المصنّعون

دليل الإنتاج مطلوب

AccoPower

Guangdong AccoPower Semiconductor Co., Ltd.

الموقعGuangzhou، Guangdong، الصينتاريخ التأسيس2018-11-26رأس المال المسجلCNY250,479,285الصناعاتمكونات مركبات الطاقة الجديدةآخر مراجعة2026-08-12

نبذة عن الشركة

تصمم AccoPower وتغلف وتختبر وتصنع مكونات ووحدات SiC؛ وتستخدم وحدات الجر لديها في عدة مركبات طاقة جديدة منتجة تسلسليا.

المنتجات

وحدة SiC MOSFET APD-V2

وصف المنتج

وحدة SiC MOSFET بجودة سيارات مصممة لمحولات الدفع الرئيسية في السيارات الكهربائية الجديدة، بتوبولوجيا جسر كامل ثلاثي الطور (6 في 1)، وجهد VDss يبلغ 1200V، ومقاومة RDS(ON) نموذجية 2/3 mΩ، ودرجة حرارة وصل تشغيلية من -40 إلى 175 درجة مئوية. تعتمد قاعدة Pin-Fin مع تبريد مباشر بالماء، وتقنية التلبيد، وتوصيل PressFIT، وتصميمًا منخفض الحث الطفيلي. تم التحقق من موثوقيتها وفق AQG 324، وهي مطابقة لمعيار RoHS وفي الإنتاج الكمي منذ أبريل 2022.

المواصفات الرئيسية

الطراز: APD-V2; الطوبولوجيا: جسر كامل ثلاثي الأطوار Sixpack (6 في 1); جهد المصب-المصدر VDSS: 1200 فولت; مقاومة التشغيل RDS(on): 2 ملي أوم - 3 ملي أوم; تيار المصب المستمر ID: 400 أمبير; درجة حرارة الوصلة في التشغيل Tj: -40 ℃ - +175 ℃; التبريد: قاعدة Pin-Fin مبردة مباشرة بالماء; جهد العزل: 3000 فولت تيار متردد / دقيقة واحدة

الاستخدامات
  • محولات الدفع الرئيسية للسيارات الكهربائية الكهربائية بالبطارية والهجينة
  • تشغيل محركات عالية القدرة
دليل المنتج ↗

وحدة SiC MOSFET APD-V5

وصف المنتج

نسخة مطوّرة من APD-V2، وحدة SiC MOSFET بجودة سيارات محسّنة لتطبيقات الدفع الرئيسية في السيارات الكهربائية الجديدة. توبولوجيا جسر كامل ثلاثي الطور (6 في 1)، وجهد VDss 750V/1200V، ومقاومة RDS(ON) نموذجية 1–4 mΩ، ودرجة حرارة وصل تشغيلية من -40 إلى 175 درجة مئوية. تعتمد قاعدة Pin-Fin مع تبريد مباشر بالماء، وتوصيل PressFIT، وتقنية التلبيد، وتقنية Clip bond، وشريط ناقل مصفف بحث طفيلي منخفض. تم التحقق منها وفق AQG 324 وهي في الإنتاج الكمي.

المواصفات الرئيسية

الطراز: APD-V5; الطوبولوجيا: جسر كامل ثلاثي الأطوار Sixpack (6 في 1); جهد المصب-المصدر VDSS: 750 فولت / 1200 فولت; مقاومة التشغيل RDS(on): 1 ملي أوم - 4 ملي أوم; تيار المصب المستمر ID: 450 أمبير; درجة حرارة الوصلة في التشغيل Tj: -40 ℃ - +175 ℃; عملية التغليف: PressFIT بالضغط + التلبيد + Clip bond; جهد العزل: 3000 فولت تيار متردد / دقيقة واحدة

الاستخدامات
  • محولات الدفع الرئيسية للسيارات الكهربائية الكهربائية بالبطارية والهجينة
  • تشغيل محركات عالية القدرة
دليل المنتج ↗

وحدة SiC MOSFET APD-V5G

وصف المنتج

وحدة SiC MOSFET للدفع الرئيسي من الجيل القادم للسيارات الكهربائية الجديدة، توفر حلاً متعدد الأبعاد عالي الأداء لمحولات الدفع الرئيسية. توبولوجيا جسر كامل ثلاثي الطور (6 في 1)، وجهد VDss 750V/1200V، ومقاومة RDS(ON) نموذجية 2/3/4 mΩ، وتبريد مائي بمناطق Pin-Fin. تمتلك هيكلًا مبتكرًا وقدرة إخراج متميزة وحثًا منخفضًا جدًا وتقنية لحام بالليزر وعمرًا يتجاوز 100,000 دورة قدرة. مدرجة على الموقع الرسمي كمنتج من الجيل القادم.

المواصفات الرئيسية

الطراز: APD-V5G; الطوبولوجيا: جسر كامل ثلاثي الأطوار Sixpack (6 في 1); جهد المصب-المصدر VDSS: 750 فولت / 1200 فولت; مقاومة التشغيل RDS(on): 2 ملي أوم - 4 ملي أوم; تيار المصب المستمر ID: 500 أمبير; درجة حرارة الوصلة في التشغيل Tj: -40 ℃ - +175 ℃; التبريد: تبريد مائي مناطقي Pin-Fin; عمر دورات القدرة: > 100000 دورة

الاستخدامات
  • محولات الدفع الرئيسية للسيارات الكهربائية الكهربائية بالبطارية والهجينة
  • تشغيل محركات عالية القدرة
دليل المنتج ↗

وحدة SiC MOSFET APD-V6

وصف المنتج

وحدة SiC MOSFET للدفع الرئيسي من الجيل القادم للسيارات الكهربائية الجديدة، بتوبولوجيا جسر كامل ثلاثي الطور (6 في 1)، وجهد VDss 1200V، ومقاومة RDS(ON) نموذجية 2/3 mΩ، وتبريد مباشر بالماء Pin-Fin، ودرجة حرارة وصل تشغيلية من -40 إلى 175 درجة مئوية. يرفع هيكلها المبتكر قدرة الإخراج بنسبة 20%، مع حث منخفض جدًا وتوصيل حراري عالٍ جدًا وعمر يتجاوز 100,000 دورة قدرة. مدرجة على الموقع الرسمي كمنتج من الجيل القادم.

المواصفات الرئيسية

الطراز: APD-V6; الطوبولوجيا: جسر كامل ثلاثي الأطوار Sixpack (6 في 1); جهد المصب-المصدر VDSS: 1200 فولت; مقاومة التشغيل RDS(on): 2 ملي أوم - 3 ملي أوم; تيار المصب المستمر ID: 450 أمبير; درجة حرارة الوصلة في التشغيل Tj: -40 ℃ - +175 ℃; التبريد: تبريد مائي مباشر Pin-Fin; زيادة قدرة الإخراج: ≥ 20%

الاستخدامات
  • محولات الدفع الرئيسية للسيارات الكهربائية الكهربائية بالبطارية والهجينة
  • تشغيل محركات عالية القدرة
دليل المنتج ↗

وحدة SiC MOSFET HBM

وصف المنتج

وحدة SiC MOSFET للدفع الرئيسي من الجيل القادم للسيارات الكهربائية الجديدة، بتوبولوجيا نصف جسر مخصصة، وجهد VDss 1200V، ومقاومة RDS(ON) نموذجية 2/3 mΩ، ودرجة حرارة وصل تشغيلية من -40 إلى 175 درجة مئوية. يحقق دائرة القدرة المصففة بالكامل حثًا طفيليًا منخفضًا جدًا، ما يوفر حلولًا مرنة لمحولات الدفع الرئيسية في السيارات الكهربائية. مدرجة على الموقع الرسمي كمنتج من الجيل القادم.

المواصفات الرئيسية

الطراز: HBM; الطوبولوجيا: نصف جسر مخصص (half-bridge); جهد المصب-المصدر VDSS: 1200 فولت; مقاومة التشغيل RDS(on): 2 ملي أوم - 3 ملي أوم; تيار المصب المستمر ID: 400 أمبير; درجة حرارة الوصلة في التشغيل Tj: -40 ℃ - +175 ℃; دائرة القدرة: قضيب توزيع مصفح بالكامل; الحث الطفيلي: ≤ 8 نانوهينري

الاستخدامات
  • محولات الدفع الرئيسية للسيارات الكهربائية الكهربائية بالبطارية والهجينة
  • تشغيل محركات عالية القدرة
دليل المنتج ↗

وحدة 62MM

وصف المنتج

وحدة SiC MOSFET قدرة للتصنيع الصناعي بتغليف 62MM، بتوبولوجيا مفتاح مفرد، وجهد VDss 1200V، ومقاومة RDS(ON) نموذجية 6 mΩ. تعمل باستقرار عند 175 درجة مئوية، مع حث طفيلي محسّن لأجهزة SiC، وأداء ممتاز في القصر الدائري، وقدرة على تيار خرج عالٍ، مع خيار مستشعر حرارة NTC مدمج. حالتها على الموقع الرسمي: إنتاج كمي.

المواصفات الرئيسية

الطراز: وحدة 62MM; الطوبولوجيا: مفتاح منفرد (single switch); جهد المصب-المصدر VDSS: 1200 فولت; مقاومة التشغيل RDS(on): 6 ملي أوم; تيار المصب المستمر ID: 200 أمبير; درجة حرارة الوصلة في التشغيل Tj: -40 ℃ - +175 ℃; أبعاد التغليف: 62 مليمتر × 106 مليمتر; حساس الحرارة: NTC مدمج اختياري

الاستخدامات
  • تطبيقات صناعية
  • شواحن السيارات الكهربائية
  • التسخين واللحام بالحث
دليل المنتج ↗

أجهزة SiC MOSFET المنفصلة سلسلة TO

وصف المنتج

أجهزة SiC MOSFET منفصلة للتصنيع الصناعي مبنية على عملية trench متقدمة، متوفرة بتغليف TO-247 وTO-263، وجهد VDss 750V/1200V، ومقاومة RDS(ON) نموذجية 11/20/40/80 mΩ، ودرجة حرارة وصل تشغيلية من -55 إلى 175 درجة مئوية. تتميز بشحنة بوابة وسعة وصل منخفضتين جدًا، وخسائر إطفاء تتأثر بالحرارة بشكل ضعيف، وخسائر تبديل وتوصيل أفضل من الأجهزة المماثلة، وقدرة تحمل قوية ضد ظاهرة الانهيار Avalanche، وشحنة استرداد عكسي منخفضة لثنائي الجسم. حالتها على الموقع الرسمي: إنتاج كمي.

المواصفات الرئيسية

الطراز: ترانزستور SiC MOSFET منفرد من سلسلة TO; التغليف: TO-247 / TO-263; جهد المصب-المصدر VDSS: 750 فولت / 1200 فولت; مقاومة التشغيل RDS(on): 11 ملي أوم - 80 ملي أوم; تيار المصب المستمر ID: 30 أمبير - 100 أمبير; درجة حرارة الوصلة في التشغيل Tj: -55 ℃ - +175 ℃; شحنة البوابة Qg: 45 نانوكولوم - 120 نانوكولوم; تردد التبديل: ≤ 200 كيلوهيرتز

الاستخدامات
  • عواكس الطاقة الشمسية ومغيرات التردد
  • وحدات التغذية الكهربائية المفتاحية
  • محولات تيار مستمر عالية الجهد
  • شواحن البطاريات والشواحن المدمجة (OBC) وأنظمة تخزين الطاقة
  • تشغيل المحركات الصناعية
دليل المنتج ↗

وحدة SiC MOSFET MINI PACK

وصف المنتج

وحدة SiC MOSFET MINI PACK للتصنيع الصناعي بتوبولوجيا نصف جسر، وجهد VDss 1200V، ومقاومة RDS(ON) نموذجية 6/11 mΩ، ودرجة حرارة وصل تشغيلية من -55 إلى 175 درجة مئوية. يوفر هيكلها المدمج كثافة قدرة عالية وحثًا طفيليًا منخفضًا مع مستشعر حرارة NTC مدمج، ما يدفع المرونة وكثافة القدرة إلى الحد الأقصى؛ تغطي المنصة تطبيقات تصل إلى 200kW. حالتها على الموقع الرسمي: إنتاج كمي.

المواصفات الرئيسية

الطراز: وحدة MINI PACK; الطوبولوجيا: نصف جسر (half-bridge); جهد المصب-المصدر VDSS: 1200 فولت; مقاومة التشغيل RDS(on): 6 ملي أوم - 11 ملي أوم; تيار المصب المستمر ID: 150 أمبير - 250 أمبير; درجة حرارة الوصلة في التشغيل Tj: -55 ℃ - +175 ℃; حساس الحرارة: NTC مدمج; جهد العزل: 2500 فولت تيار متردد / دقيقة واحدة

الاستخدامات
  • عواكس الطاقة الشمسية
  • تخزين الطاقة
  • PCS
  • APF
  • محطات الشحن
دليل المنتج ↗

أدلة الإنتاج

وفقا لسجل المصادر العامة الموجود: تصمم AccoPower وتغلف وتختبر وتصنع مكونات ووحدات SiC؛ وتستخدم وحدات الجر لديها في عدة مركبات طاقة جديدة منتجة تسلسليا. يستند هذا الملف إلى مراجعة وثائقية، ولا يمثل تدقيقا ميدانيا للمصنع.

المصدر الأساسيعرض المصدر المسجل 1 ↗

يستند هذا الملف إلى معلومات عامة مؤكدة، ولا يمثل تدقيقاً أو شهادة أو توصية تجارية.

← مكونات مركبات الطاقة الجديدة