Shenzhen BASiC Semiconductor Co., Ltd.

Los diodos Schottky SiC de Basic Semiconductor cubren tensiones de 650V/1200V/1400V/1700V/2000V y corrientes de 2A a 97A. En encapsulados estándar como TO-247, TO-220, DFN, SOT-227 y TOLT, presentan recuperación inversa nula, baja caída directa y gran resistencia a sobretensiones. Certificados AEC-Q101, se usan en fotovoltaica, carga, fuentes y electrónica de automoción.

Tensión 650V/1200V/1400V/1700V/2000V, corriente 2A–97A; encapsulados TO-247/TO-220/DFN/SOT-227/TOLT; certificación automotriz AEC-Q101

• Inversores fotovoltaicos
• Puntos de carga / carga rápida
• Fuentes conmutadas / UPS
• Vehículos de nueva energía
• Fuentes de alimentación industriales

Los MOSFET SiC de Basic Semiconductor se basan en una plataforma de obleas de 6 pulgadas, cubren 650V/750V/1200V/1400V/1700V con RDS(on) desde 6mΩ. Usan encapsulados TO-247-3/4, TOLL, TOLT, TO-263-7, QDPAK y SOT-227. Las versiones de grado automotriz (A) superan AEC-Q101 y cumplen PPAP, para controladores de motor, alimentación a bordo, FV y carga.

Tensión 650V/750V/1200V/1400V/1700V, RDS(on) tan bajo como 6mΩ; encapsulados TO-247/TOLL/TOLT/QDPAK/SOT-227; tipo A de grado automotriz aprobó AEC-Q101

• Controladores de motor EV
• Alimentación a bordo / OBC
• Inversores FV / almacenamiento
• Puntos de carga
• UPS / fuentes PFC

Los dispositivos discretos SiC híbridos de Basic Semiconductor coempaquetan un IGBT de corte por zanja y campo con un diodo Schottky SiC, ofreciendo 650V/1200V y 40A–75A en TO-247-3/4. Frente a IGBT de silicio reducen mucho las pérdidas de conmutación, ideales para topologías de conmutación dura sensibles al coste como inversores híbridos, OBC, UPS, telecom y DC-DC de alta frecuencia.

Modelo: BGH75N65HS1 / BGH50N65HF1 / BGH50N65HS1 / BGH50N65ZF1 / BGH75N65HF1 / BGH75N65ZF1 / BGH40N120HS1 / BGH75N120HF1; Tensión colector-emisor: 650 V y 1200 V; Corriente nominal: 40 a 75 A; Encapsulado: TO-247-3 / TO-247-4; Temperatura de unión máxima: 175 °C; Tensión de saturación colector-emisor: ≤1,7 V; Frecuencia de conmutación: ≤60 kHz; Conformidad: RoHS

• Almacenamiento / híbrido FV-almacenamiento
• Cargador a bordo OBC
• UPS / alimentación de telecom
• DC-DC de alta frecuencia
• Fuentes industriales

Los módulos industriales de potencia SiC completos de Basic Semiconductor cubren 650V/1200V, incluyendo EasyPACK™ E1B&E2B, puente medio 34mm, puente medio 62mm, Pcore™12 EP2, puente medio ED3 y trifásico de condensador volante E3B. Con sustrato cerámico Si₃N₄ AMB y soldadura de alta temperatura, dan baja RDS(on), baja pérdida y alta fiabilidad para cargadores, APF, PCS, soldadores, UPS y DCDC HF.

Tensión 650V/1200V; series EasyPACK™/34mm/62mm/Pcore™12/ED3/E3B; sustrato AMB Si₃N₄, baja pérdida alta fiabilidad

• Puntos de carga de alta potencia
• PCS / APF de almacenamiento
• Inversores FV
• Soldadoras de gama alta / calentamiento por inducción
• UPS de centro de datos / DCDC HF

El módulo MOSFET SiC HPD de grado automotriz Pcore™6 es un módulo compacto de alta potencia para inversores de tracción principal de EV híbridos y puros. Emplea sinterización de plata a presión, cableado de cobre, sustrato Si₃N₄ AMB y PinFin de refrigeración líquida directa, cubriendo 750V/1200V y 600–840A con RDS(on) desde 1.2mΩ, superando la fiabilidad AQG-324.

750V/1200V, 600–840A, RDS(on) tan bajo como 1.2mΩ; encapsulado HPD, sinterizado de plata, refrigeración líquida PinFin, fiabilidad superior a AQG-324

• Inversores principales EV
• Trenes de tracción comerciales EV
• Tracción de híbridos
• Controladores de motor

El HPD Mini Pcore™6 adopta un encapsulado HPD Mini innovador un 20% menor que el HPD estándar, con chips SiC automotrices de tercera generación propios, sustrato Si₃N₄ AMB y sinterización de plata a presión. La inductancia parásita es ≤6nH, cubre 750V/1200V (incl. 1400V) y 380–630A, idóneo para inversores de tracción, controladores de motor y compresores.

750V/1200V (incl. 1400V), 380–630A, RDS(on) tan bajo como 1.6mΩ; encapsulado HPD Mini 20% más pequeño, inductancia parásita ≤6nH

• Inversores principales EV
• Controladores de motor
• Accionamientos de compresor
• Conjuntos de tracción integrados

El módulo MOSFET SiC DCM de grado automotriz Pcore™2 usa el encapsulado DCM convencional con chips trench de bajo RDS(on), sinterización de plata a presión, DTS, cableado de cobre, sustrato Si₃N₄ AMB y PinFin líquido directo. Cubre 750V/1200V y 720–920A con Rth(j-f)<0.09K/W y unión 175°C, para tracción de EV particulares/comerciales y conversión de pilas de combustible.

750V/1200V, 720–920A, Rth(j-f)<0.09K/W, temp. de unión 175℃; encapsulado DCM, sinterizado de plata, refrigeración líquida PinFin

• Tracción de turismos EV
• Tracción de comerciales / camiones pesados EV
• Conversión de energía de pila combustible
• Maquinaria de construcción

El Pcore™1 TPAK de grado automotriz es un módulo de un solo interruptor de alta densidad de corriente para inversores de tracción principal de EV puros. La sinterización de plata a presión y el sustrato Si₃N₄ AMB reducen la resistencia térmica y permiten serie/paralelo, cubren 750V/1200V y 250–300A con RDS(on) 5.0–6.8mΩ, con baja pérdida y alta fiabilidad.

750V/1200V, 250–300A, RDS(on) 5.0–6.8mΩ; encapsulado TPAK, monointerruptor alta densidad de corriente, soporta serie/paralelo

• Inversores principales EV
• Expansión en paralelo de plataforma
• Controladores de motor
• Alimentación a bordo

El módulo MOSFET SiC medio puente moldeado de grado automotriz Pcell™ usa el encapsulado propietario de Basic Semiconductor con sinterización de plata bilateral y DTS. Ofrece baja inductancia parásita (<5nH), bajo RDS(on) (<2mΩ) y unión 175°C, cubre 750V/1200V y 400–700A, con sensor de temperatura integrado para aplicaciones de alta densidad y eficiencia.

750V/1200V, 400–700A, RDS(on)<2mΩ, inductancia parásita <5nH, temp. de unión 175℃; refrigeración moldeada de un lado, sinterizado de plata doble cara

• Inversores principales EV
• Sistemas de tracción
• Alimentación a bordo
• Aplicaciones de alta densidad

El módulo SiC embebido de grado automotriz usa empaquetado avanzado de incrustación AMB/bloque de cobre basado en un puente completo de 4 chips en paralelo, con inductancia parásita de solo 1.2nH, alta integración y refrigeración eficiente. Sirve para trenes motrices EV, accionamientos industriales, inversores FV y OBC/DCDC, y está en evaluación de fiabilidad.

Topología: puente completo con 4 chips en paralelo; tensión de bus: 1200 V; corriente nominal: 400 A; inductancia parásita: 1,2 nH; encapsulado: incrustación AMB / bloque de cobre; temperatura de unión máxima: 175 °C; resistencia térmica Rth(j-c): 0,15 K/W; temperatura de servicio: -40 °C a +150 °C

• Trenes motrices EV
• Accionamientos industriales
• Inversores FV
• OBC / DCDC

Los CI controladores de puerta aislados de Basic Semiconductor incluyen familias de uno/dos canales y con protección inteligente contra cortocircuito BTD21520xx, BTD25350xx y BTD5350xx, con aislamiento hasta 5000Vrms para dispositivos hasta 1700V. Sirven en DC-DC/AC-DC aislados, inversores FV, accionamientos, carga EV y UPS.

Modelo: BTD21520xx / BTD25350xx / BTD5350xx; Tensión de aislamiento: 5000 Vrms; Tensión de bloqueo: ≤ 1700 V; Número de canales: 1 ~ 2; Corriente de excitación: ± 5 A; Retardo de propagación: ≤ 60 ns; Temperatura de unión: -40 ℃ ~ +125 ℃; Encapsulado: SOIC-8 / SOIC-16 WB

• Aislado DC-DC / AC-DC
• Inversores FV
• Accionamientos de motor
• Carga EV / UPS
• Fuentes de servidor

Los CI controladores de baja lateral BTL2752x de Basic Semiconductor son controladores de puerta de baja lateral de doble canal y alta velocidad, con salida rail-to-rail, hasta 5A fuente/sumidero y retardo de 13ns. Soporta lógica inversora/no inversora con habilitación y tolera −5V, en PFC, DCDC, rectificación síncrona, flyback y aislamiento por transformador, de cientos de W a decenas de kW.

Modelo: BTL2752x; Número de canales: 2; Corriente de excitación: 5 A source / sink; Retardo de propagación: ≤ 13 ns; Tensión de alimentación: -5 V ~ +20 V; Temperatura de unión: -40 ℃ ~ +125 ℃; Encapsulado: SOP-8 / DFN-8

• Fuentes PFC / LLC
• DCDC / rectificación síncrona
• Microinversores FV
• Accionamientos
• A bordo / puntos de carga

El portafolio de controladores de puerta de Basic Semiconductor incluye controladores puente bootstrap como BTD3011R, junto con aislados y de baja lateral. Con aislamiento hasta 8000V y ±15A, sirven para dispositivos hasta 1700V. La pieza solo aparece en el resumen y guía de selección, sin página de especificaciones propia.

Modelo: BTD3011R; Tensión de aislamiento: 8000 V; Corriente de excitación: ± 15 A; Tensión de bloqueo: ≤ 1700 V; Retardo de propagación: ≤ 100 ns; Frecuencia de conmutación: ≤ 1 MHz; Temperatura de unión: -40 ℃ ~ +125 ℃; Encapsulado: SOIC-8

• Conversión medio / puente completo
• Accionamientos
• Inversores FV / almacenamiento
• Fuentes industriales

Los CI de gestión de energía de Basic Semiconductor presentan la familia de reguladores conmutados DC-DC directos BTP1521xx con arranque suave y protección térmica integrados, hasta 6W y 1.5MHz (por OSC), en DFN3×3-8/SOP-8. Alimenta el secundario de drivers aislados en módulos de carga, soldadoras, servo, inversores FV y PCS de almacenamiento.

Modelo: BTP1521xx; Potencia de salida: 6 W; Frecuencia de conmutación: ≤ 1.5 MHz; Tensión de alimentación: 9 V ~ 30 V; Temperatura de unión: -40 ℃ ~ +125 ℃; Encapsulado: DFN3×3-8 / SOP-8; Certificación: AEC-Q100

• Módulos de carga
• Fuentes de soldadora
• Servomotores
• Inversores FV
• PCS de almacenamiento

Basado en epitaxia SiC avanzada, Basic Semiconductor desarrolla dice y obleas de diodos y MOSFET SiC. Produce en masa dice/obleas de diodo SiC 650V/1200V y MOSFET SiC 1200V/1700V (familias BW3D/BD3D, BW2M/BD2M), para fabricantes de módulos y clientes que necesitan su propio encapsulado.

Modelo: BW3D / BD3D / BW2M / BD2M; Tensión de bloqueo: 650 V / 1200 V / 1700 V; Corriente nominal: 20 A ~ 80 A; Resistencia de conducción: ≤ 80 mΩ @ 1200 V; Temperatura de unión: 175 ℃; Tamaño de oblea: 150 mm (6 inch); Encapsulado: Die desnudo / oblea

• Encapsulado propio de módulos
• Personalización de clientes
• I+D y preproducción
• Fabricación de dispositivos SiC