Profil de l’entreprise
Jiangsu Macro Micro-Tech est un fabricant chinois vérifié de la chaîne d’approvisionnement des véhicules à énergies nouvelles. Son périmètre documenté comprend Modules IGBT de qualité automobile, Modules de puissance SiC, Dispositifs semi-conducteurs de puissance.
Produits
Modules de puissance IGBT de qualité automobile
Les modules de puissance IGBT de MacMic couvrent les classes de tension 600 V/650 V/750 V/1000 V/1200 V/1700 V et utilisent les technologies de puce à micro-tranchées M3i/M4i/M6i/M7i, avec des boîtiers à semelle plate, à semelle sans cuivre et à semelle pinfin. Les topologies comprennent le demi-pont, le pont triphasé complet, le trois niveaux I-NPC/T-NPC, l'intégration de puissance PIM, le redresseur six unités, le hacheur élévateur et l'interrupteur unique. Certifiés pour l'automobile, ils conviennent à la traction des véhicules électriques ainsi qu'aux environnements industriels et renouvelables.
Classes de tension 600/650/750/1000/1200/1700 V ; courant 10–950 A ; technologies de puce M3i/M4i/M6i/M7i ; boîtiers semelle plate/semelle sans cuivre/semelle pinfin ; topologies demi-pont/pont triphasé/trois niveaux I-NPC/trois niveaux T-NPC/PIM/redresseur six unités/hacheur élévateur/interrupteur unique.
- Traction de véhicules électriques
- Onduleur photovoltaïque
- Onduleur de stockage d'énergie
- Variateur de fréquence industriel
- Machine à souder
- Alimentation UPS
Modules de puissance SiC hybrides
Les modules hybrides en carbure de silicium intègrent des diodes SiC dans des modules de puissance IGBT pour former des modules intégrés à haute densité de puissance. Par rapport aux modules non hybrides, ils offrent des pertes de commutation plus faibles et une température de fonctionnement plus élevée, ce qui les destine aux applications de forte puissance à exigences strictes d'efficacité et de pertes. Ils utilisent des boîtiers GHP/GWB, couvrent 650 V et 1200 V et atteignent une température de jonction de 175 °C.
Tension 650 V/1200 V ; courant 300/450/600 A ; VCE(sat) 1,40–1,90 V ; température de jonction 175 °C ; boîtiers GHP/GWB.
- Onduleur photovoltaïque
- Système de stockage d'énergie
- Borne de recharge
- Alimentation industrielle
- Véhicules électriques
Modules de puissance SiC MOSFET
Les modules de puissance SiC MOSFET de MacMic utilisent des puces MOSFET en carbure de silicium et offrent un fonctionnement à haute fréquence, haute tension et haute température pour des scénarios exigeants à haute fiabilité tels que la traction électrique automobile, les bornes de recharge et les onduleurs photovoltaïques. Les boîtiers comprennent NV, NCB et SOT-227, avec une classe de tension de 1200 V.
Tension 1200 V ; courant 100–107 A ; RDS(on) 1,57–13,4 mΩ ; température de jonction 150/175 °C ; boîtiers NV/NCB/SOT-227.
- Traction électrique automobile
- Borne de recharge
- Onduleur photovoltaïque
- Système de stockage d'énergie
Modules de puissance à diode à récupération rapide (FRD)
Les modules de puissance à diode à récupération rapide (FRD) de MacMic couvrent les classes de tension 200–1700 V et utilisent une technologie localisée de contrôle de la durée de vie des porteurs minoritaires, offrant un temps de récupération inverse court, une faible chute de tension directe, un comportement de récupération douce et une forte capacité d'avalanche. Les familles de boîtiers comprennent FS/FY/FJ/FN/FZ/FYB/FD, répondant au besoin de redressement efficace en contrôle industriel et énergies renouvelables.
Tension 200/400/500/600/700/1200/1700 V ; courant 2x60 A–600 A ; VF 0,90–3,00 V ; trr 49–500 ns ; boîtiers FS/FY/FJ/FN/FZ/FYB/FD.
- Variateur de fréquence
- Alimentation à découpage
- Alimentation de soudage
- Alimentation UPS
- Alimentation de contrôle industriel
Modules de pont redresseur
Les modules de pont redresseur de MacMic sont compacts, supportent des courants élevés et résistent à des tensions élevées ; leurs configurations de circuit couvrent le demi-pont, la cathode commune, l'unité simple et le pont redresseur triphasé dans les classes 1600 V/1800 V/2000 V. L'offre de boîtiers est étendue (DA/DAB/DE/DEB/DF/DFB/DL/DS) et ils sont largement utilisés dans les variateurs de fréquence, les alimentations à découpage et les alimentations médicales.
Tension 1600/1800/2000 V ; courant 50–300 A ; IFSM 500–9000 A ; boîtiers DA/DAB/DE/DEB/DF/DFB/DL/DS.
- Variateur de fréquence
- Alimentation à découpage
- Alimentation de soudage
- Alimentation médicale
Composants discrets IGBT
Les composants discrets IGBT de MacMic couvrent 650 V/1200 V et 10–140 A et utilisent une technologie de puce à micro-tranchées pour une commutation rapide et une forte tenue aux courts-circuits. Les boîtiers comprennent TO-247-3L/4L, TO-247 Plus-3L/4L, TO-247 LP-4L et TOLT, destinés aux onduleurs photovoltaïques, au stockage d'énergie, aux entraînements moteur et aux bornes de recharge.
Tension 650/1200 V ; courant 10–140 A ; VCE(sat) 1,45–2,15 V ; boîtiers TO-247/TO-247 Plus/TOLT.
- Onduleur photovoltaïque
- Système de stockage d'énergie
- Alimentation industrielle
- Entraînement moteur
- Borne de recharge
- Appareils électroménagers
Composants discrets SiC SBD
Les composants discrets à diode à barrière Schottky en carbure de silicium (SiC SBD) de MacMic offrent de faibles pertes de commutation, des performances de commutation rapides et un excellent comportement thermique ; ils sont largement utilisés dans les climatiseurs, les alimentations, les systèmes de production photovoltaïque et les chargeurs rapides de véhicules électriques. Les produits sont certifiés industriellement et proposés en boîtiers SOT-227 et TO-247-2L.
Tension 1200 V ; courant 2x60 A/20 A ; VF 1,4 V ; IFSM 180/380 A ; température de jonction 175 °C ; boîtiers SOT-227/TO-247-2L.
- Climatiseur
- Alimentation à découpage
- Production photovoltaïque
- Recharge rapide de véhicules électriques
Composants discrets SiC MOSFET
Les composants discrets MOSFET en carbure de silicium de MacMic offrent d'excellentes performances en haute fréquence, haute tension et haute température ; remplacer les IGBT en silicium classiques dans un système permet d'augmenter la fréquence de commutation et la densité de puissance tout en réduisant le coût global. Les composants présentent de faibles pertes de commutation, une température de jonction de fonctionnement élevée, une faible résistance à l'état passant et une robustesse suffisante dans une classe de tension de 1200 V. La liste des produits est générée dynamiquement par JavaScript côté client.
Tension 1200 V ; VGS,op -4/+18 V ; température de jonction 175 °C ; caractéristiques faibles pertes de commutation/faible RDS(on)/température de jonction élevée ; applications photovoltaïque/stockage d'énergie/alimentation industrielle/véhicules électriques/entraînement moteur/borne de recharge (voir la liste officielle pour les références précises).
- Onduleur photovoltaïque
- Système de stockage d'énergie
- Alimentation industrielle
- Véhicules électriques
- Entraînement moteur
- Borne de recharge
Composants discrets MOSFET
Les composants discrets MOSFET de MacMic présentent une faible résistance à l'état passant, une commutation rapide et une forte capacité d'avalanche, couvrant les scénarios à haute tension et fort courant. Les boîtiers comprennent TO-247, TO-263 et TO-3PF et conviennent aux alimentations à découpage, aux alimentations industrielles ainsi qu'aux applications d'éclairage et d'électroménager.
Tension 1500 V ; courant 2,5 A ; RDS(on) 9 Ω ; PD 63 W ; tf 61 ns ; boîtiers TO-247/TO-263/TO-3PF.
- Alimentation à découpage
- Alimentation industrielle
- Appareils électroménagers
- Éclairage
Composants discrets FRED
Les composants discrets FRED (diode épitaxiale à récupération rapide) de MacMic couvrent 300–1700 V et 8–100 A avec un temps de récupération ultra-rapide et un comportement de récupération douce, ainsi qu'une faible charge de récupération inverse, un faible courant de fuite et une énergie d'avalanche élevée. Une large gamme de boîtiers (TO-220/TO-247/TO-3PB et autres) prend en charge les machines à souder, les onduleurs UPS, l'électroménager et les bornes de recharge.
Tension 300/400/600/700/1000/1200/1700 V ; courant 8–100 A ; VF 1,15–2,9 V ; trr 17–50 ns ; boîtiers TO-220/TO-220C/TO-220F/TO-247/TO-3PB et autres.
- Machine à souder
- Alimentation UPS
- Appareils électroménagers
- Borne de recharge
- Alimentation à découpage
Puces semi-conductrices de puissance
Les puces à diode à récupération rapide de MacMic utilisent une technologie localisée de contrôle de la durée de vie des porteurs minoritaires pour obtenir un temps de récupération inverse court, une faible chute de tension directe, un comportement de récupération douce et une forte capacité d'avalanche, et couvrent 200–1700 V et 4–400 A. Les puces sont fournies sous forme de puces nues (die) et servent principalement à l'assemblage de modules IGBT et à la fabrication de composants de puissance.
Tension 210/230/350/420/630/640/660/1260 V (puce nue) ; courant 2–75 A ; VF 0,90–2,80 V ; trr 20–90 ns ; plusieurs tailles de puce disponibles.
- Assemblage de modules IGBT
- Fabrication de composants semi-conducteurs de puissance
- Contrôle industriel
- Production d'énergie renouvelable
Modules IGBT GV
Le module IGBT GV est la série de modules de puissance de qualité automobile de MacMic, fabriquée avec la technologie de puce à micro-tranchées M7i ; il comporte une conception pinfin distinctive et une semelle à haute conductivité thermique, et cible la traction des véhicules électriques. Recommandée comme nouveauté sur le site officiel, la série allie faibles pertes et dissipation thermique élevée.
Technologie de puce micro-tranchées M7i ; semelle pinfin à forte dissipation ; positionnement qualité automobile/traction de véhicules électriques ; faibles pertes et dissipation thermique supérieure.
- Traction de véhicules électriques
- Borne de recharge
- Conversion de fréquence industrielle
Modules IGBT GWB 1700 V
Le module IGBT GWB 1700 V est un produit phare de MacMic doté d'une faible chute de tension à l'état passant, d'une densité de courant élevée et d'une excellente aptitude aux cycles de puissance ; il utilise une conception de procédé anti-sulfuration distinctive pour prolonger la durée de vie de fiabilité. La série répond à des scénarios industriels exigeants tels que les variateurs haute tension, l'éolien et le stockage d'énergie.
Tension 1700 V ; caractéristiques faible Vce(sat)/densité de courant élevée/excellente aptitude aux cycles de puissance ; procédé conception anti-sulfuration distinctive ; durée de vie de fiabilité élevée.
- Variateur de fréquence haute tension
- Production d'énergie éolienne
- Système de stockage d'énergie
- Alimentation industrielle
Modules IGBT GWQ
Le module IGBT GWQ utilise la technologie de puce M7i de MacMic pour combiner un faible Vce(sat) et de faibles pertes de commutation ; la référence représentative MMG600WQ100PD6T7 est un module trois niveaux I-NPC de 1000 V/600 A. La série convient aux scénarios de conversion d'énergie efficaces tels que les onduleurs photovoltaïques et les onduleurs de stockage d'énergie.
Technologie de puce M7i ; tension 1000 V ; courant 600 A (référence représentative) ; topologie trois niveaux I-NPC ; boîtier GWQ/semelle plate ; VCE(sat) 1,80 V.
- Onduleur photovoltaïque
- Onduleur de stockage d'énergie
Modules à refroidissement double face DSC de la série IcyPack
Le module à refroidissement double face DSC de la série IcyPack adopte une structure à refroidissement double face (Double Side Cooling) qui améliore nettement l'efficacité de sortie de courant du composant et intègre des capteurs de courant et de température pour surveiller précisément son état de sécurité. Produit phare de MacMic, la série cible les applications de nouvelle énergie et de qualité automobile à haute densité de puissance et haute fiabilité.
Structure refroidissement double face (DSC) ; caractéristique efficacité de sortie de courant améliorée ; capteurs de courant et de température intégrés ; surveillance précise de la sécurité.
- Traction de véhicules électriques
- Onduleur à haute densité de puissance
- Système de stockage d'énergie
- Conversion de fréquence industrielle
Preuves de production
Des sources officielles ou publiques faisant autorité confirment la capacité de fabrication de Modules IGBT de qualité automobile, Modules de puissance SiC, Dispositifs semi-conducteurs de puissance.
Cette fiche repose sur des informations publiques confirmées. Elle ne constitue ni un audit, ni une certification, ni une recommandation commerciale.
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