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Module SiC MOSFET de qualité automobile conçu pour les onduleurs de traction principaux des véhicules électriques nouveaux, avec une topologie de pont complet triphasé (6-en-1), un VDss de 1200 V, un RDS(ON) typique de 2/3 mΩ et une température de jonction de fonctionnement de -40 °C à 175 °C. Il intègre une base Pin-Fin à refroidissement direct par eau, la technologie de frittage, la connexion PressFIT et une conception à faible inductance parasite. Sa fiabilité est validée selon AQG 324, il est conforme à RoHS et produit en série depuis avril 2022.

Modèle : APD-V2 ; Topologie : pont complet triphasé Sixpack (6-en-1) ; Tension drain-source VDSS : 1200 V ; Résistance à l'état passant RDS(on) : 2 mΩ - 3 mΩ ; Courant de drain continu ID : 400 A ; Température de jonction de service Tj : -40 ℃ - +175 ℃ ; Refroidissement : plaque de base Pin-Fin à refroidissement direct par eau ; Tension d'isolement : 3000 V CA / 1 min

• Onduleurs de traction principaux pour véhicules électriques à batterie et hybrides
• Entraînements de moteurs de forte puissance

Version améliorée de l'APD-V2, un module SiC MOSFET de qualité automobile optimisé pour les applications de traction principales des véhicules électriques nouveaux. Topologie de pont complet triphasé (6-en-1), VDss 750 V/1200 V, RDS(ON) typique de 1–4 mΩ et température de jonction de fonctionnement de -40 °C à 175 °C. Il utilise une base Pin-Fin à refroidissement direct par eau, la connexion PressFIT, le frittage, la technologie Clip bond et un busbar laminé à faible inductance parasite. Validé selon AQG 324, il est en production de série.

Modèle : APD-V5 ; Topologie : pont complet triphasé Sixpack (6-en-1) ; Tension drain-source VDSS : 750 V / 1200 V ; Résistance à l'état passant RDS(on) : 1 mΩ - 4 mΩ ; Courant de drain continu ID : 450 A ; Température de jonction de service Tj : -40 ℃ - +175 ℃ ; Procédé de boîtier : sertissage PressFIT + frittage + Clip bond ; Tension d'isolement : 3000 V CA / 1 min

• Onduleurs de traction principaux pour véhicules électriques à batterie et hybrides
• Entraînements de moteurs de forte puissance

Module SiC MOSFET de traction principal de nouvelle génération pour véhicules électriques, offrant une solution multidimensionnelle haute performance pour l'onduleur de traction automobile. Topologie de pont complet triphasé (6-en-1), VDss 750 V/1200 V, RDS(ON) typique de 2/3/4 mΩ et refroidissement par eau zoné Pin-Fin. Il se distingue par une structure innovante, une capacité de sortie remarquable, une inductance ultra-faible, la technologie de soudage laser et une durée de vie supérieure à 100 000 cycles de puissance. Présenté sur le site officiel comme produit de nouvelle génération.

Modèle : APD-V5G ; Topologie : pont complet triphasé Sixpack (6-en-1) ; Tension drain-source VDSS : 750 V / 1200 V ; Résistance à l'état passant RDS(on) : 2 mΩ - 4 mΩ ; Courant de drain continu ID : 500 A ; Température de jonction de service Tj : -40 ℃ - +175 ℃ ; Refroidissement : refroidissement par eau zoné Pin-Fin ; Durée de vie en cyclage de puissance : > 100000 cycles

• Onduleurs de traction principaux pour véhicules électriques à batterie et hybrides
• Entraînements de moteurs de forte puissance

Module SiC MOSFET de traction principal de nouvelle génération pour véhicules électriques : topologie de pont complet triphasé (6-en-1), VDss 1200 V, RDS(ON) typique de 2/3 mΩ, refroidissement direct par eau Pin-Fin et température de jonction de fonctionnement de -40 °C à 175 °C. Sa structure innovante augmente la capacité de sortie de 20 %, avec une inductance ultra-faible, une conductivité thermique ultra-élevée et une durée de vie supérieure à 100 000 cycles de puissance. Présenté sur le site officiel comme produit de nouvelle génération.

Modèle : APD-V6 ; Topologie : pont complet triphasé Sixpack (6-en-1) ; Tension drain-source VDSS : 1200 V ; Résistance à l'état passant RDS(on) : 2 mΩ - 3 mΩ ; Courant de drain continu ID : 450 A ; Température de jonction de service Tj : -40 ℃ - +175 ℃ ; Refroidissement : refroidissement direct par eau Pin-Fin ; Gain de capacité de sortie : ≥ 20 %

• Onduleurs de traction principaux pour véhicules électriques à batterie et hybrides
• Entraînements de moteurs de forte puissance

Module SiC MOSFET de traction principal de nouvelle génération pour véhicules électriques, avec une topologie demi-pont personnalisée : VDss 1200 V, RDS(ON) typique de 2/3 mΩ et température de jonction de fonctionnement de -40 °C à 175 °C. Un circuit de puissance entièrement laminé permet une inductance parasite ultra-faible, offrant des solutions flexibles pour l'onduleur de traction des véhicules électriques nouveaux. Présenté sur le site officiel comme produit de nouvelle génération.

Modèle : HBM ; Topologie : demi-pont personnalisé (half-bridge) ; Tension drain-source VDSS : 1200 V ; Résistance à l'état passant RDS(on) : 2 mΩ - 3 mΩ ; Courant de drain continu ID : 400 A ; Température de jonction de service Tj : -40 ℃ - +175 ℃ ; Circuit de puissance : barre bus entièrement laminée ; Inductance parasite : ≤ 8 nH

• Onduleurs de traction principaux pour véhicules électriques à batterie et hybrides
• Entraînements de moteurs de forte puissance

Module SiC MOSFET de puissance de qualité industrielle en boîtier 62MM, à topologie interrupteur unique : VDss 1200 V et RDS(ON) typique de 6 mΩ. Il fonctionne de manière stable à 175 °C, avec une inductance parasite optimisée pour les composants SiC, d'excellentes performances en court-circuit et un fort courant de sortie, avec une option de capteur de température NTC intégré. Son statut sur le site officiel est la production en série.

Modèle : module 62MM ; Topologie : interrupteur unique (single switch) ; Tension drain-source VDSS : 1200 V ; Résistance à l'état passant RDS(on) : 6 mΩ ; Courant de drain continu ID : 200 A ; Température de jonction de service Tj : -40 ℃ - +175 ℃ ; Dimensions du boîtier : 62 mm × 106 mm ; Capteur de température : NTC intégré en option

• Applications industrielles
• Chargeurs de véhicules électriques
• Chauffage et soudage par induction

SiC MOSFET discrets de qualité industrielle fondés sur un procédé trench avancé, disponibles en boîtiers TO-247 et TO-263 : VDss 750 V/1200 V, RDS(ON) typique de 11/20/40/80 mΩ et température de jonction de fonctionnement de -55 °C à 175 °C. Ils offrent une charge de grille et une capacité de jonction très faibles, des pertes de blocage peu sensibles à la température, des pertes de commutation et de conduction meilleures que les composants comparables, une forte robustesse en avalanche et une faible charge de récupération inverse de la diode de corps. Leur statut sur le site officiel est la production en série.

Modèle : SiC MOSFET discret série TO ; Boîtier : TO-247 / TO-263 ; Tension drain-source VDSS : 750 V / 1200 V ; Résistance à l'état passant RDS(on) : 11 mΩ - 80 mΩ ; Courant de drain continu ID : 30 A - 100 A ; Température de jonction de service Tj : -55 ℃ - +175 ℃ ; Charge de grille Qg : 45 nC - 120 nC ; Fréquence de commutation : ≤ 200 kHz

• Onduleurs photovoltaïques et variateurs de fréquence
• Alimentations à découpage
• Convertisseurs CC/CC haute tension
• Chargeurs de batteries, chargeurs embarqués (OBC) et systèmes de stockage d'énergie
• Entraînements de moteurs industriels

Module SiC MOSFET MINI PACK de qualité industrielle à topologie demi-pont : VDss 1200 V, RDS(ON) typique de 6/11 mΩ et température de jonction de fonctionnement de -55 °C à 175 °C. Sa structure compacte offre une densité de puissance élevée et une faible inductance parasite avec capteur de température NTC intégré, poussant la flexibilité et la densité de puissance à l'extrême ; la plateforme couvre des applications jusqu'à 200 kW. Son statut sur le site officiel est la production en série.

Modèle : module MINI PACK ; Topologie : demi-pont (half-bridge) ; Tension drain-source VDSS : 1200 V ; Résistance à l'état passant RDS(on) : 6 mΩ - 11 mΩ ; Courant de drain continu ID : 150 A - 250 A ; Température de jonction de service Tj : -55 ℃ - +175 ℃ ; Capteur de température : NTC intégré ; Tension d'isolement : 2500 V CA / 1 min

• Onduleurs photovoltaïques
• Stockage d'énergie
• PCS
• APF
• Stations de charge