Shaoxing BYD Semiconductor Co., Ltd.

Силовые IGBT-модули площадки в Шаосине (BYD Semiconductor), представленные в разделе силовой полупроводниковой продукции каталога 96 позициями. IGBT в корпусе модуля охватывают платформы от 650 В до 1200 В в промышленном и автомобильном исполнении.

Модель: серия BG, 96 вариантов; Серия корпусов: 34 мм / 62 мм / genePACK2; VCES (В): 650-1200; IC (А): 25-1100; VCE(sat) (В) @25°C: 2.3 / 2.05 / 2.1; Eon (мДж) @25°C: 1.9 / 4 / 6; Eoff (мДж) @25°C: 2.8 / 2.6 / 5; Топология: полумост / полумост с общим эмиттером / шесть ключей; Качество: промышленное / автомобильное

• Электромобили и гибриды
• Промышленная автоматика
• Инверторная бытовая техника
• Фотоэлектрика
• Накопители энергии

Дискретные IGBT площадки в Шаосине (BYD Semiconductor): 36 позиций в разделе силовой полупроводниковой продукции. Отдельно исполненные IGBT охватывают платформы от 650 В до 1200 В и применяются в промышленности, бытовой технике и электротранспорте.

Модель: серии BGN/BGNE/BGME/BGQE/BGTE/BGKE/BGAE, 36 вариантов; VCES (В): 650-1200; IC (А): 15-200; VCE(sat) (В) @25°C: 1.45-2.2; Eon (мДж) @25°C: 0.21-41; Eoff (мДж) @25°C: 0.26-11; Частота (кГц): <=15 / <=20 / <=50; Качество: промышленное / автомобильное; Топология: IGBT+FRD / IGBT

• Электромобили и гибриды
• Промышленная автоматика
• Инверторная бытовая техника
• Фотоэлектрика

Кристаллы IGBT (bare die) в разделе силовой полупроводниковой продукции, всего 45 артикулов. Собственные поколения IGBT (от IGBT4.0 до IGBT6.0) служат основой модулей и дискретных приборов в диапазоне от 650 В до 1200 В.

Модель: серия BCG, 45 вариантов; Тип: IGBT4.0 / IGBT5.0 / IGBT6.0; VCES (В): 650-1200; IC (А): 15-280; VGS(th): 5-7 / 4.9-6.5 / 4-5.8; VCE(sat) (В) @25°C: 2.1 / 2.3 / 1.85; Частота (кГц): 5-12 / >=12 / 40-80; TjMax (°C): 175

• Электромобили и гибриды
• Промышленная автоматика
• Инверторная бытовая техника
• Фотоэлектрика
• Накопители энергии

Кристаллы быстровосстанавливающихся диодов, дополняющие линейку кристаллов IGBT: 29 артикулов в разделе силовой полупроводниковой продукции. Применяются совместно с кристаллами IGBT в промышленной автоматике и автомобильной электронике.

Модель: серия BCF, 29 вариантов; Тип: FRD 1.0 / FRD 2.0 / Bootstrap; VR (В): 650-1200; IF (А): 1-300; TjMax (°C): 150; VF (В): 1.5-24.7; trr (нс): 20-388

• Промышленная автоматика
• Электромобили и гибриды

Интеллектуальные силовые модули в корпусе DIP25: 13 позиций в разделе силовой полупроводниковой продукции. Встроенные схемы драйвера и защиты в паре с низкопотерными кристаллами IGBT обеспечивают эффективную и надёжную инверсию для компактных приводов двигателей.

Модель: серии BIP/BIPE DIP25, 13 вариантов; Серия: DIP25; VCES (В): 600; IC (А): 10-30; VCE(SAT) (В) @25°C: 1.5-1.7; VISO (В действ.): 1500; Rbs (Ом): 30-230; VOT: есть; Размер (мм): 38x24

• Инверторная бытовая техника
• Промышленная автоматика
• Привод двигателей

Низкопотерный интеллектуальный модуль мощности в семействе корпусов DIP25-B-3215, в каталоге 1 позиция. Встроенные схемы драйвера и защиты поддерживают компактные инверторные решения для приводов бытовой техники.

Модель: BIP60006B / BIP60010B; PN: DIP25-B-3215; VCES (В): 600; IC (А): 6-10; VCE(SAT) (В) @25°C: 1.7; VISO (В действ.): 1650; Rbs (Ом): 100; VOT: есть; Размер (мм): 32x15

• Инверторная бытовая техника
• Привод двигателей

Интеллектуальный модуль мощности в корпусе DIP26-S, в каталоге 1 позиция. Встроенные функции драйвера и защиты позволяют применять его в инверторных каскадах приводов двигателей бытовой техники.

Модель: BIPE60015S / BIPE60015S-T; PN: DIP26-S; VCES (В): 600; IC (А): 15; VCE(SAT) (В) @25°C: 1.5-1.7; VISO (В действ.): 2000; Rbs (Ом): 230; VOT: есть; Размер (мм): 32.8x18.8

• Инверторная бытовая техника
• Привод двигателей

Интеллектуальный модуль мощности семейства корпусов BIP27-4426, в каталоге 1 позиция. Интегрированные схемы драйвера и защиты обеспечивают высокоэффективную инверсию в бытовых и промышленных приводах.

Модель: BIPN60030C / BIPN60015C / BIPN60020C; PN: DIP27-4426; VCES (В): 600; IC (А): 15-50; VCE(SAT) (В) @25°C: 1.6-2; VISO (В действ.): 2500; Rbs (Ом): 25; VOT: нет / есть; Размер (мм): 44x26

• Инверторная бытовая техника
• Промышленная автоматика
• Привод двигателей

Интеллектуальный модуль мощности серии корпусов BIP30-7931, в каталоге 1 позиция. Ориентирован на компактное и эффективное управление приводом, питание драйвера организуется внешним бутстрепом.

Модель: BIP120035V; PN: DIP30-7931; VCES (В): 1200; IC (А): 35; VCE(SAT) (В) @25°C: 2.2; VISO (В действ.): 2500; Rbs (Ом): внешнее бутстрепное питание; VOT: есть; Размер (мм): 79x31

• Промышленная автоматика
• Привод двигателей

Дискретные MOSFET на карбиде кремния: 17 позиций в разделе силовой полупроводниковой продукции. Высокая частота коммутации и малые потери переключения делают их пригодными для электротранспорта и высокоэффективных источников питания.

Модель: серии BSKE/BSK/BSZE, 17 вариантов; VDSS (В): 750-1500; RDS(on) (мОм): 15-105; ID (А): 22-100; Eon (мДж) @25°C: 0.08-2.39; Eoff (мДж) @25°C: 0.11-1.74; Частота (кГц): <=200; Корпус: TO-247-4L / QDPAK

• Электромобили и гибриды
• Промышленные источники питания
• Фотоэлектрика

Траншейные MOSFET с экранированным затвором: 5 позиций в разделе силовой полупроводниковой продукции. Предназначены для источников питания, DC-DC модулей, управления двигателями и автомобильной электроники, сочетая высокие характеристики с КПД и улучшённым теплоотводом.

Модель: серии BMSE/BMLE, 5 вариантов; VDSS (В): 40-150; RDS(on) (мОм): 1.3-6; ID (А): 56-293; VGS(th) (В): 2.0-4.0 / 1.0-2.5 / 2.4-3.6; TJ (°C): -55 до 175 / -55 до 150; Корпус: PDFN5x6 / TO-220-3L

• Электромобили и гибриды
• Источники питания
• DC-DC преобразование
• Управление двигателями

MOSFET со сверхпереходом (SJ): 6 позиций в разделе силовой полупроводниковой продукции. Применяются в источниках питания, DC-DC преобразователях и управлении двигателями, где нужны высокое напряжение и низкое сопротивление открытого канала.

Модель: серии BMLE/BMNE/BMKE, 6 вариантов; VDSS (В): 650; RDS(on) (мОм): 41-110; ID (А): 30-80; VGS(th) (В): 3.0-5.0; TJ (°C): -55 до 150; Корпус: TO-220-3L / TO-247-3L / TO-247-4L

• Источники питания
• Промышленная автоматика
• Электромобили и гибриды

Силовой модуль на MOSFET со сверхпереходом: 1 позиция в разделе силовой полупроводниковой продукции. Несколько кристаллов объединены в одном корпусе модуля для компактных каскадов преобразования мощности.

Модель: BMP110N65HN; VDSS (В): 650; RDS(on) (мОм): 105; ID (А): 30; Топология: полумост; Корпус: SOP-9

• Источники питания
• Промышленная автоматика
• Электромобили и гибриды

Силовые модули на SiC MOSFET: 7 изделий в разделе силовой полупроводниковой продукции. Топологии полумоста, шести ключей и трёхуровневой Т-схемы на автомобильных корпусах ориентированы на контроллеры тяговых электродвигателей и эффективное преобразование мощности.

Модель: серии BM840/BM1040 и платформа V-305, 7 изделий; VDSS (В): 750-1500; RDS(on) (мОм): 3.7 / 2.8 / 2.9; ID (А): 840 / 1040 / 1400; Eon (мДж) @25°C: 51 / 119 / 172.7; Eoff (мДж) @25°C: 25 / 92 / 100.1; Топология: шесть ключей / трёхуровневая Т-схема / полумост; Корпус: V305S6D / V305N6D / V305A6D

• Главный привод электромобилей
• Бортовая зарядка
• Промышленные источники питания

Диоды подавления импульсных перенапряжений: 6 позиций в разделе силовой полупроводниковой продукции. Защищают цепи от перенапряжений и электростатических разрядов, широко применяются в промышленной автоматике и автомобильной электронике.

Модель: серия BVE, 6 вариантов; PPP (Вт): 400-5000; VPP (В): 12-54; IPP (А): 18-119; Полярность: однонаправленный / двунаправленный; Качество: автомобильное; Корпус: DO-214AC (SMA) / DO-214AA (SMB) / DO-214AB (SMC)

• Автомобильная электроника
• Промышленная автоматика
• Защита портов

Автомобильная серия MCU BYD с сертификацией AEC-Q100 Grade 1, контролем производства по IATF16949 и уровнем функциональной безопасности до ISO 26262 ASIL-B. Ориентирована на электронику кузова: фонари, управление двигателями и зарядные пистолеты.

Модель: BS32F030xBx6; Стандарт качества: AEC-Q100 Grade 1; Уровень безопасности: ISO 26262 ASIL-B (максимум); Ядро: 8-разрядное / 32-разрядное

• Автомобильные фонари
• Управление BLDC-двигателями
• Считывание датчиков
• Зарядные пистолеты
• Панели управления
• Измерение PM2.5

Автомобильный MCU BS32G0 с сертификацией AEC-Q100 Grade 1, предназначен для фонарей, управления BLDC-двигателями и других функций электроники кузова.

Модель: BS32G030xBx6; Стандарт качества: AEC-Q100 Grade 1; Уровень безопасности: ISO 26262 ASIL-B (максимум); Ядро: 8-разрядное / 32-разрядное

• Автомобильные фонари
• Управление BLDC-двигателями
• Зарядные пистолеты
• Электроника кузова

Автомобильный MCU BS32F1 с 32-разрядным ядром, предназначен для фонарей, управления BLDC-двигателями и общих задач электроники кузова.

Модель: BS32F103xBx6; Стандарт качества: AEC-Q100 Grade 1; Уровень безопасности: ISO 26262 ASIL-B (максимум); Ядро: 8-разрядное / 32-разрядное

• Автомобильные фонари
• Управление BLDC-двигателями
• Электроника кузова

8-разрядные MCU со встроенной функцией сенсорных клавиш: 4 позиции в разделе микросхем интеллектуального управления. Подходят для умных замков, сенсорных панелей и управления бытовой техникой.

Модель: BF7112A, серии BS9000/BS9001, 4 варианта; Ядро: 8051 4T / 8051 1T; Flash (байт): 30K / 30.5K / 62K; EEPROM (байт): 2K / 1K; RAM (байт): 1K / 2.25K / 4.25K; Частота: 24 МГц; Напряжение (В): 2.7-5.5 / 3.0-5.5; Температура (°C): -40 до 125; Корпус: TSSOP / QFN

• Управление умными замками
• Сенсорные панели
• Бытовая техника

Специализированный 8-разрядный MCU для автомобильной подсветки салона: 1 позиция в разделе микросхем интеллектуального управления. Ориентирован на сценарии управления LED-освещением, например контурную подсветку салона.

Модель: BS9200AMXX; Ядро: 8051 1T; Flash (байт): 30.5K; EEPROM (байт): 1K; RAM (байт): 2.25K; Частота: 24 МГц; Напряжение (В): 6.0-18; Температура (°C): -40 до 125; Корпус: ESOP

• Автомобильная подсветка салона
• Умное освещение

Универсальные MCU с 32-разрядными ядрами: 6 позиций в разделе микросхем интеллектуального управления. На базе Arm Cortex-M0/M0+/M4F применяются в бытовой технике, промышленной автоматике и потребительской электронике.

Модель: серия BF7006 и серии BS9018/BS9044/BS9046, 6 вариантов; Ядро: Arm Cortex-M0 / Cortex-M0+ / Cortex-M4F; Flash (байт): 96K / 256K / 512K; EEPROM (байт): 2K / 64K; RAM (байт): 4K / 6K / 32K; Частота: 32 / 48 / 80 МГц; Напряжение (В): 2.7-5.5 / 3.3-5.5 / 3.6-5.5; Температура (°C): -40 до 125 / -40 до 105; Корпус: LQFP / TSSOP / QFN

• Бытовая техника
• Промышленная автоматика
• Потребительская электроника

Специализированные MCU для управления умными замками: 2 позиции в разделе микросхем интеллектуального управления. Функции управления и безопасности, включая RF и сенсорные клавиши, интегрированы на кристалле.

Модель: BF5820AM32 / BF5823AM48, 2 варианта; Функция: чип задней платы замка / главный контроллер «3 в 1» с RF и сенсорными клавишами; Корпус (мм): QFN32 4x4 / QFN48 5x5; Типовое применение: задняя плата умного замка / главное управление; Потребление: 10 мкА @ 3.3 В / 55 мкА (карта 2 Гц, клавиша 2 Гц)

• Умные дверные замки
• Охрана и безопасность

8-разрядные MCU, объединяющие сенсор, индикацию и управление на одном кристалле: 4 позиции в разделе MCU для бытовой техники. Предназначены для панелей управления с ёмкостным сенсорным вводом.

Модель: серии BF7611/BS7612/BF7613/BF7615, 4 варианта; Ядро: 8051 1T; ROM (байт): 8K / 16K / 32K; DATA (байт): 1024-2048; RAM (байт): 512-4352; Напряжение (В): 2.5-5.5 / 2.7-5.5; Температура (°C): -40 до 105; Корпус: SOP / TSSOP / LQFP

• Бытовая техника
• Сенсорные панели

Универсальные 8-разрядные MCU: 4 позиции в разделе MCU для бытовой техники. Применяются в платах бытовой техники и общих задачах управления.

Модель: серии BF7511/BS7512/BF7513/BF7515, 4 варианта; Ядро: 8051 1T; ROM (байт): 8K / 16K / 32K; DATA (байт): 1024-2048; RAM (байт): 512-4352; Напряжение (В): 2.1-5.5 / 2.7-5.5; Температура (°C): -40 до 105; Корпус: SOP / TSSOP / LQFP

• Бытовая техника
• Промышленная автоматика

Промышленный 32-разрядный MCU, объединяющий сенсор, индикацию и управление: 1 позиция в разделе промышленных 32-разрядных MCU. Создан для промышленных человеко-машинных панелей и плат приводов.

Модель: BF7807AMXX; Ядро: Arm Cortex-M0+; ROM (байт): 128K; DATA (байт): 512; RAM (байт): 16K; Напряжение (В): 2.7-5.5; Температура (°C): -40 до 105; Корпус: LQFP

• Промышленная автоматика
• Привод двигателей

Промышленные универсальные 32-разрядные MCU: 2 позиции в разделе промышленных 32-разрядных MCU. Применяются в платах промышленного управления, силовых каскадах и узлах управления двигателями.

Модель: BF7707AMXX / BF7905AMXX, 2 варианта; Ядро: Arm Cortex-M0+; ROM (байт): 128K / 64K; DATA (байт): 512; RAM (байт): 12K; Напряжение (В): 2.6-5.5; Температура (°C): -40 до 105; Корпус: LQFP

• Промышленная автоматика
• Управление двигателями
• Источники питания

Специализированный 32-разрядный MCU управления двигателями со встроенной периферией: 1 позиция в разделе промышленных 32-разрядных MCU. Предназначен для приводов BLDC и PMSM промышленного оборудования.

Модель: BF7905AMXX; Ядро: Arm Cortex-M0+; ROM (байт): 64K; DATA (байт): 512; RAM (байт): 12K; Напряжение (В): 2.6-5.5; Температура (°C): -40 до 105; Корпус: TSSOP

• Привод двигателей
• Частотное регулирование
• Промышленная автоматика

Чип импульсного источника питания AC-DC с точным выходом 5 В / 3 А: 1 позиция в разделе микросхем питания. Высокоэффективное преобразующее решение для зарядных устройств, адаптеров и вспомогательного питания бытовой техники.

Модель: BF1524; Корпус: SOT23-6; Точность напряжения: ±5%; Точность тока: ±5%; КПД преобразования: >87%; Потребление без нагрузки: <75 мВт; Интеграция: внешний MOS; Макс. выходная мощность: 15 Вт

• Зарядные устройства
• Адаптеры
• Вспомогательное питание бытовой техники

Чип источника питания AC-DC с выходом 20 В / 3,25 А: 1 позиция в разделе микросхем питания. Высокая точность выхода и энергоэффективность ориентированы на быстрые зарядные устройства и адаптеры.

Модель: BF1526; Корпус: SSOP10; Точность напряжения: ±3%; Точность тока: ±3%; КПД преобразования: >88%; Потребление без нагрузки: <75 мВт; Интеграция: внешний MOS; Макс. выходная мощность: 65 Вт

• Быстрые зарядные устройства
• Адаптеры

Чип источника питания AC-DC с выходом 20 В / 3,25 А: 1 позиция в разделе микросхем питания. Поддержка синхронного выпрямления и компактная обвязка позволяют создавать плотные и эффективные адаптеры.

Модель: BF1592; Корпус: SOT23-6; Статический ток: <460 мкА; Точность опоры: ±1%; Основная функция: синхронное выпрямление; Интеграция: внешний MOS; Макс. выходная мощность: 65 Вт

• Быстрые зарядные устройства
• Адаптеры

Чипы питания AC-DC для зарядных пистолетов электромобилей и вспомогательных цепей зарядных станций: 2 позиции в разделе микросхем питания. Встроенный MOSFET упрощает вспомогательные схемы на 12 Вт и 24 Вт.

Модель: BF1554C / BF1554D, 2 варианта; Корпус: SOP8; Точность напряжения: ±5%; Точность тока: ±5%; КПД преобразования: >80%; Потребление без нагрузки: <75 мВт; Интеграция: встроенный MOS; Макс. выходная мощность: 12 Вт / 24 Вт

• Зарядные пистолеты для электромобилей
• Вспомогательное питание зарядных станций

Микросхема защиты одноэлементных литиевых батарей (Li-ion и LiFePO4) с прецизионными резисторами на кристалле: 3 позиции в разделе IC защиты. Интеграция резисторов сокращает число внешних компонентов в потребительских батареях.

Модель: серия BM186, 3 варианта; Ток покоя Тип: 2.0 мкА; Ток переразряда Макс: 0.5-1 мкА; Напряжение обнаружения перезаряда: 4.53-4.58 В; Напряжение обнаружения переразряда: 2.4-2.53 В; Напряжение обнаружения сверхтока разряда 1: 4.380 В; Напряжение обнаружения сверхтока заряда: 2.6-2.91 В; Ток обнаружения короткого замыкания: 16-21.5 А

• Защита литиевых аккумуляторов
• Потребительская электроника

Одноканальный драйвер затвора с магнитной изоляцией: 2 позиции в разделе драйверных IC. Рассчитан на шины 600 В и 1200 В, управляет ключами IGBT и SiC в промышленных инверторах.

Модель: BF1181C / BF1182, 2 варианта; Корпус: SOW16; Порог десатурации: 12 В; UVLO/восстановление первичной стороны: 13 В; UVLO/восстановление вторичной стороны: 100 В; CMTI: >100 В/нс; Вытекающий ток: 8 А; Втекающий ток: 8 А

• Управление затворами IGBT
• Управление затворами SiC
• Промышленные преобразователи частоты

Двухканальный драйвер затвора с ёмкостной изоляцией: 5 позиций в разделе драйверных IC. Совместим с силовыми приборами IGBT и SiC на 600 В и 1200 В для инверторных каскадов промышленного применения.

Модель: семейство BF1186, 5 вариантов; Корпус: SOW16 / SOW18; VVDDA/B в выключенном состоянии: 7 В / 12 В; VVDDA/B во включенном состоянии: 8 В / 13 В; CMTI: >100 В/нс; Вытекающий ток: 4 А / 10 А; Втекающий ток: 6 А / 10 А

• Управление затворами IGBT
• Управление затворами SiC
• Промышленные преобразователи частоты

Драйвер LED типа DC-DC для освещения и подсветки: 1 позиция в разделе драйверных IC. Расширение спектра и широкий диапазон диммирования подходят как для светильников, так и для подсветки дисплеев.

Модель: BF1061; Корпус: TSSOP14 (EP); Рекомендуемое входное напряжение: 8-40 В; Диапазон рабочих частот: 100-500 кГц; Макс. коэффициент заполнения: 91%; Встроенная частота расширения спектра: 7 кГц; Ток в выключенном режиме: <=12 мкА; Коэффициент диммирования: 1/1000

• Драйвер светодиодного освещения
• Управление подсветкой

Повышающий преобразователь DC-DC первого поколения: 1 позиция в разделе DC-DC. Повышает напряжение батареи для цепей питания портативной и потребительской электроники.

Модель: BF1231; Потребление в покое: 1.25 мА; Напряжение UVLO: 3.3 В; Опорное напряжение FB: 1.26 В; Порог измерения тока VSEN: 160 мВ; Напряжение вывода FA: 4.12 В; Напряжение включения SD: 0.48 В; Напряжение выключения SD: 0.55 В

• Потребительская электроника
• Питание портативных устройств

Повышающий преобразователь DC-DC второго поколения: 1 позиция в разделе DC-DC. КПД и интеграция дополнительно улучшены: широкий входной диапазон и регулируемый плавный пуск.

Модель: BF1232; Корпус: WSON12; VFB: 1 В; VIN: 3.5-45 В; FSW: 100 кГц-1.75 МГц; PGOOD: да; Регулируемое время плавного пуска: да; Рабочая температура: -40 до 125 °C

• Потребительская электроника
• Питание портативных устройств

Серия операционных усилителей: 1 позиция в разделе усилителей. Операционный усилитель общего назначения для усиления и обработки сигналов в измерительных и токовых трактах.

Модель: BF1902; Корпус: SOP8; Vos Тип: ±500 мкВ; Vos Макс: ±1 мВ; SR: 5 В/мкс; GBW: 6 МГц; IO: 100 мА; Ta: -40 до 125 °C

• Обработка сигналов
• Измерение тока
• Входной каскад датчиков

Решение защиты одноэлементной батареи, объединяющее IC защиты BM11X с дискретным защитным MOSFET: 27 позиций в разделе IC защиты. Настраиваемые пороги перезаряда, переразряда и сверхтока охватывают различные потребительские аккумуляторы.

Модель: серии BM112 / BM115 / BM117, 27 вариантов; Ток покоя Тип: 1.5-4 мкА; Ток переразряда Макс: 0.05-2 мкА; Напряжение обнаружения перезаряда: 4.175-4.575 В; Напряжение обнаружения переразряда: 2.41-2.9 В; Напряжение обнаружения сверхтока разряда 1: 0.025-0.2 В; Напряжение обнаружения сверхтока заряда: -0.145 до -0.025 В; Напряжение обнаружения короткого замыкания: 0.075-0.8 В

• Защита одноэлементных литиевых батарей
• Потребительская электроника

Семейство чипов защиты одноэлементной батареи со встроенным токоизмерительным резистором: 26 позиций в разделе IC защиты. Встроенный резистор экономит место на плате в TWS-наушниках, носимой электронике и малых батареях.

Модель: серии BM114-DE6 / DE6A / DE6C, 26 вариантов; Ток покоя Тип: 2 мкА; Ток переразряда Макс: 0.5 мкА; Напряжение обнаружения перезаряда: 4.425-4.625 В; Напряжение обнаружения переразряда: 2.1-2.5 В; Напряжение обнаружения сверхтока разряда 1: 10.5-35 мВ; Напряжение обнаружения сверхтока заряда: -33 до -15 мВ; Напряжение обнаружения сверхтока разряда 2: 15 / 16.5 / 30 мВ

• Защита одноэлементных литиевых батарей
• Наушники TWS
• Носимая электроника

Чипы защиты «2 в 1» для одноэлементных батарей, объединяющие IC защиты и MOSFET в одном корпусе: 79 позиций в разделе IC защиты. Семейство BM19X охватывает множество вариантов токов и порогов для потребительских аккумуляторов.

Модель: подсерии BM187 / BM191 / BM192 / BM195 / BM197 / BM198 / BM199, 79 вариантов; Ток покоя Тип: 0.5-4 мкА; Ток переразряда Макс: 0.05-3 мкА; Напряжение обнаружения перезаряда: 4.225-4.555 В; Напряжение обнаружения переразряда: 2.3-3.03 В; Напряжение обнаружения сверхтока разряда: 0.025-0.2 В; Напряжение обнаружения сверхтока заряда: -0.465 до -0.025 В; Rss(on) @3.8 В: 15.5-65 мОм

• Защита одноэлементных литиевых батарей
• Потребительская электроника

Чипы защиты «2 в 1» для одноэлементных батарей в ультракомпактных корпусах DFN: 2 позиции в разделе IC защиты. Сверхнизкопотребляющие решения BM197/BM198 подходят компактным устройствам с длительным режимом ожидания.

Модель: серии BM197-DE / BM198-DE; Корпус: DFN2x2-6LT / DFN1.5x2.0-6L; Размер корпуса (мм): 2.00x2.00x0.50 / 1.50x2.00x0.55; Rss(on) @3.8 В: 60 мОм / 45 мОм; Специальная функция: самовосстановление после сверхтока при малой нагрузке; Потребление: норма 3.5 мкА макс, сон 500 нА макс / норма 2.5 мкА макс, сон 50 нА макс

• Защита одноэлементных литиевых батарей
• Ультракомпактные решения

Специализированная микросхема защиты двухэлементных батарей: 9 позиций в разделе IC защиты. Опциональное восстановление из режима сна и разрешение заряда при низком напряжении расширяют применение в двухэлементных батареях.

Модель: семейство BM210, 9 вариантов; Основные особенности: защита двух элементов, опциональное восстановление из сна, разрешена зарядка при низком напряжении; Порог переразряда: 3.65-4.475 В / 2.25-4.475 В; Порог сверхтока заряда: 0.15-0.2 В / -0.2 до -0.15 В; Задержка защиты от переразряда: 1 с; Задержка защиты от сверхтока заряда: 10 мс

• Защита двухэлементных батарей
• Потребительская электроника

Микросхема защиты многомодульных батарей с выбираемой конфигурацией 3, 4 или 5 элементов: 19 позиций в разделе IC защиты. Варианты балансировки, каскадирование микросхем и защита от обрыва провода подходят электроинструменту и накопителям.

Модель: семейство BM3451, 19 вариантов; Основные особенности: выбор 3/4/5 элементов, опциональная балансировка, каскадирование микросхем, защита от обрыва провода; Ток покоя Тип: 25 мкА; Ток сна Тип: 5 мкА; Напряжение обнаружения перезаряда: 3.65-4.425 В; Напряжение снятия перезаряда: 3.55-4.3 В; Напряжение обнаружения переразряда: 2-2.85 В; Напряжение снятия переразряда: 2.5-3 В; Напряжение обнаружения сверхтока разряда 1: 0.1 В

• Защита многомодульных батарей
• Электроинструмент
• Накопители энергии

Специализированная микросхема защиты четырёхэлементных батарей в корпусе T16: 8 позиций в разделе IC защиты. Фиксированная 4-элементная конфигурация без балансировки упрощает дизайн батарей электроинструмента.

Модель: варианты BM3451 T16A, 8 вариантов; Основные особенности: защита 4 элементов без балансировки; Ток покоя Тип: 25 мкА; Ток сна Тип: 5 мкА; Напряжение обнаружения перезаряда: 3.65-4.3 В; Напряжение снятия перезаряда: 3.55-4.18 В; Напряжение обнаружения переразряда: 2.35-2.8 В; Напряжение снятия переразряда: 2.55-3 В; Напряжение обнаружения сверхтока разряда 1: 0.05-0.1 В

• Защита батарей на 4 элемента
• Электроинструмент

Специализированный чип защиты трёхэлементных литиевых и LiFePO4 батарей: 5 позиций в разделе IC защиты. Дополнительная температурная защита делает его подходящим для малых накопителей энергии.

Модель: семейство BM301, 5 вариантов; Основные особенности: защита 3 элементов с температурной защитой; Ток покоя Тип: 12 мкА; Ток сна Тип: 5 мкА; Напряжение обнаружения перезаряда: 3.65-4.25 В; Напряжение снятия перезаряда: 3.45-4.13 В; Напряжение обнаружения переразряда: 2.13-2.8 В; Напряжение снятия переразряда: 2.41-3 В; Напряжение обнаружения сверхтока разряда 1: 0.1 В

• Защита батарей на 3 элемента
• Маломощные накопители

Серии специализированных микросхем защиты на 4, 5 и 6 элементов: 31 позиция в разделе IC защиты. Низкотемпературная защита и определение состояния разряда повышают безопасность батарей инструмента и накопителей.

Модель: серии BM3540 / BM3550 / BM3560 / BM3560-D, 31 вариант; Основные особенности: защита 4/5/6 элементов с низкотемпературной или температурной защитой и определением состояния разряда; Ток покоя Тип: 20 мкА; Ток сна Тип: 5 мкА; Напряжение обнаружения перезаряда: 3.65-4.35 В; Напряжение снятия перезаряда: 3.45-4.23 В; Напряжение обнаружения переразряда: 2-2.8 В; Напряжение снятия переразряда: 2.41-3 В; Напряжение обнаружения сверхтока разряда 1: 0.05-0.1 В

• Защита многомодульных батарей
• Электроинструмент
• Накопители энергии

Микросхема защиты с выбираемой конфигурацией 3, 4 или 5 элементов: 14 позиций в разделе IC защиты. Низкотемпературная защита, определение состояния разряда и каскадирование микросхем подходят батареям инструмента и накопителей.

Модель: семейство BM3551 / BM3551-D, 14 вариантов; Основные особенности: выбор 3/4/5 элементов с низкотемпературной защитой, определением состояния разряда и каскадированием микросхем; Ток покоя Тип: 20 мкА; Ток сна Тип: 5 мкА; Напряжение обнаружения перезаряда: 3.65-4.35 В; Напряжение снятия перезаряда: 3.5-4.23 В; Напряжение обнаружения переразряда: 2-2.8 В; Напряжение снятия переразряда: 2.5-3 В; Напряжение обнаружения сверхтока разряда 1: 0.1 В

• Защита многомодульных батарей
• Электроинструмент

Серии микросхем защиты для батарей на 6-10 и 11-15 элементов: 6 позиций в разделе IC защиты. Низкотемпературная защита и определение состояния разряда поддерживают накопители и лёгкий электротранспорт.

Модель: варианты BM6101 / BM1015 L32/L48, 6 вариантов; Основные особенности: выбор 6-10 или 11-15 элементов с низкотемпературной защитой и определением состояния разряда; Ток покоя Тип: 20 мкА; Ток сна Тип: 5 мкА; Напряжение обнаружения перезаряда: 3.65-4.25 В; Напряжение снятия перезаряда: 3.45-4.13 В; Напряжение обнаружения переразряда: 2.13-2.8 В; Напряжение снятия переразряда: 2.41-3 В; Напряжение обнаружения сверхтока разряда 1: 0.1 В

• Защита батарей с большим числом элементов
• Накопители энергии
• Лёгкий электротранспорт

Серии микросхем защиты с выбором для литиевых и LiFePO4 батарей на 2-5, 6-10 и 11-15 элементов: 18 позиций в разделе IC защиты. Встроенная выбираемая задержка 1-4 с и каскадирование микросхем подходят накопителям и электроинструменту.

Модель: серии BM3051 / BM6051 / BM1051, 18 вариантов; Основные особенности: встроенная выбираемая задержка 1-4 с, каскадирование микросхем; Напряжение защиты от перезаряда: 4.350 В / 3.800 В / 3.950 В; Гистерезис перезаряда: 0.360 В / 0.200 В / 0.100 В; Задержка защиты от перезаряда: 2 с / 4 с / 1 с; Корпус: TSSOP28 / DFN-8L / MSOP8; Выход CO: CMOS динамический H

• Защита многомодульных батарей
• Накопители энергии
• Электроинструмент

Серия микросхем защиты с выбираемой конфигурацией 2-5 элементов: 17 позиций в разделе IC защиты. Встроенная выбираемая задержка 1-4 с, каскадирование и защита от обрыва провода подходят батареям инструмента с разными выходами CO.

Модель: серия BM3051 M8, 17 вариантов; Основные особенности: выбор 2-5 элементов, встроенная задержка 1-4 с опционально, каскадирование и защита от обрыва провода; Ток покоя Тип: 1.5 мкА; Напряжение обнаружения перезаряда: 4.200 В / 4.175 В / 4.225 В; Смещение снятия перезаряда: 0.050 В / 0.100 В / 0.200 В; Задержка защиты от перезаряда: 1 с / 2 с / 4 с; Выход CO: CMOS динамический H / открытый сток N-канала динамический L

• Защита батарей на 2-5 элементов
• Электроинструмент

Чип вторичной защиты батарей серии BM199: 1 позиция в разделе IC защиты. Добавляет независимый уровень защиты от перезаряда с транспортным режимом для более безопасного хранения батарей.

Модель: серия BM199; Корпус: DFN1x1-4L; Напряжение защиты от перезаряда VOVP: 4.475 В; Задержка защиты от перезаряда TOVP: 1 с; Выход CO: CMOS активный H; Потребление: 0.5 мкА; Специальная функция: транспортный режим

• Вторичная защита
• Безопасность батарейных блоков

Чип вторичной защиты семейства BM3051X для литиевых и LiFePO4 батарей на 2-5 элементов: 2 позиции в разделе IC защиты. Служит независимым вторым барьером от перезаряда с контролем обрыва провода.

Модель: BM3051HAA-M8D / M8E, 2 варианта; Напряжение защиты от перезаряда VOVP: 4.200 В; Гистерезис VHYS: 0.050 В; Задержка защиты от перезаряда TOVP: 1 с; Корпус: MSOP8; Выход CO: CMOS динамический H / открытый сток N-канала динамический L; Защита от обрыва провода: да

• Вторичная защита 2-5 элементов
• Безопасность батарейных блоков

Чип вторичной защиты семейства BM3051X для литиевых и LiFePO4 батарей на 2-5 элементов: 1 позиция в разделе IC защиты. Корпус DFN2x2-8 подходит компактным платам батарей, где нужен независимый барьер от перезаряда.

Модель: BM3051OCB-D8A; Корпус: DFN2x2-8; Ток на землю Ignd: 1.5 мкА / 5 мкА; VOVP: 4.350 В ±25 мВ; VHYS: 0.200 В ±50 мВ; TOVP: 2 с ±0.6 с; Выход CO: CMOS активный H

• Вторичная защита 2-5 элементов
• Безопасность батарейных блоков

Чип вторичной защиты семейства BM3051X для литиевых и LiFePO4 батарей на 11-15 элементов: 1 позиция в разделе IC защиты. Корпус TSSOP28 защищает крупные накопители и лёгкий электротранспорт от перезаряда.

Модель: BM1051ODB-T28A; Корпус: TSSOP28; Ток на землю Ignd: 1.5 мкА / 5 мкА; VOVP: 4.350 В ±25 мВ; VHYS: 0.360 В ±50 мВ; TOVP: 2 с ±0.6 с; Выход CO: CMOS активный H

• Вторичная защита 11-15 элементов
• Накопители энергии
• Лёгкий электротранспорт

Микросхема управления батареей с одноканальным аналоговым интерфейсом (AFE): 1 позиция в разделе IC управления батареями. Измеряет и контролирует напряжение батареи с автомобильным уровнем надёжности.

Модель: BF8920A; Рабочее напряжение: 3.6-5.5 В; Связь: гирляндный SPI 1 Мбит/с и стандартный SPI; Качество: AEC-Q100 Grade 1, -40 до 125 °C; Корпус: TSSOP16

• Промышленное управление батареями
• Автомобильное управление батареями

Микросхема аналогового интерфейса на 16 каналов: 2 позиции в разделе IC управления батареями. Обеспечивает высокоточный сбор напряжения и температуры с балансировкой и каскадной связью для автомобильных и промышленных BMS.

Модель: BF8915A-1 / BF8915B-1, 2 варианта; Каналы измерения напряжения: 16; Каналы съёма температуры: 8; Точность сбора: <=±3 мВ @3.3 В и 25 °C, <=±5 мВ @-40 до 85 °C / <=±2 мВ @(1.5-4.5 В) и 25 °C; Рабочее напряжение: 16-100 В; Балансировка: внутренняя и внешняя; Связь: гирляндный SPI 1 Мбит/с и стандартный SPI; Корпус: HLQFP64

• Автомобильные BMS
• BMS промышленных накопителей

Микросхема управления батареей с 4-канальным аналоговым интерфейсом: 1 позиция в разделе IC управления батареями. Объединяет в одном приборе сбор напряжения, тока и температуры с аппаратной защитой от сверхтока и управлением NMOS верхнего плеча.

Модель: BF8410A; Измерение напряжения: 4 канала, АЦП 16 бит, <=±2 мВ @(1.5-4.5 В) и 25 °C; Измерение тока: 1 канал, АЦП 16 бит, <=±0.3% @(-100 до +100 мВ); Балансировка: внутренняя и внешняя @50 мА и 40 Ом и 4.2 В; Защита от сверхтока: аппаратная, -200 до +200 мВ; Драйверы NMOS верхнего плеча: 3 канала @4 мА со встроенным накачным насосом; Связь: 1 трансивер CAN FD, 1 стандартный SPI 2 Мбит/с; Корпус: HLQFP64

• Промышленное управление батареями
• Малые батарейные блоки

Микросхема интеллектуального управления 12-вольтовыми аккумуляторами: 1 позиция в разделе IC управления батареями. Измерение, защита и подсистема Arm Cortex-M0+ с CAN FD связывают батарею с сетью автомобиля.

Модель: BF8411A; Измерение напряжения: 4 канала, АЦП 16 бит, <=±2 мВ @(1.5-4.5 В) и 25 °C; Измерение тока: 1 канал, АЦП 16 бит, <=±0.3% @(-100 до +100 мВ); Балансировка: внутренняя и внешняя @50 мА и 40 Ом и 4.2 В; Защита от сверхтока: аппаратная, -200 до +200 мВ; Драйверы NMOS верхнего плеча: 3 канала @4 мА с накачным насосом; Система: Arm Cortex-M0+, P-Flash 96K, D-Flash 2K; Связь: 1 трансивер и контроллер CAN FD, 1 SCI (LIN/UART); Корпус: HLQFP64

• Литиевые батареи 12 В
• Низковольтное питание автомобиля

Автомобильные датчики тока и напряжения на принципах fluxgate или Холла: 10 позиций в разделе интеллектуальных датчиков. Обеспечивают точное измерение тока для электроники электромобилей и бортовых систем питания.

Модель: серии BCD/BCF3/BCT1/BCX/BSA/BST, 10 вариантов; Диапазон измерения тока: ±300 А и ±600 А / ±300 А / ±150 А и ±300 А и ±500 А; Полоса пропускания: 40 кГц / 100 кГц / 25 кГц @-3 дБ; Линейность: <=±0.5% / <=±0.1% / <=±1%; Точность: <=±1% / <=±0.5%; Рабочая температура: -40 до +125 °C / -40 до +105 °C / -40 до +85 °C; Время отклика: <6 мкс / <1 мкс / <8 мкс

• Электромобили и гибриды
• Бортовая зарядка
• Контроллеры двигателей
• Фотоэлектрика

Серия промышленных датчиков тока и напряжения BYD Semiconductor: 10 моделей для точного измерения тока в промышленных преобразователях частоты, инверторах и источниках питания. Семейство охватывает широкий диапазон измерений, полос пропускания и классов точности под различные топологии преобразователей.

Диапазон измеряемого тока: ±500A / ±25A~±50A / ±1500A; Полоса пропускания: 100kHz@-3dB / 120kHz@-3dB / 150kHz@-3dB; Линейность: ≤±0.1% / ≤±0.5% / ≤±1%; Точность: ≤±0.4% / ≤±1% / ≤±0.3%; Рабочая температура: -25~+70°C / -40~+105°C / -40~+85°C; Время отклика: <1μs / <3μs / <10μs

• Промышленное преобразование частоты
• Фотоэлектрические инверторы
• Накопители энергии
• Сварочное оборудование

Серия датчиков температуры для батарейных и электроприводных систем, включает 4 модели. Термисторы NTC обеспечивают стабильные характеристики сопротивления и быструю тепловую реакцию при контроле батареи, двигателя и климатической установки.

Значение B: 3485K±1% / 4390K±2% / 3485K±2%; Сопротивление при 150°C: 1.998kΩ±1% / 1.196kΩ±3% / 1.908~2.091kΩ; Время отклика: <10s / <5s; Рабочая температура: -40~140°C / -40~200°C / 80~110°C

• Автомобильная электроника
• Промышленное измерение температуры

Серия датчиков давления из 5 моделей для измерения давления газов и жидкостей. Приборы сочетают большой запас по давлению разрушения с откликом за миллисекунды и применяются для контроля трансмиссии, топливного бака и технологических процессов.

Рабочее давление: 0~250MPaG / 0.1~2MPaA / -20~50KPaA; Давление разрушения: 40MpaG / 6MpaA / 310KpaA; Точность: ±2.2% / ±2% / ±2.5%; Время отклика: <10ms / <1ms; Рабочая температура: -40~125°C / -40~140°C / -40~85°C

• Автомобильная электроника
• Управление промышленными процессами

Датчик, объединяющий измерение температуры и давления в одном корпусе; в серии 1 модель. Предназначен для автомобильных систем кондиционирования, где требуется одновременный контроль давления и температуры хладагента.

Рабочее давление: 3518Kpa; Давление разрушения: 7000KpaA; Точность по давлению: ±2%; Точность по температуре: ±3%; Время отклика: <10ms; Рабочая температура: -30~130°C

• Автомобильная электроника
• Система кондиционирования

Серия интегрированных датчиков-модулей из 2 моделей, объединяющих определение положения передачи и скорости в одном корпусе для управления трансмиссией.

Входное напряжение: 5±0.5V; Частота ШИМ: (1000±10%)HZ; Линейность: ≤±3%; Рабочая температура: -40~+150°C; Температурный дрейф: ≤±2%

• Автомобильная электроника
• Промышленная диагностика

Серия открытых сенсорных элементов из 9 моделей для определения положения, скорости и угла поворота руля. Эти дискретные ядра служат основой для интеграции датчиков и производства модулей.

Входное напряжение: 5±0.5V / 15±0.5V / 14V; Точность: ≤±0.4% / ≤±1% / ≤±3%; Рабочая температура: -40~+125°C / -25~+70°C / -40~+80°C

• Интеграция датчиков
• Производство модулей

Чипы КМОП-сенсоров изображения для потребительской электроники, 5 моделей с разрешением от 0.3 до 5 Мп на компактных оптических форматах. Подходят для мобильных телефонов, планшетов и носимых устройств через интерфейсы DVP или MIPI.

Серия продуктов: 5MP / 2MP / 0.3MP; Оптический формат: 1/5 / 1/10 / 1/15; Размер пикселя (мкм): 1.12×1.12 / 1.75×1.75 / 2.25×2.25; Интерфейс данных: DVP MIPI / MIPI / DVP, SPI; Формат вывода: RAW / YUV, RAW; Применение: мобильные телефоны, MID / носимые устройства

• Мобильные телефоны
• Планшеты
• Потребительская электроника

КМОП-сенсоры изображения для охранного видеонаблюдения и автомобильной визуализации, 8 моделей от 1080P до 4K. Применяются в HD IP-камерах, видеорегистраторах и системах распознавания номеров и лиц.

Серия продуктов: цифровой охранный выход 1080P (2MP) / 960P (1.3MP) / 720P (1MP); Оптический формат: 1/2.7 / 1/3 / 1/3.8; Размер пикселя (мкм): 3.0×3.0 / 2.7×2.7 / 2.9×2.9 BSI; Интерфейс данных: DVP MIPI / DVP / CVBS; Формат вывода: RAW / YUV / CCIR656; Применение: IP-камера HD, видеорегистратор, номера и лица / камера 360° / бортовая камера

• HD IP-камера
• Видеорегистратор
• Распознавание номеров и лиц
• Автомобильная визуализация

Серия емкостных модулей распознавания отпечатков из 3 моделей круглой и квадратной формы, с подсветкой или без нее. Предназначены для умных замков, идентификации личности и мобильных устройств.

Пиксельная матрица: 160*160; Тип модуля: круглый без LED / круглый с LED / квадратный с LED; Типичное применение: умные замки и аналогичные изделия; Потребляемая мощность: 7uA@5HZ

• Мобильные телефоны
• Умный замок с отпечатком
• Идентификация личности

Семейство микросхем емкостных сенсоров отпечатков из 5 моделей с пиксельными матрицами до 256*360. Кристаллы в корпусе LGA применяются в замках чемоданов и ящиков, сейфах, умных замках и ведомственных терминалах идентификации.

Пиксельная матрица сенсора: 96*96 / 160*160 / 256*360; Размер кристалла в корпусе LGA (мм): прямоуг. 10*10~11.5*11.5, круглый Ф10~Ф11.5 / прямоуг. 10.4*10.4~14.3*13.6, круглый Ф12.8~Ф13.6 / круглый Ф12.8~Ф16.2; Типичное применение: замки чемоданов и ящиков, сейфы, навесные замки / умные замки / банки, таможня, силовые структуры; Потребляемая мощность: 10uA@7HZ / 120uA@20HZ

• Мобильные телефоны
• Замки с отпечатком пальца

Мультисенсорная микросхема отпечатков пальцев BF5622A, объединяющая сенсорную матрицу и управляющую логику в 32-выводном корпусе с флеш-памятью 2M. Диапазон от -40 до +125°C подходит для требовательных замков и терминалов.

Корпус: 32pin; Память: 2M flash; Рабочая температура: -40~+125°C

• Терминалы идентификации по отпечаткам

Мультисенсорная микросхема отпечатков BF5623A в 32-выводном корпусе с флеш-памятью 512K — экономичная версия семейства для терминалов. Полная функциональность сохраняется от -40 до +125°C.

Корпус: 32pin; Память: 512K flash; Рабочая температура: -40~+125°C

• Терминалы идентификации по отпечаткам

Микроконтроллеры управления замком для биометрических умных замков, 3 модели на ядре 8051 или Cortex-M0 с флеш-памятью до 128K. Интегрированные интерфейсы UART, SPI и IIC связывают сенсоры отпечатков, приводы и модули связи.

Напряжение питания: аналоговое 2.7~5.5V, цифровое 1.8~5.5V / аналоговое 2.5~5.5V, цифровое 2.5~5.5V; Ядро: 8051 / Cortex-M0; Flash: 59K / 63K / 128K Bytes; EEPROM: 4K / 1K / -; SRAM: 256+4K / 8K Bytes; UART: 2 канала / 5 каналов; SPI: 1 канал / 2 канала; IIC: 1 канал

• Умный замок
• Биометрический терминал

Микроконтроллер отпечатков пальцев, интегрирующий управление распознаванием на 32-битном ядре с частотой 168MHz, с флеш-памятью 2M и SRAM 128K. Однокристальное решение для умных замков и терминалов.

Напряжение питания: 2.6~3.6V; Тактовая частота: 168MHz; Ядро: 32-битное; Flash: 2M Bytes; SRAM: 128K Bytes; UART: 2 канала (по 2 отображения портов); SPI: 2 канала; IIC: 1 канал

• Умный замок
• Терминал отпечатков пальцев

Серия биометрических модулей отпечатков из 4 моделей, объединяющих сенсор, DSP и двухрежимный алгоритм. Уровень распознавания выше 95% при коэффициенте ложного допуска ниже 1/100000 — подходит для умных замков и терминалов.

Форма: со светодиодным кольцом / без LED; Пиксели сенсора: 108~160; Flash DSP: 2M; Алгоритм: двухрежимный алгоритм; Коэффициент ложного допуска: <1/100000; Коэффициент распознавания: >95% / >98.5% / >96.5%

• Умный замок
• Терминал отпечатков пальцев

Микросхемы распознавания отпечатков для биометрических применений, 4 модели с пиксельными матрицами от 96 до 160. Кристаллы LGA круглой и прямоугольной формы, совместимы по выводам с BF5835R-S.

Пиксельная матрица сенсора: 96~160; Размер кристалла LGA (мм): круглый Ф10~Ф11.5, прямоуг. макс 10*10 / круглый Ф12.8~Ф13.6, прямоуг. макс 14.3*13.6 / круглый Ф12.8~Ф16.2; Примечание: совместимость вывод в вывод с BF5835R-S

• Умный замок
• Терминал отпечатков пальцев

Микросхема распознавания лиц BF6068S с поддержкой стереопары камер, обеспечивающая определение живого лица с точностью выше 98%. Предназначена для замков с распознаванием лиц и терминалов защиты от подделки.

Форма: одноплатное исполнение с двумя камерами; Точность определения живого лица: >98% @ FPR 1/100000; Точность распознавания лиц: >98% @ FPR 1/1000000

• Замок с распознаванием лиц
• Определение живого лица

Светодиодные источники света серии 2016 для автомобильных фонарей, отмеченные премией Golden Ball Award 2018 от GALED и сертификацией высокотехнологичной продукции Гуандуна. Восемь моделей белого, желтого и красного свечения закрывают ДХО, освещение салона, указатели поворота и стоп-сигналы.

Цвет: белый / желтый / красный; Применение: ДХО, салонный свет / указатель поворота / стоп-сигнал; Фотоэлектрический параметр: 250~1200; Фотоэлектрический параметр: 150~1000; Фотоэлектрический параметр: 2~3.3; Фотоэлектрический параметр: 16~320; Фотоэлектрический параметр: 0.323/0.323 / 0.57/0.42 / 620; Фотоэлектрический параметр: 150

• Передние фары
• Автомобильное освещение

Семейство светодиодных источников света для фар из 3 моделей дальнего и ближнего света, удостоенное премии Golden Ball Award 2019 от GALED и сертификации высокотехнологичной продукции Гуандуна. Обеспечивает яркое и точно сфокусированное переднее освещение.

Цвет: белый; Применение: дальний/ближний свет; Фотоэлектрический параметр: 1200~1500; Фотоэлектрический параметр: 1000; Фотоэлектрический параметр: 6.4~12.8; Фотоэлектрический параметр: 660~1320; Фотоэлектрический параметр: 0.325/0.335; Фотоэлектрический параметр: 150

• Фары дальнего и ближнего света
• Автомобильное освещение

Серия светодиодных источников света в корпусе 3528 из 3 моделей белого, исландского синего и красного свечения. Применяются в габаритных огнях, салонном и декоративном освещении, подсветке дисплеев и стоп-сигналах.

Цвет: белый / исландский синий / красный; Применение: габарит/салон / подсветка, декор / габарит, стоп-сигнал; Фотоэлектрический параметр: 40~50; Фотоэлектрический параметр: 20; Фотоэлектрический параметр: 2~2.9; Фотоэлектрический параметр: 1100~1500; Фотоэлектрический параметр: 0.31/0.31 / 0.19/0.28 / 620; Фотоэлектрический параметр: 125

• Автомобильные фонари
• Сигнальное освещение

Гамма светодиодных источников света в корпусе 2835 из 7 моделей красного, желтого и белого свечения. Используются в стоп-сигналах, указателях поворота и габаритных огнях с широким набором фотоэлектрических характеристик.

Цвет: красный / желтый / белый; Применение: стоп-сигнал / указатель поворота / габарит, стоп-сигнал; Фотоэлектрический параметр: 40~240; Фотоэлектрический параметр: 20~150; Фотоэлектрический параметр: 2.1~3.1; Фотоэлектрический параметр: 6.5~65; Фотоэлектрический параметр: 617 / 590 / 0.31/0.31; Фотоэлектрический параметр: 125

• Автомобильные фонари
• Освещение

Серия светодиодных источников света в миниатюрном корпусе 0603 из 7 моделей исландского синего, зеленого и желто-зеленого свечения. Оптимизирована для подсветки приборных панелей и дисплеев автомобиля.

Цвет: исландский синий / зеленый / желто-зеленый; Применение: автомобильная подсветка; Фотоэлектрический параметр: 20; Фотоэлектрический параметр: 5~20; Фотоэлектрический параметр: 2~2.9; Фотоэлектрический параметр: 32~480; Фотоэлектрический параметр: 0.19/0.27 / 522 / 568; Фотоэлектрический параметр: 100~125

• Автомобильные фонари
• Указатели

Емкостное решение Touchkey для панелей климат-контроля автомобиля, представлено 1 моделью. Работает от сети 9-16V в диапазоне от -40 до +85°C, обеспечивая надежное сенсорное управление в салоне.

Напряжение питания: 9-16V; Рабочая температура: -40~+85°C

• Панель кондиционера автомобиля
• Сенсорное управление

Серия автомобильных дисплеев из 2 моделей: потолочный экран и прозрачный экран, оба рассчитаны на питание 9-16V и работу от -40 до +85°C.

Напряжение питания: 9-16V; Рабочая температура: -40~+85°C

• Автомобильная индикация
• Центральный дисплей

Система ночного видения автомобиля, объединяющая модули ближнего и дальнего ИК и обнаруживающая пешеходов и машины сквозь темноту, туман и ослепляющий встречный свет. Автоматическая регулировка экспозиции сохраняет четкое изображение ночью; распознавание действует до 100 м для пешеходов и 120 м для автомобилей.

Напряжение питания: 12V (модуль дальнего ИК) / 9~16V (модуль ближнего ИК) / 22V×2 (подсветка); Разрешение: 1280*720P; Поле зрения: H48*V33 (дальний ИК) / H46*V27 (ближний ИК); Дистанция обнаружения: пешеходы 10~100м / автомобили 15~120м; Точность обнаружения: пешеходы ≥95% / автомобили ≥98%; Передача: LVDS; Дисторсия: ≤5%; Рабочая температура: -40~85°C

• Ночное видение автомобиля
• Обнаружение пешеходов и машин

Бортовой измеритель PM2.5 для мониторинга концентрации твердых частиц в салоне автомобиля в реальном времени. Устройство с интерфейсом LVDS запускается менее чем за 5 с и измеряет от 0 до 999 мкг/м³ при номинальном питании 12V.

Напряжение питания: номинальное 12V (диапазон 9~16V); Рабочий ток: <500mA; Ток ожидания: ≤30μA; Потребление: 6W; Диапазон измерения: 0-999мкг/м³; Динамический диапазон: <30dB; Время запуска: <5s; Передача: LVDS

• Контроль качества воздуха в салоне

Стереоскопическая система переднего обзора, снимающая в реальном времени дорожное полотно впереди автомобиля и поддерживающая интеллектуальное вождение и упреждающее управление подвеской или фарами.

Напряжение питания: 12V; Разрешение: 1920×1080; Базовое расстояние: 160мм; HFOV: 60° (исходный) / >50° (скорректированный); Тип затвора: построчный затвор; Динамический диапазон: 120dB; Глубина резкости: 1.5м~∞; Разъем: FAKRA Z

• Интеллектуальное вождение
• Управление подвеской и фарами

Салонное зеркало с потоковым видео, выдающее изображение заднего вида в формате 1080P с широким полем зрения и динамическим диапазоном 120dB, заменяя традиционные стеклянные зеркала.

Напряжение питания: 9-16V; Разрешение: 1920*1080 (1080P); Частота кадров: 30fps; Поле зрения: HFOV >80°; Динамический диапазон: ≥120dB; Время запуска: <50ms; Передача: LVDS; Разъем: FAKRA

• Обзор заднего вида автомобиля

Блок формирования изображения (PGU) для AR-HUD на основе чипа LCOS, проецирующий картинку 1080P яркостью 90 lm для лобовых дисплеев автомобиля.

Чип источника изображения: LCOS; Угол выхода: 20*15°; Яркость проекции: 90lm; Проекционное отношение: 1.6; Разрешение: 1920*1080; Равномерность: 80%; Цветовой охват (NTSC 1931): ≥80%; Смещение (offset): 100%

• Лобовой дисплей AR-HUD

Серия кремниевых микрофонов MEMS из 4 моделей для ENC/ANC смартфонов и наушников, а также для голосового ввода в автомобиле. Корпуса от 2.75×1.85×0.90 мм с SNR до 65 дБ и AOP до 128 dBSPL.

Область применения: смартфоны, ENC/ANC наушников / ENC наушников / вызовы умного дома и автомобиля, ENC, ANC; Корпус (мм): 2.75×1.85×0.90 / 3.50×2.65×0.98; Чувствительность (dBV): -38~-26; SNR (дБ): 62~65; Диапазон частот (Гц): 50-10000 / 20-10000; AOP (dBSPL): 120~128; Напряжение питания (В): 2.0 обычный режим / 2.7 расширенный режим / 2.0 / 1.8

• ENC/ANC телефонов и наушников
• Голос в автомобиле

Датчик потока воздуха MEMS для срабатывания по потоку, 1 модель с порогом срабатывания от -300 до -100 Па. Компактный корпус 2.75×1.85×0.90 мм потребляет лишь 3~5 мкА в покое.

Область применения: электронные сигареты; Корпус (мм): 2.75×1.85×0.90; Порог срабатывания (Па): -300~-100; Ток покоя (мкА): 3~5; Напряжение питания (В): 2.4~5.5

• Электронные сигареты
• Обнаружение потока воздуха

Модуль управления ароматизацией автомобиля JG-HC-XF с обменом по шине LIN, распознаванием аромата через контакт POGO PIN по IIC, поддержкой обновления OTA и управлением с экрана или голосом.

Минимальное входное напряжение: 9V; Максимальное входное напряжение: 16V; Номинальное напряжение: 12V; Номинальный ток: <300mA; Связь: LIN; Идентификация: контакт POGO PIN, IIC; Обновление: поддерживается OTA; Средний ток покоя: ≤0.1mA

• Система ароматизации автомобиля

Модуль ароматизации автомобиля JG-JKX1-XF с обменом по шине CAN и распознаванием аромата через NFC, управляется с экрана, голосом или удаленно; уровень шума не превышает 32 дБ на расстоянии 50 см.

Минимальное входное напряжение: 9V; Максимальное входное напряжение: 16V; Номинальное напряжение: 12V; Номинальный ток: <300mA; Связь: CAN; Идентификация: NFC; Средний ток покоя: ≤0.1mA; Шум: ≤32dB (на 50см)

• Система ароматизации автомобиля

Модуль панорамной камеры высокой четкости на 1 мегапиксель для систем кругового паркинга 360 градусов, выводит YUV422 по LVDS при 30 fps со светофильтром RGGB.

Напряжение питания: DC5~12V; Рабочий ток: <150mA@9V; Разрешение: 1280×960 (1MP); Частота кадров: 30fps; Формат изображения: YUV422; Время запуска: ≤300ms; CFA (светофильтр): RGGB; Передача: LVDS

• Круговой обзор 360°
• Автомобильная визуализация

Панорамные модули на 2 и 3 мегапикселя с поддержкой функциональной безопасности, выдающие изображение 1920×1200 или 1920×1536 при 30 fps по LVDS для парковки и маневрирования с требованиями безопасности.

Напряжение питания: DC5~12V; Рабочий ток: <100mA@11V; Разрешение: 1920×1200 / 1920×1536; Частота кадров: 30fps; Формат изображения: YUV422; Время запуска: ≤300ms; CFA (светофильтр): RGGB; Передача: LVDS

• Круговой обзор 360°
• Визуализация с функциональной безопасностью

Модули ADAS на 2 и 3 мегапикселя для бокового и заднего восприятия, выводят RAW12 по LVDS при 30 fps от питания 9-16V для контроля слепых зон и машин сзади.

Напряжение питания: DC9~16V; Рабочий ток: <120mA@11V; Разрешение: 920×1200 / 1920×1536; Частота кадров: 30fps; Формат изображения: RAW12; Время запуска: ≤300ms; CFA (светофильтр): RGGB; Передача: LVDS

• Боковое и заднее восприятие ADAS

Передний стереомодуль ADAS на 8 мегапикселей, установленный в носовой части автомобиля, передает изображение RAW12 3840*2160 на центральный контроллер для помощи в вождении и парковке.

Напряжение питания: DC9~16V; Рабочий ток: <200mA@11V; Разрешение: 3840*2160; Частота кадров: 30fps; Формат изображения: RAW12; Время запуска: ≤300ms; CFA (светофильтр): RGGB; Передача: LVDS

• Переднее восприятие ADAS
• Помощь в вождении и парковке

Широкоугольный камера-модуль для потоковых салонных зеркал, снимающий изображение 1920×384 при 60 fps по LVDS.

Напряжение питания: DC5~12V; Рабочий ток: <150mA@9V; Разрешение: 1920×384; Частота кадров: 60fps; Формат изображения: YUV422; Время запуска: <300ms; CFA (светофильтр): RGGB; Передача: LVDS

• Потоковое салонное зеркало

Сканирующий модуль CSM3112 для чтения одномерных и двумерных кодов на основе сенсора OV09281 с глобальным затвором, лазерным наведением и белой LED-подсветкой в диапазоне 6-80 см.

Сенсор изображения: OV09281; Максимальное разрешение: 1280*800; Сенсорный компонент: сенсор с глобальным затвором 1/4"; Объектив: 3G+IR FNO=5.95; Наведение: лазер, длина волны 650нм, мощность <5mV; Подсветка: LED, белый 5000K, 80-100Lm@350mA; Частота кадров: 30fps@1280*800; Диапазон сканирования: 6см~80см

• Устройства сканирования кодов
• Терминалы идентификации

Видеомодуль салона для мониторинга водителя и пассажиров, сочетающий объектив CL220 с оптикой 144° и выдающий 1280H×720V при 30 fps с динамическим диапазоном ≥85дБ.

Напряжение питания: 8V DC от головного устройства (работает 6~12V); Рабочий ток: <150mA; Разрешение: центр ≥500 Lp/мм, углы ≥350 Lp/мм; Эффективные пиксели: 1280H×720V; Частота кадров: 30fps; Объектив: CL220; Поле зрения: FOV 144±3°, HFOV 144°; Динамический диапазон: ≥85дБ

• Мониторинг салона
• DMS

Модуль камеры 1080P для видеорегистратора с сенсором 1/2.7 дюйма и динамическим диапазоном 120dB, записывает дорогу впереди при 30 fps от питания 9-16V.

Напряжение питания: 9-16V; Рабочий ток: <1A; Оптический размер сенсора: 1/2.7 дюйма; Разрешение: 1080P; Частота кадров: 30fps; Поле зрения: HFOV 120°, VFOV 60°; Динамический диапазон: 120dB; ISP: FH8322

• Автомобильный видеорегистратор

Интегрированная бортовая система изображений, объединяющая головное устройство и камера-модули. Одна платформа охватывает мониторинг и аутентификацию водителя, жестовое управление, обнаружение забытых вещей, контроль задних пассажиров, запись поездки, круговой обзор 360 градусов и круглосуточное наблюдение за автомобилем.

Мониторинг водителя: выявление усталости, отвлечения и опасных действий; Аутентификация водителя: FaceID с профилями после посадки; Распознавание жестов: 3+X жестов для громкости, заднего контроля и фото поездки; Напоминание о забытых вещах: оповещения после выключения в приложение владельца; Контроль задних пассажиров: видео задних рядов через IVI для детей и животных; Запись поездки: запись дороги с звуком и аварийными фрагментами; Обзор 360: сшивка 4 HD-модулей в панораму; Наблюдение 24 часа: контроль периметра после блокировки от царапин, ударов и угона

• Мониторинг водителя
• Обзор 360°
• Запись поездки
• Контроль пассажиров

Инфракрасный модуль DMS на 1 мегапиксель с LED-подсветкой 940нм, использует изображение 1280*800 с глобальным затвором при 30 fps для мониторинга состояния водителя.

Напряжение питания: 6-12V; Эффективные пиксели: 1280*800; Способ экспозиции: глобальный затвор; Разрешение: 720P; Частота кадров: 30fps; Поле зрения: HFOV 66°, VFOV 51°; ISP: 2650; LED: 940нм, 3W, 90°

• Мониторинг состояния водителя (DMS)

Двухканальный модуль DMS RGB+IR, объединяющий видимое и инфракрасное 940нм изображение, с 1936*1188 эффективными пикселями и построчной экспозицией для мониторинга водителя.

Напряжение питания: 6-12V; Эффективные пиксели: 1936*1188; Способ экспозиции: построчный затвор; Разрешение: 1080P; Частота кадров: 30fps; Поле зрения: FOV 74°, HFOV 60°, VFOV 36°; LED: 940нм, 3W, 120°; Количество LED: 2

• Мониторинг состояния водителя (DMS)

Модуль DMS на 2 мегапикселя с функциональной безопасностью, изображение 1600*1300 с глобальным затвором и ISP GW5200, выдает 1080P при 30 fps для критически важного мониторинга водителя.

Напряжение питания: 6-12V; Эффективные пиксели: 1600*1300; Разрешение: 1080P; Частота кадров: 30fps; Поле зрения: HFOV 60°, VFOV 40°; Динамический диапазон: 68dB (GS); ISP: GW5200; LED: 940нм, 1W

• Мониторинг состояния водителя (DMS)

Автомобильный камера-модуль MPC с выходом MIPI/RAW и HDR 120dB, снимает 1824H*940V до 60 fps от питания 1.8V/3.3V для задач машинного зрения.

Напряжение питания: 1.8V/3.3V DC; Номинальная мощность: ≤1.5W; Разрешение: 1824H*940V@60fps; Размер пикселя: 4.2um; Максимальная частота: 60FPS; Формат данных: MIPI/RAW; HDR: до 120dB; Рабочая температура: -40~85°C

• Автомобильная визуализация
• Машинное зрение

Светодиодные экраны малого шага серии Meiying для близкого просмотра в помещениях, с шагом от M2.5 до M0.9 для видеостен переговорных и диспетчерских.

Напряжение питания: 9-16V; Рабочая температура: -40~+85°C

• Интерьерный экран малого шага
• Переговорные

Интерьерный светодиодный экран серии Xuancai с шагом X4.0 и X3.0 для видеостен общего назначения в помещениях.

Напряжение питания: 9-16V; Рабочая температура: -40~+85°C

• Интерьерный экран

Интерьерный светодиодный экран серии Huguang с шагом от A1.2 до A4.0 для конференц-залов, шоурумов и других внутренних установок.

Напряжение питания: 9-16V; Рабочая температура: -40~+85°C

• Интерьерный экран

Наружный светодиодный экран серии Fuguang с шагом от S2.5 до S10.0 для рекламных экранов, фасадов и уличных информационных табло.

Напряжение питания: 9-16V; Рабочая температура: -40~+85°C

• Наружный экран

Светодиодные экраны для рекламных дисплеев: наружная модель GGJ002-P2.5 и интерьерная модель GGJ001-P2.5 для коммерческой вывески.

Напряжение питания: 9-16V; Рабочая температура: -40~+85°C

• Рекламные дисплеи
• Коммерческая индикация

Семейство светодиодных потолочных светильников из 4 моделей серии CL, рассчитанных на питание 9-16V и работу от -40 до +85°C, для бытового и коммерческого освещения.

Напряжение питания: 9-16V; Рабочая температура: -40~+85°C

• Бытовое освещение
• Коммерческое освещение

Контрактное производство пластин IGBT с несколькими технологическими платформами: классы напряжения от 600V до 1200V и токи по спецификации заказчика для выпуска силовых приборов.

VCES (V): 600~1200; IC (A): по заданию заказчика; VGES (V): ±20; VCE(sat) (V): по заданию заказчика; VGE(th) (V): 5.5~6; ICES (мкА): 2; IGES (нА): 200; TJ (°C): 150

• Производство приборов IGBT
• Контрактное производство пластин

Контрактное производство пластин FRD (быстрый восстановительный диод), охватывающее платформы обратного напряжения 200~1200V, с подстройкой параметров VF и Trr под требования заказчика.

VRRM (V): 200~1200; IF(AV) (A): по заданию заказчика; IR (мкА): 2; VBR (V)@IR=0.25мА: 300~1380 / 240~1270; TJ (°C): 150; Примечание: VF/Trr настраиваются под требования заказчика

• Производство приборов FRD
• Контрактное производство пластин

Контрактное производство пластин по КМОП-технологии с несколькими платформами от приборов 12V до 40V, включая варианты смешанных напряжений, например 12V/5V.

Длина канала L (um): 3; Зазор S (um): 1.5~3; Максимальное Vds (V): -40~40; Максимальное Vgs (V): -40~40; Пороговое напряжение Vth (V): -2.5~2.5; Напряжение snapback (V): >20 / <-20 / <-50; Пробивное напряжение BV (V): >20 / <-20 / <-50; Шаг,Асимметрия (um): 7.2~9.8

• Производство по КМОП-технологии
• Контрактное производство пластин

Контрактное производство пластин TMBS (траншейный диод Шоттки) с платформами 20~150V на вариантах техпроцесса 0.7um, с подстройкой VF и IR под требования заказчика.

VRRM (V): 20~150; IF(AV) (A): по заданию заказчика; VBR (V)@IR=0.25мА (TYP.): 30~165; VBR (V)@IR=0.25мА (MIN.): 25~155; TJ (°C) (MAX.): 125; Примечание: VF/IR настраиваются под требования заказчика

• Производство диодов Шоттки
• Контрактное производство пластин

Силовые модули IGBT автомобильного уровня, охватывающие диапазон платформ 650V-1700V в стандартных корпусах 34мм и 62мм. Топологии полумоста и шести ключей применяются в тяговых инверторах, бортовых зарядных устройствах и вспомогательных преобразователях электромобилей.

Класс напряжения VCES: 650~1700V; Ток IC: 50~600A; Падение в проводимости VCE(sat)@25°C: 1.65~2.35V; Топология: полумост / шесть ключей / одиночный ключ; Серия корпусов: 34мм / 62мм; Уровень качества: автомобильный

• Тяговый инвертор электромобиля
• Бортовое зарядное устройство (OBC)
• Электрокомпрессор и электроусилитель руля

Силовые модули на SiC MOSFET с собственными кристаллами карбида кремния, диапазон 750~1200V с RDS(on) от 1.7 до 22 мОм. Автомобильные корпуса V305, V205 и MePack2 ориентированы на тяговые инверторы и высокоэффективное преобразование энергии.

Класс напряжения VDSS: 750~1200V; Сопротивление RDS(on): 1.7~22мОм; Ток ID: 65~840A; Энергия переключения Eon/Eoff@25°C: от единиц до десятков мДж; Топология: полумост / шесть ключей; Корпуса: автомобильные платформы V305 / V205 / MePack2

• Тяговый инвертор электромобиля
• Бортовая зарядка и DC-DC
• Высокоэффективные промышленные источники питания

Аналоговые интерфейсные микросхемы (AFE) для управления батареями в 16- и 4-канальном исполнении: высокоточный сбор напряжения ячеек и температуры, управление балансировкой и цепочечная связь для автомобильных и промышленных BMS.

Каналы сбора напряжения: 4~16; Каналы измерения температуры: до 8; Точность сбора: ≤±3mV@3.3V&25°C; Рабочее напряжение: 16V~100V; Балансировка: поддерживается внутренняя / внешняя; Связь: цепочечный SPI 1Mbps и стандартный SPI

• BMS тяговых батарей
• Управление промышленными и накопительными батареями

Семейство датчиков тока и напряжения автомобильного уровня, включающее токовые и потенциальные приборы, для гальванически развязанного точного измерения тока в тяговых инверторах, бортовых зарядных устройствах и электрокомпрессорах электромобилей.

Диапазон измеряемого тока: ±300A / ±600A и другие автомобильные диапазоны; Полоса пропускания: 40kHz@-3dB; Линейность: ≤±0.5%; Точность: ≤±1%; Рабочая температура: -40~+125°C; Время отклика: <6μs

• Измерение тока тягового инвертора
• Бортовое зарядное устройство (OBC)
• Электрокомпрессор и навесные электроприводы