Shenzhen BASiC Semiconductor Co., Ltd.

تغطي ثنائيات شوتكي SiC من باسيك سيميكوندكتور جهود 650V/1200V/1400V/1700V/2000V وتيارات من 2A إلى 97A. في حزم قياسية مثل TO-247 وTO-220 وDFN وSOT-227 وTOLT، تتميز بانعدام الاسترجاع العكسي وانخفاض الهبوط الأمامي وقدرة عالية على تحمل التروس. معتمدة AEC-Q101، تُستخدم في الطاقة الشمسية ومحطات الشحن ومصادر الطاقة والإلكترونيات السيارة.

جهد 650V/1200V/1400V/1700V/2000V، تيار 2A–97A؛ عبوات TO-247/TO-220/DFN/SOT-227/TOLT؛ معتمد للسيارات AEC-Q101

• عواكس الطاقة الشمسية
• محطات الشحن/الشحن السريع
• مصادر طاقة مبدلة/UPS
• مركبات الطاقة الجديدة
• مصادر طاقة صناعية

يُبنى MOSFET SiC من باسيك سيميكوندكتور على منصة ويفر مقاس 6 بوصات، ويغطي 650V/750V/1200V/1400V/1700V مع RDS(on) حتى 6mΩ. يستخدم حزم TO-247-3/4 وTOLL وTOLT وTO-263-7 وQDPAK وSOT-227. الإصدارات من فئة السيارات (A) تجتاز AEC-Q101 وتلبي PPAP، وتُستخدم في وحدات تحكم المحرك والطاقة على متن السيارة والطاقة الشمسية ومحطات الشحن.

جهد 650V/750V/1200V/1400V/1700V، RDS(on) منخفض حتى 6mΩ؛ عبوات TO-247/TOLL/TOLT/QDPAK/SOT-227؛ النوع A من فئة السيارات اجتاز AEC-Q101

• وحدات تحكم محرك EV
• طاقة على متن السيارة/OBC
• عواكس فولطائية/تخزين
• محطات شحن
• UPS/مصادر PFC

تدمج الأجهزة المنفصلة SiC الهجينة من باسيك سيميكوندكتور IGBT بوقف حفري مع ثنائي شوتكي SiC في حزمة واحدة، وتوفر 650V/1200V و40A–75A بحزم TO-247-3/4. مقارنة بـ IGBT السيليكوني تقلّل خسائر التبديل بشدة، وهي مثالية للطوبولوجيات الصلبة الحساسة للتكلفة مثل العواكس الهجينة وOBC وUPS وطاقة الاتصالات وDC-DC عالي التردد.

الموديل: BGH75N65HS1 وBGH50N65HF1 وBGH50N65HS1 وBGH50N65ZF1 وBGH75N65HF1 وBGH75N65ZF1 وBGH40N120HS1 وBGH75N120HF1; جهد المجمع-الباعث: 650 و1200 فولت; التيار الاسمي: من 40 إلى 75 أمبير; شكل الحزمة: TO-247-3 / TO-247-4; درجة حرارة الوصلة القصوى: 175 درجة مئوية; جهد الإشباع بين المجمع والباعث: ≤1.7 فولت; تردد التبديل: ≤60 كيلوهرتز; المطابقة: RoHS

• تخزين/هجين فولطائي-تخزيني
• شاحن على متن OBC
• UPS/طاقة اتصالات
• DC-DC عالي التردد
• مصادر صناعية

تغطي وحدات الطاقة SiC الكاملة الصناعية من باسيك سيميكوندكتور 650V/1200V، بما فيها EasyPACK™ E1B&E2B ونصف جسر 34mm ونصف جسر 62mm وPcore™12 EP2 ونصف جسر ED3 وثلاثي مستوى مكثف طائر E3B. بركيزة سيراميك Si₃N₄ AMB ولحام عالي الحرارة، توفر RDS(on) منخفضًا وفقدًا منخفضًا وموثوقية عالية للشواحن وAPF وPCS واللحام وUPS وDC-DC عالي التردد.

جهد 650V/1200V؛ سلاسل EasyPACK™/34mm/62mm/Pcore™12/ED3/E3B؛ ركيزة AMB Si₃N₄، فقد منخفض موثوقية عالية

• محطات شحن عالية القدرة
• PCS/APF للتخزين
• عواكس فولطائية
• لحام راقٍ/تسخين بالحث
• UPS لمراكز البيانات/DC-DC عالي التردد

وحدة MOSFET SiC HPD من فئة السيارات Pcore™6 هي وحدة مدمجة عالية القدرة مصممة لعواكس الجر الرئيسي للسيارات الهجينة والكهربائية بالكامل. تستخدم تلبد الفضة بضغط وربط الأسلاك النحاسية وركيزة Si₃N₄ AMB وبنية PinFin بتبريد سائل مباشر، وتغطي 750V/1200V و600–840A مع RDS(on) حتى 1.2mΩ، وتتجاوز موثوقية AQG-324.

750V/1200V، 600–840A، RDS(on) منخفض حتى 1.2mΩ؛ عبوة HPD، تلبد فضي، تبريد مائي PinFin، موثوقية أعلى من AQG-324

• عواكس الجر الرئيسي EV
• أنظمة دفع تجارية EV
• دفع هجين
• وحدات تحكم محرك

يعتمد HPD Mini من Pcore™6 حزمة HPD Mini مبتكرة أصغر بنسبة 20% من HPD القياسي، بشريحة SiC من الجيل الثالث مخصصة للسيارات وركيزة Si₃N₄ AMB وتلبد فضة بضغط. الحث المتنافر ≤6nH، ويغطي 750V/1200V (بما فيها 1400V) و380–630A، ومناسب لعواكس الجر ووحدات تحكم المحرك والضواغط.

750V/1200V (بما فيها 1400V)، 380–630A، RDS(on) منخفض حتى 1.6mΩ؛ عبوة HPD Mini أصغر بنسبة 20%، استطالة متباينة ≤6nH

• عواكس الجر الرئيسي EV
• وحدات تحكم محرك
• محركات ضواغط
• مجموعات دفع متكاملة

يستخدم موديول MOSFET SiC DCM من فئة السيارات Pcore™2 الحزمة DCM السائدة مع رقائق trench منخفضة RDS(on)، وتلبد فضة بضغط وDTS وربط نحاسي وركيزة Si₃N₄ AMB وبنية PinFin سائلة مباشرة. يغطي 750V/1200V و720–920A مع Rth(j-f)<0.09K/W ووصلة 175°C، لدفع سيارات EV والمركبات التجارية وتحويل طاقة خلايا الوقود.

750V/1200V، 720–920A، Rth(j-f)<0.09K/W، حرارة الوصلة 175℃؛ عبوة DCM، تلبد فضي، تبريد مائي PinFin

• دفع سيارات ركاب EV
• دفع تجاري/شاحنات ثقيلة EV
• تحويل طاقة خلايا وقود
• معدات بناء

Pcore™1 TPAK من فئة السيارات هو وحدة مفتاح أحادي عالية كثافة التيار مصممة لعواكس الجر الرئيسي للسيارات الكهربائية بالكامل. يخفض تلبد الفضة بضغط وركيزة Si₃N₄ AMB المقاومة الحرارية ويدعمان التوالي/التوازي، ويغطيان 750V/1200V و250–300A مع RDS(on) 5.0–6.8mΩ، بفقد منخفض وموثوقية عالية.

750V/1200V، 250–300A، RDS(on) 5.0–6.8mΩ؛ عبوة TPAK، مفتاح أحادي كثافة تيار عالية، يدعم التوالي/التوازي

• عواكس الجر الرئيسي EV
• توسعة موازية للمنصة
• وحدات تحكم محرك
• طاقة على متن السيارة

تستخدم وحدة MOSFET SiC نصف الجسر المُشكلة من فئة السيارات Pcell™ الحزمة الخاصة بباسيك سيميكوندكتور مع تلبد فضة ثنائي الوجه وDTS. توفر حثًا متنافرًا منخفضًا (<5nH) وRDS(on) منخفضًا (<2mΩ) ووصلة 175°C، وتغطي 750V/1200V و400–700A، مع مستشعر حرارة مدمج لتطبيقات عالية الكفاءة والكثافة.

750V/1200V، 400–700A، RDS(on)<2mΩ، استطالة متباينة <5nH، حرارة الوصلة 175℃؛ تبريد مبثوق أحادي الوجه، تلبد فضي مزدوج الوجه

• عواكس الجر الرئيسي EV
• أنظمة دفع
• طاقة على متن السيارة
• تطبيقات عالية الكثافة

يستخدم الموديول SiC المضمن من فئة السيارات حزمة متقدمة بتركيب AMB/كتلة نحاسية على تصميم جسر كامل بأربع رقائق متوازية، بحث متنافر 1.2nH فقط، وتكامل عالٍ وتبريد فعال. يصلح لأنظمة دفع EV ومحركات صناعية وعواكس شمسية وOBC/DC-DC، وهو حاليًا في مرحلة تقييم الموثوقية.

البنية: جسر كامل بأربع رقائق متوازية؛ جهد الناقل: 1200 فولت؛ التيار الاسمي: 400 أمبير؛ المحاثة الطفيلية: 1.2 nH؛ الحزمة: تركيب AMB/كتلة نحاسية؛ أقصى حرارة وصلة: 175 مئوية؛ المقاومة الحرارية Rth(j-c): 0.15 كلفن/واط؛ درجة حرارة التشغيل: من -40 إلى +150 مئوية

• أنظمة دفع EV
• محركات صناعية
• عواكس فولطائية
• OBC/DC-DC

تشمل دوائر محرك البوابة المعزولة من باسيك سيميكوندكتور عائلات أحادية/ثنائية القناة ومع حماية ذكية من القصر BTD21520xx وBTD25350xx وBTD5350xx، بعزل حتى 5000Vrms لأجهزة حتى 1700V. تُستخدم في DC-DC/AC-DC معزول وعواكس شمسية ومحركات وشحن EV وUPS.

الطراز: BTD21520xx / BTD25350xx / BTD5350xx; جهد العزل: 5000 Vrms; جهد الحجب: ≤ 1700 V; عدد القنوات: 1 ~ 2; تيار القيادة: ± 5 A; زمن التأخير: ≤ 60 ns; درجة حرارة الوصلة: -40 ℃ ~ +125 ℃; العبوة: SOIC-8 / SOIC-16 WB

• DC-DC/AC-DC معزول
• عواكس فولطائية
• محركات
• شحن EV/UPS
• طاقة خوادم

دوائر محرك الجانب المنخفض BTL2752x من باسيك سيميكوندكتور هي محركات بوابة منخفضة الجانب ثنائية القناة عالية السرعة، بخرج rail-to-rail وتيار 5A مصدر/مصرف وتأخير 13ns. تدعم منطقًا عكسيًا/غير عكسي مع تمكين وتتحمل −5V، في PFC وDC-DC وتقويم متزامن وفليباك وعزل محول، من مئات الواط إلى عشرات الكيلوواط.

الطراز: BTL2752x; عدد القنوات: 2; تيار القيادة: 5 A source / sink; زمن التأخير: ≤ 13 ns; جهد التغذية: -5 V ~ +20 V; درجة حرارة الوصلة: -40 ℃ ~ +125 ℃; العبوة: SOP-8 / DFN-8

• طاقة PFC/LLC
• DC-DC/تقويم متزامن
• عواكس فولطائية مصغرة
• محركات
• على متن/محطات شحن

يتضمن محفظة محركات البوابة من باسيك سيميكوندكتور محركات جسر bootstrap مثل BTD3011R، إلى جانب المعزولة والمنخفضة الجانب. بعزل حتى 8000V وتيار ±15A، تصلح لأجهزة حتى 1700V. يُذكر الجزء فقط في نظرة البوابات ودليل الاختيار دون صفحة مواصفات مستقلة.

الطراز: BTD3011R; جهد العزل: 8000 V; تيار القيادة: ± 15 A; جهد الحجب: ≤ 1700 V; زمن التأخير: ≤ 100 ns; تردد التبديل: ≤ 1 MHz; درجة حرارة الوصلة: -40 ℃ ~ +125 ℃; العبوة: SOIC-8

• تحويل نصف/جسر كامل
• محركات
• عواكس فولطائية/تخزين
• مصادر صناعية

تطرح دوائر إدارة الطاقة من باسيك سيميكوندكتور عائلة منظمات DC-DC التحويلية المباشرة BTP1521xx مع انطلاق ناعم وحماية حرارية مدمجة، حتى 6W و1.5MHz (عبر OSC)، بحزم DFN3×3-8/SOP-8. تغذي الثانوي لمحركات معزولة في وحدات الشحن واللحام والمصادر والمحركات وعواكس الشمس وPCS التخزين.

الطراز: BTP1521xx; قدرة الخرج: 6 W; تردد التبديل: ≤ 1.5 MHz; جهد التغذية: 9 V ~ 30 V; درجة حرارة الوصلة: -40 ℃ ~ +125 ℃; العبوة: DFN3×3-8 / SOP-8; الشهادة: AEC-Q100

• وحدات شحن
• طاقة لحام
• محركات سيرفو
• عواكس فولطائية
• PCS تخزين

بناءً على تقنية SiC المتقدمة، تطوّر باسيك سيميكوندكتور رقائق وويفرات ثنائي وMOSFET SiC. تنتج بكميات كبيرة رقائق/ويفرات ثنائي SiC 650V/1200V وMOSFET SiC 1200V/1700V (عائلات BW3D/BD3D وBW2M/BD2M)، لمصنّعي الوحدات والعملاء الذين يحتاجون تغليفًا ذاتيًا.

الطراز: BW3D / BD3D / BW2M / BD2M; جهد الحجب: 650 V / 1200 V / 1700 V; التيار المقنن: 20 A ~ 80 A; مقاومة التوصيل: ≤ 80 mΩ @ 1200 V; درجة حرارة الوصلة: 175 ℃; قطر الرقاقة: 150 mm (6 inch); العبوة: رقاقة مجردة / رقاقة ويفر

• تغليف ذاتي للوحدات
• تخصيص العملاء
• بحث وتطوير وإنتاج تجريبي
• تصنيع أجهزة SiC