О компании
Jiangsu Macro Micro-Tech — подтверждённый китайский производитель в цепочке поставок автомобилей на новых источниках энергии. Документированная продукция включает Автомобильные IGBT-модули, Силовые модули SiC, Силовые полупроводниковые приборы.
Продукция
IGBT-модули мощности автомобильного класса
Модули мощности IGBT от MacMic охватывают классы напряжения 600/650/750/1000/1200/1700 В и используют микроканавчатые технологии кристаллов M3i/M4i/M6i/M7i с корпусами на плоской подложке, подложке без меди и подложке pinfin. Топологии включают полумост, трёхфазный полный мост, трёхуровневые I-NPC/T-NPC, интеграцию мощности PIM, шестисекционный выпрямитель, повышающий чоппер и одиночный ключ. Сертифицированы для автотранспорта и подходят для тягового привода электромобилей, промышленности и возобновляемой энергетики.
Классы напряжения 600/650/750/1000/1200/1700 В; ток 10–950 А; технологии кристаллов M3i/M4i/M6i/M7i; корпуса плоская подложка/подложка без меди/подложка pinfin; топологии полумост/трёхфазный мост/трёхуровневый I-NPC/трёхуровневый T-NPC/PIM/шестисекционный выпрямитель/повышающий чоппер/одиночный ключ.
- Тяговый привод электромобилей
- Фотоэлектрический инвертор
- Инвертор накопления энергии
- Промышленный преобразователь частоты
- Сварочный аппарат
- Источник питания ИБП
Гибридные модули мощности SiC
Гибридные модули на карбиде кремния объединяют диоды SiC внутри IGBT-модулей мощности, образуя интегрированные модули с высокой плотностью мощности. По сравнению с негибридными модулями они обеспечивают меньшие потери переключения и более высокую рабочую температуру, что делает их пригодными для мощных применений с жёсткими требованиями по КПД и потерям. Используются корпуса GHP/GWB, диапазон 650 В и 1200 В, температура перехода достигает 175 °C.
Напряжение 650 В/1200 В; ток 300/450/600 А; VCE(sat) 1,40–1,90 В; температура перехода 175 °C; корпуса GHP/GWB.
- Фотоэлектрический инвертор
- Система накопления энергии
- Зарядная станция
- Промышленный источник питания
- Электромобили
Модули мощности SiC MOSFET
Модули мощности SiC MOSFET от MacMic используют кристаллы MOSFET из карбида кремния и обеспечивают работу на высокой частоте, высоком напряжении и высокой температуре для ответственных сценариев с высокой надёжностью: электрический привод автомобилей, зарядные станции и фотоэлектрические инверторы. Корпуса включают NV, NCB и SOT-227 при классе напряжения 1200 В.
Напряжение 1200 В; ток 100–107 А; RDS(on) 1,57–13,4 мОм; температура перехода 150/175 °C; корпуса NV/NCB/SOT-227.
- Электрический привод автомобилей
- Зарядная станция
- Фотоэлектрический инвертор
- Система накопления энергии
Модули мощности быстровосстанавливающихся диодов (FRD)
Модули мощности быстровосстанавливающихся диодов (FRD) от MacMic охватывают классы напряжения 200–1700 В и используют локальную технологию управления временем жизни неосновных носителей, что даёт короткое время обратного восстановления, низкое прямое падение напряжения, мягкое восстановление и высокую лавинную стойкость. Семейства корпусов включают FS/FY/FJ/FN/FZ/FYB/FD и отвечают потребности в эффективном выпрямлении в промышленной автоматике и возобновляемой энергетике.
Напряжение 200/400/500/600/700/1200/1700 В; ток 2x60 А–600 А; VF 0,90–3,00 В; trr 49–500 нс; корпуса FS/FY/FJ/FN/FZ/FYB/FD.
- Преобразователь частоты
- Импульсный источник питания
- Сварочный источник питания
- Источник питания ИБП
- Промышленный источник питания
Выпрямительные мостовые модули
Выпрямительные мостовые модули MacMic компактны, обладают высокой токовой нагрузкой и высоким рабочим напряжением; схемные конфигурации включают полумост, общий катод, одиночную секцию и трёхфазный выпрямительный мост в классах 1600 В/1800 В/2000 В. Корпусная линейка широка (DA/DAB/DE/DEB/DF/DFB/DL/DS), модули широко применяются в преобразователях частоты, импульсных и медицинских источниках питания.
Напряжение 1600/1800/2000 В; ток 50–300 А; IFSM 500–9000 А; корпуса DA/DAB/DE/DEB/DF/DFB/DL/DS.
- Преобразователь частоты
- Импульсный источник питания
- Сварочный источник питания
- Медицинский источник питания
Дискретные приборы IGBT
Дискретные приборы IGBT от MacMic охватывают 650 В/1200 В и 10–140 А и используют микроканавчатую технологию кристалла для быстрого переключения и высокой стойкости к короткому замыканию. Корпуса включают TO-247-3L/4L, TO-247 Plus-3L/4L, TO-247 LP-4L и TOLT и предназначены для фотоэлектрических инверторов, накопителей энергии, приводов двигателей и зарядных станций.
Напряжение 650/1200 В; ток 10–140 А; VCE(sat) 1,45–2,15 В; корпуса TO-247/TO-247 Plus/TOLT.
- Фотоэлектрический инвертор
- Система накопления энергии
- Промышленный источник питания
- Привод двигателя
- Зарядная станция
- Бытовая техника
Дискретные приборы SiC SBD
Дискретные приборы — диоды Шоттки на карбиде кремния (SiC SBD) от MacMic — обеспечивают низкие потери переключения, высокоскоростное переключение и превосходные тепловые характеристики, широко применяются в кондиционерах, источниках питания, системах фотоэлектрической генерации и быстрых зарядных устройствах электромобилей. Изделия имеют промышленную сертификацию и корпуса SOT-227 и TO-247-2L.
Напряжение 1200 В; ток 2x60 А/20 А; VF 1,4 В; IFSM 180/380 А; температура перехода 175 °C; корпуса SOT-227/TO-247-2L.
- Кондиционер
- Импульсный источник питания
- Фотоэлектрическая генерация
- Быстрая зарядка электромобилей
Дискретные приборы SiC MOSFET
Дискретные приборы MOSFET на карбиде кремния от MacMic обладают превосходными характеристиками при высокой частоте, высоком напряжении и высокой температуре; замена традиционных кремниевых IGBT в системе позволяет повысить частоту переключения и плотность мощности и снизить совокупную стоимость. Приборы отличаются низкими потерями переключения, высокой рабочей температурой перехода, низким сопротивлением во включённом состоянии и достаточной стойкостью в классе напряжения 1200 В. Список изделий формируется динамически средствами JavaScript на стороне клиента.
Напряжение 1200 В; VGS,op от -4 до +18 В; температура перехода 175 °C; особенности низкие потери переключения/низкое RDS(on)/высокая температура перехода; применения фотоэлектрика/накопление энергии/промышленный источник питания/электромобили/привод двигателя/зарядная станция (конкретные артикулы см. в официальном списке).
- Фотоэлектрический инвертор
- Система накопления энергии
- Промышленный источник питания
- Электромобили
- Привод двигателя
- Зарядная станция
Дискретные приборы MOSFET
Дискретные приборы MOSFET от MacMic отличаются низким сопротивлением во включённом состоянии, быстрым переключением и высокой лавинной стойкостью и охватывают сценарии с высоким напряжением и большим током. Корпуса включают TO-247, TO-263 и TO-3PF и подходят для импульсных источников питания, промышленных источников и применений в освещении и бытовой технике.
Напряжение 1500 В; ток 2,5 А; RDS(on) 9 Ом; PD 63 Вт; tf 61 нс; корпуса TO-247/TO-263/TO-3PF.
- Импульсный источник питания
- Промышленный источник питания
- Бытовая техника
- Освещение
Дискретные приборы FRED
Дискретные приборы FRED (быстровосстанавливающийся эпитаксиальный диод) от MacMic охватывают 300–1700 В и 8–100 А со сверхбыстрым временем восстановления и мягким восстановлением, а также низким зарядом обратного восстановления, малым током утечки и высокой лавинной энергией. Широкий набор корпусов (TO-220/TO-247/TO-3PB и другие) обеспечивает применение в сварочных аппаратах, ИБП, бытовой технике и зарядных станциях.
Напряжение 300/400/600/700/1000/1200/1700 В; ток 8–100 А; VF 1,15–2,9 В; trr 17–50 нс; корпуса TO-220/TO-220C/TO-220F/TO-247/TO-3PB и другие.
- Сварочный аппарат
- Источник питания ИБП
- Бытовая техника
- Зарядная станция
- Импульсный источник питания
Кристаллы силовых полупроводников
Кристаллы быстровосстанавливающихся диодов от MacMic используют локальную технологию управления временем жизни неосновных носителей для короткого времени обратного восстановления, низкого прямого падения напряжения, мягкого восстановления и высокой лавинной стойкости и охватывают 200–1700 В и 4–400 А. Кристаллы поставляются в виде бескорпусных чипов (die) и применяются главным образом при сборке IGBT-модулей и производстве силовых приборов.
Напряжение 210/230/350/420/630/640/660/1260 В (бескорпусный чип); ток 2–75 А; VF 0,90–2,80 В; trr 20–90 нс; доступны различные размеры кристалла.
- Сборка IGBT-модулей
- Производство силовых полупроводниковых приборов
- Промышленная автоматика
- Возобновляемая энергетика
IGBT-модули серии GV
Модуль IGBT GV — это серия силовых модулей автомобильного класса от MacMic, изготовленная по микроканавчатой технологии кристалла M7i; она имеет характерную конструкцию pinfin и подложку с высокой теплопроводностью и ориентирована на тяговый привод электромобилей. Серия рекомендована как новинка на официальном сайте и сочетает низкие потери с высокой теплоотдачей.
Технология кристалла микроканавчатая M7i; подложка pinfin с высокой теплоотдачей; позиционирование автомобильный класс/тяговый привод электромобилей; низкие потери и превосходный отвод тепла.
- Тяговый привод электромобилей
- Зарядная станция
- Промышленное преобразование частоты
IGBT-модули GWB 1700 В
IGBT-модуль GWB 1700 В — ключевой продукт MacMic с низким падением напряжения во включённом состоянии, высокой плотностью тока и превосходной способностью к циклическим нагрузкам по мощности; в нём применён характерный процесс защиты от сульфидирования для увеличения ресурса надёжности. Серия рассчитана на жёсткие промышленные сценарии: высоковольтные преобразователи частоты, ветроэнергетика и накопление энергии.
Напряжение 1700 В; особенности низкое Vce(sat)/высокая плотность тока/превосходная цикличность по мощности; процесс характерная защита от сульфидирования; высокий ресурс надёжности.
- Высоковольтный преобразователь частоты
- Ветроэнергетика
- Система накопления энергии
- Промышленный источник питания
IGBT-модули GWQ
IGBT-модуль GWQ использует технологию кристалла M7i от MacMic, сочетая низкое Vce(sat) с низкими потерями переключения; представительный артикул MMG600WQ100PD6T7 — это трёхуровневый модуль I-NPC 1000 В/600 А. Серия подходит для сценариев эффективного преобразования энергии: фотоэлектрических инверторов и инверторов накопления энергии.
Технология кристалла M7i; напряжение 1000 В; ток 600 А (представительный артикул); топология трёхуровневый I-NPC; корпус GWQ/плоская подложка; VCE(sat) 1,80 В.
- Фотоэлектрический инвертор
- Инвертор накопления энергии
Модули двухстороннего охлаждения DSC серии IcyPack
Модуль двухстороннего охлаждения DSC серии IcyPack имеет конструкцию с охлаждением с двух сторон (Double Side Cooling), что заметно повышает эффективность токоотдачи прибора, и включает датчики тока и температуры для точного контроля его состояния безопасности. Это ключевой продукт MacMic, ориентированный на применения в новой энергетике и автотранспорте с высокой плотностью мощности и высокой надёжностью.
Конструкция двухстороннее охлаждение (DSC); особенность повышение эффективности токоотдачи; встроенные датчик тока и датчик температуры; точный контроль безопасности.
- Тяговый привод электромобилей
- Инвертор высокой плотности мощности
- Система накопления энергии
- Промышленное преобразование частоты
Данные о производстве
Официальные или авторитетные открытые источники подтверждают производство следующей продукции: Автомобильные IGBT-модули, Силовые модули SiC, Силовые полупроводниковые приборы.
Профиль основан на подтверждённой открытой информации и не является аудитом, сертификацией или коммерческой рекомендацией.
← Компоненты для электромобилей