江苏宏微科技股份有限公司

宏微 IGBT 功率模块覆盖 600V/650V/750V/1000V/1200V/1700V 多个电压等级，采用 M3i/M4i/M6i/M7i 等微沟槽芯片技术，封装含平板基板、无铜基板与 Pinfin 基板。拓扑涵盖半桥、三相全桥、三电平 I-NPC/T-NPC、PIM 功率集成、整流六单元、升压斩波及单管等。产品通过车规级认证，适用于新能源汽车电驱及工业与新能源场景。

电压等级 600/650/750/1000/1200/1700V; 电流 10–950A; 芯片技术 M3i/M4i/M6i/M7i; 封装 平板基板/无铜基板/Pinfin基板; 拓扑 半桥/三相桥/三电平I-NPC/三电平T-NPC/PIM/整流六单元/升压斩波/单管。

• 新能源汽车电驱
• 光伏逆变器
• 储能逆变器
• 工业变频器
• 电焊机
• UPS电源

碳化硅混合模块是在 IGBT 功率模块中集成 SiC 二极管的高功率密度集成功率模块，相比非混合模块开关损耗更低、工作温度更高，适用于对效率与损耗要求严苛的大功率应用。产品采用 GHP/GWB 封装，覆盖 650V 与 1200V 电压，结温可达 175℃。

电压 650V/1200V; 电流 300/450/600A; VCE(sat) 1.40–1.90V; 结温 175℃; 封装 GHP/GWB。

• 光伏逆变器
• 储能系统
• 充电桩
• 工业电源
• 新能源汽车

宏微 SiC MOSFET 功率模块采用碳化硅 MOSFET 芯片，具备高频、高压、高温工作能力，可应用于汽车电驱动、充电桩、光伏逆变器等高可靠性场景。封装包括 NV、NCB、SOT-227 等，电压等级 1200V。

电压 1200V; 电流 100–107A; RDS(on) 1.57–13.4mΩ; 结温 150/175℃; 封装 NV/NCB/SOT-227。

• 汽车电驱动
• 充电桩
• 光伏逆变器
• 储能系统

宏微快恢复二极管（FRD）功率模块覆盖 200–1700V 电压等级，采用局部少子寿命控制技术，具有反向恢复时间短、正向压降低、软恢复特性和雪崩耐量高等优点。封装含 FS/FY/FJ/FN/FZ/FYB/FD 等系列，可满足工控与新能源对高效整流的需求。

电压 200/400/500/600/700/1200/1700V; 电流 2×60A–600A; VF 0.90–3.00V; trr 49–500ns; 封装 FS/FY/FJ/FN/FZ/FYB/FD。

• 变频器
• 开关电源
• 焊接电源
• UPS电源
• 工控电源

宏微整流桥模块结构紧凑、通流能力强、耐压高，电路结构涵盖半桥、共阴、单单元及三相整流桥，覆盖 1600V/1800V/2000V 电压等级。产品封装丰富（DA/DAB/DE/DEB/DF/DFB/DL/DS），广泛用于变频器、开关电源及医疗电源等。

电压 1600/1800/2000V; 电流 50–300A; IFSM 500–9000A; 封装 DA/DAB/DE/DEB/DF/DFB/DL/DS。

• 变频器
• 开关电源
• 焊接电源
• 医疗电源

宏微 IGBT 分立器件覆盖 650V/1200V、10–140A，采用微沟槽芯片技术，具有开关速度快、短路承受能力强等特点。封装含 TO-247-3L/4L、TO-247 Plus-3L/4L、TO-247 LP-4L 及 TOLT 等，适用于光伏逆变、储能、电机驱动及充电桩等领域。

电压 650/1200V; 电流 10–140A; VCE(sat) 1.45–2.15V; 封装 TO-247/TO-247 Plus/TOLT。

• 光伏逆变
• 储能系统
• 工业电源
• 电机驱动
• 充电桩
• 家用电器

宏微 SiC 肖特基势垒二极管（SiC SBD）分立器件具有低开关损耗、高速开关性能及出色的热性能，广泛应用于空调、电源、光伏发电系统与电动汽车快速充电器。产品通过工业级认证，封装为 SOT-227 与 TO-247-2L。

电压 1200V; 电流 2×60A/20A; VF 1.4V; IFSM 180/380A; 结温 175℃; 封装 SOT-227/TO-247-2L。

• 空调
• 开关电源
• 光伏发电
• 电动汽车快充

宏微碳化硅 MOSFET 分立器件具有优秀的高频、高压、高温性能，在系统中替代传统硅 IGBT 可提升开关频率与功率密度、降低综合成本。器件具备低开关损耗、高工作结温、低导通电阻及足够的鲁棒性，覆盖 1200V 电压等级，产品列表为前端 JS 动态渲染。

电压 1200V; VGS,op -4/+18V; 结温 175℃; 特性 低开关损耗/低RDS(on)/高结温; 应用 光伏/储能/工业电源/新能源汽车/电机驱动/充电桩（具体型号见官网产品列表）。

• 光伏逆变
• 储能系统
• 工业电源
• 新能源汽车
• 电机驱动
• 充电桩

宏微 MOSFET 分立器件具有导通电阻低、开关速度快、雪崩耐量高的特点，覆盖高压大电流场景，封装包括 TO-247、TO-263、TO-3PF 等，适用于开关电源、工业电源与家电照明等应用。

电压 1500V; 电流 2.5A; RDS(on) 9Ω; PD 63W; tf 61ns; 封装 TO-247/TO-263/TO-3PF。

• 开关电源
• 工业电源
• 家用电器
• 照明

宏微 FRED（快恢复外延二极管）分立器件覆盖 300–1700V、8–100A，具有超快恢复时间、软恢复特性，反向恢复电荷低、漏电流低、雪崩能量高。产品封装丰富（TO-220/TO-247/TO-3PB 等），广泛用于电焊机、UPS、家电与充电桩。

电压 300/400/600/700/1000/1200/1700V; 电流 8–100A; VF 1.15–2.9V; trr 17–50ns; 封装 TO-220/TO-220C/TO-220F/TO-247/TO-3PB 等。

• 电焊机
• UPS电源
• 家用电器
• 充电桩
• 开关电源

宏微快恢复二极管芯片采用局部少子寿命控制技术，具有反向恢复时间短、正向压降低、软恢复特性和雪崩耐量高等特点，产品覆盖 200–1700V 电压、4–400A 电流范围。芯片以裸片（Die）形式供应，主要用于 IGBT 模块配套与功率器件制造。

电压 210/230/350/420/630/640/660/1260V(裸片); 电流 2–75A; VF 0.90–2.80V; trr 20–90ns; 提供多种 Die Size 裸片尺寸。

• IGBT模块配套
• 功率半导体器件制造
• 工业控制
• 新能源发电

GV IGBT 模块是宏微采用 M7i 微沟槽芯片技术的车规级功率模块系列，配备独特的 pinfin 设计和高散热系数导热基板，主打新能源汽车电驱应用。该系列为官网新品推荐，兼具低损耗与高散热性能。

芯片技术 M7i 微沟槽; 基板 pinfin 高散热设计; 定位 车规级/新能源汽车电驱; 损耗低、散热性能优。

• 新能源汽车电驱
• 充电桩
• 工业变频

1700V GWB IGBT 模块是宏微重点产品，具有低导通压降、高电流密度和优秀的功率循环能力，并采用独特防硫化工艺设计以提升可靠性寿命。该系列面向高压变频器、风电与储能等严苛工业场景。

电压 1700V; 特性 低Vce(sat)/高电流密度/优秀功率循环能力; 工艺 独特防硫化设计; 可靠性寿命高。

• 高压变频器
• 风力发电
• 储能系统
• 工业电源

GWQ IGBT 模块采用宏微 M7i 芯片技术，在实现低 Vce(sat) 的同时拥有低开关损耗，代表型号 MMG600WQ100PD6T7 为 1000V/600A 三电平 I-NPC 模块。该系列适用于光伏逆变器与储能逆变器等高效电能变换场景。

芯片技术 M7i; 电压 1000V; 电流 600A(代表型号); 拓扑 三电平 I-NPC; 封装 GWQ/平板基板; VCE(sat) 1.80V。

• 光伏逆变器
• 储能逆变器

IcyPack 系列 DSC 双面散热模块采用双面散热（Double Side Cooling）结构，可显著提升器件出流效能，并集成电流与温度传感器以精确监控器件安全状态。该系列为宏微重点产品，面向高功率密度与高可靠性的新能源与车规应用。

结构 双面散热(DSC); 特性 提升出流效能; 集成电流传感器与温度传感器; 精确安全监控。

• 新能源汽车电驱
• 高功率密度逆变
• 储能系统
• 工业变频