AccoPower

Автомобильный SiC MOSFET-модуль, разработанный для тяговых инверторов электромобилей и гибридов: топология трёхфазного полного моста (6-в-1), VDss 1200 В, типовое RDS(ON) 2/3 мОм, рабочая температура перехода от -40 до 175 °C. Применены основание Pin-Fin с прямым водяным охлаждением, технология спекания, безпайное соединение PressFIT и конструкция с низкой паразитной индуктивностью. Надёжность подтверждена испытаниями по AQG 324, модуль соответствует RoHS и серийно выпускается с апреля 2022 года.

Модель: APD-V2; Топология: трёхфазный полный мост Sixpack (6-в-1); Напряжение сток-исток VDSS: 1200 В; Сопротивление в открытом состоянии RDS(on): 2 мОм - 3 мОм; Постоянный ток стока ID: 400 А; Рабочая температура перехода Tj: -40 ℃ - +175 ℃; Охлаждение: основание Pin-Fin с прямым водяным охлаждением; Напряжение изоляции: 3000 В AC / 1 мин

• Тяговые инверторы электромобилей и гибридов
• Мощные электроприводы

Улучшенная версия APD-V2 — автомобильный SiC MOSFET-модуль, оптимизированный для тяговых применений электромобилей. Топология трёхфазного полного моста (6-в-1), VDss 750 В/1200 В, типовое RDS(ON) 1–4 мОм, рабочая температура перехода от -40 до 175 °C. Применены основание Pin-Fin с прямым водяным охлаждением, соединение PressFIT, спекание, технология Clip bond и слоистая шина с низкой паразитной индуктивностью. Валидация по AQG 324, серийное производство.

Модель: APD-V5; Топология: трёхфазный полный мост Sixpack (6-в-1); Напряжение сток-исток VDSS: 750 В / 1200 В; Сопротивление в открытом состоянии RDS(on): 1 мОм - 4 мОм; Постоянный ток стока ID: 450 А; Рабочая температура перехода Tj: -40 ℃ - +175 ℃; Технология корпуса: запрессовка PressFIT + спекание + Clip bond; Напряжение изоляции: 3000 В AC / 1 мин

• Тяговые инверторы электромобилей и гибридов
• Мощные электроприводы

SiC MOSFET-модуль тягового привода нового поколения для электромобилей, дающий многомерное высокопроизводительное решение для автомобильных тяговых инверторов. Топология трёхфазного полного моста (6-в-1), VDss 750 В/1200 В, типовое RDS(ON) 2/3/4 мОм, зональное водяное охлаждение Pin-Fin. Отличается инновационной конструкцией, выдающейся выходной способностью, сверхнизкой индуктивностью, лазерной сваркой и ресурсом более 100 000 циклов мощности. На официальном сайте помечен как продукт следующего поколения.

Модель: APD-V5G; Топология: трёхфазный полный мост Sixpack (6-в-1); Напряжение сток-исток VDSS: 750 В / 1200 В; Сопротивление в открытом состоянии RDS(on): 2 мОм - 4 мОм; Постоянный ток стока ID: 500 А; Рабочая температура перехода Tj: -40 ℃ - +175 ℃; Охлаждение: зональное водяное охлаждение Pin-Fin; Ресурс по циклам мощности: > 100000 циклов

• Тяговые инверторы электромобилей и гибридов
• Мощные электроприводы

SiC MOSFET-модуль тягового привода нового поколения для электромобилей: топология трёхфазного полного моста (6-в-1), VDss 1200 В, типовое RDS(ON) 2/3 мОм, прямое водяное охлаждение Pin-Fin, рабочая температура перехода от -40 до 175 °C. Инновационная конструкция повышает выходную способность на 20%, обеспечивая сверхнизкую индуктивность, сверхвысокую теплопроводность и ресурс более 100 000 циклов мощности. На официальном сайте помечен как продукт следующего поколения.

Модель: APD-V6; Топология: трёхфазный полный мост Sixpack (6-в-1); Напряжение сток-исток VDSS: 1200 В; Сопротивление в открытом состоянии RDS(on): 2 мОм - 3 мОм; Постоянный ток стока ID: 450 А; Рабочая температура перехода Tj: -40 ℃ - +175 ℃; Охлаждение: прямое водяное охлаждение Pin-Fin; Прирост выходной мощности: ≥ 20%

• Тяговые инверторы электромобилей и гибридов
• Мощные электроприводы

SiC MOSFET-модуль тягового привода нового поколения для электромобилей с индивидуализированной топологией полумоста: VDss 1200 В, типовое RDS(ON) 2/3 мОм, рабочая температура перехода от -40 до 175 °C. Полностью слоистая силовая цепь обеспечивает сверхнизкую паразитную индуктивность и гибкие решения для тяговых инверторов электромобилей. На официальном сайте помечен как продукт следующего поколения.

Модель: HBM; Топология: заказная полумостовая схема (half-bridge); Напряжение сток-исток VDSS: 1200 В; Сопротивление в открытом состоянии RDS(on): 2 мОм - 3 мОм; Постоянный ток стока ID: 400 А; Рабочая температура перехода Tj: -40 ℃ - +175 ℃; Силовая цепь: полностью ламинированная шина; Паразитная индуктивность: ≤ 8 нГн

• Тяговые инверторы электромобилей и гибридов
• Мощные электроприводы

Промышленный SiC MOSFET-модуль мощности в корпусе 62MM с топологией одиночного ключа: VDss 1200 В, типовое RDS(ON) 6 мОм. Стабильно работает при 175 °C, обладает оптимизированной для SiC-приборов паразитной индуктивностью, отличной стойкостью к коротким замыканиям и большим выходным током; предусмотрена опция встроенного датчика температуры NTC. На официальном сайте — серийное производство.

Модель: модуль 62MM; Топология: одиночный ключ (single switch); Напряжение сток-исток VDSS: 1200 В; Сопротивление в открытом состоянии RDS(on): 6 мОм; Постоянный ток стока ID: 200 А; Рабочая температура перехода Tj: -40 ℃ - +175 ℃; Габариты корпуса: 62 мм × 106 мм; Датчик температуры: опционально встроенный NTC

• Промышленное применение
• Зарядные станции для электромобилей
• Индукционный нагрев и сварка

Промышленные дискретные SiC MOSFET на передовом trench-процессе, в корпусах TO-247 и TO-263: VDss 750 В/1200 В, типовое RDS(ON) 11/20/40/80 мОм, рабочая температура перехода от -55 до 175 °C. Отличаются крайне низким зарядом затвора и ёмкостью перехода, слабой зависимостью потерь выключения от температуры, меньшими коммутационными и проводящими потерями по сравнению с аналогами, высокой лавинной стойкостью и низким обратным восстановлением паразитного диода. На официальном сайте — серийное производство.

Модель: дискретный SiC MOSFET серии TO; Корпус: TO-247 / TO-263; Напряжение сток-исток VDSS: 750 В / 1200 В; Сопротивление в открытом состоянии RDS(on): 11 мОм - 80 мОм; Постоянный ток стока ID: 30 А - 100 А; Рабочая температура перехода Tj: -55 ℃ - +175 ℃; Заряд затвора Qg: 45 нКл - 120 нКл; Частота переключения: ≤ 200 кГц

• Фотоэлектрические инверторы и преобразователи частоты
• Импульсные источники питания
• Высоковольтные DC/DC-преобразователи
• Зарядные устройства, бортовые зарядные устройства (OBC) и системы накопления энергии
• Промышленные электроприводы

Промышленный SiC MOSFET-модуль MINI PACK с топологией полумоста: VDss 1200 В, типовое RDS(ON) 6/11 мОм, рабочая температура перехода от -55 до 175 °C. Компактная конструкция обеспечивает высокую плотность мощности и низкую паразитную индуктивность со встроенным датчиком температуры NTC, выводя гибкость и плотность мощности на предел; платформа охватывает применения до 200 кВт. На официальном сайте — серийное производство.

Модель: модуль MINI PACK; Топология: полумост (half-bridge); Напряжение сток-исток VDSS: 1200 В; Сопротивление в открытом состоянии RDS(on): 6 мОм - 11 мОм; Постоянный ток стока ID: 150 А - 250 А; Рабочая температура перехода Tj: -55 ℃ - +175 ℃; Датчик температуры: встроенный NTC; Напряжение изоляции: 2500 В AC / 1 мин

• Фотоэлектрические инверторы
• Накопители энергии
• PCS
• APF
• Зарядные станции