深圳基本半导体股份有限公司

基本半导体碳化硅肖特基二极管提供650V/1200V/1400V/1700V/2000V电压等级，覆盖2A~97A电流，采用TO-247、TO-220、DFN、SOT-227、TOLT等标准封装，具有零反向恢复、低正向压降、抗浪涌能力强等特点，通过AEC-Q101车规认证，应用于光伏、充电桩、电源、汽车电子等。

电压650V/1200V/1400V/1700V/2000V，电流2A~97A；TO-247/TO-220/DFN/SOT-227/TOLT封装；AEC-Q101车规认证

• 光伏逆变器
• 充电桩/快充
• 开关电源/UPS
• 新能源汽车
• 工业电源

基本半导体碳化硅MOSFET基于6英寸晶圆平台，覆盖650V/750V/1200V/1400V/1700V，RDS(on)低至6mΩ，采用TO-247-3/4、TOLL、TOLT、TO-263-7、QDPAK、SOT-227等封装；含车规级(A)型号，通过AEC-Q101认证并符合PPAP要求，应用于电机控制器、车载电源、光伏、充电桩等。

电压650V/750V/1200V/1400V/1700V，RDS(on)低至6mΩ；TO-247/TOLL/TOLT/QDPAK/SOT-227封装；车规级A型号通过AEC-Q101

• 新能源汽车电机控制器
• 车载电源/OBC
• 光伏逆变器/储能
• 充电桩
• UPS/PFC电源

基本半导体混合碳化硅分立器件将沟槽场截止IGBT与碳化硅肖特基二极管合封，提供650V/1200V、40A~75A，采用TO-247-3/4封装，相比传统硅IGBT大幅降低开关损耗，适用于光储一体机、OBC、UPS、通信电源、高频DC-DC等注重性价比的硬开关拓扑场景。

型号：BGH75N65HS1 / BGH50N65HF1 / BGH50N65HS1 / BGH50N65ZF1 / BGH75N65HF1 / BGH75N65ZF1 / BGH40N120HS1 / BGH75N120HF1; 集电极-发射极电压：650V 与 1200V; 额定电流：40~75A; 封装形式：TO-247-3 / TO-247-4; 最高结温：175℃; 饱和压降 VCE(sat)：≤1.7V; 开关频率：≤60kHz; 合规：RoHS

• 储能/光储一体机
• 车载充电机OBC
• UPS/通信电源
• 高频DC-DC电源
• 工业电源

基本半导体工业级全碳化硅MOSFET功率模块覆盖650V/1200V，包括EasyPACK™封装E1B&E2B、34mm半桥、62mm半桥、Pcore™12 EP2、ED3半桥及E3B飞跨电容三电平等系列，采用Si₃N₄ AMB陶瓷基板与高温焊料，低导通电阻、低开关损耗、高可靠，应用于大功率充电桩、APF、PCS、电焊机、UPS、高频DCDC。

电压650V/1200V；EasyPACK™/34mm/62mm/Pcore™12/ED3/E3B系列；Si₃N₄ AMB基板，低损耗高可靠

• 大功率充电桩
• 储能变流器PCS/APF
• 光伏逆变器
• 高端电焊机/感应加热
• 数据中心UPS/高频DCDC

Pcore™6汽车级HPD碳化硅MOSFET模块为紧凑型大功率模块，专为混动/纯电车型主驱逆变器设计，采用有压银烧结、铜线键合、Si₃N₄ AMB陶瓷基板与直接水冷PinFin结构，覆盖750V/1200V、600~840A，RDS(on)低至1.2mΩ，可靠性高于AQG-324标准。

750V/1200V、600~840A，RDS(on)低至1.2mΩ；HPD封装、银烧结、PinFin水冷，可靠性超AQG-324

• 新能源汽车主驱逆变器
• 新能源商用车电驱
• 混动车型电驱
• 电机控制器

Pcore™6 HPD Mini采用创新HPD Mini封装，体积较标准HPD缩减20%，搭载自研第三代车规级SiC芯片，Si₃N₄ AMB基板与有压银烧结，杂散电感≤6nH，覆盖750V/1200V(含1400V)、380~630A，适用于主驱逆变器、马达控制器及压缩机驱动。

750V/1200V(含1400V)、380~630A，RDS(on)低至1.6mΩ；HPD Mini封装体积减20%，杂散电感≤6nH

• 新能源汽车主驱逆变器
• 马达控制器
• 压缩机驱动
• 多合一电驱总成

Pcore™2汽车级DCM碳化硅MOSFET模块采用业内主流DCM封装与沟槽型低RDS(on)芯片，有压银烧结、DTS、铜线键合、Si₃N₄ AMB基板与直接水冷PinFin，覆盖750V/1200V、720~920A，Rth(j-f)<0.09K/W，结温175℃，适用于乘用车/商用车电驱与燃料电池能量转换。

750V/1200V、720~920A，Rth(j-f)<0.09K/W，结温175℃；DCM封装、银烧结、PinFin水冷

• 新能源乘用车电驱
• 新能源商用车/重卡电驱
• 燃料电池能量转换
• 工程机械电驱

Pcore™1汽车级TPAK为高电流密度单开关模块，专为纯电车型主驱逆变器设计，采用有压银烧结与Si₃N₄ AMB陶瓷基板降低热阻，支持多管串并联，覆盖750V/1200V、250~300A，RDS(on) 5.0~6.8mΩ，低损耗、高阻断电压、高可靠。

750V/1200V、250~300A，RDS(on) 5.0~6.8mΩ；TPAK封装、单开关高电流密度，支持串并联

• 新能源汽车主驱逆变器
• 电驱平台化并联扩展
• 电机控制器
• 车载电源

Pcell™汽车级塑封单面散热半桥SiC MOSFET模块采用基本半导体专有封装，双面银烧结与DTS技术，低杂散电感(<5nH)、低RDS(on)(<2mΩ)、结温175℃，覆盖750V/1200V、400~700A，内置温度传感器，适用于高效高功率密度电驱应用。

750V/1200V、400~700A，RDS(on)<2mΩ，杂散电感<5nH，结温175℃；塑封单面散热、双面银烧结

• 新能源汽车主驱逆变器
• 电驱系统
• 车载电源
• 高功率密度应用

汽车级碳化硅嵌入式模块采用AMB内嵌/铜块嵌入先进封装，基于全桥4芯片并联设计，寄生电感低至1.2nH，高系统集成度与高效散热，适用于新能源汽车动力系统、工业变频器、光伏逆变器及OBC/DCDC，目前处于可靠性摸底阶段。

拓扑结构：全桥 4 芯片并联；母线电压：1200 V；标称电流：400 A；寄生电感：1.2 nH；封装形式：AMB 内嵌 / 铜块嵌入；最高结温：175 ℃；热阻 Rth(j-c)：0.15 K/W；工作温度：-40 ℃ ~ +150 ℃

• 新能源汽车动力系统
• 工业变频器
• 光伏逆变器
• OBC/DCDC

基本半导体隔离驱动芯片包括单/双通道及带短路保护智能驱动，覆盖BTD21520xx、BTD25350xx、BTD5350xx系列，绝缘耐压最高5000Vrms，适配1700V以内功率器件门极驱动，应用于隔离DC-DC/AC-DC、光伏逆变器、电机驱动、EV充电、UPS等。

型号: BTD21520xx / BTD25350xx / BTD5350xx; 绝缘耐压: 5000 Vrms; 阻断电压: ≤ 1700 V; 通道数: 1 ~ 2; 驱动电流: ± 5 A; 传输延时: ≤ 60 ns; 结温: -40 ℃ ~ +125 ℃; 封装: SOIC-8 / SOIC-16 WB

• 隔离DC-DC/AC-DC电源
• 光伏逆变器
• 电机驱动
• EV充电/UPS
• 服务器电源

基本半导体低边驱动芯片BTL2752x系列为双通道高速低边门极驱动器，轨到轨输出，拉/灌电流高达5A，传输延时低至13ns，支持双路反/同相逻辑与使能，适应-5V负压，应用于PFC、DCDC、同步整流、反激及变压器隔离驱动，功率百瓦至数十千瓦。

型号: BTL2752x; 通道数: 2; 驱动电流: 5 A source / sink; 传输延时: ≤ 13 ns; 供电电压: -5 V ~ +20 V; 结温: -40 ℃ ~ +125 ℃; 封装: SOP-8 / DFN-8

• PFC/LLC电源
• DCDC/同步整流
• 微型光伏逆变器
• 电机驱动
• 车载电源/充电桩

基本半导体门极驱动芯片品类包含自举桥式驱动芯片（如BTD3011R），与隔离驱动、低边驱动同属门极驱动IC系列，绝缘耐压最高8000V、驱动电流±15A，适配1700V以内功率器件；官方站点仅在门极驱动总览与选型手册中列出，未单独开放规格页面。

型号: BTD3011R; 绝缘耐压: 8000 V; 驱动电流: ± 15 A; 阻断电压: ≤ 1700 V; 传输延时: ≤ 100 ns; 开关频率: ≤ 1 MHz; 结温: -40 ℃ ~ +125 ℃; 封装: SOIC-8

• 半桥/全桥功率变换
• 电机驱动
• 光伏/储能逆变器
• 工业电源

基本半导体电源管理芯片推出正向式DCDC开关电源芯片BTP1521xx系列，集成软启动与过温保护，输出功率达6W，工作频率最高1.5MHz（OSC脚设定），采用DFN3×3-8/SOP-8封装，为隔离驱动芯片副边供电，应用于充电桩模块、焊机、伺服、光伏逆变器、储能PCS。

型号: BTP1521xx; 输出功率: 6 W; 开关频率: ≤ 1.5 MHz; 供电电压: 9 V ~ 30 V; 结温: -40 ℃ ~ +125 ℃; 封装: DFN3×3-8 / SOP-8; 认证: AEC-Q100

• 充电桩模块
• 焊机电源
• 伺服电机驱动
• 光伏逆变器
• 储能PCS

基于先进碳化硅外延技术，基本半导体自主开发碳化硅二极管与MOSFET裸芯片及晶圆，已量产650V/1200V碳化硅二极管裸片/晶圆与1200V/1700V碳化硅MOSFET裸片/晶圆（BW3D/BD3D、BW2M/BD2M系列），面向需自封的模块厂与器件客户。

型号: BW3D / BD3D / BW2M / BD2M; 阻断电压: 650 V / 1200 V / 1700 V; 额定电流: 20 A ~ 80 A; 导通电阻: ≤ 80 mΩ @ 1200 V; 结温: 175 ℃; 晶圆尺寸: 150 mm (6 inch); 封装: 裸片 / 晶圆

• 功率模块厂自封
• 器件客户定制
• 研发与试产
• SiC器件制造