمط عمود الطوطم وبنمط CCM، طوبولوجيا عمود الطوطم، حزمة QFN-20 (4x4)، الحالة Active. إن IVCC1104 هو وحدة تحكم PFC بنمط عمود الطوطم سريعة ودقيقة ومضغوطة، تُقدَّم بحزمتين SOIC-16 و QFN 4x4 20L، وهو أول وحدة تحكم تناظرية PFC بنمط عمود الطوطم في القطاع بتحكم كامل في نمط التوصيل المستمر (CCM). ويُقدَّم IVCC1102 بحزمتين SOIC-16L و QFN-20L بمقاس 4x4 مم، ويأتي مع تصميم مرجعي لـ PFC بنمط عمود الطوطم بقدرة 2.5 كيلو واط.

• مصادر طاقة الاتصالات
• مصادر طاقة مراكز البيانات والخوادم
• تصاميم مصادر طاقة عالية الكفاءة بمستوى التيتانيوم / البلاتينيوم
• تصحيح معامل القدرة PFC بنمط عمود الطوطم (حل كامل مع موسفت SiC بقدرة 650 فولت ودوائر Nextdrive المتكاملة لقيادة البوابة)
• مصادر طاقة مبدلة AC/DC عالية الأداء