Hunan Sanan Semiconductor

Cartera madura de diodos de barrera Schottky (SBD) de carburo de silicio de Hunan Sanan Semiconductor. Emplea una innovadora estructura Schottky PiN híbrida (MPS) y tecnología de adelgazamiento del sustrato, y ofrece características superiores de sobretensión (surge) y avalancha, cumpliendo los requisitos de fiabilidad más estrictos del sector, como HV-H3TRB. Respaldada por 20 años de experiencia en fabricación de semiconductores compuestos y una integración vertical completa de las etapas front-end y back-end, ofrece una gama completa de dispositivos de grado automotriz (Automotive), industrial (Industry) y de consumo (Consumer) con una tasa de fallos extremadamente baja; los envíos acumulados alcanzan los 400 millones de unidades y los productos han evolucionado hasta la quinta generación (G5/G6), con menor caída de tensión directa y mejor capacidad de disipación de calor.

Plataformas de tensión/corriente: 650V/1A-60A, 750V/30A y 50A, 1200V/1A-120A (la tabla de selección cubre hasta 1200V/80A), 1400V, 1700V, 2000V. Generaciones de proceso: G3, G4, G5, G6. Ejemplos de parámetros clave: VF(Tj=25℃) 1.2V-1.5V, VF(Tj=175℃) 1.4V-2.25V; rango de temperatura de unión Tj -55℃~175℃ (el grado de consumo G6 es -55℃~150℃). Encapsulados: Bare die, SMB, SMC, SMA, TO220-2L, TO220N-2L, TO220F-2L, TO247-2L, TO247-3L, TO247N-3L, TO252-2L, TO263-2L, DFN8*8-4L, TO3PF-3L. Estructura: single chip y dual chip. Modelos típicos: SDS120J010H3 (1200V/10A, G3, VF 1.35V@25℃, 1.85V@175℃, IFSM 103A, TO247-2L); SDS200J040H5 (2000V/40A, G5, VF 1.36V@25℃, 2.10V@175℃, TO247-2L).

• Vehículos de nueva energía (cargador de a bordo OBC, convertidor de corriente continua de alta tensión)
• Inversores fotovoltaicos
• Sistemas de almacenamiento de energía
• Puntos de recarga de vehículos eléctricos
• Fuentes de alimentación industriales
• Sistemas de alimentación ininterrumpida (SAI/UPS)
• Fuentes de alimentación para servidores
• Electrodomésticos
• Fuentes de alimentación para IA

Dispositivos de potencia MOSFET de carburo de silicio desarrollados sobre una cadena industrial de SiC integrada verticalmente. Son el componente central de los sistemas de conversión de energía de próxima generación y, gracias a sus excelentes características de conmutación y a su comportamiento en corriente continua a alta temperatura, aportan ventajas de miniaturización, reducción de peso y alta integración. El proceso de fabricación logra contactos óhmicos de baja resistencia, un proceso optimizado de activación de dopantes y un tratamiento estable de oxidación de puerta. El MOSFET de SiC de 1200V 16mΩ de grado automotriz ha superado la certificación AEC-Q101 y está en validación de módulos con clientes de vehículos de nueva energía; los productos de grado industrial de 1700V 1Ω y 1200V 32mΩ ya se envían de forma estable en los sectores fotovoltaico y de puntos de recarga.

Cobertura de tensión/resistencia: 650V, 750V, 1200V, 1700V, 2000V, con una cartera completa ya establecida de 650V a 3300V y de 12mΩ a 1000mΩ; RDS(on)@Tj=25℃ cubre 12mΩ-1000mΩ, temperatura máxima de unión Tj(max) 175℃. El estado del producto incluye Active y Evaluation. Tipos: Bare die y dispositivo discreto (Discrete device); grados: Automotive (automotriz) e Industry (industrial). Encapsulados: Bare die, TO247-3L, TO247-4L A/B, TO247-4L Plus, TO263-7L, TOLL, QDPAK, X2PAK. Modelos típicos: AMS1200012B4 (1200V/122A, 12mΩ@25℃, 24mΩ@175℃, dado desnudo automotriz); SMS1701000K (1700V/6.8A, 1000mΩ@25℃, 1500mΩ@175℃, TO247-3L); AMS1200020M2 (1200V/88A, 20mΩ@25℃, 32mΩ@175℃, TO247-4L B).

• Inversor de tracción principal de vehículos de nueva energía
• Cargador de a bordo OBC
• Convertidor CC-CC de alta tensión
• Puntos de recarga de vehículos eléctricos / puntos de recarga CC de alta potencia
• Inversores fotovoltaicos
• Sistemas de almacenamiento de energía
• Fuentes de alimentación industriales
• Sistemas de alimentación ininterrumpida (SAI/UPS)
• Accionamientos de motor

Producto inicial del lado de materiales de la plataforma de servicios de fabricación con integración vertical de toda la cadena de carburo de silicio, que aporta la fuente de cristal para los posteriores sustratos de tipo N y la epitaxia. Sanan Semiconductor cuenta con la capacidad y la escala para llevar al mercado obleas de gran diámetro y tecnología de epitaxia de alta calidad, lo que permite la producción en masa a gran escala.

La página de detalle de esta subfamilia en el sitio web oficial se renderiza mediante plegado en el front-end, por lo que las especificaciones concretas de diámetro, resistividad y espesor no se han verificado una por una (sin invención). Indicadores verificables a nivel de familia: capacidad de 6 pulgadas de 360 000 obleas al año, capacidad de 8 pulgadas de 520 000 obleas al año y capacidad planificada a largo plazo de 1 000 000 de obleas al año; suministro estable a más de 20 clientes nacionales e internacionales; el procesamiento de obleas pasa de 150mm a 200mm.

• Procesamiento de sustratos de carburo de silicio
• Fabricación de MOSFET de SiC
• Cadena de suministro de materiales semiconductores de banda prohibida ancha

Sustrato de carburo de silicio conductor (tipo N), el principal producto de sustrato de producción en masa para la fabricación de dispositivos de potencia de SiC, que responde a las necesidades de producción en masa a escala de obleas de gran diámetro.

La página de detalle de esta subfamilia en el sitio web oficial se renderiza mediante plegado en el front-end, por lo que las especificaciones concretas de diámetro, resistividad y densidad de microporos no se han verificado una por una (sin invención). Indicadores públicos a nivel de familia: capacidad de 6 pulgadas de 360 000 obleas al año, capacidad de 8 pulgadas de 520 000 obleas al año y capacidad planificada a largo plazo de 1 000 000 de obleas al año; la empresa está pasando por completo a líneas y procesos de 8 pulgadas y desarrolla sustratos de SiC de 8 pulgadas de alta calidad.

• Fabricación de MOSFET de SiC
• Fabricación de SBD de SiC
• Crecimiento epitaxial de dispositivos de potencia

Sustrato de carburo de silicio semi-aislante de alta resistividad, una de las series de productos formadas por la acumulación tecnológica a largo plazo de Sanan en materiales de carburo de silicio, que atiende escenarios de radiofrecuencia y de alta resistencia fuera de la electrónica de potencia.

La página de detalle de esta subfamilia en el sitio web oficial se renderiza mediante plegado en el front-end, por lo que las especificaciones concretas de resistividad y diámetro no se han verificado una por una (sin invención). Indicadores públicos a nivel de familia: capacidad de 6 pulgadas de 360 000 obleas al año, capacidad de 8 pulgadas de 520 000 obleas al año y capacidad planificada a largo plazo de 1 000 000 de obleas al año; suministro estable a más de 20 clientes nacionales e internacionales.

• Dispositivos de radiofrecuencia
• Aplicaciones de sustratos de alta resistividad
• Suministro de materiales semiconductores de banda prohibida ancha

Sustrato de carburo de silicio de alta calidad destinado a aplicaciones ópticas, uno de los productos que muestran los logros de Sanan en toda la cadena tecnológica de carburo de silicio de 8 pulgadas.

La página de detalle de esta subfamilia en el sitio web oficial se renderiza mediante plegado en el front-end y no ofrece una tabla de especificaciones detallada (sin invención). Indicador de resultados publicado oficialmente: absorción de luz visible del sustrato óptico de 8 pulgadas <0.35%, parámetro líder a nivel internacional (fuente: noticia del sitio web oficial news-143, Conferencia Anual de Semiconductores de Tercera Generación Hangjiashuo 2025).

• Componentes ópticos
• AR / ventanas ópticas
• Aplicaciones de sustratos de carburo de silicio de alta calidad

Producto de sustrato para la disipación de calor desarrollado aprovechando la alta conductividad térmica del carburo de silicio, perteneciente a la serie de productos de materiales de carburo de silicio de Sanan.

La página de detalle de esta subfamilia en el sitio web oficial se renderiza mediante plegado en el front-end, por lo que las especificaciones concretas de conductividad térmica y dimensiones no se han verificado una por una (sin invención). Indicadores públicos a nivel de familia: capacidad de 6 pulgadas de 360 000 obleas al año, capacidad de 8 pulgadas de 520 000 obleas al año y capacidad planificada a largo plazo de 1 000 000 de obleas al año.

• Sustratos de disipación de calor
• Gestión térmica de dispositivos de alta potencia
• Disipación de calor en encapsulado electrónico

Obleas epitaxiales de alta calidad crecidas sobre sustratos de carburo de silicio de producción propia; son un producto central del negocio de materiales de sustrato de carburo de silicio, epitaxia y epitaxia de GaN sobre silicio de Sanan, y un eslabón clave que conecta materiales y dispositivos en su cadena industrial integrada verticalmente.

La página de detalle de esta subfamilia en el sitio web oficial se renderiza mediante plegado en el front-end, por lo que las especificaciones concretas de espesor de epitaxia y concentración de dopaje no se han verificado una por una (sin invención). Indicador publicado oficialmente: uniformidad de epitaxia de la oblea epitaxial de 8 pulgadas <1%, nivel líder mundial (fuente: noticia del sitio web oficial news-143); los productos sirven principalmente a la fabricación de SiC MOS y cubren líneas de producción de 6 y 8 pulgadas.

• Fabricación de MOSFET de SiC
• Fabricación de SBD de SiC
• Fundición y servicios de fabricación de dispositivos de potencia

Productos epitaxiales de GaN sobre silicio desarrollados a partir de 20 años de experiencia en fabricación a gran escala de semiconductores compuestos; junto con los materiales de carburo de silicio constituyen la plataforma de materiales semiconductores de banda prohibida ancha de Sanan.

La página de detalle de esta subfamilia en el sitio web oficial se renderiza mediante plegado en el front-end, por lo que las especificaciones concretas de estructura epitaxial y tensión no se han verificado una por una (sin invención). Indicadores públicos a nivel de familia: comparte con los materiales de carburo de silicio la capacidad de producción en masa de obleas de gran diámetro y epitaxia de alta calidad, y ha suministrado de forma estable a más de 20 clientes nacionales e internacionales.

• Dispositivos de potencia de GaN
• Carga rápida y fuentes de alimentación de consumo
• Fuentes de alimentación para centros de datos y servidores