InventChip

Основная линейка силовых приборов InventChip. По сравнению с МОП-транзисторами на кремнии (Si) МОП-транзисторы на карбиде кремния (SiC) обладают меньшими потерями проводимости, более высокой скоростью переключения и рабочей частотой, что делает их пригодными для более эффективных и компактных применений. Продукция охватывает технологические платформы МОП-транзисторов SiC 1-го (IV1Q), 2-го (IV2Q) и 3-го (IV3Q) поколений; большинство моделей имеют автомобильную сертификацию AEC-Q101 (суффикс Z в обозначении модели означает AEC-Q101), а часть кристаллов (Bare Die) сертифицирована по стандарту JEDEC. Выпускается также инновационный совместно упакованный прибор IV3M12035T935 в корпусе TO247-4Slim, объединяющий МОП-транзистор SiC 3-го поколения 1200 В / 35 мОм и кремниевый диод; он разработан специально для фотоэлектрических применений и получил награду «Выдающийся продукт года» премии Expert Aurora Awards 2025.

Классы напряжения охватывают 650 В / 750 В / 1200 В / 1400 В / 1700 В; RDS(on)@25C охватывает примерно 11,5 мОм~1 Ом. Типовые параметры серии 1200 В включают IV3Q12013T4Z (1200V/147A/13.5mOhm/22.5mOhm@175C/TO247-4), IV3Q12035T4Z (1200V/67A/35mOhm/57mOhm/TO247-4), IV3Q12021T4Z (1200V/102A/21mOhm/34.8mOhm/TO247-4), IV3Q12075QDZ (1200V/39A/68mOhm/112mOhm/QDPAK), IV2Q17020T4Z (1700V/94A/20mOhm/44mOhm/TO247-4), IV3Q07011T4Z (750V/167A/11.5mOhm/16mOhm/TO247-4), IV3Q06025T4Z (650V/92A/25mOhm/31.5mOhm/TO247-4), IV3Q06025K2Z (650V/92A/25mOhm/31.5mOhm/X2PAK) и IV3Q12035K1Z (1200V/68A/35mOhm/57mOhm/TC3Pak). Типы корпусов включают TO247-4, TO247-4S, TO247-3, TO263-7, TOLL, TC3Pak, X2PAK, QDPAK и Bare Die (бескорпусные кристаллы, обозначения содержат BD/BDY/BDB/BAG/BDG); автомобильные суффиксы моделей: T9Z/T4Z/D7Z/K1Z/K2Z/QDZ соответствуют AEC-Q101, а серия BD — JEDEC. МОП-транзисторы SiC 1200 В 3-го поколения охватывают диапазон сопротивления 10~150 мОм. Модели IV2Q12040K1Z и IV2Q12080K1Z в корпусе TC3Pak для поверхностного монтажа с верхним отводом тепла поддерживают напряжение управления 15 В~18 В и уже сертифицированы по AEC-Q101.

• Главный тяговый инвертор транспортных средств на новых источниках энергии (МОП-транзистор SiC 3-го поколения 1200 В 10/13 мОм с крупным кристаллом)
• Бортовое зарядное устройство OBC
• Преобразователи DC/DC для электромобилей
• Бортовой компрессор кондиционера / PTC-нагреватель
• Зарядные станции / зарядные модули
• Фотоэлектрическая инверсия и фотоэлектрическое повышение напряжения
• Системы накопления энергии
• Источники бесперебойного питания UPS
• Серверные / телекоммуникационные источники питания
• Промышленные источники питания и сварочные аппараты
• Приводы двигателей
• Импульсная энергетика и индукционный нагрев

Силовые модули на карбиде кремния (SiC) сочетают уникальные преимущества приборов SiC и различных корпусов, обеспечивая более эффективные, компактные и простые системные решения. Продукция охватывает различные корпуса и топологии, включая полумостовые модули в литом корпусе SMPD, полумостовые модули в корпусе 1B, трехфазные мостовые модули HPD, стандартные модули SOT-227 (с тремя внутренними конфигурациями: Single MOSFET, MOSFET+SBD и SBD in parallel) и трехфазные модули в литом корпусе TM. В частности, полумостовой модуль SiC в литом корпусе SMPD прошел автомобильную сертификацию AQG-324 и применяется в OBC транспортных средств на новых источниках энергии; силовой модуль SiC 2000 В уже массово применяется на крупных фотоэлектрических станциях; IV1B12009HA2L имеет те же габариты, что и Easy 1B, его внутренние кристаллы размещены на медной керамической подложке DCB, что обеспечивает внутреннюю изоляцию и позволяет крепить модуль непосредственно к радиатору без дополнительной керамической изолирующей прокладки; кроме того, он содержит NTC-термистор с отрицательным температурным коэффициентом для контроля температуры и встроенный вывод истока Кельвина для подавления выбросов напряжения управления при высокоскоростном переключении.

Официальные параметры (все со Status: Active): IVHD121M4TA3Z JEDEC 1200 В / 759 А, Tf=60C / 1,66 мОм / Vth 2,8 В / трехфазный мост / HPD; IVHD071M5TB3Z JEDEC 750 В / 660 А, Tf=60C / 1,73 мОм / Vth 2,8 В / трехфазный мост / HPD; IVSM12075HA3Z JEDEC 1200 В / 33 А, Tc=25C / 75 мОм / 2,8 В / полумост / SMPD; IVSM12035HA3Z JEDEC 1200 В / 61 А, Tc=25C / 35 мОм / 2,8 В / полумост / SMPD; IVSM06025HA2Z AEC-Q101 650 В / 72 А, Tc=100C / 25 мОм / 2,8 В / полумост / SMPD (использует кристаллы МОП-транзисторов SiC 2-го поколения, изолированный корпус, поддерживает верхний отвод тепла, уже сертифицирован по AQG-324); IV1B12009HA2L JEDEC 1200 В / 100 А, Tc=117C / 9 мОм / 2,8 В / полумост / 1B (высота корпуса всего 12 мм, кристаллы МОП-транзисторов SiC 1200 В 2-го поколения с планарным затвором, напряжение включения +15 В~+18 В, напряжение выключения -3,5 В~-2 В, номинальный ток 100 А); IV1B12013HA1L JEDEC 1200 В / 96 А, Th=50C / 13 мОм / 3,2 В / полумост / 1B; IVTM12080TA1Z AEC-Q101 1200 В / 30 А, Tc=100C / 80 мОм / 3,6 В / трехфазный / TM (литой корпус); IVST12013MA3L JEDEC 1200 В / 96 А, Tc=100C / 13 мОм / 2,8 В / MOSFET+SBD / SOT-227; IVST12017MA1L JEDEC 1200 В / 85 А, Tc=100C / 17 мОм / 3,2 В / MOSFET+SBD / SOT-227; IVST12017SA1L JEDEC 1200 В / 85 А, Tc=100C / 17 мОм / 3,2 В / Single MOSFET / SOT-227; IVST12050SA1L JEDEC 1200 В / 43 А, Tc=100C / 50 мОм / 3,2 В / Single MOSFET / SOT-227; IVST12040DA1L 1200 В / 40 А, Tc=144C / SBD in parallel / SOT-227; IVST12080DA1L 1200 В / 80 А, Tc=136C / SBD in parallel / SOT-227; IVST12120DA1L 1200 В / 120 А, Tc=98C / SBD in parallel / SOT-227; IVST12160DA1L 1200 В / 160 А, Tc=98C / SBD in parallel / SOT-227. Кроме того, серия силовых модулей SiC 2000 В уже применяется массово.

• Главный тяговый инвертор транспортных средств на новых источниках энергии
• Бортовое зарядное устройство OBC (полумостовой модуль SiC в литом корпусе SMPD уже применяется в OBC популярных моделей транспортных средств на новых источниках энергии)
• Крупные фотоэлектрические станции (силовой модуль SiC 2000 В)
• Фотоэлектрические инверторы и преобразователи систем накопления энергии
• Зарядные станции постоянного тока / зарядные модули
• Высокочастотные высоковольтные преобразователи DC-DC
• Источники бесперебойного питания UPS
• Преобразователи DC/DC для электромобилей

Серия микросхем драйверов затвора Nextdrive, специально предназначенных для SiC и самостоятельно разработанных InventChip, отличается компактностью, высоким быстродействием и интеллектуальностью; она включает одно- и двухканальные типы с различными классами изоляции, управление отрицательным смещением, защиту от короткого замыкания и подавление эффекта Миллера, что обеспечивает более стабильные и эффективные системные решения. IVCR1401/IVCR1402 — первые в отрасли компактные, быстродействующие и интеллектуальные микросхемы драйверов затвора, специально предназначенные для МОП-транзисторов SiC; они также подходят для управления затвором верхнего плеча с бутстрепным питанием, содержат встроенную защиту от короткого замыкания по десатурации с внутренним временем блокировки, а также функцию блокировки при пониженном напряжении (UVLO) и сообщение об ошибке. IVCR1412 — первая в отрасли микросхема драйвера затвора, объединяющая отрицательное смещение и подавление эффекта Миллера в предельно компактном корпусе SOT23-6; ее выход работает как квази-источник тока, что исключает необходимость в резисторе затвора, а сама микросхема может устанавливаться вплотную к силовому транзистору для минимизации паразитной индуктивности контура управления затвором. IVCR2401 — универсальная двухканальная микросхема драйвера затвора SiC/Si MOSFET/IGBT (корпус SOIC8, доступна с термоплощадкой или без нее). IVCO1A0x — семейство изолированных одноканальных микросхем драйверов затвора, выпускаемых серийно и имеющих автомобильную сертификацию AEC-Q100. По данным, опубликованным на официальном сайте, InventChip суммарно поставила около 100 млн микросхем драйверов затвора.

IVCR1401 / IVCR1402: 8-выводной корпус, совместимость с широким диапазоном питания до 35 В, пиковый ток источника и стока 4 А, встроенное отрицательное смещение -3,5 В, встроенная защита от короткого замыкания по десатурации (внутренний источник постоянного тока 1 мА, порог повышен до 9,5 В, порог срабатывания регулируется внешним резистором R1), UVLO и сообщение об ошибке; IVCR1402Q — автомобильная версия, сертифицированная по AEC-Q100, объединяющая формирование отрицательного смещения, защиту по десатурации и программируемый UVLO в 8-выводном корпусе. IVCR1412: предельно компактный корпус SOT23-6, интегрирует отрицательное смещение и активное подавление эффекта Миллера, а мощный выход с притяжением к низкому уровню исключает необходимость в резисторе затвора. IVCR2401: диапазон входного напряжения 0-25 В, пиковый ток источника и стока ±4 А, два независимых выхода, типовое рассогласование задержки между каналами 1 нс, типовое время распространения 45 нс (максимум 80 нс), встроенный входной фильтр, устраняющий типовые входные выбросы длительностью 20 нс, рабочая температура -40C~125C, два варианта корпуса: SOIC-8 и SOIC-8 с термоплощадкой (EP), поддержка режима параллельного включения двух каналов. IVCR2404: двухканальный высокоскоростной драйвер затвора нижнего плеча на 4 А. IVCO1A0x (IVCO1A01 с раздельными выходами / IVCO1A02 с активной фиксацией Миллера): изолированный одноканальный, пиковый ток источника 8,5 А и пиковый ток стока 10 А, максимальное выходное напряжение 36 В, встроенный UVLO, сертификация AEC-Q100. IVCO1411 / IVCO1412: изолированные одноканальные драйверы затвора, пиковый ток источника и стока 4 А; при этом IVCO1412 (включая версию IVCO1412DW со встроенной изоляцией и управлением отрицательным смещением) в открытых официальных статьях обозначен как «продукт в разработке» и сохранит полный набор функций защиты от короткого замыкания / отрицательного смещения / бутстрепа. Поля на официальной странице списка: Isolation / Vcc / Channel / Iout / Negative bias / UVLO / Delay / Package / Status.

• Управление бортовым компрессором кондиционера (решения на базе IVCR1402 прошли строгую проверку заказчика и запущены в серийное производство в автомобилях; имеются также решение IVCO1A02DW и решение IVCR1402+IVCO1412DW)
• Бортовое зарядное устройство OBC (Nextdrive IVCR1401/1402 в паре с МОП-транзисторами SiC 80 мОм/1200 В в корпусах TO247-4 или TO247-3)
• Бортовой PTC-нагреватель
• Электрические компрессоры кондиционера
• Зарядные устройства для погрузчиков
• Разработка мощных электроприводов с несколькими параллельными МОП-транзисторами SiC (одиночные приборы 17 мОм/1200 В TO-247 в паре с IVCR1412)
• Источники питания PFC и PFC по топологии «тотемный столб»
• Импульсные источники питания SMPS (преобразователи AC/DC и DC/DC)
• Серверные / телекоммуникационные источники питания
• Источники бесперебойного питания UPS
• Фотоэлектрические / ветровые инверторы
• Зарядные станции и системы зарядных станций для электромобилей
• Контроллеры электродвигателей электромобилей
• Приводы вентиляторов

Диоды Шоттки с барьером (SBD) на карбиде кремния (SiC) обладают меньшими потерями проводимости, а также более высокой рабочей температурой и частотой переключения по сравнению с кремниевыми (Si) диодами, что способствует повышению общей эффективности системы. В изделиях используется собственная технология SiC SBD компании InventChip; конструкция составной терминальной структуры повышает напряжение лавинного пробоя выше 1600 В (с выходом годных более 90% на пластинах диаметром 6 дюймов), а новая трехмерная структура ячейки обеспечивает чрезвычайно низкий обратный ток утечки: при нормальной температуре типовое значение тока утечки IR составляет около 5uA@1200V, и даже при предельно высокой температуре 200C IR составляет лишь около 50uA@1200V. По надежности изделия проходят строгие испытания, такие как HV-H3TRB в течение 1000 часов (85C/85%RH/960V) и HV-HTRB 1000 ч (More Than JEDEC). Максимальная температура перехода 175C, высокая стойкость к импульсному току, чрезвычайно быстрое время обратного восстановления и положительный температурный коэффициент VF, что способствует выравниванию токов при параллельном включении.

Официальный фильтр показывает, что в этом семействе VRRM охватывает 650 В / 1200 В / 2000 В; IF(150C) охватывает 2 А~90 А (включая двухкристальные модели 2*30 А); IFSM(tp=10ms) охватывает 31 А~380 А; VF(25C) типично 1,31 В~1,55 В; VF(175C) типично 1,48 В~2,5 В; корпуса включают Bare Die, TO220-2, TO252-2, TO263-2, TO247-3, TO247-2, TO252-3 и DFN8x8. Подтвержденные модели: IV1D12040U3 — изделие 1200 В 40 А на основе технологии SiC SBD 1-го поколения в корпусе TO247-3, с меньшим прямым падением напряжения (Vf), более высоким пробивным напряжением (BV) и меньшим током обратного восстановления, выдерживает большие импульсные токи; IV1D12040T2 — диод Шоттки SiC 1200 В 40 А с максимальной температурой перехода 175C, высокой стойкостью к импульсному току и чрезвычайно быстрым обратным восстановлением; IV1D12010T2 — модель 1200 В 10 А с IR при нормальной температуре около 5uA@1200V и IR около 50uA@1200V при 200C, потери выключения при 200C не более 60mW; IV2D12060T2Z — автомобильный SiC SBD 1200 В 60 А в корпусе TO247-2, соответствующий AEC-Q101, с максимальной рабочей температурой перехода 175C, способный выдерживать импульсные воздействия током до 300 А в течение 10 мс, с положительным температурным коэффициентом VF.

• Фотоэлектрические повышающие преобразователи (Solar Power Boost)
• Обратные (free-wheeling) диоды инверторов
• Трехфазный PFC Vienna
• Зарядные станции для электромобилей / модули зарядных станций
• Промышленные импульсные источники питания и телекоммуникационные источники питания
• Электроника транспортных средств на новых источниках энергии

Аналоговые микросхемы управления, инновационно разработанные InventChip, обеспечивают быстрые, точные и надежные аналоговые сигналы управления без необходимости программирования и отладки, одновременно преодолевая технические трудности в различных применениях и помогая быстро разрабатывать высокопроизводительные изделия электропитания. Представительный продукт IVCC1102 — первая в отрасли полнофункциональная аналоговая микросхема управления PFC по топологии «тотемный столб» в режиме непрерывной проводимости (CCM), причем всего в 16-выводном корпусе; она запущена в серийное производство в первом квартале 2022 года и получила награду «За инновации в выдающихся продуктах» 8-й премии в области науки и техники Китайского общества источников питания. По сравнению с цифровыми контроллерами IVCC1102 использует запатентованную технику управления с фиксированным коэффициентом прямой связи, которая преодолевает такие сложности управления, как обратный переток тока, плавное управление током в точке перехода через ноль, одновременное достижение низкого коэффициента суммарных гармонических искажений (THD) и быстрой петли напряжения, а также устойчивость к повреждению от удара молнии.

Официальный перечень: IVCC1102DR — аналоговая микросхема управления PFC по топологии «тотемный столб» в режиме CCM, топология «тотемный столб», корпус SOIC-16, статус Not for new design; IVCC1102F4AR — аналоговая микросхема управления PFC по топологии «тотемный столб» в режиме CCM, топология «тотемный столб», корпус QFN-20 (4x4), статус Not for new design; IVCC1104DR — аналоговая микросхема управления PFC по топологии «тотемный столб» в режиме CCM, топология «тотемный столб», корпус SOIC-16, статус Active; IVCC1104F4AR — аналоговая микросхема управления PFC по топологии «тотемный столб» в режиме CCM, топология «тотемный столб», корпус QFN-20 (4x4), статус Active. IVCC1104 — быстрый, точный и компактный контроллер PFC по топологии «тотемный столб», предлагаемый в двух типах корпусов: SOIC-16 и QFN 4x4 20L, и является первым в отрасли аналоговым контроллером PFC по топологии «тотемный столб» с полнофункциональным управлением в режиме непрерывной проводимости (CCM). IVCC1102 предлагается в двух корпусах, SOIC-16L и QFN-20L 4x4 мм, и поставляется с референсным дизайном PFC по топологии «тотемный столб» мощностью 2,5 кВт.

• Телекоммуникационные источники питания
• Источники питания центров обработки данных и серверов
• Проектирование высокоэффективных источников питания уровня Titanium / Platinum
• Коррекция коэффициента мощности PFC по топологии «тотемный столб» (комплексное решение совместно с МОП-транзисторами SiC 650 В и микросхемами драйверов затвора Nextdrive)
• Высокопроизводительные импульсные источники питания AC/DC