Hunan Sanan Semiconductor

Зрелая линейка карбидокремниевых диодов Шоттки (SBD) компании Hunan Sanan Semiconductor. В ней применяется инновационная гибридная структура PiN-Шоттки (MPS) и технология утоньшения подложки, обеспечивающие превосходные характеристики по току перегрузки и лавинному пробою и соответствие самым строгим отраслевым требованиям надёжности, таким как HV-H3TRB. Опираясь на 20-летний опыт производства полупроводниковых соединений и полную вертикальную интеграцию фронтальных и тыловых процессов, компания поставляет полный спектр приборов автомобильного (Automotive), промышленного (Industry) и потребительского (Consumer) классов с чрезвычайно низкой интенсивностью отказов; совокупный объём поставок достиг 400 млн штук, а продукция уже дошла до пятого поколения (G5/G6) с более низким прямым падением напряжения и лучшим отводом тепла.

Платформы напряжения/тока: 650V/1A-60A, 750V/30A и 50A, 1200V/1A-120A (таблица выбора охватывает до 1200V/80A), 1400V, 1700V, 2000V. Поколения техпроцесса: G3, G4, G5, G6. Примеры ключевых параметров: VF(Tj=25℃) 1.2V-1.5V, VF(Tj=175℃) 1.4V-2.25V; диапазон температуры перехода Tj от -55℃ до 175℃ (потребительский класс G6 — от -55℃ до 150℃). Корпуса: Bare die, SMB, SMC, SMA, TO220-2L, TO220N-2L, TO220F-2L, TO247-2L, TO247-3L, TO247N-3L, TO252-2L, TO263-2L, DFN8*8-4L, TO3PF-3L. Конструкция: single chip и dual chip. Типовые модели: SDS120J010H3 (1200V/10A, G3, VF 1.35V@25℃, 1.85V@175℃, IFSM 103A, TO247-2L); SDS200J040H5 (2000V/40A, G5, VF 1.36V@25℃, 2.10V@175℃, TO247-2L).

• Транспортные средства на новых источниках энергии (бортовое зарядное устройство OBC, высоковольтный преобразователь постоянного тока)
• Фотоэлектрические инверторы
• Системы накопления энергии
• Зарядные станции для электромобилей
• Промышленные источники питания
• Источники бесперебойного питания UPS
• Источники питания для серверов
• Бытовая техника
• Источники питания для ИИ

Карбидокремниевые MOSFET-приборы мощности, созданные на базе вертикально интегрированной производственной цепочки SiC. Они являются ключевым компонентом систем преобразования энергии нового поколения и благодаря превосходным характеристикам переключения и работе на постоянном токе при высокой температуре обеспечивают преимущества миниатюризации, снижения массы и высокой интеграции. Технология производства обеспечивает низкоомные омические контакты, оптимизированный процесс активации легирующей примеси и стабильную обработку окисла затвора. Автомобильный SiC MOSFET 1200V 16mΩ прошёл сертификацию AEC-Q101 и проходит проверку в модулях заказчиков транспортных средств на новых источниках энергии; промышленные изделия 1700V 1Ω и 1200V 32mΩ уже стабильно поставляются в сфере фотоэлектрики и зарядных станций.

Диапазон напряжений/сопротивлений: 650V, 750V, 1200V, 1700V, 2000V; уже сформирована полная линейка от 650V до 3300V и от 12mΩ до 1000mΩ; RDS(on)@Tj=25℃ охватывает 12mΩ-1000mΩ, максимальная температура перехода Tj(max) 175℃. Статус продукта включает Active и Evaluation. Типы: Bare die и дискретный прибор (Discrete device); классы: Automotive (автомобильный) и Industry (промышленный). Корпуса: Bare die, TO247-3L, TO247-4L A/B, TO247-4L Plus, TO263-7L, TOLL, QDPAK, X2PAK. Типовые модели: AMS1200012B4 (1200V/122A, 12mΩ@25℃, 24mΩ@175℃, автомобильный кристалл); SMS1701000K (1700V/6.8A, 1000mΩ@25℃, 1500mΩ@175℃, TO247-3L); AMS1200020M2 (1200V/88A, 20mΩ@25℃, 32mΩ@175℃, TO247-4L B).

• Главный тяговый инвертор транспортных средств на новых источниках энергии
• Бортовое зарядное устройство OBC
• Высоковольтный преобразователь постоянного тока DC-DC
• Зарядные станции для электромобилей / мощные зарядные станции постоянного тока
• Фотоэлектрические инверторы
• Системы накопления энергии
• Промышленные источники питания
• Источники бесперебойного питания UPS
• Приводы двигателей

Исходный продукт материального направления платформы услуг вертикально интегрированного производства полной цепочки карбида кремния; служит источником кристалла для последующих подложек N-типа и эпитаксии. Sanan Semiconductor обладает возможностями и масштабом для вывода на рынок пластин большого диаметра и технологии высококачественной эпитаксии, что позволяет обеспечить крупносерийное производство.

Страница сведений об этом подсемействе на официальном сайте отображается свёрткой на стороне клиента, поэтому конкретные параметры диаметра, удельного сопротивления и толщины не проверены по позициям (данные не домысливались). Проверяемые показатели уровня семейства: мощность 6 дюймов — 360 тыс. пластин в год, мощность 8 дюймов — 520 тыс. пластин в год, перспективный план — 1 000 000 пластин в год; стабильные поставки более чем 20 заказчикам в стране и за рубежом; переход производства пластин с 150mm на 200mm.

• Обработка подложек из карбида кремния
• Производство SiC MOSFET
• Цепочка поставок широкозонных полупроводниковых материалов

Проводящая (N-типа) подложка из карбида кремния — основной серийный продукт подложек для производства мощных приборов SiC, отвечающий потребностям крупносерийного производства пластин большого диаметра.

Страница сведений об этом подсемействе на официальном сайте отображается свёрткой на стороне клиента, поэтому конкретные параметры диаметра, удельного сопротивления и плотности микропор не проверены по позициям (данные не домысливались). Публичные показатели уровня семейства: 6 дюймов — 360 тыс. пластин в год, 8 дюймов — 520 тыс. пластин в год, перспективный план — 1 000 000 пластин в год; компания полностью переходит на 8-дюймовые линии и процессы и разрабатывает высококачественные подложки SiC диаметром 8 дюймов.

• Производство SiC MOSFET
• Производство SiC SBD
• Эпитаксиальное выращивание мощных приборов

Высокоомная полуизолирующая подложка из карбида кремния — одна из серий продукции, сформированных в результате долгосрочного накопления технологий материалов из карбида кремния компанией Sanan; применяется в радиочастотных и высокоомных сценариях за пределами силовой электроники.

Страница сведений об этом подсемействе на официальном сайте отображается свёрткой на стороне клиента, поэтому конкретные параметры удельного сопротивления и диаметра не проверены по позициям (данные не домысливались). Публичные показатели уровня семейства: 6 дюймов — 360 тыс. пластин в год, 8 дюймов — 520 тыс. пластин в год, перспективный план — 1 000 000 пластин в год; стабильные поставки более чем 20 заказчикам в стране и за рубежом.

• Радиочастотные приборы
• Применения высокоомных подложек
• Поставка широкозонных полупроводниковых материалов

Высококачественная подложка из карбида кремния для оптических применений — один из продуктов, демонстрирующих достижения Sanan по всей технологической цепочке карбида кремния диаметром 8 дюймов.

Страница сведений об этом подсемействе на официальном сайте отображается свёрткой на стороне клиента и не содержит постатейной таблицы характеристик (данные не домысливались). Официально опубликованный показатель: коэффициент поглощения видимого света оптической подложки 8 дюймов <0.35%, что соответствует мировому уровню (источник: новость официального сайта news-143, ежегодная конференция Hangjiashuo по полупроводникам третьего поколения 2025 года).

• Оптические элементы
• AR / оптические окна
• Применения высококачественных подложек из карбида кремния

Продукт-подложка для отвода тепла, разработанный с использованием высокой теплопроводности карбида кремния; входит в серию продуктов из карбида кремния компании Sanan.

Страница сведений об этом подсемействе на официальном сайте отображается свёрткой на стороне клиента, поэтому конкретные параметры теплопроводности и размеров не проверены по позициям (данные не домысливались). Публичные показатели уровня семейства: 6 дюймов — 360 тыс. пластин в год, 8 дюймов — 520 тыс. пластин в год, перспективный план — 1 000 000 пластин в год.

• Теплоотводящие подложки
• Тепловое управление мощными приборами
• Отвод тепла в электронной упаковке

Высококачественные эпитаксиальные пластины, выращенные на собственных подложках из карбида кремния; это ключевой продукт бизнеса Sanan по материалам — подложкам и эпитаксии карбида кремния и эпитаксии GaN на кремнии, а также важное звено, связывающее материалы и приборы в вертикально интегрированной производственной цепочке.

Страница сведений об этом подсемействе на официальном сайте отображается свёрткой на стороне клиента, поэтому конкретные параметры толщины эпитаксиального слоя и концентрации легирующей примеси не проверены по позициям (данные не домысливались). Официально опубликованный показатель: однородность эпитаксиального слоя пластины диаметром 8 дюймов <1%, что соответствует мировому уровню (источник: новость официального сайта news-143); продукция в основном обслуживает производство SiC MOS и охватывает линии 6 и 8 дюймов.

• Производство SiC MOSFET
• Производство SiC SBD
• Контрактное производство мощных приборов и услуги

Эпитаксиальная продукция GaN на кремнии, разработанная на основе 20-летнего опыта крупносерийного производства полупроводниковых соединений; вместе с материалами из карбида кремния формирует платформу широкозонных полупроводниковых материалов Sanan.

Страница сведений об этом подсемействе на официальном сайте отображается свёрткой на стороне клиента, поэтому конкретные параметры эпитаксиальной структуры и напряжения не проверены по позициям (данные не домысливались). Публичные показатели уровня семейства: разделяет с материалами из карбида кремния возможность крупносерийного производства пластин большого диаметра и высококачественной эпитаксии; стабильные поставки более чем 20 заказчикам в стране и за рубежом.

• Мощные приборы на GaN
• Быстрая зарядка и потребительские источники питания
• Источники питания центров обработки данных и серверов