Shenzhen BASiC Semiconductor Co., Ltd.

SiC-диоды Шоттки Basic Semiconductor охватывают напряжения 650V/1200V/1400V/1700V/2000V и токи от 2A до 97A. В стандартных корпусах TO-247, TO-220, DFN, SOT-227 и TOLT они имеют нулевое обратное восстановление, низкое прямое падение и высокую стойкость к перегрузкам. Сертифицированы AEC-Q101 и применяются в фотоэнергетике, зарядках, БП и автоэлектронике.

Напряжение 650В/1200В/1400В/1700В/2000В, ток 2А–97А; корпуса TO-247/TO-220/DFN/SOT-227/TOLT; автомобильная сертификация AEC-Q101

• Фотоэлектрические инверторы
• Зарядные станции / быстрая зарядка
• Импульсные БП / UPS
• Транспорт новой энергии
• Промышленные источники питания

MOSFET SiC от Basic Semiconductor построены на платформе пластин диаметром 6 дюймов, охватывают 650V/750V/1200V/1400V/1700V с RDS(on) от 6mΩ. Применяются корпуса TO-247-3/4, TOLL, TOLT, TO-263-7, QDPAK и SOT-227. Автомобильные версии (A) проходят AEC-Q101 и отвечают PPAP, применяются в контроллерах двигателя, бортовой мощности, ФЭ и зарядках.

Напряжение 650В/750В/1200В/1400В/1700В, RDS(on) вплоть до 6мОм; корпуса TO-247/TOLL/TOLT/QDPAK/SOT-227; автомобильный тип A прошёл AEC-Q101

• Контроллеры двигателя ЭВ
• Бортовая мощность / OBC
• ФЭ инверторы / накопители
• Зарядные станции
• UPS / PFC

Гибридные дискретные приборы SiC от Basic Semiconductor совмещают IGBT с траншевым полевым запиранием и диод Шоттки SiC, обеспечивая 650V/1200V и 40–75A в корпусах TO-247-3/4. По сравнению с кремниевыми IGBT они резко снижают коммутационные потери, что идеально для чувствительных к цене жёстких топологий: гибридные инверторы, OBC, UPS, телеком и высокочастотный DC-DC.

Модель: BGH75N65HS1 / BGH50N65HF1 / BGH50N65HS1 / BGH50N65ZF1 / BGH75N65HF1 / BGH75N65ZF1 / BGH40N120HS1 / BGH75N120HF1; Напряжение коллектор-эмиттер: 650 В и 1200 В; Номинальный ток: 40–75 А; Корпус: TO-247-3 / TO-247-4; Максимальная температура перехода: 175 °C; Напряжение насыщения коллектор-эмиттер: ≤1,7 В; Частота коммутации: ≤60 кГц; Соответствие: RoHS

• Накопители / гибрид ФЭ-накопитель
• Бортовое ЗУ OBC
• UPS / телеком-питание
• Высокочастотный DC-DC
• Промышленное питание

Промышленные полностью SiC силовые модули Basic Semiconductor охватывают 650V/1200V, включая EasyPACK™ E1B&E2B, полумост 34mm, полумост 62mm, Pcore™12 EP2, полумост ED3 и трёхуровневый E3B с летающим конденсатором. На керамической подложке Si₃N₄ AMB и высокотемпературном припое они дают низкий RDS(on), низкие потери и высокую надёжность для зарядок, APF, PCS, сварки, UPS и высокочастотного DCDC.

Напряжение 650В/1200В; серии EasyPACK™/34mm/62mm/Pcore™12/ED3/E3B; подложка AMB Si₃N₄, низкие потери высокая надёжность

• Мощные зарядные станции
• PCS / APF накопителей
• ФЭ инверторы
• Премиальные сварочники / индукционный нагрев
• UPS ЦОД / высокочастотный DCDC

Автомобильный модуль MOSFET SiC HPD Pcore™6 — компактный высокомощный модуль для главных тяговых инверторов гибридных и чисто электрических ЭВ. Использует серебряное спекание под давлением, медное проволочное соединение, подложку Si₃N₄ AMB и прямое жидкостное охлаждение PinFin, охватывая 750V/1200V и 600–840A с RDS(on) от 1.2mΩ, превосходя надёжность AQG-324.

750В/1200В, 600–840А, RDS(on) вплоть до 1.2мОм; корпус HPD, серебряное спекание, водяное охлаждение PinFin, надёжность выше AQG-324

• Главные тяговые инверторы ЭВ
• Тяга коммерческих ЭВ
• Тяга гибридов
• Контроллеры двигателя

Pcore™6 HPD Mini использует инновационный корпус HPD Mini на 20% меньше стандартного HPD, с фирменными SiC-чипами автомобильного класса третьего поколения, подложкой Si₃N₄ AMB и серебряным спеканием под давлением. Паразитная индуктивность ≤6nH, охват 750V/1200V (вкл. 1400V) и 380–630A, подходит для тяговых инверторов, контроллеров двигателя и компрессоров.

750В/1200В (вкл. 1400В), 380–630А, RDS(on) вплоть до 1.6мОм; корпус HPD Mini на 20% меньше, паразитная индуктивность ≤6нГн

• Главные тяговые инверторы ЭВ
• Контроллеры двигателя
• Приводы компрессоров
• Интегрированные электроприводы

Автомобильный модуль MOSFET SiC DCM Pcore™2 использует распространённый корпус DCM с trench-чипами низкого RDS(on), серебряное спекание под давлением, DTS, медное проволочное соединение, подложку Si₃N₄ AMB и прямое жидкостное охлаждение PinFin. Охват 750V/1200V и 720–920A с Rth(j-f)<0.09K/W и переходом 175°C, для тяги легковых/коммерческих ЭВ и преобразования энергии топливных элементов.

750В/1200В, 720–920А, Rth(j-f)<0.09К/Вт, температура перехода 175℃; корпус DCM, серебряное спекание, водяное охлаждение PinFin

• Приводы легковых ЭВ
• Приводы коммерческих / тяжёлых ЭВ
• Преобразование энергии топливных элементов
• Приводы строительной техники

Pcore™1 TPAK автомобильного класса — модуль одноключевой высокой плотности тока для главных тяговых инверторов чисто электрических ЭВ. Серебряное спекание под давлением и подложка Si₃N₄ AMB снижают тепловое сопротивление и допускают последовательное/параллельное соединение, охват 750V/1200V и 250–300A с RDS(on) 5.0–6.8mΩ, низкие потери и высокая надёжность.

750В/1200В, 250–300А, RDS(on) 5.0–6.8мОм; корпус TPAK, одноключевой высокая плотность тока, поддерживает последовательное/параллельное

• Главные тяговые инверторы ЭВ
• Параллельное расширение платформы
• Контроллеры двигателя
• Бортовая мощность

Автомобильный литой полумостовой модуль MOSFET SiC Pcell™ использует фирменный корпус Basic Semiconductor с двусторонним серебряным спеканием и DTS. Даёт низкую паразитную индуктивность (<5nH), низкий RDS(on) (<2mΩ) и температуру перехода 175°C, охват 750V/1200V и 400–700A, со встроенным датчиком температуры для высокоэффективных приложений высокой плотности.

750В/1200В, 400–700А, RDS(on)<2мОм, паразитная индуктивность <5нГн, температура перехода 175℃; литое одностороннее охлаждение, двустороннее серебряное спекание

• Главные тяговые инверторы ЭВ
• Системы привода
• Бортовая мощность
• Приложения высокой плотности

Автомобильный встраиваемый модуль SiC использует передовую упаковку с заглублением AMB/медного блока на базе полномостовой схемы из 4 параллельных чипов, с паразитной индуктивностью всего 1.2nH, высокой интеграцией и эффективным охлаждением. Подходит для силовых установок ЭВ, промышленных приводов, ФЭ инверторов и OBC/DCDC, сейчас на этапе оценки надёжности.

Топология: полный мост, 4 параллельных чипа; напряжение звена: 1200 В; номинальный ток: 400 А; паразитная индуктивность: 1,2 нГн; корпус: заглубление AMB / медный блок; максимальная температура перехода: 175 °C; тепловое сопротивление Rth(j-c): 0,15 К/Вт; рабочая температура: -40 °C до +150 °C

• Силовые установки ЭВ
• Промышленные приводы
• ФЭ инверторы
• OBC / DCDC

Изолированные ИС драйверов затвора Basic Semiconductor включают одно- и двухканальные семейства с интеллектуальной защитой от КЗ BTD21520xx, BTD25350xx и BTD5350xx, с изоляцией до 5000Vrms для приборов до 1700V. Применяются в изолированных DC-DC/AC-DC, ФЭ инверторах, приводах, зарядке ЭВ и UPS.

Модель: BTD21520xx / BTD25350xx / BTD5350xx; Напряжение изоляции: 5000 Vrms; Блокирующее напряжение: ≤ 1700 V; Число каналов: 1 ~ 2; Ток управления затвором: ± 5 A; Задержка распространения: ≤ 60 ns; Температура перехода: -40 ℃ ~ +125 ℃; Корпус: SOIC-8 / SOIC-16 WB

• Изолированный DC-DC / AC-DC
• ФЭ инверторы
• Приводы двигателей
• Зарядка ЭВ / UPS
• Питание серверов

ИС низковольтных драйверов BTL2752x от Basic Semiconductor — двухканальные высокоскоростные драйверы затвора нижнего плеча с выходом rail-to-rail, током до 5A исток/сток и задержкой 13нс. Поддерживают инверсную/невинверсную логику с enable и допускают −5V, в PFC, DCDC, синхронном выпрямлении, flyback и трансформаторной изоляции — от сотен ватт до десятков киловатт.

Модель: BTL2752x; Число каналов: 2; Ток управления затвором: 5 A source / sink; Задержка распространения: ≤ 13 ns; Напряжение питания: -5 V ~ +20 V; Температура перехода: -40 ℃ ~ +125 ℃; Корпус: SOP-8 / DFN-8

• Питание PFC / LLC
• DCDC / синхронное выпрямление
• Микроинверторы ФЭ
• Приводы двигателей
• Бортовое / зарядные

Номенклатура драйверов затвора Basic Semiconductor включает bootstrap-драйверы моста, такие как BTD3011R, наряду с изолированными и низковольтными. С изоляцией до 8000V и током ±15A они подходят для приборов до 1700V. Компонент указан только в обзоре драйверов и руководстве по выбору, без отдельной страницы спецификаций.

Модель: BTD3011R; Напряжение изоляции: 8000 V; Ток управления затвором: ± 15 A; Блокирующее напряжение: ≤ 1700 V; Задержка распространения: ≤ 100 ns; Частота переключения: ≤ 1 MHz; Температура перехода: -40 ℃ ~ +125 ℃; Корпус: SOIC-8

• Преобразование полумост / мост
• Приводы двигателей
• Инверторы ФЭ / накопителей
• Промышленное питание

ИС управления питанием Basic Semiconductor представляют семейство прямоходовых импульсных DC-DC регуляторов BTP1521xx с мягким стартом и встроенной тепловой защитой, до 6W и 1.5MHz (вывод OSC), в корпусах DFN3×3-8/SOP-8. Питает вторичную обмотку изолированных драйверов в зарядных модулях, сварке, сервоприводе, ФЭ инверторах и PCS накопителей.

Модель: BTP1521xx; Выходная мощность: 6 W; Частота переключения: ≤ 1.5 MHz; Напряжение питания: 9 V ~ 30 V; Температура перехода: -40 ℃ ~ +125 ℃; Корпус: DFN3×3-8 / SOP-8; Сертификация: AEC-Q100

• Зарядные модули
• Питание сварки
• Серводвигатели
• ФЭ инверторы
• PCS накопителей

На базе передовой SiC-эпитаксии Basic Semiconductor разрабатывает необработанные кристаллы и пластины диодов и MOSFET SiC. Налажен серийный выпуск кристаллов/пластин диода SiC 650V/1200V и MOSFET SiC 1200V/1700V (серии BW3D/BD3D, BW2M/BD2M) для заводов модулей и заказчиков, нуждающихся в собственной упаковке.

Модель: BW3D / BD3D / BW2M / BD2M; Блокирующее напряжение: 650 V / 1200 V / 1700 V; Номинальный ток: 20 A ~ 80 A; Сопротивление во включённом состоянии: ≤ 80 mΩ @ 1200 V; Температура перехода: 175 ℃; Диаметр пластины: 150 mm (6 inch); Корпус: Кристалл / пластина

• Собственная упаковка модулей
• Кастомизация заказчиков
• НИОКР и опытное производство
• Производство приборов SiC