Shenzhen BASiC Semiconductor Co., Ltd.

Les diodes Schottky SiC de Basic Semiconductor couvrent des tensions de 650V/1200V/1400V/1700V/2000V et des courants de 2A à 97A. Logées dans des boîtiers standard tels que TO-247, TO-220, DFN, SOT-227 et TOLT, elles offrent une récupération inverse nulle, une faible chute directe et une forte tenue aux surtensions. Certifiées AEC-Q101, elles servent au photovoltaïque, aux bornes de recharge, aux alimentations et à l'électronique automobile.

Tension 650V/1200V/1400V/1700V/2000V, courant 2A–97A; boîtiers TO-247/TO-220/DFN/SOT-227/TOLT; certification automobile AEC-Q101

• Onduleurs photovoltaïques
• Bornes de recharge / recharge rapide
• Alimentations à découpage / UPS
• Véhicules à nouvelle énergie
• Alimentations industrielles

Les MOSFET SiC de Basic Semiconductor reposent sur une plateforme de wafers de 6 pouces, couvrent 650V/750V/1200V/1400V/1700V avec un RDS(on) jusqu'à 6mΩ. Ils utilisent les boîtiers TO-247-3/4, TOLL, TOLT, TO-263-7, QDPAK et SOT-227. Les versions de grade automobile (A) passent AEC-Q101 et satisfont PPAP, pour contrôleurs de moteur, alimentation embarquée, PV et recharge.

Tension 650V/750V/1200V/1400V/1700V, RDS(on) aussi bas que 6mΩ; boîtiers TO-247/TOLL/TOLT/QDPAK/SOT-227; type A de grade automobile a passé AEC-Q101

• Contrôleurs de moteur VE
• Alimentation embarquée / OBC
• Onduleurs PV / stockage
• Bornes de recharge
• UPS / alimentations PFC

Les composants discrets SiC hybrides de Basic Semiconductor co-intègrent un IGBT à arrêt trench et un diode Schottky SiC, offrant 650V/1200V et 40A–75A en TO-247-3/4. Face aux IGBT silicium, ils réduisent fortement les pertes de commutation, idéaux pour les topologies à commutation dure soucieuses du coût comme onduleurs hybrides, OBC, UPS, télécom et DC-DC haute fréquence.

Modèle : BGH75N65HS1 / BGH50N65HF1 / BGH50N65HS1 / BGH50N65ZF1 / BGH75N65HF1 / BGH75N65ZF1 / BGH40N120HS1 / BGH75N120HF1; Tension collecteur-émetteur : 650 V et 1200 V; Courant nominal : 40 à 75 A; Boîtier : TO-247-3 / TO-247-4; Température de jonction maximale : 175 °C; Tension de saturation collecteur-émetteur : ≤1,7 V; Fréquence de commutation : ≤60 kHz; Conformité : RoHS

• Stockage / hybride PV-stockage
• Chargeur embarqué OBC
• UPS / alimentation télécom
• DC-DC haute fréquence
• Alimentations industrielles

Les modules de puissance SiC intégraux industriels de Basic Semiconductor couvrent 650V/1200V, incluant EasyPACK™ E1B&E2B, demi-pont 34mm, demi-pont 62mm, Pcore™12 EP2, demi-pont ED3 et triphasé à condensateur flottant E3B. Avec substrat céramique Si₃N₄ AMB et soudure haute température, ils offrent un RDS(on) faible, une perte réduite et une haute fiabilité pour chargeurs, APF, PCS, soudeuses, UPS et DCDC HF.

Tension 650V/1200V; séries EasyPACK™/34mm/62mm/Pcore™12/ED3/E3B; substrat AMB Si₃N₄, faible perte haute fiabilité

• Bornes de recharge haute puissance
• PCS / APF de stockage
• Onduleurs PV
• Soudeuses haut de gamme / chauffage par induction
• UPS centres de données / DCDC HF

Le module MOSFET SiC HPD de grade automobile Pcore™6 est un module compact haute puissance conçu pour les onduleurs de traction principale des VE hybrides et 100 % électriques. Il utilise le frittage argent sous pression, le câblage cuivre, le substrat Si₃N₄ AMB et le refroidissement liquide direct PinFin, couvrant 750V/1200V et 600–840A avec un RDS(on) jusqu'à 1.2mΩ, dépassant la fiabilité AQG-324.

750V/1200V, 600–840A, RDS(on) aussi bas que 1.2mΩ; boîtier HPD, frittage argent, refroidissement liquide PinFin, fiabilité supérieure à AQG-324

• Onduleurs de traction principale VE
• Groupes motopropulseurs utilitaires VE
• Traction hybride
• Contrôleurs de moteur

Le Pcore™6 HPD Mini adopte un boîtier HPD Mini innovant, 20 % plus compact que le HPD standard, avec des puces SiC automobiles de troisième génération maison, substrat Si₃N₄ AMB et frittage argent sous pression. L'inductance parasite est ≤6nH, couvre 750V/1200V (dont 1400V) et 380–630A, idéal pour onduleurs de traction, contrôleurs de moteur et compresseurs.

750V/1200V (incl. 1400V), 380–630A, RDS(on) aussi bas que 1.6mΩ; boîtier HPD Mini 20% plus petit, inductance parasite ≤6nH

• Onduleurs de traction principale VE
• Contrôleurs de moteur
• Entraînements de compresseur
• Ensembles de propulsion intégrés

Le module MOSFET SiC DCM de grade automobile Pcore™2 utilise le boîtier DCM courant avec des puces trench à faible RDS(on), frittage argent sous pression, DTS, câblage cuivre, substrat Si₃N₄ AMB et refroidissement liquide direct PinFin. Il couvre 750V/1200V et 720–920A avec Rth(j-f)<0.09K/W et jonction 175°C, pour la traction VE particuliers/utilitaires et la conversion d'énergie piles à combustible.

750V/1200V, 720–920A, Rth(j-f)<0.09K/W, temp. de jonction 175℃; boîtier DCM, frittage argent, refroidissement liquide PinFin

• Groupes motopropulseurs VE particuliers
• Groupes VE utilitaires / poids lourds
• Conversion d'énergie piles à combustible
• Entraînements engins de chantier

Le Pcore™1 TPAK de grade automobile est un module à interrupteur unique à haute densité de courant pour onduleurs de traction principale des VE 100 % électriques. Le frittage argent sous pression et le substrat Si₃N₄ AMB réduisent la résistance thermique et permettent série/parallèle, couvrant 750V/1200V et 250–300A avec RDS(on) 5.0–6.8mΩ, faible perte et haute fiabilité.

750V/1200V, 250–300A, RDS(on) 5.0–6.8mΩ; boîtier TPAK, interrupteur unique haute densité de courant, supporte série/parallèle

• Onduleurs de traction principale VE
• Extension parallèle de plateforme
• Contrôleurs de moteur
• Alimentation embarquée

Le module MOSFET SiC demi-pont moulé de grade automobile Pcell™ utilise le boîtier propriétaire de Basic Semiconductor avec frittage argent bilatéral et DTS. Il offre une faible inductance parasite (<5nH), un RDS(on) faible (<2mΩ) et une jonction 175°C, couvre 750V/1200V et 400–700A, avec capteur de température intégré pour applications denses et efficaces.

750V/1200V, 400–700A, RDS(on)<2mΩ, inductance parasite <5nH, temp. de jonction 175℃; refroidissement moulé un côté, frittage argent double face

• Onduleurs de traction principale VE
• Systèmes de propulsion
• Alimentation embarquée
• Applications haute densité

Le module SiC embarqué de grade automobile utilise un packaging avancé à encastrement AMB/bloc de cuivre basé sur un pont complet de 4 puces en parallèle, avec une inductance parasite de seulement 1.2nH, une forte intégration et un refroidissement efficace. Il sert aux groupes motopropulseurs VE, entraînements industriels, onduleurs PV et OBC/DCDC, et est en évaluation de fiabilité.

Topologie: pont complet avec 4 puces en parallèle; tension de bus: 1200 V; courant nominal: 400 A; inductance parasite: 1,2 nH; boîtier: encastrement AMB / bloc de cuivre; température de jonction maximale: 175 °C; résistance thermique Rth(j-c): 0,15 K/W; température de service: -40 °C à +150 °C

• Groupes motopropulseurs VE
• Entraînements industriels
• Onduleurs PV
• OBC / DCDC

Les CI de pilote de porte isolé de Basic Semiconductor comprennent des familles mono/bicanale et à protection intelligente contre court-circuit BTD21520xx, BTD25350xx et BTD5350xx, avec une isolation jusqu'à 5000Vrms pour composants jusqu'à 1700V. Ils servent en DC-DC/AC-DC isolé, onduleurs PV, entraînements, recharge VE et UPS.

Modèle: BTD21520xx / BTD25350xx / BTD5350xx; Tension d'isolement: 5000 Vrms; Tension de blocage: ≤ 1700 V; Nombre de canaux: 1 ~ 2; Courant de commande: ± 5 A; Délai de propagation: ≤ 60 ns; Température de jonction: -40 ℃ ~ +125 ℃; Boîtier: SOIC-8 / SOIC-16 WB

• DC-DC / AC-DC isolé
• Onduleurs PV
• Entraînements de moteur
• Charge VE / UPS
• Alimentation serveurs

Les CI de pilote bas-côté BTL2752x de Basic Semiconductor sont des pilotes de porte bas-côté bicanal haute vitesse, sortie rail-à-rail, jusqu'à 5A source/puits et retard 13ns. Ils supportent une logique inverse/non inverse avec enable et tolèrent −5V, dans PFC, DCDC, redressement synchrone, flyback et isolation par transformateur, de centaines de W à dizaines de kW.

Modèle: BTL2752x; Nombre de canaux: 2; Courant de commande: 5 A source / sink; Délai de propagation: ≤ 13 ns; Tension d'alimentation: -5 V ~ +20 V; Température de jonction: -40 ℃ ~ +125 ℃; Boîtier: SOP-8 / DFN-8

• Alimentations PFC / LLC
• DCDC / redressement synchrone
• Micro-onduleurs PV
• Entraînements
• Embarqué / bornes de recharge

Le portefeuille de pilotes de porte de Basic Semiconductor inclut des pilotes en pont bootstrap comme BTD3011R, avec les isolés et bas-côté. Avec une isolation jusqu'à 8000V et un courant de ±15A, ils conviennent aux composants jusqu'à 1700V. La pièce n'apparaît que dans l'aperçu et le guide de sélection, sans page de spécifications dédiée.

Modèle: BTD3011R; Tension d'isolement: 8000 V; Courant de commande: ± 15 A; Tension de blocage: ≤ 1700 V; Délai de propagation: ≤ 100 ns; Fréquence de commutation: ≤ 1 MHz; Température de jonction: -40 ℃ ~ +125 ℃; Boîtier: SOIC-8

• Conversion demi / pont complet
• Entraînements
• Onduleurs PV / stockage
• Alimentations industrielles

Les CI de gestion de puissance de Basic Semiconductor lancent la famille de régulateurs DC-DC à découpage direct BTP1521xx avec soft-start et protection thermique intégrés, jusqu'à 6W et 1.5MHz (broche OSC), en DFN3×3-8/SOP-8. Il alimente le secondaire des pilotes isolés dans modules de recharge, soudeuses, servo, onduleurs PV et PCS de stockage.

Modèle: BTP1521xx; Puissance de sortie: 6 W; Fréquence de commutation: ≤ 1.5 MHz; Tension d'alimentation: 9 V ~ 30 V; Température de jonction: -40 ℃ ~ +125 ℃; Boîtier: DFN3×3-8 / SOP-8; Certification: AEC-Q100

• Modules de recharge
• Alimentation soudeuse
• Entraînements servo
• Onduleurs PV
• PCS de stockage

À partir d'une épitaxie SiC avancée, Basic Semiconductor développe des dies et wafers de diodes et MOSFET SiC. Il produit en série des dies/wafers de diode SiC 650V/1200V et MOSFET SiC 1200V/1700V (familles BW3D/BD3D, BW2M/BD2M), pour les fabricants de modules et clients souhaitant leur propre encapsulation.

Modèle: BW3D / BD3D / BW2M / BD2M; Tension de blocage: 650 V / 1200 V / 1700 V; Courant nominal: 20 A ~ 80 A; Résistance à l'état passant: ≤ 80 mΩ @ 1200 V; Température de jonction: 175 ℃; Diamètre de plaquette: 150 mm (6 inch); Boîtier: Puce nue / tranche

• Encapsulation propre des modules
• Personnalisation clients
• R&D et préproduction
• Fabrication de composants SiC