芯聚能

专为新能源电动汽车主驱逆变器设计的车规级SiC MOSFET模块，三相全桥(6-in-1)拓扑，VDss 1200V，RDS(ON)-typ 2/3mΩ，工作结温-40℃~175℃。采用Pin-Fin直接水冷散热底板、烧结工艺、PressFIT压接工艺，低杂散电感设计，通过AQG324可靠性试验验证，符合RoHS标准，2022年4月批量生产。

型号：APD-V2；拓扑：三相全桥 Sixpack（6-in-1）；漏源电压 VDSS：1200 V；导通电阻 RDS(on)：2 mΩ ~ 3 mΩ；连续漏极电流 ID：400 A；工作结温 Tj：-40 ℃ ~ +175 ℃；散热方式：Pin-Fin 直接水冷底板；绝缘耐压：3000 V AC / 1 min

• 纯电动/混动新能源电动车主驱逆变器
• 大功率电机驱动

APD-V2升级版，为新能源电动汽车主驱应用优化的车规级SiC MOSFET模块。三相全桥(6-in-1)拓扑，VDss 750V/1200V，RDS(ON)-typ 1~4mΩ，工作结温-40℃~175℃。采用Pin-Fin直接水冷底板、PressFIT压接、烧结工艺、Clip bond技术、叠层母排低杂散电感设计，通过AQG324验证，状态为量产。

型号：APD-V5；拓扑：三相全桥 Sixpack（6-in-1）；漏源电压 VDSS：750 V / 1200 V；导通电阻 RDS(on)：1 mΩ ~ 4 mΩ；连续漏极电流 ID：450 A；工作结温 Tj：-40 ℃ ~ +175 ℃；封装工艺：PressFIT 压接 + 烧结 + Clip bond；绝缘耐压：3000 V AC / 1 min

• 纯电动/混动新能源电动车主驱逆变器
• 大功率电机驱动

下一代新能源汽车主驱SiC MOSFET模块，为车规级主驱逆变提供多维、高性能解决方案。三相全桥(6-in-1)拓扑，VDss 750V/1200V，RDS(ON)-typ 2/3/4mΩ，Pin-Fin分区水冷。具有创新结构、卓越输出能力、超低电感、激光焊接技术、超十万次功率循环寿命。官网状态标注为下一代产品（Next generation products）。

型号：APD-V5G；拓扑：三相全桥 Sixpack（6-in-1）；漏源电压 VDSS：750 V / 1200 V；导通电阻 RDS(on)：2 mΩ ~ 4 mΩ；连续漏极电流 ID：500 A；工作结温 Tj：-40 ℃ ~ +175 ℃；散热方式：Pin-Fin 分区水冷；功率循环寿命：> 100000 次

• 纯电动/混动新能源电动车主驱逆变器
• 大功率电机驱动

下一代新能源汽车主驱SiC MOSFET模块，三相全桥(6-in-1)拓扑，VDss 1200V，RDS(ON)-typ 2/3mΩ，Pin-Fin直接水冷，工作结温-40℃~175℃。创新结构使输出能力提高20%，超低电感、超高导热性能、超十万次功率循环寿命。官网状态标注为下一代产品（Next generation products）。

型号：APD-V6；拓扑：三相全桥 Sixpack（6-in-1）；漏源电压 VDSS：1200 V；导通电阻 RDS(on)：2 mΩ ~ 3 mΩ；连续漏极电流 ID：450 A；工作结温 Tj：-40 ℃ ~ +175 ℃；散热方式：Pin-Fin 直接水冷；输出能力提升：≥ 20%

• 纯电动/混动新能源电动车主驱逆变器
• 大功率电机驱动

下一代新能源汽车主驱SiC MOSFET模块，采用定制化半桥（half-bridge）拓扑，VDss 1200V，RDS(ON)-typ 2/3mΩ，工作结温-40℃~175℃。全叠层功率电路实现超低杂散电感，为新能源汽车主驱逆变提供灵活应用方案。官网状态标注为下一代产品（Next generation products）。

型号：HBM；拓扑：定制化半桥（half-bridge）；漏源电压 VDSS：1200 V；导通电阻 RDS(on)：2 mΩ ~ 3 mΩ；连续漏极电流 ID：400 A；工作结温 Tj：-40 ℃ ~ +175 ℃；功率电路：全叠层母排；杂散电感：≤ 8 nH

• 纯电动/混动新能源电动车主驱逆变器
• 大功率电机驱动

工业级SiC功率MOSFET模块，62MM封装，单开关拓扑，VDss 1200V，RDS(ON)-typ 6mΩ。可在175℃环境下稳定运行，具备为SiC器件优化的寄生电感、出色短路性能和大电流输出能力，集成温度传感器NTC选项。官网状态为量产。

型号：62MM 模块；拓扑：单开关（single switch）；漏源电压 VDSS：1200 V；导通电阻 RDS(on)：6 mΩ；连续漏极电流 ID：200 A；工作结温 Tj：-40 ℃ ~ +175 ℃；封装尺寸：62 mm × 106 mm；温度传感器：可选集成 NTC

• 工业
• EV chargers
• Induction heating and welding

工业级SiC MOSFET单管（分立器件），基于先进沟槽工艺，提供TO-247、TO-263封装，VDss 750V/1200V，RDS(ON)-Typ 11/20/40/80mΩ，工作结温-55℃~175℃。极低栅极电荷和结电容、关断损耗受温度影响小，开关和导通损耗优于同类，雪崩鲁棒性强，体二极管反向恢复电荷低。官网状态为量产。

型号：TO 系列 SiC MOSFET 单管；封装：TO-247 / TO-263；漏源电压 VDSS：750 V / 1200 V；导通电阻 RDS(on)：11 mΩ ~ 80 mΩ；连续漏极电流 ID：30 A ~ 100 A；工作结温 Tj：-55 ℃ ~ +175 ℃；栅极电荷 Qg：45 nC ~ 120 nC；开关频率：≤ 200 kHz

• 光伏逆变器，变频器
• 开关电源
• 高压DC/DC 转换器
• 电池充电器
• 工业电机驱动
• 储能系统
• 车载充电器 OBC

工业级SiC MOSFET MINI PACK模块，半桥拓扑，VDss 1200V，RDS(ON)-typ 6/11mΩ，工作结温-55℃~175℃。结构紧凑、高功率密度、低杂散电感设计、集成NTC温度传感器，将灵活性和功率密度推向极限，平台可覆盖200kW应用。官网状态为量产。

型号：MINI PACK 模块；拓扑：半桥（half-bridge）；漏源电压 VDSS：1200 V；导通电阻 RDS(on)：6 mΩ ~ 11 mΩ；连续漏极电流 ID：150 A ~ 250 A；工作结温 Tj：-55 ℃ ~ +175 ℃；温度传感器：集成 NTC；绝缘耐压：2500 V AC / 1 min

• 光伏逆变器
• 储能
• PCS
• APF
• 充电桩