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Módulo SiC MOSFET de grado automotriz diseñado para inversores de tracción principales de vehículos eléctricos nuevos, con topología de puente completo trifásico (6 en 1), VDss de 1200 V, RDS(ON) típico de 2/3 mΩ y temperatura de unión de funcionamiento de -40 °C a 175 °C. Incorpora una base Pin-Fin con refrigeración directa por agua, tecnología de sinterizado, conexión PressFIT y un diseño de baja inductancia parásita. Su fiabilidad está validada según AQG 324, cumple la norma RoHS y se fabrica en serie desde abril de 2022.

Modelo: APD-V2; Topología: puente completo trifásico Sixpack (6 en 1); Tensión drenaje-fuente VDSS: 1200 V; Resistencia de conducción RDS(on): 2 mΩ - 3 mΩ; Corriente continua de drenaje ID: 400 A; Temperatura de unión de trabajo Tj: -40 ℃ - +175 ℃; Refrigeración: placa base Pin-Fin refrigerada directamente por agua; Tensión de aislamiento: 3000 V CA / 1 min

• Inversores de tracción principales para vehículos eléctricos de batería e híbridos
• Accionamientos de motores de alta potencia

Versión mejorada del APD-V2, un módulo SiC MOSFET de grado automotriz optimizado para aplicaciones de tracción principales de vehículos eléctricos nuevos. Topología de puente completo trifásico (6 en 1), VDss de 750 V/1200 V, RDS(ON) típico de 1–4 mΩ y temperatura de unión de -40 °C a 175 °C. Emplea una base Pin-Fin con refrigeración directa por agua, conexión PressFIT, sinterizado, tecnología Clip bond y un busbar laminado de baja inductancia parásita. Validado según AQG 324, se encuentra en producción en serie.

Modelo: APD-V5; Topología: puente completo trifásico Sixpack (6 en 1); Tensión drenaje-fuente VDSS: 750 V / 1200 V; Resistencia de conducción RDS(on): 1 mΩ - 4 mΩ; Corriente continua de drenaje ID: 450 A; Temperatura de unión de trabajo Tj: -40 ℃ - +175 ℃; Proceso de encapsulado: PressFIT a presión + sinterizado + Clip bond; Tensión de aislamiento: 3000 V CA / 1 min

• Inversores de tracción principales para vehículos eléctricos de batería e híbridos
• Accionamientos de motores de alta potencia

Módulo SiC MOSFET de tracción principal de próxima generación para vehículos eléctricos nuevos, que ofrece una solución multidimensional de alto rendimiento para el inversor de tracción automotriz. Topología de puente completo trifásico (6 en 1), VDss de 750 V/1200 V, RDS(ON) típico de 2/3/4 mΩ y refrigeración por agua zonificada Pin-Fin. Destaca por su estructura innovadora, una capacidad de salida sobresaliente, inductancia ultrabaja, tecnología de soldadura láser y una vida útil de más de 100.000 ciclos de potencia. Figura en el sitio web oficial como producto de próxima generación.

Modelo: APD-V5G; Topología: puente completo trifásico Sixpack (6 en 1); Tensión drenaje-fuente VDSS: 750 V / 1200 V; Resistencia de conducción RDS(on): 2 mΩ - 4 mΩ; Corriente continua de drenaje ID: 500 A; Temperatura de unión de trabajo Tj: -40 ℃ - +175 ℃; Refrigeración: refrigeración por agua por zonas Pin-Fin; Vida en ciclos de potencia: > 100000 ciclos

• Inversores de tracción principales para vehículos eléctricos de batería e híbridos
• Accionamientos de motores de alta potencia

Módulo SiC MOSFET de tracción principal de próxima generación para vehículos eléctricos nuevos, con topología de puente completo trifásico (6 en 1), VDss de 1200 V, RDS(ON) típico de 2/3 mΩ, refrigeración directa por agua Pin-Fin y temperatura de unión de -40 °C a 175 °C. Su estructura innovadora aumenta la capacidad de salida en un 20 %, con inductancia ultrabaja, conductividad térmica ultraalta y una vida útil de más de 100.000 ciclos de potencia. Figura en el sitio web oficial como producto de próxima generación.

Modelo: APD-V6; Topología: puente completo trifásico Sixpack (6 en 1); Tensión drenaje-fuente VDSS: 1200 V; Resistencia de conducción RDS(on): 2 mΩ - 3 mΩ; Corriente continua de drenaje ID: 450 A; Temperatura de unión de trabajo Tj: -40 ℃ - +175 ℃; Refrigeración: refrigeración directa por agua Pin-Fin; Incremento de capacidad de salida: ≥ 20%

• Inversores de tracción principales para vehículos eléctricos de batería e híbridos
• Accionamientos de motores de alta potencia

Módulo SiC MOSFET de tracción principal de próxima generación para vehículos eléctricos nuevos, con topología de medio puente personalizada, VDss de 1200 V, RDS(ON) típico de 2/3 mΩ y temperatura de unión de -40 °C a 175 °C. Un circuito de potencia totalmente laminado logra una inductancia parásita ultrabaja, ofreciendo soluciones flexibles para el inversor de tracción de vehículos eléctricos nuevos. Figura en el sitio web oficial como producto de próxima generación.

Modelo: HBM; Topología: semipuente personalizado (half-bridge); Tensión drenaje-fuente VDSS: 1200 V; Resistencia de conducción RDS(on): 2 mΩ - 3 mΩ; Corriente continua de drenaje ID: 400 A; Temperatura de unión de trabajo Tj: -40 ℃ - +175 ℃; Circuito de potencia: busbar totalmente laminado; Inductancia parásita: ≤ 8 nH

• Inversores de tracción principales para vehículos eléctricos de batería e híbridos
• Accionamientos de motores de alta potencia

Módulo SiC MOSFET de potencia de grado industrial en encapsulado 62MM, con topología de interruptor único, VDss de 1200 V y RDS(ON) típico de 6 mΩ. Funciona de forma estable a 175 °C, con inductancia parásita optimizada para dispositivos SiC, excelente rendimiento frente a cortocircuitos y una alta capacidad de corriente de salida, con opción de sensor de temperatura NTC integrado. Su estado en el sitio web oficial es producción en serie.

Modelo: módulo 62MM; Topología: conmutador único (single switch); Tensión drenaje-fuente VDSS: 1200 V; Resistencia de conducción RDS(on): 6 mΩ; Corriente continua de drenaje ID: 200 A; Temperatura de unión de trabajo Tj: -40 ℃ - +175 ℃; Tamaño del encapsulado: 62 mm × 106 mm; Sensor de temperatura: NTC integrado opcional

• Aplicaciones industriales
• Cargadores de vehículos eléctricos
• Calentamiento y soldadura por inducción

SiC MOSFET discretos de grado industrial basados en un avanzado proceso trench, disponibles en encapsulados TO-247 y TO-263 con VDss de 750 V/1200 V, RDS(ON) típico de 11/20/40/80 mΩ y temperatura de unión de -55 °C a 175 °C. Ofrecen carga de puerta y capacitancia de unión muy bajas, pérdidas de apagado poco sensibles a la temperatura, pérdidas de conmutación y conducción superiores a las de dispositivos comparables, gran robustez frente a avalancha y una baja carga de recuperación inversa del diodo de cuerpo. Su estado en el sitio web oficial es producción en serie.

Modelo: SiC MOSFET discreto serie TO; Encapsulado: TO-247 / TO-263; Tensión drenaje-fuente VDSS: 750 V / 1200 V; Resistencia de conducción RDS(on): 11 mΩ - 80 mΩ; Corriente continua de drenaje ID: 30 A - 100 A; Temperatura de unión de trabajo Tj: -55 ℃ - +175 ℃; Carga de puerta Qg: 45 nC - 120 nC; Frecuencia de conmutación: ≤ 200 kHz

• Inversores fotovoltaicos y variadores de frecuencia
• Fuentes de alimentación conmutadas
• Convertidores CC/CC de alta tensión
• Cargadores de batería, cargadores a bordo (OBC) y sistemas de almacenamiento de energía
• Accionamientos de motores industriales

Módulo SiC MOSFET MINI PACK de grado industrial con topología de medio puente, VDss de 1200 V, RDS(ON) típico de 6/11 mΩ y temperatura de unión de -55 °C a 175 °C. Su estructura compacta ofrece alta densidad de potencia y un diseño de baja inductancia parásita con sensor de temperatura NTC integrado, llevando la flexibilidad y la densidad de potencia al límite; la plataforma cubre aplicaciones de hasta 200 kW. Su estado en el sitio web oficial es producción en serie.

Modelo: módulo MINI PACK; Topología: semipuente (half-bridge); Tensión drenaje-fuente VDSS: 1200 V; Resistencia de conducción RDS(on): 6 mΩ - 11 mΩ; Corriente continua de drenaje ID: 150 A - 250 A; Temperatura de unión de trabajo Tj: -55 ℃ - +175 ℃; Sensor de temperatura: NTC integrado; Tensión de aislamiento: 2500 V CA / 1 min

• Inversores fotovoltaicos
• Almacenamiento de energía
• PCS
• APF
• Estaciones de carga