Hunan Sanan Semiconductor

Gamme mature de diodes Schottky à barrière (SBD) en carbure de silicium de Hunan Sanan Semiconductor. Elle utilise une structure innovante Schottky PiN hybride (MPS) et une technologie d'amincissement du substrat, offrant des caractéristiques supérieures de surintensité (surge) et d'avalanche, et répondant aux exigences de fiabilité les plus strictes du secteur, telles que HV-H3TRB. Forte de 20 ans d'expérience dans la fabrication de semi-conducteurs composés et d'une intégration verticale complète des étapes amont et aval, elle propose une gamme complète de composants de qualité automobile (Automotive), industrielle (Industry) et grand public (Consumer) avec un taux de défaillance extrêmement faible ; les expéditions cumulées atteignent 400 millions d'unités et les produits ont évolué jusqu'à la cinquième génération (G5/G6), avec une chute de tension directe plus faible et une meilleure dissipation thermique.

Plateformes de tension/courant : 650V/1A-60A, 750V/30A et 50A, 1200V/1A-120A (le tableau de sélection couvre jusqu'à 1200V/80A), 1400V, 1700V, 2000V. Générations de procédé : G3, G4, G5, G6. Exemples de paramètres clés : VF(Tj=25℃) 1.2V-1.5V, VF(Tj=175℃) 1.4V-2.25V ; plage de température de jonction Tj -55℃~175℃ (le grade grand public G6 est de -55℃~150℃). Boîtiers : Bare die, SMB, SMC, SMA, TO220-2L, TO220N-2L, TO220F-2L, TO247-2L, TO247-3L, TO247N-3L, TO252-2L, TO263-2L, DFN8*8-4L, TO3PF-3L. Structure : single chip et dual chip. Modèles typiques : SDS120J010H3 (1200V/10A, G3, VF 1.35V@25℃, 1.85V@175℃, IFSM 103A, TO247-2L) ; SDS200J040H5 (2000V/40A, G5, VF 1.36V@25℃, 2.10V@175℃, TO247-2L).

• Véhicules à énergie nouvelle (chargeur embarqué OBC, convertisseur continu haute tension)
• Onduleurs photovoltaïques
• Systèmes de stockage d'énergie
• Bornes de recharge pour véhicules électriques
• Alimentations industrielles
• Alimentations sans interruption (UPS)
• Alimentations pour serveurs
• Appareils électroménagers
• Alimentations pour l'IA

Composants de puissance MOSFET en carbure de silicium issus d'une chaîne industrielle SiC intégrée verticalement. Ils constituent le composant central des systèmes de conversion d'énergie de nouvelle génération et, grâce à leurs excellentes caractéristiques de commutation et à leur comportement en courant continu à haute température, offrent des avantages de miniaturisation, d'allègement et de haute intégration. Le procédé de fabrication permet d'obtenir des contacts ohmiques à faible résistance, un procédé optimisé d'activation des dopants et un traitement stable de l'oxydation de grille. Le MOSFET SiC 1200V 16mΩ de qualité automobile a obtenu la certification AEC-Q101 et fait l'objet d'une validation en module chez des clients de véhicules à énergie nouvelle ; les produits de qualité industrielle 1700V 1Ω et 1200V 32mΩ sont déjà livrés régulièrement dans les secteurs du photovoltaïque et des bornes de recharge.

Couverture tension/résistance : 650V, 750V, 1200V, 1700V, 2000V, avec une gamme complète déjà établie de 650V à 3300V et de 12mΩ à 1000mΩ ; RDS(on)@Tj=25℃ couvre 12mΩ-1000mΩ, température de jonction maximale Tj(max) 175℃. L'état du produit comprend Active et Evaluation. Types : Bare die et composant discret (Discrete device) ; grades : Automotive (automobile) et Industry (industriel). Boîtiers : Bare die, TO247-3L, TO247-4L A/B, TO247-4L Plus, TO263-7L, TOLL, QDPAK, X2PAK. Modèles typiques : AMS1200012B4 (1200V/122A, 12mΩ@25℃, 24mΩ@175℃, puce nue automobile) ; SMS1701000K (1700V/6.8A, 1000mΩ@25℃, 1500mΩ@175℃, TO247-3L) ; AMS1200020M2 (1200V/88A, 20mΩ@25℃, 32mΩ@175℃, TO247-4L B).

• Onduleur de traction principal de véhicules à énergie nouvelle
• Chargeur embarqué OBC
• Convertisseur continu-continu haute tension DC-DC
• Bornes de recharge / bornes de recharge à courant continu de forte puissance
• Onduleurs photovoltaïques
• Systèmes de stockage d'énergie
• Alimentations industrielles
• Alimentations sans interruption (UPS)
• Entraînements moteurs

Produit de départ côté matériaux de la plateforme de services de fabrication à intégration verticale de toute la chaîne du carbure de silicium, il fournit la source cristalline des substrats de type N et des épitaxies ultérieurs. Sanan Semiconductor dispose de la capacité et de l'échelle nécessaires pour mettre sur le marché des plaquettes de grand diamètre et une technologie d'épitaxie de haute qualité, permettant une production de masse à grande échelle.

La page de détail de cette sous-famille sur le site officiel est rendue par repli côté front-end, de sorte que les spécifications précises de diamètre, de résistivité et d'épaisseur n'ont pas été vérifiées une à une (aucune donnée inventée). Indicateurs vérifiables au niveau de la famille : capacité 6 pouces de 360 000 plaquettes par an, capacité 8 pouces de 520 000 plaquettes par an, avec une capacité planifiée à long terme de 1 000 000 de plaquettes par an ; fourniture stable à plus de 20 clients en Chine et à l'étranger ; le traitement des plaquettes passe de 150mm à 200mm.

• Usinage des substrats en carbure de silicium
• Fabrication de MOSFET SiC
• Chaîne d'approvisionnement en matériaux semi-conducteurs à large bande interdite

Substrat en carbure de silicium conducteur (type N), principal produit de substrat en production de masse pour la fabrication de composants de puissance SiC, répondant aux besoins de production de masse à grande échelle de plaquettes de grand diamètre.

La page de détail de cette sous-famille sur le site officiel est rendue par repli côté front-end, de sorte que les spécifications précises de diamètre, de résistivité et de densité de micropipes n'ont pas été vérifiées une à une (aucune donnée inventée). Indicateurs publics au niveau de la famille : capacité 6 pouces de 360 000 plaquettes par an, capacité 8 pouces de 520 000 plaquettes par an, plan à long terme de 1 000 000 de plaquettes par an ; l'entreprise bascule entièrement vers des lignes et procédés 8 pouces et développe des substrats SiC 8 pouces de haute qualité.

• Fabrication de MOSFET SiC
• Fabrication de SBD SiC
• Croissance épitaxiale de composants de puissance

Substrat en carbure de silicium semi-isolant à haute résistivité, l'une des séries de produits issus de l'accumulation technologique à long terme de Sanan dans les matériaux en carbure de silicium, destiné aux applications radiofréquence et à haute résistance hors de l'électronique de puissance.

La page de détail de cette sous-famille sur le site officiel est rendue par repli côté front-end, de sorte que les spécifications précises de résistivité et de diamètre n'ont pas été vérifiées une à une (aucune donnée inventée). Indicateurs publics au niveau de la famille : capacité 6 pouces de 360 000 plaquettes par an, capacité 8 pouces de 520 000 plaquettes par an, plan à long terme de 1 000 000 de plaquettes par an ; fourniture stable à plus de 20 clients en Chine et à l'étranger.

• Composants radiofréquence
• Applications de substrats à haute résistivité
• Fourniture de matériaux semi-conducteurs à large bande interdite

Substrat en carbure de silicium de haute qualité destiné aux applications optiques, l'un des produits illustrant les réalisations de Sanan sur toute la chaîne technologique du carbure de silicium 8 pouces.

La page de détail de cette sous-famille sur le site officiel est rendue par repli côté front-end et ne fournit pas de tableau de spécifications détaillé (aucune donnée inventée). Indicateur officiellement publié : absorption de la lumière visible du substrat optique 8 pouces <0.35%, paramètre de premier plan mondial (source : actualité du site officiel news-143, conférence annuelle Hangjiashuo des semi-conducteurs de troisième génération 2025).

• Composants optiques
• AR / fenêtres optiques
• Applications de substrats en carbure de silicium de haute qualité

Produit de substrat destiné à la dissipation thermique, développé en exploitant la conductivité thermique élevée du carbure de silicium, appartenant à la série de produits en carbure de silicium de Sanan.

La page de détail de cette sous-famille sur le site officiel est rendue par repli côté front-end, de sorte que les spécifications précises de conductivité thermique et de dimensions n'ont pas été vérifiées une à une (aucune donnée inventée). Indicateurs publics au niveau de la famille : capacité 6 pouces de 360 000 plaquettes par an, capacité 8 pouces de 520 000 plaquettes par an, plan à long terme de 1 000 000 de plaquettes par an.

• Substrats de dissipation thermique
• Gestion thermique des composants de forte puissance
• Dissipation thermique dans l'encapsulation électronique

Plaquettes épitaxiales de haute qualité cultivées sur des substrats en carbure de silicium produits en interne ; elles constituent un produit central de l'activité matériaux de Sanan (substrats en carbure de silicium, épitaxie et épitaxie GaN sur silicium) et un maillon clé reliant matériaux et composants dans sa chaîne industrielle intégrée verticalement.

La page de détail de cette sous-famille sur le site officiel est rendue par repli côté front-end, de sorte que les spécifications précises d'épaisseur d'épitaxie et de concentration de dopage n'ont pas été vérifiées une à une (aucune donnée inventée). Indicateur officiellement publié : uniformité d'épitaxie de la plaquette épitaxiale 8 pouces <1%, niveau de premier plan mondial (source : actualité du site officiel news-143) ; les produits servent principalement la fabrication de SiC MOS et couvrent les lignes 6 et 8 pouces.

• Fabrication de MOSFET SiC
• Fabrication de SBD SiC
• Fonderie et services de fabrication de composants de puissance

Produits épitaxiaux GaN sur silicium développés sur la base de 20 ans d'expérience de fabrication à grande échelle de semi-conducteurs composés ; avec les matériaux en carbure de silicium, ils constituent la plateforme de matériaux semi-conducteurs à large bande interdite de Sanan.

La page de détail de cette sous-famille sur le site officiel est rendue par repli côté front-end, de sorte que les spécifications précises de structure épitaxiale et de tension n'ont pas été vérifiées une à une (aucune donnée inventée). Indicateurs publics au niveau de la famille : partage avec les matériaux en carbure de silicium la capacité de production de masse de plaquettes de grand diamètre et d'épitaxie de haute qualité, avec une fourniture stable à plus de 20 clients en Chine et à l'étranger.

• Composants de puissance GaN
• Charge rapide et alimentations grand public
• Alimentations pour centres de données et serveurs