Hunan Sanan Semiconductor

مجموعة ناضجة من صمامات ثنائية شوتكي للحاجز (SBD) من كربيد السيليكون لدى Hunan Sanan Semiconductor. تعتمد بنية شوتكي PiN الهجينة المبتكرة (MPS) وتقنية ترقيق الركيزة، وتتميز بخصائص ممتازة في تدفق التيار والانهيار، وتلبي أقسى متطلبات الموثوقية في القطاع مثل HV-H3TRB. واستنادًا إلى 20 عامًا من الخبرة في تصنيع أشباه الموصلات المركبة والتكامل الرأسي الكامل لمراحل المعالجة الأمامية والخلفية، توفر مجموعة كاملة من الأجهزة بمستوى السيارات (Automotive) والصناعي (Industry) والاستهلاكي (Consumer) بمعدل فشل منخفض للغاية، وبلغ إجمالي الشحنات 400 مليون قطعة، كما تطورت المنتجات إلى الجيل الخامس (G5/G6) بجهد أمامي أقل وقدرة أفضل على تبديد الحرارة.

منصات الجهد/التيار: 650V/1A-60A، و750V/30A و50A، و1200V/1A-120A (يغطي جدول الاختيار حتى 1200V/80A)، و1400V، و1700V، و2000V. أجيال التصنيع: G3 وG4 وG5 وG6. أمثلة على المعلمات الرئيسية: VF(Tj=25℃) 1.2V-1.5V، وVF(Tj=175℃) 1.4V-2.25V؛ نطاق درجة حرارة الوصلة Tj من -55℃ إلى 175℃ (الفئة الاستهلاكية G6 من -55℃ إلى 150℃). العبوات: Bare die، وSMB، وSMC، وSMA، وTO220-2L، وTO220N-2L، وTO220F-2L، وTO247-2L، وTO247-3L، وTO247N-3L، وTO252-2L، وTO263-2L، وDFN8*8-4L، وTO3PF-3L. البنية: single chip و dual chip. موديلات نموذجية: SDS120J010H3 (1200V/10A، G3، VF 1.35V@25℃، 1.85V@175℃، IFSM 103A، TO247-2L)؛ SDS200J040H5 (2000V/40A، G5، VF 1.36V@25℃، 2.10V@175℃، TO247-2L).

• المركبات ذات الطاقة الجديدة (شاحن على متن المركبة OBC، محول التيار المستمر عالي الجهد)
• عواكس الطاقة الشمسية الكهروضوئية
• أنظمة تخزين الطاقة
• أكوام شحن المركبات الكهربائية
• مصادر الطاقة الصناعية
• مصادر الطاقة غير المنقطعة UPS
• مصادر طاقة الخوادم
• الأجهزة المنزلية
• مصادر الطاقة للذكاء الاصطناعي

أجهزة قدرة MOSFET من كربيد السيليكون مطوّرة على أساس سلسلة صناعية متكاملة رأسيًا لكربيد السيليكون. وهي المكوّن الأساسي لأنظمة تحويل الطاقة من الجيل التالي، وبفضل خصائص التبديل الممتازة والأداء عند التيار المستمر في درجات الحرارة المرتفعة، توفر مزايا التصغير وتقليل الوزن والتكامل العالي. وتحقق عملية التصنيع تلامسات أومية منخفضة المقاومة، وعملية تفعيل مُطعَّمات محسّنة، ومعالجة مستقرة لأكسدة البوابة. وقد اجتاز ترانزستور MOSFET من SiC بجهد 1200V و16mΩ بمستوى السيارات شهادة AEC-Q101، وهو قيد التحقق في وحدات عملاء المركبات ذات الطاقة الجديدة؛ أما منتجات المستوى الصناعي 1700V 1Ω و1200V 32mΩ فتُشحن بانتظام في مجالي الطاقة الشمسية وأكوام الشحن.

تغطية الجهد/المقاومة: 650V و750V و1200V و1700V و2000V، مع إكمال تشكيلة كاملة من 650V إلى 3300V ومن 12mΩ إلى 1000mΩ؛ وتغطي RDS(on)@Tj=25℃ نطاق 12mΩ-1000mΩ، وأقصى درجة حرارة وصلة Tj(max) هي 175℃. وتشمل حالة المنتج Active و Evaluation. الأنواع: Bare die وجهاز منفصل (Discrete device)؛ والمستويات: Automotive (السيارات) و Industry (الصناعي). العبوات: Bare die، وTO247-3L، وTO247-4L A/B، وTO247-4L Plus، وTO263-7L، وTOLL، وQDPAK، وX2PAK. موديلات نموذجية: AMS1200012B4 (1200V/122A، 12mΩ@25℃، 24mΩ@175℃، شريحة خام بمستوى السيارات)؛ SMS1701000K (1700V/6.8A، 1000mΩ@25℃، 1500mΩ@175℃، TO247-3L)؛ AMS1200020M2 (1200V/88A، 20mΩ@25℃، 32mΩ@175℃، TO247-4L B).

• عاكس الدفع الرئيسي للمركبات ذات الطاقة الجديدة
• شاحن على متن المركبة OBC
• محول تيار مستمر عالي الجهد DC-DC
• أكوام شحن المركبات الكهربائية / أكوام الشحن بالتيار المستمر عالية القدرة
• عواكس الطاقة الشمسية الكهروضوئية
• أنظمة تخزين الطاقة
• مصادر الطاقة الصناعية
• مصادر الطاقة غير المنقطعة UPS
• أنظمة دفع المحركات

المنتج الأول من جانب المواد في منصة خدمات التصنيع المتكاملة رأسيًا لسلسلة كربيد السيليكون الكاملة، ويوفّر مصدر البلورة للركائز والأغشية الخارجية اللاحقة من النوع N. وتمتلك Sanan Semiconductor القدرة والحجم اللازمين لطرح رقائق بأقطار كبيرة وتقنية أغشية خارجية عالية الجودة في السوق، بما يتيح الإنتاج الضخم على نطاق واسع.

صفحة التفاصيل لهذه العائلة الفرعية على الموقع الرسمي تُعرض بطي في الواجهة الأمامية، لذلك لم يتم التحقق بندًا بندًا من مواصفات القطر والمقاومية والسماكة (دون اختلاق). مؤشرات قابلة للتحقق على مستوى العائلة: طاقة إنتاجية 6 بوصات تبلغ 360 ألف رقاقة سنويًا، وطاقة 8 بوصات تبلغ 520 ألف رقاقة سنويًا، مع خطة بعيدة المدى تبلغ مليون رقاقة سنويًا؛ وتوريد مستقر لأكثر من 20 عميلًا محليًا ودوليًا؛ والانتقال في تصنيع الرقائق من 150mm إلى 200mm.

• معالجة ركائز كربيد السيليكون
• تصنيع MOSFET من SiC
• سلسلة توريد مواد أشباه الموصلات ذات الفجوة النطاقية الواسعة

ركيزة كربيد سيليكون موصلة (النوع N)، وهي منتج الركيزة الرئيسي للإنتاج الضخم في تصنيع أجهزة قدرة SiC، وتخدم احتياجات الإنتاج الضخم للرقائق ذات الأقطار الكبيرة.

صفحة التفاصيل لهذه العائلة الفرعية على الموقع الرسمي تُعرض بطي في الواجهة الأمامية، لذلك لم يتم التحقق بندًا بندًا من مواصفات القطر والمقاومية وكثافة الأنابيب الدقيقة (دون اختلاق). مؤشرات عامة على مستوى العائلة: طاقة 6 بوصات تبلغ 360 ألف رقاقة سنويًا، وطاقة 8 بوصات تبلغ 520 ألف رقاقة سنويًا، وخطة بعيدة المدى تبلغ مليون رقاقة سنويًا؛ وتتحول الشركة بالكامل إلى خطوط وعمليات 8 بوصات وتطوّر ركائز SiC عالية الجودة بقياس 8 بوصات.

• تصنيع MOSFET من SiC
• تصنيع SBD من SiC
• النمو الخارجي لأجهزة القدرة

ركيزة كربيد سيليكون شبه عازلة عالية المقاومية، وهي إحدى سلاسل المنتجات التي تشكّلت من التراكم التقني الطويل الأمد لدى Sanan في مواد كربيد السيليكون، وتخدم سيناريوهات الترددات الراديوية والتطبيقات عالية المقاومية خارج الإلكترونيات القدرية.

صفحة التفاصيل لهذه العائلة الفرعية على الموقع الرسمي تُعرض بطي في الواجهة الأمامية، لذلك لم يتم التحقق بندًا بندًا من مواصفات المقاومية والقطر (دون اختلاق). مؤشرات عامة على مستوى العائلة: طاقة 6 بوصات تبلغ 360 ألف رقاقة سنويًا، وطاقة 8 بوصات تبلغ 520 ألف رقاقة سنويًا، وخطة بعيدة المدى تبلغ مليون رقاقة سنويًا؛ وتوريد مستقر لأكثر من 20 عميلًا محليًا ودوليًا.

• أجهزة الترددات الراديوية
• تطبيقات الركائز عالية المقاومية
• توريد مواد أشباه الموصلات ذات الفجوة النطاقية الواسعة

ركيزة كربيد سيليكون عالية الجودة موجّهة للتطبيقات البصرية، وهي أحد المنتجات التي تعرض إنجازات Sanan في سلسلة تقنيات كربيد السيليكون الكاملة بقياس 8 بوصات.

صفحة التفاصيل لهذه العائلة الفرعية على الموقع الرسمي تُعرض بطي في الواجهة الأمامية ولا توفر جدول مواصفات بندًا ببند (دون اختلاق). مؤشر الأداء المعلن رسميًا: نسبة امتصاص الضوء المرئي للركيزة البصرية بقياس 8 بوصات <0.35%، وهي معلمة متقدمة عالميًا (المصدر: خبر الموقع الرسمي news-143، المؤتمر السنوي الثالث لأشباه الموصلات من الجيل الثالث Hangjiashuo 2025).

• المكوّنات البصرية
• الواقع المعزز / النوافذ البصرية
• تطبيقات ركائز كربيد السيليكون عالية الجودة

منتج ركيزة لأغراض تبديد الحرارة طُوّر بالاستفادة من الموصلية الحرارية العالية لكربيد السيليكون، وهو جزء من سلسلة منتجات مواد كربيد السيليكون لدى Sanan.

صفحة التفاصيل لهذه العائلة الفرعية على الموقع الرسمي تُعرض بطي في الواجهة الأمامية، لذلك لم يتم التحقق بندًا بندًا من مواصفات الموصلية الحرارية والأبعاد (دون اختلاق). مؤشرات عامة على مستوى العائلة: طاقة 6 بوصات تبلغ 360 ألف رقاقة سنويًا، وطاقة 8 بوصات تبلغ 520 ألف رقاقة سنويًا، وخطة بعيدة المدى تبلغ مليون رقاقة سنويًا.

• قواعد تبديد الحرارة
• الإدارة الحرارية لأجهزة القدرة العالية
• تبديد الحرارة في التغليف الإلكتروني

رقائق خارجية عالية الجودة منمّاة على ركائز كربيد سيليكون مُنتجة داخليًا، وهي منتج محوري في أعمال مواد ركائز كربيد السيليكون والأغشية الخارجية وأغشية نيتريد الجاليوم الخارجية على السيليكون لدى Sanan، وحلقة وصل رئيسية بين المواد والأجهزة في سلسلتها الصناعية المتكاملة رأسيًا.

صفحة التفاصيل لهذه العائلة الفرعية على الموقع الرسمي تُعرض بطي في الواجهة الأمامية، لذلك لم يتم التحقق بندًا بندًا من مواصفات سماكة الغشاء الخارجي وتركيز التشويب (دون اختلاق). المؤشر المعلن رسميًا: انتظام الغشاء الخارجي لرقاقة 8 بوصات <1%، وهو مستوى متقدم عالميًا (المصدر: خبر الموقع الرسمي news-143)؛ وتخدم المنتجات أساسًا تصنيع SiC MOS وتغطي خطوط إنتاج 6 و8 بوصات.

• تصنيع MOSFET من SiC
• تصنيع SBD من SiC
• خدمات تصنيع أجهزة القدرة بالوكالة

منتجات أغشية خارجية من نيتريد الجاليوم على السيليكون طُوّرت بناءً على 20 عامًا من الخبرة في التصنيع الواسع النطاق لأشباه الموصلات المركبة، وتشكّل مع مواد كربيد السيليكون منصة Sanan لمواد أشباه الموصلات ذات الفجوة النطاقية الواسعة.

صفحة التفاصيل لهذه العائلة الفرعية على الموقع الرسمي تُعرض بطي في الواجهة الأمامية، لذلك لم يتم التحقق بندًا بندًا من مواصفات البنية الخارجية والجهد (دون اختلاق). مؤشرات عامة على مستوى العائلة: تتشارك مع مواد كربيد السيليكون القدرة على الإنتاج الضخم للرقائق ذات الأقطار الكبيرة والأغشية الخارجية عالية الجودة، وتم التوريد بانتظام لأكثر من 20 عميلًا محليًا ودوليًا.

• أجهزة قدرة نيتريد الجاليوم
• الشحن السريع ومصادر طاقة الأجهزة الاستهلاكية
• مصادر طاقة مراكز البيانات والخوادم