Jiangsu Macro Micro-Tech

Los módulos de potencia IGBT de MacMic abarcan niveles de tensión de 600 V/650 V/750 V/1000 V/1200 V/1700 V y emplean tecnologías de chip de microtrinchera M3i/M4i/M6i/M7i, con encapsulados de sustrato plano, sustrato sin cobre y sustrato pinfin. Las topologías incluyen medio puente, puente trifásico completo, tres niveles I-NPC/T-NPC, integración de potencia PIM, rectificador de seis unidades, chopper elevador y conmutador único. Certificados para automoción, sirven para la tracción de vehículos eléctricos y entornos industriales y de energías renovables.

Niveles de tensión 600/650/750/1000/1200/1700 V; corriente 10–950 A; tecnologías de chip M3i/M4i/M6i/M7i; encapsulados sustrato plano/sustrato sin cobre/sustrato pinfin; topologías medio puente/puente trifásico/tres niveles I-NPC/tres niveles T-NPC/PIM/rectificador de seis unidades/chopper elevador/conmutador único.

• Tracción de vehículos eléctricos
• Inversor fotovoltaico
• Inversor de almacenamiento de energía
• Convertidor de frecuencia industrial
• Máquina de soldadura
• Fuente de alimentación UPS

Los módulos híbridos de carburo de silicio integran diodos SiC en módulos de potencia IGBT para formar módulos integrados de alta densidad de potencia. Frente a los módulos no híbridos ofrecen menores pérdidas de conmutación y una mayor temperatura de trabajo, por lo que resultan idóneos para aplicaciones de gran potencia con requisitos estrictos de eficiencia y pérdidas. Utilizan encapsulados GHP/GWB, cubren 650 V y 1200 V y alcanzan una temperatura de unión de 175 °C.

Tensión 650 V/1200 V; corriente 300/450/600 A; VCE(sat) 1,40–1,90 V; temperatura de unión 175 °C; encapsulados GHP/GWB.

• Inversor fotovoltaico
• Sistema de almacenamiento de energía
• Punto de carga
• Fuente de alimentación industrial
• Vehículos de nueva energía

Los módulos de potencia SiC MOSFET de MacMic emplean dados MOSFET de carburo de silicio y ofrecen funcionamiento en alta frecuencia, alta tensión y alta temperatura para escenarios exigentes y de alta fiabilidad como la tracción eléctrica de automóviles, los puntos de carga y los inversores fotovoltaicos. Los encapsulados incluyen NV, NCB y SOT-227, con una clase de tensión de 1200 V.

Tensión 1200 V; corriente 100–107 A; RDS(on) 1,57–13,4 mΩ; temperatura de unión 150/175 °C; encapsulados NV/NCB/SOT-227.

• Tracción eléctrica automotriz
• Punto de carga
• Inversor fotovoltaico
• Sistema de almacenamiento de energía

Los módulos de potencia de diodo de recuperación rápida (FRD) de MacMic cubren clases de tensión de 200–1700 V y emplean tecnología localizada de control del tiempo de vida de portadores minoritarios, lo que aporta un tiempo de recuperación inversa corto, baja caída de tensión directa, comportamiento de recuperación suave y alta capacidad de avalancha. Las familias de encapsulado incluyen FS/FY/FJ/FN/FZ/FYB/FD, cubriendo la necesidad de rectificación eficiente en control industrial y energías renovables.

Tensión 200/400/500/600/700/1200/1700 V; corriente 2x60 A–600 A; VF 0,90–3,00 V; trr 49–500 ns; encapsulados FS/FY/FJ/FN/FZ/FYB/FD.

• Convertidor de frecuencia
• Fuente de alimentación conmutada
• Fuente de soldadura
• Fuente de alimentación UPS
• Fuente de control industrial

Los módulos de puente rectificador de MacMic son compactos, soportan corrientes elevadas y resisten tensiones altas; sus configuraciones de circuito abarcan puente de medio, cátodo común, unidad única y puente rectificador trifásico en clases de 1600 V/1800 V/2000 V. La oferta de encapsulados es amplia (DA/DAB/DE/DEB/DF/DFB/DL/DS) y se usan ampliamente en convertidores de frecuencia, fuentes conmutadas y fuentes médicas.

Tensión 1600/1800/2000 V; corriente 50–300 A; IFSM 500–9000 A; encapsulados DA/DAB/DE/DEB/DF/DFB/DL/DS.

• Convertidor de frecuencia
• Fuente de alimentación conmutada
• Fuente de soldadura
• Fuente de alimentación médica

Los dispositivos discretos IGBT de MacMic cubren 650 V/1200 V y 10–140 A y emplean tecnología de chip de microtrinchera para una conmutación rápida y una sólida resistencia a cortocircuito. Los encapsulados incluyen TO-247-3L/4L, TO-247 Plus-3L/4L, TO-247 LP-4L y TOLT, orientados a inversores fotovoltaicos, almacenamiento de energía, accionamientos de motor y puntos de carga.

Tensión 650/1200 V; corriente 10–140 A; VCE(sat) 1,45–2,15 V; encapsulados TO-247/TO-247 Plus/TOLT.

• Inversor fotovoltaico
• Sistema de almacenamiento de energía
• Fuente de alimentación industrial
• Accionamiento de motor
• Punto de carga
• Electrodomésticos

Los dispositivos discretos de diodo de barrera Schottky de carburo de silicio (SiC SBD) de MacMic ofrecen bajas pérdidas de conmutación, alto rendimiento de conmutación y excelente comportamiento térmico, y se emplean ampliamente en aires acondicionados, fuentes de alimentación, sistemas de generación fotovoltaica y cargadores rápidos de vehículos eléctricos. Los productos cuentan con certificación industrial y encapsulado SOT-227 y TO-247-2L.

Tensión 1200 V; corriente 2x60 A/20 A; VF 1,4 V; IFSM 180/380 A; temperatura de unión 175 °C; encapsulados SOT-227/TO-247-2L.

• Aire acondicionado
• Fuente de alimentación conmutada
• Generación fotovoltaica
• Carga rápida de vehículos eléctricos

Los dispositivos discretos MOSFET de carburo de silicio de MacMic ofrecen un rendimiento excelente en alta frecuencia, alta tensión y alta temperatura; sustituir los IGBT de silicio convencionales en un sistema permite elevar la frecuencia de conmutación y la densidad de potencia y reducir el coste global. Los dispositivos presentan bajas pérdidas de conmutación, alta temperatura de unión de funcionamiento, baja resistencia en conducción y robustez suficiente en una clase de tensión de 1200 V. La lista de productos se renderiza dinámicamente mediante JavaScript en el front-end.

Tensión 1200 V; VGS,op -4/+18 V; temperatura de unión 175 °C; características bajas pérdidas de conmutación/baja RDS(on)/alta temperatura de unión; aplicaciones fotovoltaica/almacenamiento de energía/fuente industrial/vehículos de nueva energía/accionamiento de motor/punto de carga (consulte la lista oficial para modelos concretos).

• Inversor fotovoltaico
• Sistema de almacenamiento de energía
• Fuente de alimentación industrial
• Vehículos de nueva energía
• Accionamiento de motor
• Punto de carga

Los dispositivos discretos MOSFET de MacMic presentan baja resistencia en conducción, conmutación rápida y alta capacidad de avalancha, y cubren escenarios de alta tensión y gran corriente. Los encapsulados incluyen TO-247, TO-263 y TO-3PF y resultan adecuados para fuentes conmutadas, fuentes industriales y aplicaciones de iluminación y electrodomésticos.

Tensión 1500 V; corriente 2,5 A; RDS(on) 9 Ω; PD 63 W; tf 61 ns; encapsulados TO-247/TO-263/TO-3PF.

• Fuente de alimentación conmutada
• Fuente de alimentación industrial
• Electrodomésticos
• Iluminación

Los dispositivos discretos FRED (diodo epitaxial de recuperación rápida) de MacMic cubren 300–1700 V y 8–100 A con tiempo de recuperación ultrarrápido y comportamiento de recuperación suave, además de baja carga de recuperación inversa, baja corriente de fuga y alta energía de avalancha. Una amplia gama de encapsulados (TO-220/TO-247/TO-3PB y otros) da soporte a máquinas de soldar, SAI, electrodomésticos y puntos de carga.

Tensión 300/400/600/700/1000/1200/1700 V; corriente 8–100 A; VF 1,15–2,9 V; trr 17–50 ns; encapsulados TO-220/TO-220C/TO-220F/TO-247/TO-3PB y otros.

• Máquina de soldar
• Fuente de alimentación UPS
• Electrodomésticos
• Punto de carga
• Fuente de alimentación conmutada

Los chips de diodo de recuperación rápida de MacMic emplean tecnología localizada de control del tiempo de vida de portadores minoritarios para lograr un tiempo de recuperación inversa corto, baja caída de tensión directa, comportamiento de recuperación suave y alta capacidad de avalancha, y cubren 200–1700 V y 4–400 A. Los chips se suministran como obleas desnudas (die) y se destinan principalmente al montaje de módulos IGBT y a la fabricación de dispositivos de potencia.

Tensión 210/230/350/420/630/640/660/1260 V (die desnudo); corriente 2–75 A; VF 0,90–2,80 V; trr 20–90 ns; se ofrecen varios tamaños de die.

• Montaje de módulos IGBT
• Fabricación de dispositivos semiconductores de potencia
• Control industrial
• Generación de energía renovable

El módulo IGBT GV es la serie de módulos de potencia de grado automotriz de MacMic fabricada con tecnología de chip de microtrinchera M7i; incorpora un diseño pinfin característico y un sustrato de alta conductividad térmica, y está orientada a la tracción de vehículos de nueva energía. Recomendada como novedad en el sitio web oficial, la serie combina bajas pérdidas con una alta disipación de calor.

Tecnología de chip microtrinchera M7i; sustrato pinfin de alta disipación; posicionamiento grado automotriz/tracción de vehículos de nueva energía; bajas pérdidas y disipación superior.

• Tracción de vehículos de nueva energía
• Punto de carga
• Conversión de frecuencia industrial

El módulo IGBT GWB de 1700 V es un producto destacado de MacMic con baja caída de tensión en conducción, alta densidad de corriente y excelente capacidad de ciclado de potencia, y emplea un diseño de proceso antiazufrado característico para prolongar la vida de fiabilidad. La serie responde a escenarios industriales exigentes como convertidores de alta tensión, energía eólica y almacenamiento de energía.

Tensión 1700 V; características baja Vce(sat)/alta densidad de corriente/excelente ciclado de potencia; proceso diseño antiazufrado característico; vida de fiabilidad elevada.

• Convertidor de frecuencia de alta tensión
• Generación de energía eólica
• Sistema de almacenamiento de energía
• Fuente de alimentación industrial

El módulo IGBT GWQ utiliza la tecnología de chip M7i de MacMic para combinar un Vce(sat) bajo con bajas pérdidas de conmutación; la referencia representativa MMG600WQ100PD6T7 es un módulo de tres niveles I-NPC de 1000 V/600 A. La serie es adecuada para escenarios de conversión de energía eficiente como inversores fotovoltaicos e inversores de almacenamiento de energía.

Tecnología de chip M7i; tensión 1000 V; corriente 600 A (referencia representativa); topología tres niveles I-NPC; encapsulado GWQ/sustrato plano; VCE(sat) 1,80 V.

• Inversor fotovoltaico
• Inversor de almacenamiento de energía

El módulo de refrigeración por dos caras DSC de la serie IcyPack adopta una estructura de refrigeración por ambas caras (Double Side Cooling) que mejora notablemente la eficiencia de salida de corriente del dispositivo e integra sensores de corriente y temperatura para vigilar con precisión su estado de seguridad. Es un producto destacado de MacMic y se orienta a aplicaciones de nueva energía y de grado automotriz con alta densidad de potencia y alta fiabilidad.

Estructura refrigeración por dos caras (DSC); característica mayor eficiencia de salida de corriente; sensores de corriente y temperatura integrados; monitorización precisa de seguridad.

• Tracción de vehículos de nueva energía
• Inversor de alta densidad de potencia
• Sistema de almacenamiento de energía
• Conversión de frecuencia industrial