湖南三安半导体

湖南三安半导体成熟的碳化硅肖特基势垒二极管（SBD）产品组合。采用创新的混合 PiN 肖特基（MPS）结构和衬底减薄技术，具备优越的浪涌和雪崩特性，满足 HV-H3TRB 等行业最严格的可靠性要求。依托 20 年化合物半导体制造经验与前后道完整垂直整合，以极低失效率提供车规级（Automotive）、工规级（Industry）与消费级（Consumer）全系列器件，累计出货量 4 亿颗，目前已迭代至第五代（G5/G6）产品，具备更低的正向压降和更好的散热能力。

电压/电流平台：650V/1A-60A、750V/30A 与 50A、1200V/1A-120A（选型表覆盖至 1200V/80A）、1400V、1700V、2000V。工艺世代：G3、G4、G5、G6。关键参数示例：VF(Tj=25℃) 1.2V-1.5V，VF(Tj=175℃) 1.4V-2.25V；结温范围 Tj -55℃~175℃（G6 消费级为 -55℃~150℃）。封装：Bare die（裸片）、SMB、SMC、SMA、TO220-2L、TO220N-2L、TO220F-2L、TO247-2L、TO247-3L、TO247N-3L、TO252-2L、TO263-2L、DFN8*8-4L、TO3PF-3L。结构：single chip（单芯片）与 dual chip（双芯片）。典型型号：SDS120J010H3（1200V/10A，G3，VF 1.35V@25℃、1.85V@175℃，IFSM 103A，TO247-2L）；SDS200J040H5（2000V/40A，G5，VF 1.36V@25℃、2.10V@175℃，TO247-2L）。

• 新能源汽车（车载充电机 OBC、高压直流转换器）
• 光伏逆变器
• 储能系统
• 充电桩
• 工业电源
• 不间断电源 UPS
• 服务器电源
• 家用电器
• AI 电源

依托 SiC 垂直整合产业链推出的碳化硅 MOSFET 功率器件，是下一代能量转换系统的核心部件，凭借优异的开关特性和高温直流表现，带来小型化、轻量化及高集成度优势。制造工艺实现低电阻欧姆接触、优化的掺杂剂激活工艺与稳定的栅极氧化处理。车规级 1200V 16mΩ 碳化硅 MOSFET 已通过 AEC-Q101 认证，并在新能源汽车客户模块验证中；工规级 1700V 1Ω 与 1200V 32mΩ 已在光伏及充电桩领域稳定出货。

电压/阻值覆盖：650V、750V、1200V、1700V、2000V，已完成 650V 到 3300V、12mΩ 到 1000mΩ 的全系列布局；RDS(on)@Tj=25℃ 覆盖 12mΩ-1000mΩ，最高结温 Tj(max) 175℃。产品状态含 Active 与 Evaluation。类型：Bare die（裸片）与 Discrete device（分立器件）；等级：Automotive（车规）与 Industry（工规）。封装：Bare die、TO247-3L、TO247-4L A/B、TO247-4L Plus、TO263-7L、TOLL、QDPAK、X2PAK。典型型号：AMS1200012B4（1200V/122A，12mΩ@25℃、24mΩ@175℃，车规裸片）；SMS1701000K（1700V/6.8A，1000mΩ@25℃、1500mΩ@175℃，TO247-3L）；AMS1200020M2（1200V/88A，20mΩ@25℃、32mΩ@175℃，TO247-4L B）。

• 新能源汽车主驱逆变器
• 车载充电机 OBC
• 高压直流转换器 DC-DC
• 充电桩 / 大功率直流充电桩
• 光伏逆变器
• 储能系统
• 工业电源
• 不间断电源 UPS
• 电机驱动

碳化硅全链垂直整合制造服务平台的材料端起点产品，为后续 N 型衬底与外延提供晶体来源。三安半导体具备将大直径晶圆和高质量外延技术推向市场的能力与规模，可实现大规模量产。

官网该子族详情页为前端折叠渲染，具体直径/电阻率/厚度规格未逐条验证（不编造）。可验证的族级产线指标：6吋产能年产 36 万片、8吋产能年产 52 万片，远期规划产能 100 万片/年；已向国内外超 20 家客户稳定供货；晶圆制程由 150mm 迈向 200mm。

• 碳化硅衬底加工
• SiC MOSFET 制造
• 宽禁带半导体材料供应链

导电型（N 型）碳化硅衬底，是 SiC 功率器件制造的主流量产衬底产品，服务于大直径晶圆的规模化量产需求。

官网该子族详情页为前端折叠渲染，具体直径/电阻率/微管密度规格未逐条验证（不编造）。族级公开指标：6吋产能年产 36 万片、8吋产能年产 52 万片，远期规划 100 万片/年；公司正全面转向 8 英寸产线与工艺，开发高质量 8 英寸 SiC 衬底。

• SiC MOSFET 制造
• SiC SBD 制造
• 功率器件外延生长

高电阻率半绝缘型碳化硅衬底，属于三安碳化硅材料技术长期积累形成的产品系列之一，服务于电力电子之外的射频与高阻应用场景。

官网该子族详情页为前端折叠渲染，具体电阻率/直径规格未逐条验证（不编造）。族级公开指标：6吋产能年产 36 万片、8吋产能年产 52 万片，远期规划 100 万片/年；已向国内外超 20 家客户稳定供货。

• 射频器件
• 高阻衬底应用
• 宽禁带半导体材料供应

面向光学应用的高质量碳化硅衬底，是三安 8 吋碳化硅全链条技术成果的展示产品之一。

官网该子族详情页为前端折叠渲染，未提供逐条规格表（不编造）。官方公开成果指标：8吋光学衬底可见光吸收率 <0.35%，参数国际领先（来源：官网新闻 news-143，2025 行家说三代半年会）。

• 光学元件
• AR/光学窗口
• 高质量碳化硅衬底应用

利用碳化硅高热导率特性开发的散热用途衬底产品，属于三安碳化硅材料产品系列之一。

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• 散热基板
• 高功率器件热管理
• 电子封装散热

在自产碳化硅衬底上生长的高质量外延片，是三安碳化硅衬底、外延及氮化镓外延材料业务的核心产品，也是其垂直整合产业链中连接材料与器件的关键环节。

官网该子族详情页为前端折叠渲染，具体外延厚度/掺杂浓度规格未逐条验证（不编造）。官方公开成果指标：8吋外延片外延均匀性 <1%，达国际顶尖水准（来源：官网新闻 news-143）；产品主要服务于 SiC MOS 制造，覆盖 6 吋与 8 吋产线。

• SiC MOSFET 制造
• SiC SBD 制造
• 功率器件代工与制造服务

基于 20 年化合物半导体大规模制造经验开发的硅基氮化镓外延产品，与碳化硅材料共同构成三安宽禁带半导体材料平台。

官网该子族详情页为前端折叠渲染，具体外延结构/电压规格未逐条验证（不编造）。族级公开指标：与碳化硅材料共享大直径晶圆与高质量外延的量产能力，已向国内外超 20 家客户稳定供货。

• 氮化镓功率器件
• 快充与消费电源
• 数据中心与服务器电源