芯联集成电路制造股份有限公司

芯联集成MEMS工艺平台布局完整、技术先进，具备CMOS-MEMS单芯片集成与晶圆级封装能力；技术路线分为开放式结构（MEMS麦克风、压力传感器、超声波传感器）与封闭式结构（振荡器、加速度计、陀螺仪）等多类MEMS器件，可为客户提供定制化工艺研发与大规模量产解决方案。

技术路线分开放式与封闭式两类；具备CMOS-MEMS单芯片集成能力；具备晶圆级封装（WLP）能力；深耕MEMS领域十余年，拥有丰富研发与大规模量产经验；提供定制化工艺研发与大规模量产

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芯联集成提供完整的MOSFET工艺平台，包括沟槽式MOSFET、分栅式MOSFET以及超结MOSFET，涵盖先进的背面工艺与特殊金属沉积工艺，可为客户提供定制化工艺研发与大规模量产解决方案；产品亦覆盖车规级碳化硅（SiC）MOSFET芯片及模组。

工艺类型：沟槽式MOSFET、分栅式MOSFET、超结MOSFET；含先进背面工艺与特殊金属沉积工艺；覆盖车规级SiC MOSFET芯片及模组；提供定制化工艺研发与大规模量产

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芯联集成立足于场截止型（Field Stop）IGBT结构，采用业界先进的背面加工工艺（背面减薄、离子注入、激光退火及特殊金属沉积等），600V~1200V等器件工艺均已实现大规模量产，并提供快恢复二极管（FRD）代工服务，同时覆盖车规级IGBT芯片及功率模组。

结构：场截止型（Field Stop）IGBT；电压等级：600V~1200V；背面工艺：减薄、离子注入、激光退火、特殊金属沉积；灵活金属层次选择；配套快恢复二极管（FRD）代工；已实现大规模量产

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芯联集成车规级BCD技术工艺平台，为汽车、新能源、高端工控、物联网等应用提供完整高压、大电流与高密度技术的模拟与电源方案，集成BCD+eflash（SST）、IPS（BCD+MOS）与BCD-SOI等特色平台，并提供车规级AEC-Q100 G0/G1/G2高可靠性工艺。

电压范围：5V-150V 与 250V-650V；工艺节点：0.35μm；特色平台：BCD+eflash（SST）、IPS（BCD+MOS）、BCD-SOI；隔离方案：PN结隔离、深沟槽隔离、SOI隔离；车规级AEC-Q100 G0/G1/G2可靠性工艺；12寸工厂支持铝后段与铜后段工艺；配套完整数字核与嵌入式非易失性存储IP

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芯联集成提供从晶圆生产制造到功率模块封装测试的一站式后段服务，包括大功率IGBT模块、MOSFET IPM模块及其他系统级集成封装，支持从模组到晶圆、芯片的完整数据回溯与追踪。

服务范围：晶圆制造至功率模块封装测试一站式；产品含大功率IGBT模块、MOSFET IPM模块、系统级集成封装；支持模组到晶圆/芯片完整数据回溯与追踪；定制化工艺研发与大规模量产

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芯联集成将MCU（微控制器）作为核心产品系列之一，与MEMS、功率器件、模拟IC并列，面向AI、汽车、新能源、工控、家电等领域提供研发、生产与销售的一站式系统代工方案（依据官网公司介绍页）。

产品类型：MCU（微控制器）；与MEMS、功率、模拟IC并列的核心产品系列；面向车规与高端工控应用；提供一站式系统代工方案

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